Способ хранения информации в запоминающем устройстве на МНОП-структуре Советский патент 1982 года по МПК G11C11/34 G11C11/40 

сон положительной полярности с амплитудой , меньшей амплитуды напряжения порога переключения, длительностью (1 СП -10) с периодом следования (3.) с.

Указанные импульсы на состояние с звахватом злектронов (чему соответст(вует положительный знак напряжения плоских зон) и инверсное состояние полупроводника действуют следующим образом. Поскольку их амплитуда 6ольlue максимального напряжения плоских зон, результирующее поле полупроводника, складывающееся из поля накопленного заряда и внешнего поля, вызывает аккумуляцию основных носителей заряда (электронов)о Т.е. в течение действия импульса приповерхлостная область полупроводника находится в обогащенном режиме. Длительность импульса достаточна для рекомбинации электронов и образовавшихся до начала импульса дырок, после окончания импульса полупроводник находится в состоянии обеднения. Если период следования импульсов меньше времени образования инверсного слоя, то действие импульсов проявится в Периодическом разрушении слабого инверсного слоя, который образуется в паузах между импульсами. Таким образом, в полупроводнике поддерживается нестационарное обеднение, и электрическое поле в приповерхностной области диэлектрика много меньше, чем при наличии инверсного слоя.

ВследстБии этого и скорость стекания электронов замедляется.

Импульсы ускоряют стенание захваченных в диэлектрике дырок, так как в паузах между импульсами полупроводник находится в режигае аккумуляции, а во время действия импульса поле заряда увеличивается внешним полем. Но поскольку импульсы следуют с большой скважностью ()с, их влияние на скорость стекания дырок незначительно.

На структуре с толщинами слоев SiO и SiT,N4 18-20 А и 800-900 А соответственно МНОП-элементы памяти переключаются электрическими импульсами с амплитудой 65В,длительностью 30 мкс. .Число переключений составляет 10 циклов,

,На чертеже представлены результаты испытаний согласно предлагаемому способу хранения в сравнении с известным.

Кривые 1а и 16 показывают стекание электронов и дырок соответственно в режиме без импульсов. Кривые 2а и 26 иллюст:рируют стекание заряда в режиме когда на структуру подают импульсы с амплитудой +12В, длительностью 100 НС и периодом следования 0,5с. После окно гистерезиса составляет 5,5В, Таким образом, применение данного способа хранения информации в ЗУ на основе МНОП-структур позволяет после циклов записьстирание увеличить время хранения информации от нескольких до нескольких тысяч часов.

Формула изобретения

Способ хранения информации в запоминающем устройстве на МНОП-структуре, основанный на удержании заряда в нитриде Кремния, накопленного при записи.путем поляризации нитрида кремния при подаче напряжения с ам- плитудой, большей амплитуды напряжения порога его переключения, о т л ичающийся тем, нто, с целью увеличения времени хранения информа ции, осуществляют дополнительную полризацию нитрида кремния путем.подачи импульсов положительной полярности с амплитудой, меньшей амплитуды напряжения порога переключения, длительностью 10 -10 с и периодом следования 10 -10 с.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1,Патент США 3590037 кл. 317-324, опублик. 1971.

2,Коробов Н.В. и др. Рекурсивная запись оптической информации на струтурах металл- диэлектрик-полупроводник. Сб. Квантовая электроника ,

2, 1975, 9 (прототип).