СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Российский патент 1994 года по МПК H01L21/268 

Описание патента на изобретение RU2008742C1

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для легирования полупроводников различными материалами.

Известен способ легирования полупроводников, при котором легирующую примесь предварительно ионизируют и внедряют вглубь полупроводника, сообщая ей необходимую энергию в электрическом поле [1] .

К недостаткам способа относится трудоемкость, сложность аппаратурного оснащения, необходимость последующего отжига для восстановления нарушенной структуры и перевода внедренной примеси в активное состояние. Способ не может быть применен для обработки пластин больших размеров из-за расфокусировки при отклонениях луча.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ лазерного легирования, при котором на поверхность полупроводника наносят материал лигатуры и облучают полученную структуру светом от лазерного источника [2] .

Недостатком данного способа является то, что легирование полупроводников осуществляют при больших интенсивностях света лазерного источника из-за необходимости локального нагрева поверхности полупроводника в области контакта с лигатурой. Необходимость предварительного подогрева полупроводниковых подложек до 500-600оС и специфические процессы протекания диффузии лигатуры приводят к появлению механических напряжений, которые в ряде случаев достаточны для образования трещин на всю глубину легированного слоя.

Цель изобретения - повышение качества легирования за счет снижения механических напряжений, возникающих в легированном слое, и снижение энергетических затрат.

Цель достигается тем, что в способе легирования полупроводника, при котором на поверхность полупроводника наносят материал лигатуры и облучают полученную структуру светом, при этом полученную структуру дополнительно помещают в магнитное поле и облучают светом с интенсивностью, не вызывающей нагрев поверхности структуры.

Существенным отличием заявляемого технического решения является то, что легирование полупроводников осуществляется при таких энергетических режимах облучения, когда разогрева приповерхностного слоя полупроводника в области контакта с лигатурой не происходит. Тем самым величина механических напряжений, возникающих при легировании, значительно снижается, что улучшает качественные характеристики легированного слоя.

Способ поясняется фиг. 1-4.

Способ осуществляют следующим образом. На полупроводниковые подложки GeSe4 размерами 5х5х0,5 мм с одной стороны наносят полупрозрачные пленки никеля или алюминия толщиной 0,2 мкм. Далее исследуемые образцы помещают в магнитное поле с напряженностью 103 Э и облучают светом с интенсивностью 1-10 мВт. Используемые для проведения диффузии интенсивности света не могут вызвать какого-либо существенного повышения температуры, необходимого для проведения отжига или диффузии.

В процессе легирования толщины слоя лигатура контролировалась по величине фотоакустического сигнала, формируемого тепловым расширением пленки диффузанта.

На фиг. 1 изображен спектр фотоакустического сигнала до и после легирования на структуре GeSe4-Ni (кривые 1 и 2 соответственно). Из-за специфики измерения спектр фотоакустического отклика имел характерные изменения знака сигнала (смена фазы измеряемого сигнала относительно опорного), что обусловлено сменой области поглощения света и соответственно тепловым расширением либо поверхности полупроводника в области собственного поглощения света, либо тепловым расширением материала лигатуры (никеля, алюминия) в области прозрачности полупроводника. После одновременного воздействия магнитного поля напряженностью 103 Э и лазерного облучения (лазер ОКГ-12-1) с длиной волны 633 км 10 мВт, в течение 30 мин спектр фотоакустического отклика показывает значительное изменение толщины слоя лигатуры, так как амплитуда фотоакустического сигнала в области прозрачности полупроводника зависит от массы, а следовательно и толщины пленки никеля.

Методом рентгеноэлектронной спектроскопии с применением ионного травления проведены исследования элементного состава и химического состояния приповерхностных слоев структуры GeSe4-Ni. Фотоэлектронные спектры возбуждали MgK α -излучением. Послойное травление осуществлялось бомбардировкой ионами аргона с энергией 850-900 эВ плотности ионного тона около 10 мкА/см2. Скорость травления составляла 5-7 /мин.

На фиг. 2 и 3 изображены концентрационное распределение примеси никеля по глубине приповерхностной области структуры Ni-GeSe4 после совместного воздействия магнитного поля 103 Э ультрафиолетового освещения 1 мВт в течение 2 ч (фиг. 2) или магнитного поля 103 Э и лазерного облучения 10 мВт в течение 30 мин (фиг. 3). На фиг. 2 видно, что область перехода от никеля к GeSe4 начинается с времен травления 120-130 мин (600-900 ). Концентрация никеля уменьшается вглубь образца, однако до глубины, где никель практически отсутствует, провести анализ оказывается затруднительным ввиду значительного проникновения никеля в более глубокие слои. Увеличение интенсивности лазерного облучения до 10 мВт при том же магнитном поле приводит к более значительному изменению концентрационных профилей (см. фиг. 3), увеличению концентрации никеля по всей исследованной глубине. Полученные экспериментальные данные показывают плавный переход между легированными и нелегированными областями исследованной структуры, что свидетельствует о снижении величин механических напряжений, возникающих в процессе легирования.

Технико-экономическая эффективность использования данного изобретения в области технологии изготовления полупроводниковых приборов заключается в повышении качества легирования и воспроизводимости параметров легированных слоев, а также в снижении энергетических затрат процессов легирования. Относительная простота способа, совместимость с вакуумными технологиями обуславливают перспективность применения данного метода для изготовления полупроводниковых структур с субмикронными размерами. (56) 1. Авторское свидетельство СССР N 504435, кл. Н 01 L 21/265, 1982.

2. Александреску Р. А. , Кияк С. Г. и др. Лазерное твердофазное легирование кремния бором. ДАН АН СССР, 1988, т. 301, N 4.

Похожие патенты RU2008742C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА 2024
  • Микушкин Валерий Михайлович
  • Маркова Елена Александровна
  • Новиков Дмитрий Александрович
RU2821299C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОЛОГРАММ НА КРЕМНИИ 1997
  • Фаттахов Я.В.
  • Галяутдинов М.Ф.
  • Львова Т.Н.
  • Хайбуллин И.Б.
RU2120653C1
Компактный бетавольтаический источник тока длительного пользования с бета-эмиттером на базе радиоизотопа Ni и способ его получения 2016
  • Магомедбеков Эльдар Парпачевич
  • Меркушкин Алексей Олегович
  • Веретенникова Галина Владимировна
  • Кузнецов Александр Альбертович
  • Молин Александр Александрович
RU2641100C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРОВ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА 2014
  • Чесноков Владимир Владимирович
  • Чесноков Дмитрий Владимирович
  • Кочкарев Денис Вячеславович
  • Кузнецов Максим Викторович
RU2545497C1
КОНТАКТИРУЮЩИЙ ЗАДНЕЙ СТОРОНОЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И ИЗГОТОВЛЕНИЕ ТАКОГО ЭЛЕМЕНТА 2021
  • Хоффман Эрик
RU2815034C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2011
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2476955C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ 2013
  • Чесноков Владимир Владимирович
  • Чесноков Дмитрий Владимирович
  • Кочкарев Денис Вячеславович
  • Кузнецов Максим Викторович
  • Райхерт Валерий Андреевич
RU2546719C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИНТЕГРАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА 2012
  • Манжа Николай Михайлович
  • Рыгалин Борис Николаевич
  • Пустовит Виктор Юрьевич
RU2492546C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОНТАКТА ПОЛУПРОВОДНИК - ЭЛЕКТРОЛИТ 1993
  • Колбасов Геннадий Яковлевич[Ru]
  • Колмакова Тамара Павловна[Ru]
  • Пильдон Владимир Иосифович[Ru]
  • Таранец Татьяна Александровна[Ua]
RU2054748C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА 2007
  • Хайбуллин Рустам Ильдусович
  • Тагиров Ленар Рафгатович
  • Базаров Валерий Вячеславович
  • Ибрагимов Шамиль Зарифович
  • Файзрахманов Ильдар Абулкабирович
RU2361320C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 008 742 C1

Реферат патента 1994 года СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов. Сущность: на поверхность полупроводниковой подложки наносят лигатуру. Полученную структуру помещают в магнитное поле и проводят облучение светом с плотностью мощности, не вызывающей плавление поверхности структуры. 4 ил.

Формула изобретения RU 2 008 742 C1

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки лигатуры и облучение полученной структуры светом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества за счет снижения механических напряжений в легированном слое и снижения энергоемкости способа, до облучения структуры помещают в магнитное поле, а облучение проводят при плотности мощности светового излучения, не вызывающей нагрев поверхности структуры.

RU 2 008 742 C1

Авторы

Рыков В.В.

Кабешов А.В.

Рыкова Т.С.

Акашкин А.С.

Даты

1994-02-28Публикация

1991-03-04Подача