ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ФОТОПРИЕМНОЙ ЯЧЕЙКИ Российский патент 1996 года по МПК H01L21/20 

Описание патента на изобретение RU2065224C1

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции фотоприемной ячейки на основе МДП-структуры.

Известны полупроводниковые гетероэпитаксиальные структуры для фотоприемных ячеек со слоями InGaAs или InAsSb на широкозонных подложках [1]
Недостатком известных структур является низкая обнаружительная способность, обусловленная высоким темпом генерации носителей заряда на границе раздела с подложкой.

Наиболее близкой к предлагаемой является полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки, включающая подложку из арсенида галлия n-типа, размещенный на ней слой антимонида индия n-типа [2]
Недостатком известной полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры является интенсивная генерация неосновных носителей в нарушенном слое на границе раздела с подложкой, следствием чего является низкая обнаружительная способность фотоприемной ячейки.

Технический результат повышение обнаружительной способности - достигается тем, что известная полупроводниковая гетероэпитаксильная структура для фотоприемной ячейки, включающая подложку из арсенида галлия n-типа, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой InSb n-типа содержит дополнительно легированный слой n+-типа, расположенный на границе раздела с подложкой и имеющий толщину, равную толщине нарушенного слоя, сильно легированный слой p+-типа толщиной, равной удвоенной длине экранирования Дебая, расположенный над первым h+-слоем, второй n+-слой туннельно непрозрачный для неосновных носителей, расположенный над p+-слоем.

В качестве активного слоя могут использоваться гетероэпитаксиальные слои соединений A3B5, A4B6, A2B6, а в качестве подложек полупроводниковые и диэлектрические материалы, гетероэпитаксиальные структуры с буферными диэлектрическими слоями.

На фиг. 1 и 2 представлены поперечное сечение гетероэпитаксиальной структуры и ее зонная диаграмма.

На монокристаллической подложке 1 (фиг.1) последовательно расположены h+-слой 2 полупроводника толщиной d1, слой 3 p+-типа толщиной D2, слой 4 h+-типа толщиной D3, активный слой 5 полупроводника. На фиг. 2 изображена зонная диаграмма гетероэпитаксиальной структуры с сильно легированными слоями. Обозначено: Ec, Ev, Ef, Eg дно зоны проводимости, потолок валентной зоны, уровень Ферми и ширина запрещенной зоны соответственно. Ф величина потенциального барьера для дырок.

Гетероэпитаксиальная структура работает следующим образом: при освещении активной области 5 гетероструктуры в ней образуются электронно-дырочные пары. В качестве ячеек ФПУ в активном слое полупроводника обычно используются МДП или диодные структуры, работающие на основе разделения основных и неосновных носителей заряда с накоплением или регистрацией последних. Дырки, возникающие за счет темновой генерации в дефектной области вблизи границы раздела, не смогут попасть в активную область 5 из-за наличия потенциальной ямы, образованной p+-областью, и не будут влиять на работу ячейки ФПУ, сформированной в активном слое.

Толщина первого n+-слоя полупроводника выбирается равной толщине нарушенного слоя, который определяется областью с высокой плотностью дислокаций Nd. Величина Nd на границе раздела достигает значений Nd 1012 см-2 для гетеросистемы InSl/GaSs, быстро уменьшается с ростом толщины до , а затем плавно спадает по гиперболическому закону. При этом время жизни (время генерации) неосновных носителей обратно пропорционально плотности дислокаций τd= Nd-1 [с.]; при достаточном удалении от границы раздела Nd уменьшается настолько, что τd становится равным времени слиточного бездислокационного материала. Это происходит при толщинах d1 3-5 мкм.

Толщина второго n+-слоя выбирается из условия отсутствия туннелирования дырок через эту область. В этой области происходит интенсивная рекомбинация дырок, попавших в n+ p+-переход.

Толщина p+-слоя выбирается равной удвоенной длине дебаевского экранирования. Оптимальные значения d3 и d2 могут быть выбраны одинаковыми и равными d3 d2 0,2 мкм, а толщина первого h+-слоя выбирается такой, чтобы генерация, обусловленная дислокациями при удалении от границы раздела на расстояние d^ соответствовала плотности генерационного тока в слиточном материале.

Предлагаемая конструкция обладает следующими преимуществами по сравнению с прототипом.

1. Наличие первого сильно легированного слоя n+ приводит к снижению генерационного тока в этой области за счет снижения генерационно-рекомбинационного процесса. Кроме того, этот слой n+ толщиной 5 мкм дает возможность избавиться от собственного поглощения света в этой области за счет сдвига Мосс-Бурштейна при засветке активной области через широкозонную подложку и обеспечивает омический контакт на полуизолирующих подложках GaAs или других диэлектрических подложках.

2. Наличие p+ области приводит к образованию потенциальной мы для дырок и потенциального барьера, образованного p+-областью и второй n+-областью величиной Φ = E9+ ΔΦ, где Eg ширина запрещенной зоны полупроводника, а ΔΦ величина потенциального барьера, определяемая сдвигом Мосс-Бурштейна. Для большинства полупроводников в разумном диапазоне легирования Dv = 0,1-0,2 эВ. Концентрация дырок в области 5 определяется величиной p+ и величиной потенциального барьера Φ
(1)
Проведем численные оценки для узкозонного п/п InSb, для которого при Т 77 К ΔΦ = 0,2 эВ, и собственная концентрация дырок в бездефектном п/п см-3.

а) В отсутствии дополнительных сильно легированных слоев концентрация дырок в активном слое может быть оценена по формуле
P5(акт.) Pгр•exp(-d/Lp≈ 1015 см-13, (2)
где Ргр концентрация дырок на границе раздела, равная
(3)
τd "дислокационное" время жизни (генерации), τo время жизни бездислокационного материала, Lp диффузионная длина дырок, d - расстояние от границы раздела с подложкой до активного слоя. Видно, что концентрация дырок в активном слое существенно превышает собственную концентрацию Pi при любой температуре.

б) При наличии n+-p+-перехода концентрация дырок в активной области 5 будет равна

т. е. дырки из дефектной и p+-областей практически не будут попадать в активный слой 5, где их концентрация может считаться равной собственной, т. е. приблизительно 1010 см-3.

Увеличение рабочей температуры с 77 до 200 К приводит к одновременному увеличению как собственной концентрации дырок в области 5, так и к их забросу в активную область из p+-области. Однако, поскольку собственна концентрация pi растет с температурой как

а концентрация дырок, заброшенных через n+-p+-барьер величиной Φ, равной F = E9+ ΔΦ как

то видно, что собственная концентрация дырок растет быстрее, чем концентрация дырок, попадающих из дефектной области (из p+-области).

3. Наличие второй n+-области приводит к дополнительному увеличению рекомбинационного процесса дырок, попадающих из p+-области; наличие резкого n+ p+ n+-перехода в узкозонных полупроводниках с малой эффективной массой приводит к низкоомным омическим характеристикам этого перехода, обусловленным туннельным прохождением тока; приводит к более эффективному сбору дырок в активной области 5 за счет наличия потенциального барьера ΔΦ, препятствующего выходу "световых" дырок из области 5 к подложке.

Таким образом использование n+ p+ n+-структуры приводит к значительному снижению генерационного тока, обусловленного структурными дефектами, возникающими при гетероэпитаксии, в активную область. Слабая зависимость от температуры позволяет существенно увеличить рабочие температуры ФПУ, так как в данной конструкции собственная концентрация, определяемая фундаментальными параметрами полупроводника растет быстрее, чем заброс дырок через потенциальный барьер.

4. Поскольку уравнения, описывающие генерационные, диффузионные и рекомбинационные процессы, одинаковы для всех типов полупроводников, а дислокации несоответствия возникают во всех без исключения гетеросистемах, то указанная конструкция будет работать во всех полупроводниковых слоях на любых подложках.

В качестве материала для активного слоя может быть использован не только InSb или InAs, но и любой другой фоточувствительный полупроводниковый материал, например, InGaAs, InGaSb, InAsSb, соединения A2B4, A4B6 и другие, которые могут быть получены методом гетероэпитаксиального наращивания на монокристаллических подложках. В качестве подложек могут выступать диэлектрические и полупроводниковые материалы, на которых возможен гетероэпитаксиальный рост: например GaAs, Si, Ge и др.

Наиболее перспективным является использование подложек кремния с выращенными на них буферными слоями фторидов бария, стронция или кальция. Во всех случаях плотность дислокаций несоответствия на границе пленка-подложка определяется величиной рассогласования постоянных решеток пленка-подложка. Соответственно толщина дефектного слоя будет изменяться в различных гетеросистемах. Однако, выбирая толщину первого сильно легированного n+-слоя равной толщине этого дефектного (дислокационного) слоя для конкретной гетеросистемы и оставляя неизменными другие критерии p+ и второго n+ слоя, достигается тот же положительный результат.

Таким образом, при увеличении времени жизни (снижении генерационного тока) в активной области возрастает обнаружительная способность фотоприемной ячейки.

Похожие патенты RU2065224C1

название год авторы номер документа
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА С ВЫСОКИМ ВРЕМЕНЕМ ЖИЗНИ 1993
  • Величко Александр Андреевич
  • Илюшин Владимир Александрович
RU2045106C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ФОТОПРИЕМНОЙ ЯЧЕЙКИ 1991
  • Величко Александр Андреевич
RU2034369C1
ИНЖЕКЦИОННОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 2005
  • Величко Александр Андреевич
  • Илюшин Владимир Александрович
  • Пейсахович Юрий Григорьевич
  • Штыгашев Александр Анатольевич
RU2300855C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР IN SB/GA AS 1990
  • Величко А.А.
  • Илюшин В.А.
RU2063094C1
ДИОДНАЯ ФОТОПРИЕМНАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ МАТРИЧНОГО ФПУ 1993
  • Величко Александр Андреевич
RU2080691C1
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ИНФРАКРАСНОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2021
  • Войцеховский Александр Васильевич
  • Горн Дмитрий Игоревич
  • Несмелов Сергей Николаевич
  • Дзядух Станислав Михайлович
  • Михайлов Николай Николаевич
  • Дворецкий Сергей Алексеевич
  • Сидоров Георгий Юрьевич
RU2769232C1
ГЕТЕРОСТРУКТУРА КРЕМНИЙ НА СТЕКЛЕ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ 1994
  • Величко Александр Андреевич
RU2084987C1
ИНТЕГРАЛЬНОЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА 2004
  • Величко Александр Андреевич
  • Илюшин Владимир Александрович
  • Филимонова Нина Ивановна
  • Шумский Владимир Николаевич
  • Климов Александр Эдуардович
  • Супрун Сергей Петрович
RU2278446C1
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК-ПРИЕМНИК НА ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЯХ С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ 0,2 ЭВ 1993
  • Рязанцев И.А.
  • Двуреченский А.В.
RU2065228C1
Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP 2016
  • Яковлева Наталья Ивановна
  • Болтарь Константин Олегович
  • Седнев Михаил Васильевич
RU2627146C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 065 224 C1

Реферат патента 1996 года ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ФОТОПРИЕМНОЙ ЯЧЕЙКИ

Использование: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки содержит монокристаллическую подложку, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой полупроводника n-типа с нарушенным слоем на границе раздела. Этот слой содержит два сильно легированных n+-слоя, первый с толщиной, равной толщине нарушенного слоя, расположен на границе раздела с подложкой, а второй выполнен туннельно-непрозрачным для неосновных носителей и размещен на расстоянии, большем удвоенной длине экранирования Дебая от первого. В промежутке между первым и вторым n+-слоями сформирован p+-слой. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 065 224 C1

Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки, включающая монокристаллическую подложку, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой фоточувствительного полупроводника n-типа с нарушенным слоем на границе раздела, отличающаяся тем, что гетероэпитаксиальный слой дополнительно содержит два сильнолегированных n+-слоя, первый толщиной, равной толщине нарушенного слоя, расположен на границе раздела с подложкой, второй выполнен туннельно непрозрачным для неосновных носителей дырок и размещен на расстоянии, большем удвоенной длины экранирования Дебая от первого, а в промежутке между первым и вторым n+-слоями расположен р+-слой.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года RU2065224C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Фотоприемники и фотопреобразователи
Сб.статей под ред
Ж.И.Алферова, Ю.В.Шмарцева.- Л.: Наука, 1986, с.7
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Yano M
et all
Moleculur beam epitaxial grows of InAs
Устройство для электрической сигнализации 1918
  • Бенаурм В.И.
SU16A1

RU 2 065 224 C1

Авторы

Величко Александр Андреевич

Илюшин Владимир Александрович

Даты

1996-08-10Публикация

1993-02-15Подача