Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор.
Для многих активных и пассивных элементов криоэлектронных схем (переключателей, волноводов, ответвителей и т.п.) необходимо использовать многослойные структуры сверхпроводник-изолятор и сверхпроводник нормальный проводник, в которых сверхпроводником является материал JBa2Cu3O7, а в качестве изолятора или нормального проводника должен быть использован материал, имеющий кристаллическую решетку, по своим параметрам совпадающую с решеткой JBa2Cu3O7. Это дает возможность бездефектного выращивания тонких эпитаксиальных пленок этих материалов друг на друге.
Известен керамический материал на основе оксидов иттрия, меди, и бария при следующих соотношениях компонент
JBa2Cu3O7-y При 0 ≅ у ≅ 0,5 этот материал имеет металлический характер проводимости при комнатной температуре и становится сверхпроводником при Т < 92 К; он широко используется в качестве проводящих слоев в криоэлектронных схемах [1]
При у < 0,5 этот материал является изолятором. Однако, он не может быть использован для изолирующих слоев в многослойных структурах, поскольку содержание кислорода и следовательно сопротивление легко меняется при термообработках в технологическом цикле.
Наиболее близким техническим решением к изобретению является высокотемпературный сверхпроводящий материал состава JBa2Cu3O9-δ в котором атомы меди частично замещены на ниобий [2] Замещение до 33% меди на ниобий не приводит к разрушению сверхпроводимости.
Задачей изобретения является получение керамического материала, имеющего кристаллическую решетку, совпадающую с решеткой JBa2Cu3O7-y, и удельное сопротивление, плавно изменяющееся при температуре жидкого азота от соответствующего нормальному проводнику до изолятора.
Указанная задача решается в керамическом материале на основе оксидов иттрия, меди, бария и ниобия, отличающегося тем, что он имеет состав, соответствующий формуле IBa2Cu(3-x)NbxO7, где 1 ≅ Х ≅ 3.
Такая смесь окислов после двухстадийной термической обработки на воздухе 940оС в течение 15-20 ч и 970оС в течение 3-5 ч, последующем размоле, прессовки, термообработки при 970оС на воздухе в течение 3-5 ч и затем при 450оС в течение 3-10 ч образует керамический материал, удельное сопротивление которого может меняться в широких пределах в зависимости от количества введенного ниобия и не зависит от дальнейших технологических термообработок.
При Х ≥ 1,0 керамический материал становится изолятором с ρ≈ 1-2 МОм.см, а при 0,1 ≅ Х ≅ 0,5 имеет при азотных температурах металлический характер проводимости, причем удельное сопротивление в зависимости от содержания ниобия меняется от ≈ 0,1 Ом˙ см при Х 0, 1 до ρ≈ 1 МОм при Х 1.
Особенностью материала является то, что параметры кристаллической решетки практически не зависят от Х при Х ≅ 1,5 и равны: a ≃ b 0,395 нм, С 1,178 нм, что менее чем на 2% отличается от параметров решетки сверхпроводящей керамики JBa2Cu3O7 (а 0,384 нм, b 0,388 нм, с 1,165 нм).
Такое малое расхождение делает новый материал очень перспективным для изготовления многослойных структур типа JBa2Cu3O7 JBa2Cu3-xNbxO7(сверхпроводник-изолятор, сверхпроводник-нормальный проводник). При дальнейшем увеличении содержания ниобия продолжается увеличение удельного сопротивления до ρ≈ 5 МОм при Х 2,9, а рассогласование параметров решетки достигает 5%
Согласно изобретению были изготовлены три партии диэлектрического керамического материала с Х 0,1 N1; X 1,0 N2; X 1,5 N3 по следующей технологии:
Исходные компоненты J2O3, Nb2O5, CuO и BaCO3 в соотношениях, соответствующих составам
N1 JBa2Cu2,9Nb0,1O7 (I2O3 2,8 г;
Ba2CO3 8,70 г; CuO 5,8 г;
Nb2O5 0,1 г)
N2 JBa2Cu2Nb1 O7 (J2O3 2,8 г;
Ba2CO3 8,70 г; СuO 5,5 г;
Nb2O5 0,5 г)
N3 JBa2Cu1,5Nb1,5O7 (J2O3 2,8 г;
Ba2CO3 8,70 г; СuO 5,0 г;
Nb2O5 1,0 г) смешивались в агатовой вибромельнице и выдерживались при 940оС в течение 18 ч на воздухе для синтеза соединения и затем при 970оС в течение 4 ч для введения Nb. Эта температура должна выдерживаться с высокой точностью, поскольку, как показали эксперименты, при 960оС в шихте остается много непрореагировавших частиц Nb2O5, температура 980оС является верхним пределом устойчивости фазы JBa2Cu3O7 на воздухе.
Полученный таким образом синтезированный материал снова размалывается в вибромельнице, прессовался в прямоугольные бруски размером 3 х 5 х 10 мм и отжигался на воздухе при 970оС в течение 4 ч (спекание), а затем при 450оС в течение 4-х ч (накислораживание).
Измерение методом рентгеновской дифрактометрии параметры решетки были практически одинаковы для всех трех составов: a ≃ 0,395 нм ± 0,01 нм; с 1,178 нм ± 0,01 нм. Эти параметры менее чем на 2% отличаются от соответствующих параметров решетки ВТСП-керамики JBa2Cu3O7.
Измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом при температуре 77 К дали для партии N1 ρ 0,1 Ом ˙ см; N2 ρ 1,1 МОм˙ см; N3 ρ 3,5 МОм˙ см.
Это сопротивление практически не изменялось при последующих термообработках в диапазоне температур 450-970оС.
Изобретение позволило получить керамический материал JBa2Cu3-xNbxO7, имеющий кристаллическую решетку, совпадающую с кристаллической решеткой сверхпроводника JBa2Cu3O7-y c плавно меняющимся удельным сопротивлением при температуре жидкого азота от соответствующей нормальному до изолятора в зависимости от содержания ниобия и не меняющимся при технологических термообработках.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 1992 |
|
RU2029415C1 |
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 1993 |
|
RU2065230C1 |
ТРАНЗИСТОР | 1992 |
|
RU2062531C1 |
ДВУСВЯЗНЫЙ МИКРОВОЛНОВОД | 1991 |
|
RU2010400C1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2004 |
|
RU2281927C1 |
ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРИБОР | 1992 |
|
RU2038654C1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2012 |
|
RU2515757C1 |
ИОНИЗАЦИОННЫЙ ДЕТЕКТОР УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 1991 |
|
RU2008740C1 |
СОСТАВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО НАНЕСЕНИЯ НИКЕЛЕВЫХ ПОКРЫТИЙ | 1991 |
|
RU2009571C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА С СУБМИКРОННЫМ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМ π-КОНТАКТОМ | 2015 |
|
RU2599904C1 |
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор. Задачей изобретения является получение керамического материала, имеющего кристаллическую решетку, совпадающую с решеткой IBa2Cu3O7-y и удельное сопротивление, плавно изменяющееся при температуре жидкого азота от соответствующего нормальному проводнику до изолятора. Это решается в керамическом материале на основе оксидов иттрия, меди и бария, отличающегося тем, что он дополнительно содержит оксид ниобия при следующих соотношениях компонентов IBa2Cu3-xNbxO7 где 1≅x≅3.
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий итрий, барий, медь, ниобий и кислород, отличающийся тем, что он содержит указанные компоненты в следующем соотношении JBa2 Cu3-x Nbx O7, где 1 ≅ x ≅ 3.
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Физика и химия твердого тела: Тез | |||
докл | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
шк | |||
- семинар | |||
Николаевск - Благовещенск, [1988], т.2 - Благовещенск, 1988, с.40-41. |
Авторы
Даты
1995-09-20—Публикация
1992-10-19—Подача