Накопитель для запоминающего устройства Советский патент 1983 года по МПК G11C11/14 

(54) .НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД). Известен накопитель для запоминающего устройства, содержащий регистры хранения информации и канал продвижения ЦМД (канал связи), образованные ферромагнитными аппликациями Т-,1-,У-образной формы и шевронами. С помощью Т-, рбразных аппликаций производится обмен информацией между регистрами хранения и каналом связи посредством воздействия на ЦМД полем управления H)(pJ, Недостатками этого накопителя являются узкая область устойчивой работы, а также низкая надежность, свя занная с критичностью зазоров между элементами в запоминающем устройстве большой емкости с ЦМД микронных и субмикронных размеров. Наиболее близким к предлагаемому изобретению является накопитель для запоминающего устройства,;содержащий магнитоодноосную пленку, на которой . расположены регистры хранения информации и канал продвижения ЦМД, изготовленные из ферромагнитных аппликаций С-,Т-,1-образной формыу шевронов и ковшеобразных аппликаций, а также токопроводящую шину. Шина управления выполнена из немагнитного материала хорошо проводящего э |ектрический ток во втором слое металлизации 2. Однако известное устройство обладает недостатком, связанным с высоким электрическим сопротивлением токопроводящей шины в запоминающем устройстве бдльшой емкости с микронных и субмикронных размеровjв связи с этим для управления устройством требуются высокие напряжения управляющих импульсов тока, В результате подачи высоких напряжений в токопроводящую шину может произойти элект3 . 9 рический пробой изоляции между двумя слоями металлизации, а также между секциями (пetлями) шины смежных регистров. В результате этого снижается надежность.работы накопителя, Другим недЬстатком известного накопителя является сложность совмещения двух слоев металлизации при изготовлений запоминающего устройства большой емкости с ЦНД малых размеров Целью изобретения является упрощение и повышение надежности накопи(Рбля для запоминающего устройства. Поставленная .цель достигается тем что накопитель для запоминающего устройства, содержащий маг1читоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации и канал продвижения ЦМД из ферромагнит ных аппликаций С-,Т-,1-образной формы, содержит в регистрах хранения ин формации и канале продвижения ЦМД ферромагнитные аппликации 2-образной формы, расположенные симметрично и повернутые на 180 одна относительно другой и магнитосвязанные между собой и с ферромагнитными аппликациями 1-образной формы, примем концы вышеуказанных ферромагнитных аппликаций {-образной формы, расположенных в канале продвижения ЦМД, магнитосвязаны с двумя ферромагнитными аппликациями Т-образной формы, расположен ными зеркально одна относительно дру гой и магнитосвязанными с третьей .ферромагнитной аппликацией Т-образной формы. . На фиг. 1 представлена конструкция накопителя.для запоминающего уст ройства; на фиг. 2 и 3 показаны по-. зиции, занимаемые ЦМД в канале продвижения и в регистрах хранения информации.: Накопитель для запоминающего устройства содержит магнитоодноосную пленку 1 (фиг. 1), на которой расположены канал 2 продвижения ЩЦ и регистры 3 хранения информации из фер.ромагнитных аппликаций Ц Т-образной формы, I-образной формы 5 2-образной формы б и 7 и С-образной формы 8. Накопитель работает следующим образом. А. Режим хранения либо поиска информации (продвижение ЦМД по каналу и регистрам). ЦМД, находящиеся в регистрах 3 хранения, циркулируют порегистрам. 74 а ЦМД, находящиеся в канале 2 продвижения, продвигаются только по каналу (фиг. 2а-а). В том и другом случае независимое продвижение ЦМД осуществляется с помощью 2- образных аппликаций, расположенных в регистрах, хранения и в канале продвижения ЦМД, находящихся на смежных, магнитосвязанных 2-образных аппликациях (фиг. 2с(,-б). При следующем повороте управляющего поля на 90 ЦМД приходят только на массивные ковшеобразиые части 2-образных аппликаций (фиг.. 22.). Такой переход доменов происходит вследствие неравнозначности магнитных полей аппликацийj наводимых полем управления HX, магнитное поле массивной аппликации, притягивающее домены,намного больше магнитного поля аппликации с-нормальными размерами. Б. Вывод информации из регистров хранения информации. На фиг. За ( показаны этапы продвижения доменой DJ , и 0 в регистрах 3 и в канале 2 продвижения ЦМД. При вращении вектора поля управления по часовой стрелке информационные домены в регистрах 3, как отмечено в разделе А, также движутся по чассУвой стрелке. Как только информационный домен Ол на 2-образной аппликации приходит в позицию, отмеченную на фиг. За, то вращение вектора управляющего поля меняется на противоположное.За один оборот поля Н)( против часовой стрелки домен оД переходит в канал продвижения на Т-образную аппликацию, двигаясь по .ковшеобраЗнойчасти 2-образной аппликации, затем по I -образной аппликации 5 как показано на фиг. 3(-0Как только домен 0 поступает в позицию, отмеченную на фиг. 3(, то вращение вектора управляющего поля снова меняется на противоположное и домен 0 движется по каналу к датчику считывания ЦМД (фиг. Зр-К). В. Ввод информации, в регистры хранения информации. Этап продвижения домена D,j по каналу продвижения ЦМД и по регистру хранения информации следующие (фиг.ЗО-и.). Как только домен t поступает в позицию, отмеченную на фиг. Зс} вращение вектора управляющего поля меняется на противоположное. В результате одного повороту вектора Н j против .часовой стрелки домен D переходит в регистр 3 (фиг. Зш . После этого вра14ение Ну меняется на противоположное, т.е. вектор управляющего поля вращается по часовой стрелке и домен 0 циркулирует в |ieги(этpe хранения информации (фиг. 3(-и-). Г. Одновременный вывод и ввод информации.I Этапы продвижения доменов D, D и D по каналу продвижения и по регистру хранения информации следующие (фиг. За-д). При- положении вектора управляющего поля Ну, показанном на фиг. ЗО домены D , и 0 находятся в позициях:, после которых вращение вектора Н по часовой стрелке меняется на противоположное. В результате одЙЬго поворота вектора Ну против часовой стрелки информационный домен Ол переходит в канал продвижения, а домен DJ освобождает позицию в регистре для домена D, который из канала продви)хения поступает в регистр 3 (фиг. 3Q-d) После попадания в позиции, отмеченные на фиг. 3(, вращение вектора поля Ну« меняется |На противоположное, в результате чего домены 0 и циркулируют по регистру хранения; а - домен Q,,; выведенный из регистра, двигается по. каналу 2 продвижения ЦМД. .Таким образом, в предлагаемом нако.пителе осуществляется независимое циркулирование по регистрам хранения информации и по каналу продвижения в режиме хранения или поиска и формации, вывод, ввод и одновременный вывод и ввод информации. Предлагаемый накопитель выполняет ся в одном уровне металлизации(исключающем управляющие токрпроводящие шины. В результате этого в запомийаю щем устройстве большой емкости с ЦНД микронных и субмикронных размеров не требуется чрезвычайно сложной и трудоемкой технологической операции сов-, мещения двух слоев. Это повышает надежность работы устройства, повышает выход годных приборов и снижает стоимость последних. Кроме того, изготовление накопителей в одноуровневой исполнении ведет к Сокращению технологических операций и к снижению стоимости. Формула изобретения Накопитель для запоминающего устройству , содержащий иэгнитбодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации и канал продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций е-,Т-, 1-образной формы, о.т л и чающий с я тем, что, с цельюупрощения и повышения надежности на-. копителя,рн содержит в регистрах хранения информации и. канале продвижения цилиндрических магнитных доме-1 нов ферромагнитные.аппликации 2-образной формы, расположенные симметрично и повернутые на 180 одна относительно другой и магнитосвязанные между собой и с ферромагнитными аппликациями |-образной формы, причем концы вышеуказанных феррдма);нйтных аппликаций |-образной формы, расположенных в канале продвижения цилиндрических маг.нитных доненов, магнитосвязаны с двумя ферромагнитными аппликациями Т-образной формы, расположенными зеркально одна относительно другой и магнитосвязанными с третьей, ферромагнитной аппликацией Т-образной формы., Источники информации, Принятые во внимание при экспертизе 1. IEEE Trans. Hagn., V.MAG-11, 1975, p. V136. . 2. IEEE Trans. Hagn., V., N6, 1979, p 1692 (прототип).

Фи1.1

J.

. VчГТ

/Ж

04- V

yf

ж

Hr.

--5

J

ф