Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах /ЗУ/ для хранения информации, представленной в дискретной и аналоговой формах /совместно или раздельно/.
Известны носители информации, применяемые для хранения информации в дискретном виде, состоящие из основания перфокарты, в которой с помощью перфораторов пробиваются отверстия согласно содержанию вносимой информации [1]
Недостатками такого носителя информации являются: пробиваемые отверстия ограничены в размерах, что не позволяет получить высокую плотность хранения информации; невозможно получить высокое быстродействие в связи с механическим перемещением перфокарт; механическое перемещение перфокарт снижает надежность функционирования блока памяти, т.к. недостатком любой механической системы, перемещающей носитель информации, является низкая надежность; невозможно записать информацию в аналоговом виде.
Наиболее близким к предлагаемому носителю информации являются носители информации для хранения дискретной и аналоговой информации, которые содержат основание стекло, на котором нанесен фоточувствительный слой активный слой, изменяющий свои оптические свойства при освещении светом и последующей химической обработке. Информация заносится под воздействием светового потока через трафарет на фоточувствительный слой [2]
Недостатком этого носителя информации является то, что при длительном хранении информации происходит физико-химические процессы в фоточувствительном слое, вызывающие искажение информации в таком носителе, т.е. с течением времени надежность хранения информации снижается.
Цель изобретения повышение надежности хранения информации.
Поставленная цель достигается тем, что основание носителя информации выполнено из диэлектропроводящего материала, например, меди, а активный слой выполнен из полупроводникового материала, например, InSb, GaAs, Cd3As2 и другие, на внешней поверхности которого выполнены выступы, разность потенциалов на которых соответствует содержанию записываемой информации.
На поверхности носителя с помощью литографии и химического травления создают рельеф, отвечающий записываемой информации /в дискретном и аналоговом виде/. Поскольку состояние рельефа поверхности носителя самопроизвольно не изменяется, то записанная информация длительное время сохраняется и может быть воспроизведена в любое время.
На чертеже представлен участок предлагаемого носителя информации для длительного хранения дискретной и аналоговой информации, который состоит из основания 1, например, меди, на котором расположен активный слой 2, выполненный из полупроводника, например, InSb, GaAs, Cd3As2 и др. На внешней поверхности 3 активного слоя 2 создан рельеф 4 в соответствии с содержанием хранимой информации. Перепад высоты рельефа 4 соответствует заданному перепаду напряжений между верхней и нижней поверхностью выступов, ΔU и зависит от материала носителя 3 /активного слоя/.
Предлагаемый носитель информации работает следующим образом.
На поверхность 1 /фиг. 1/ наносится активный слой 2, например, InSb, GaAs, Cd3As2, поверхности которого 3 с помощью литографии придают рельеф, соответствующий записываемой информации. При считывании информации включают магнитное поле Bo, направленное параллельно поверхности носителя, и пропускают постоянный ток, так, как показано на фиг. 1. При этом под действием силы Лоренца электроны перемещаются к рельефной поверхности, заряжают ее и создают в слое полупроводника электрическое поле Холла Ех. В условиях установившегося режима выполняется равенство электрических сил Fl= Fэ, т.е.
Здесь Vc скорость дрейфа электронов; Co скорость света в вакууме.
Отсюда определяется величина постоянного поля Холла
Вследствие создания рельефа поверхности, ее потенциал будет изменяться соответственно высоте h, т.е. от Eh1=V1 до Eh2=V2 и образовывать перепады потенциала , которые отражают хранимую информацию.
Преимущество предлагаемого носителя информации относительно прототипа заключается в том, что здесь нет механического перемещения носителя информации, что обеспечивает высокую надежность. Кроме того, в предлагаемом носителе информации высокая плотность записи и высокое разрешение.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления запоминающего устройства | 1985 |
|
SU1327188A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАНТОВЫХ СТРУКТУР: КВАНТОВЫХ ТОЧЕК, ПРОВОЛОК, ЭЛЕМЕНТОВ КВАНТОВЫХ ПРИБОРОВ | 2004 |
|
RU2278815C1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ ДЕТЕКТОРА ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ИК-ДИАПАЗОНЕ | 2009 |
|
RU2418344C1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1991 |
|
RU2029391C1 |
Способ отработки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств | 1989 |
|
SU1695385A1 |
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2513655C1 |
МАТРИЧНЫЙ ТЕПЛОВИЗОР | 1998 |
|
RU2152138C1 |
ФОТОПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЙ И ЭЛЕКТРОПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЙ ОРГАНИЧЕСКИЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ | 2014 |
|
RU2580905C2 |
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 2001 |
|
RU2238571C2 |
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ | 2001 |
|
RU2256957C2 |
Использование: в вычислительной технике, в запоминающих устройствах для хранения информации, представленной в дискретной и аналоговой формах (совместно или раздельно). Сущность изобретения: для повышения надежности хранения информации основание выполнено из электропроводящего материала, запоминающий слой выполнен из полупроводникового материала, на внешней поверхности которого выполнены выступы, соответствующие запоминаемой информации, электропроводящий материал выполнен из меди, полупроводниковый материал выполнен из InSb, CaAs, Cd3As2. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
Джермейн К | |||
Способ приготовления искусственной массы из продуктов конденсации фенолов с альдегидами | 1920 |
|
SU360A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Крайзмер Л.П., Матюхин С.А., Майоркин С.Г | |||
Память кибернетических систем.- М.: Сов | |||
радио, 1971. |
Авторы
Даты
1996-09-20—Публикация
1991-07-03—Подача