Устройство автоматического смещения Советский патент 1985 года по МПК H02M7/217 

;о ;0 ел

Од

соi9 Изобретение относится к преобразовательной технике, в-частности к преобразователям энергии в интеграль .ных мшсросхемах и может быть использовано в интегральных микросхемах для создания напряжения смещения на подлойже. Известны устройства смещения подлозкки интегральной схемы, содержащие генератор напряжения 1 . Но для известных устройств требуется специальньтй канал питания для смещения подлолжи, что .усложняет уст ройство. Известно устройство автоматического смещегшя подложки интегральной схемы, содержащее инвертор и конденсатор 5 включенный последов ательИо с МДП транзистором заряда, затвор которого соединен с его стоком, а исток - ,с общей шиной. В этом устрой стве смещение подложки происходит за счет разряда накопительного конденса тора. Во время действия имяульсов конденсатор заряжается, а после прекращения импульса он разряжается на емкость подложен относительно общей шины 2 . Такое устройство явшштся наибо-. лее близкш- по технической сущности и достигаемому результату к описьшае моьгу изобретению. Недостатком извест иого устройства является низкое напр жение смещения, обусловленное подклю чением затвора МДП-транзистора заряда к его стоку. Цель изобретения повышение наде ности путем увеличения напряжения см щения пордозкки. Для досткясения поставленной цели ,в устройство автоматического смещени подлолжи интегральной сзсемы, содержа щее конденсатор, МДП-транзистер заря да, инвертор на ВДП-тракзисторах, в котором один вывод конденсатора соединен с выходом инвертора,а вход которого подключен к входной шине, вто рой вывод конденсатора соединен с вы ходной шиной я со стоком ОДП-транзис тора заряда «исток которого подключен к общей шине, введены резистор, вклю ченный между выходом инвертора и затвором МДП-транзистора заряда, и дополните льньй МДП-транзистор, затвор которого соединен с входной шиной, а сток и исток соединены соответственно со стоком и затвором МДП-транзис- тора заряда. 3 На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства автоматического смещения подложки. Устройство содержит инвертор 1, используемый в качестве источника импульсного напряжения, шину питания 2, входную шину 3, накопительный конденсатор 4, МДП-транзистор заряда 5, резистор 6, дополнительньй МДП-транзистор 7, выходную шину 8, общую шину 9. Б качестве резистора 6 может быть использован транзистор со встроенным каналом в реэистивном включении. Выход инвертора подключен к одной обкладке конденсатора 4, другая обкладка которого соединена с выходной шиной 8, с токами дополнительного ЩЩ-транзистора 7 и мда-транзистора заряда 5. Исток последнего подключен к общей шине 9, а затвор к истоку дополнительного МДП-транзистора 7 и через резистор - к выходу инвертора I, Затвор дополнительного МДП-транзйстора 7 соединен с входом инвертора 3. Устройство работает следующим образом . При закрытом состоянии инверто-ра 1 высокое напряжение с его выхода заряжает конденсатор 4 почти до напряжения иитаиич на шине 2, так как МДПтранзистор 5 открыт высоким напряжением, поступающим на его затвор с выкода инвертора через резистор 6. При переключении инвертора импульсом напряжения первая обкладка конденсатора 4 соединяется с общей шиной 3 а на второй обкладке возникает напряжение с полярностью, противоположной аолярности питаняцего напряжения. Конденсатор 4 разряжается на подложку интегральной схемы заряжая ее до определенного потенциала. Во время разряда конденсатора 4 ВДП-транзистор 7 открыт, соединяя сток МДПтранзистора заряда 5 с его затвором. Поэтому на затвор ВДП-транзистора заряда 5 передается с его стока запирающее напряжение, что предотвращает потерю части заряда конденсатора 4 при его разряде из-за канального тока МДИ-транзистора заряда 5. Таким образом, благодаря управлению затвором МДП-транзистора заряда 5 от выхода инвертора обеспечивается его низкое сопротивление в открытом состоянии и тем самым уменьшается

3.995673. 4

выходное сопротивление устройства и5В (стандартное значение для совре

увеличивается напряжение на конденса-менных п-канальйых НДП-интетральных

торе 4, что, в свою очередь, увеличи-схем) увеличивается тем почти

вает напряжение смещения.на 30-50%. Приблизительно в два раза

Выигрьш в напряжении смещения со- jуменьшается и выходное сопротивление

ставляет приблизительно t В. Напряже-устройства автомаргического смещения ,

ние смещения при напряжении питанияподложки.

УСТРОЙСТВО АВТОМАТИЧЕСКОГО СМЕЩЕНИЯ, например, подложки иитег- . ральной схемы, содержащее конденсатор, МДП-транзистор заряда, инвертор на ДЦП-транзисторах, в котором один вьгоод конденсатора соединен с выходом инвертора, вход которого подкгаочен к входной шине, второй вывод конденсатора соединен с выходной шиной и со сток Мда-транзистора заряда, исток которого подключен к общей шине, отличающееся тем, что, с цепью побышения надежности путем увеличения напряжения смещения, в него введены резистор, включенный меащу выходом инвертора и затворсн4 .транзистора заряда, и дополнительный ВДП-транзистор, затвор которого соединен с.входной шиной, а сток и исток соединены соответсвенно со стоком и затвором МОТ-транзистора заряда. g