Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике, и может быть использовано при конструировании недорогих и простых в изготовлении преобразователей энергии.
Известен фоточувствительный элемент [1] , выполненный из ряда полупроводниковых слоев, обладающих различной спектральной чувствительностью. Однако прибор сложен в изготовлении.
Известен фоточувствительный элемент [2] , содержащий ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Для изменения спектрального диапазона к отдельным фоточувстительным слоям прикладывается различное напряжение, что усложняет конструкцию.
Целью изобретения является расширение спектральной чувствительности за счет сложения спектров поглощения при упрощении конструкции фоточувствительного элемента.
Цель достигается тем, что в известном элементе фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя.
На фиг. 1 изображен фоточувствительный элемент; на фиг. 2 - спектр чувствительности.
Фоточувствительный элемент содержит стеклянную подложку 1, прозрачный электрод 2 из SnO2, фоточувствительный слой 3 хлориндийфталоцианина, фоточувствительный слой 4 фталоцианина свинца, фоточувствительный слой 5 линейного хинакридона, электрод 6 из алюминия.
Пример выполнения фоточувствительного элемента.
Составной полупроводниковый слой формируют поочередным вакуумным напылением на очищенную стеклянную подложку с прозрачным проводящим слоем из SnO2 хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона в любой последовательности. Затем на составной слой вакуумным напылением наносят металлический электрод из алюминия. Вакуум - 1,33 ˙ 10-3 Па.
Спектр чувствительности элемента определяется по изменению отношения напряжения холостого хода Uxx элемента к мощности падающего излучения Р в зависимости от длины волны λ излучения в диапазоне 400-900 нм. В качестве монохроматора использовалась оптическая система спектрофотометра СФ-26. Зависимость Р от λ определялась термоэлементом РТН-10С, подключенным к вольтметру постоянного тока В2-36. Uxx элементов измерялись также вольтметром В2-36.
Результаты испытаний образцов представлены (освещение через алюминиевый электрод) на фиг. 2, где дан спектр чувствительности элемента.
По сравнению с известным данный фоточувствительный элемент значительно дешевле, так как стоимость 1 кг органического красителя в 100 раз дешевле 1 кг кремния и толщина пленки данного элемента в 106 раз меньше, чем, например, фоторезистора из германия. Данный фоточувствительный элемент не требует дополнительного источника энергии как у полупроводникового элемента и обеспечивает широкую спектральную чувствительность за счет сложения спектров поглощения. (56) 1. Патент Японии N 60-577713, кл. Н 01 L 31/08, 1985.
2. Патент Японии N 61-45871, кл. Н 01 L 31/10, 1986.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 1992 |
|
RU2034372C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ СВЕТА В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЭНЕРГИЮ | 2000 |
|
RU2170994C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА С p-i-n-СТРУКТУРОЙ | 2005 |
|
RU2282272C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ДАТЧИКА ДЛЯ АНАЛИЗА АММИАКА В ГАЗОВОЙ СРЕДЕ | 1994 |
|
RU2080590C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА СВИНЦА | 2012 |
|
RU2493632C1 |
ИНФРАКРАСНЫЙ МНОГОСПЕКТРАЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ | 2013 |
|
RU2540836C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДЛЯ АНАЛИЗА СЕРОВОДОРОДА В ГАЗОВОЙ СРЕДЕ | 2002 |
|
RU2231053C1 |
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ И ОПТРОН НА ИХ ОСНОВЕ | 2004 |
|
RU2261502C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ДАТЧИКА ДЛЯ АНАЛИЗА АММИАКА В ГАЗОВОЙ СРЕДЕ | 2000 |
|
RU2172951C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ АММИАКА | 1997 |
|
RU2124719C1 |
Использование: изобретение относится к электронике, в частности к устройствам, чувствительным к свету и преобразующим световую энергию в электрическую. Сущность: фоточувствительный элемент содержит ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя. 2 ил.
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям, отличающийся тем, что, с целью расширения спектральной чувствительности за счет сложения спектров поглощения при упрощении конструкции, фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя.
Авторы
Даты
1994-01-30—Публикация
1988-03-10—Подача