СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Российский патент 1995 года по МПК H01L21/302 

Изобретение относится к технологии разделения полупроводниковых пластин на кристаллы.

Известен способ разделения пластин на кристаллы, включающий формирование на пластине площадок благородного металла и последующее растравливание пластин [1]
Однако этот способ предусматривает использование дорогостоящих благородных металлов, при растравливании пластин на кристаллы образуется подтрав боковой поверхности кристалла под контактные площадки, что приводит к образованию и нависанию фольги драгоценного металла на боковую поверхность кристалла и тем самым увеличению брака по электропараметрам.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины со сформированными структурами слоя первого металла, нанесение на слой первого металла слой второго металла, формирование на слое второго металла маски фоторезиста для травления разделительных дорожек на обеих поверхностях пластины, удаление фоторезиста и химическое разделение пластины на кристаллы [2]
Этот способ предусматривает изготовление кристаллов с одинаковыми верхней и нижней площадками, например круг-круг, что затрудняет определение полярности кристалла, не позволяет управлять поверхностным пробоем, что приводит к низкому выходу годных приборов, а также уменьшает съем кристаллов с пластины за счет неоптимального ее раскроя.

Решаемая задача увеличение выхода годных приборов достигается тем, что по способу изготовления полупроводниковых приборов, включающему нанесение на поверхности пластины слоя первого металла, нанесение на слой первого металла слоя второго металла, формирование по слою второго металла маски фоторезиста для травления разделительных дорожек, удаление слоя второго металла с разделительных дорожек, удаление фоторезиста, химическое разделение пластины на кристаллы дополнительно, конфигурации верхней и нижней масок не совпадают. Причем одна маска выполнена в виде круга, а другая в виде многогранника со скругленными углами.

Способ реализуется следующим образом.

На полупроводниковую пластину толщиной 220-290 мкм со сформированной структурой: p-n-переходом и омическими контактами наносят любым известным методом, например гальваническим, слой металла толщиной 5-10 мкм. В качестве первого металла может быть использовано, например, олово. Затем на слой первого металла наращивают любым известным методом, например гальваническим, слой второго металла толщиной 5-15 мкм. В качестве второго металла используется свинец. Затем на металлизированную поверхность пластины с двух сторон наносят фоторезист, на котором формируют маску с разной конфигурацией под контактные площадки кристалла. Фотолитографию производят экспонированием с двух сторон с использованием пленочного фотошаблона в виде конверта, причем рисунки разделительных дорожек верхней и нижней поверхностей пластины совпадают, а конфигурация контактных площадок выполняется в виде любых правильных и неправильных фигур, например круг-квадрат, шестигранник-квадрат и т.д. Затем травлением удаляют слой второго металла с разделительных дорожек. Фоторезист удаляют путем кипячения кристаллов в диметилформамиде. Разделяют пластины на кристаллы путем травления в травителе HF:HNO (1:7). С целью оптимального раскроя пластины нижняя площадка выполняется в виде многогранника с закругленными краями квадрата, ромба, шестигранника и т.д. а верх в виде круга.

Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов заключается в нанесении на поверхности полупроводниковой пластины слоя первого металла, на него слоя второго металла и формировании по нему маски резиста для травления разделительных дорожек, причем на верхней и нижней поверхностях пластины формируют разные по конфигурации маски, а затем травлением разделяют пластины на кристаллы. При этом одна из масок выполнена в виде круга, а другая - в виде многогранника со скругленными углами. 1 з.п.ф-лы.

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхности полупроводниковой пластины слоя первого металла, нанесение на слой первого металла слоя второго металла, формирование по слою второго металла маски фоторезиста для травления разделительных дорожек, удаление слоя второго металла с разделительных дорожек, удаление фоторезиста, химическое разделение пластины на кристаллы, отличающийся тем, что конфигурации верхней и нижней масок не совпадает. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что одна маска выполнена в виде круга, а вторая в виде многогранника со скругленными углами.