Способ отработки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств Советский патент 1991 года по МПК G11C17/00 

сл С

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем постоянных запоминающих устройств и программируемых логических матриц. Цель изобретения - сокращение времени отбраковки. Поставленная цель достигается за счет того, что между верхней и нижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля, при котором на входы микросхемы подают информационные сигналы. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает 3-5 мин 2 ил

Изобретение относится к вычисли-, тельной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ) и программируемых логических матриц (ПЛМ).

Цель изобретения - сокращение времени отбраковки.

На фиг.1 представлена структура микросхемы; на фиг.2 - устройство для реализации способа отбраковки.

Микросхема содержит подложку 1, контактные выводы 2, кристалл 3 полупроводника, активный слой 4 полупроводника и крышку 5 корпуса.

Устройство для отбраковки микросхем содержит основание 6 камеры 7 с теплоотво- дом 8, контактное устройство 9, микросхему 10. кабель 11, измеритель 12 электрических

параметров, нагревател 13,разъем 14 и устройство 15 управления.

Способ отбраковки заключается в том, что микросхему размещают в камере 7 и производят нагрев верхней поверхности кристалла 3 (фиг.1). В результате этого в кристалле 3 возникает градиент температуры.

Под действием градиента температуры в кристалле 3 (фиг.1) возникает поле термомеханических напряжений.

В поле термомеханических напряжений деградационные процессы развиваются более интенсивно: происходит локальное перераспределение ионов примеси, образуются группы вакансий, что приводит к появлению микропор, развиваются локальные термомеханические взаимодействия. Кроме того, изменяется ширина запрещенной зоны кремния, смеОч ю сл

00 00

сл

щается уровень Ферми, в деформированных микрообъемах полупроводника происходит перераспределение электронов между уровнями, что изменяет концентрацию носителей заряда в зоне. В этих уело- виях более интенсивно происходят деградационные процессы, изменяющие расчетные параметры структуры микроприборов схемы, и, следовательно, выявляются скрытые дефекты потенциально ненадеж- ных микросхем 10,

После создания градиента температурного ноля между верхней и нижней поверхностями кристалла 3 на адресные входы микросхемы 10 подают информационные сигналы и производят отбраковку микросхем 10 по электрическим параметрам выходных сигналов. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает 3-5 мин,

Устройство, реализующее предлагаемый способ отбраковки, работает следующим образом.

Микросхему 10 (фиг.2) устанавливают в контактное устройство 9 камеры 7, Затем с

помощью устройства 15 управления включают соединенный через разъем 14 поверхностный нагреватель 13, Для длительного поддержания градиента температур контактное устройство 9 с размещенной в нем микросхемой 10 устанавливают на теплоотвод 8. После создания градиента температурного поля производят контроль параметров выходных сигналов на соответствие нормам и требованиям ТУ измерителем 12 электрических параметров, подключенным к контактному устройству 9 кабелем 11. Формула изобретения Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств, заключающийся в том, что микросхему помещают в термокамеру, подают информационные сигналы на входы микросхемы, определяют годность микросхемы по сигналам на ее выходах, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени отбраковки, между верхней и нижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля, при котором на входы микросхемы подают информационные сигналы.