Способ изготовления интегрального транзистора Советский патент 1983 года по МПК H01L21/283 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ТРАНЗЖГТОРА Изобретение относится к полупроводниковым- приборам, а именно к способам изготовления интегральных транзисторов. Известен способ изготовления интегрально го транзистора путем формирования базовш области, позволяющий обеспечить относительную простоту процесса изготовления интегрального транзистора 1. Недостаток известного способа состоит в малой прочности изготовленного в соответствии с ним интегрального транзистора. Известен также способ изготовления интегрального транзистора путем формирования б зовой области диффузией бсфа и его последующей разгонкой, который позволяет обеспечить достаточную прочность изготовленного в соответствии с ним интегрального транзистора 2. Недостаток такого способа состоит в малой радиационной стойкости изготовленного соответствии с ним интегрального транзистор Цель изобретения - повышение радиацион ной стойкости интегрального транзистора. Указанная цель достигается тем, что диффузию и разгонку бора осуществляют при 1100-1150 С, причем диффузию бора производят в течение мин, а его разгонку в течение 20-30 мин. Изготовление интегрального транзистора осуществляют следующим обр1азом. На подложке производят формирование базовой области диффузией бора и его последуюи й разгонкой. При этом диффузию . бора и его разгонку осуществляют, например, при 1150°С. Диффузию бора производят, например, в течение 30 мин, а его разгонку течение 20 мин. Использование предлагаемого способа позволяет в значительной степени повысить радиационную стойкость интегральных транзисторов, а также обеспечить простоту процесса изготовления интегральных транзисторов. Интегральные транзисторы, изготовленные предлагаемым способом, могут найти применение .в бортовой аппаратуре.

39877114

Формула изобретенияпричем диффузию производят в течение 30Способ изготовления интегрального транзис- 30 мин.

тора путем формирования базовой областиИсточники информации,

диффузией бора и его последующей разгон- sпринятые во внимание при экспертизе

кой, отличающийся тем, что,1. Патент Великобритании № 673206,

с целью повыщения радиационной стойкостикл. Н01 L 21/283, 1979.

интегральйого транзистора, диффузию и раз-2. Патент США № 3659162, кл. 317/235, 1972

гонку бора осзш1ествляют при 1100-II50°С,(прототип).

40 мин, а его разгонку - в течение 20-