СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ФЕРРИТГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОК Российский патент 1997 года по МПК H01L21/42 

Описание патента на изобретение RU2073934C1

Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, в частности к методам обработки эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок (ЭФГП), и может быть использовано для улучшения их эксплуатационных параметров, а именно: для подавления жестких (твердых) цилиндрических магнитных доменов (ЖЦМД), т.е. для сокращения интервалов полей коллапса εΗo, уменьшения оптического поглощения и повышения термостабильности.

В настоящее время известен способ обработки ЭФГП, в котором для подавления ЖЦМД проводится отжиг пленок в атмосфере азота при T≈1100oC (см. А.М. Балбашов, А.Я. Червоненкис. Магнитные материалы для микроэлектроники. М. Энергия, 1979, с. 81).

Недостатки этого способа следующие:
а) увеличивается поле анизотропии пленки на 31% что неизменно приводит к существенному изменению ширины полосовой доменной структуры и, как следствие, к изменению диаметра ЦМД;
б) неизвестно, как изменяются после отжига оптическое поглощение и температура Кюри.

Кроме того, известен способ обработки ЭФГП, в котором подавление ЖЦМД осуществляется с помощью ионной имплантации (см. например, А. Эшенфельдер. Физика и техника цилиндрических магнитных доменов. М. Мир, 1983, с. 86). Однако и этот способ имеет ряд недостатков:
а) способ применим только в том случае, если ЭФГП имеет отрицательный коэффициент магнитострикции;
б) ионная имплантация вносит большое количество неконтролируемых радиационных дефектов, которые со временем могут релаксировать, что грозит нестабильностью параметров пленки;
в) радиационные дефекты, вносимые имплантацией, ведут к увеличению оптического поглощения и уменьшению температуры Кюри.

Прототипом предлагаемого технического решения является способ обработки ЭФГП γ-облучением (см. B. Cambon, D. Challeton, D. Mauduit. The influence of neutron and gamma irradiation in bubble garnet films. IEEE Trans. Magn. 1981, V. 17, N6, pp. 2565 2567).

B. Cambon и др. исследовали влияние g-квантов экспозиционными дозами 107 и 108 P на ЭФГП (YSmLuCa)3(FeGe)5O12 (неимплантированные и имплантированные ионами Ne+ E 110 кэВ, Ф 2• 1014 см-2) и рабочие характеристики чипов памяти емкостью 64 кбит, изготовленных на основе этих пленок. Из измеряемых параметров поле коллапса Ho не изменялось как в имплантированных, так и в неимплантированных образцах. Остальные характеристики (характеристическая длина l, намагниченность насыщения 4πMs, коэрцитивная сила Hc, поле эффективной анизотропии Hk и подвижность μw) подверглись незначительным изменениям.

Указанные способы обработки ЭФГП используются в основном для изменения окраски минералов, просветления кристаллов в ультрафиолетовой области спектра и не решают задачи подавления ЖЦМД, т.е. сокращения интервала полей коллапса, уменьшения оптического поглощения и повышения температуры Кюри в ЭФГП.

Задача изобретения подавление ЖЦМД, уменьшение оптического поглощения и повышение температуры Кюри ЭФГП.

Способ осуществляется следующим образом. После того, как ЭФГП промыты спиртом, предварительно проводят измерения интервала полей коллапса, спектра пропускания и температуры Кюри в исходном состоянии. Затем структуры помещают в изотопную установку с энергией γ-квантов Е 1,25 МэВ и облучают до дозы D 8• 107 Гр при мощности дозы PD 5 25 Гр/c. По достижении этой дозы пленки промывают спиртом и проводят измерения тех же параметров и сравнивают их со значениями, полученными для пленок в исходном состоянии. Для достижения полного подавления ЖЦМД, уменьшения оптического поглощения и повышения температуры Кюри структуры дальше обрабатывают дозами g-квантов с интервалами в (1,5 2,5)•107 Гр с последующими измерениями тех же параметров. Облучение прекращают, когда ЖЦМД полностью подавляются. Как правило, это происходит в интервале доз (1,0 - 3,0)•108 Гр. Полное подавление ЖЦМД в ЭФГП всегда сопровождается увеличением коэффициента пропускания структур на 10 20% и температуры Кюри на 4 9 градусов.

Механизм подавления ЖЦМД можно объяснить следующим образом. Когда число вертикальных блоховских линий (ВБЛ) в доменной границе становится достаточно большим (порядка 100 и больше), то они дают заметный вклад в энергию границы, и ЦМД с такими доменными стенками становятся жесткими: поле коллапса для них на 50% выше, чем для нормальных ЦМД.

Облучение ЭФГП g-квантами с энергией Е 1,25 МэВ эквивалентно их внутреннему облучению быстрыми электронами (вторичными электронами) с энергией 1,04 МэВ, возникающими в результате Комптонэффекта и фотоэффекта (см. Физические процессы в облученных полупроводниках. Ответственный редактор Смирнов Л. С. Новосибирск: Наука, 1977, 254 с.). При больших дозах облучения происходит радиационный отжиг ЭФГП. Здесь уже действуют два фактора: вторичные электроны и температура. Поскольку эпитаксиальное наращивание пленок сильно неравновесный термодинамический процесс, то нагревание ЭФГП будет приводить пленки к термодинамическому равновесию. Вторичные электроны будут только стимулировать этот процесс, сообщая ионам решетки некоторую энергию. Характерно, что радиационные дефекты, создаваясь, сразу же будут отжигаться (релаксировать) под действием температуры.

Вторым и, по-видимому, основным механизмом подавления ЖЦМД при больших дозах g-облучения является стимулированная вторичными электронами и температурой диффузия ионов галлия из подложки в тонкий слой магнитной пленки, прилегающий к переходному слою "пленка подложка". Галлий, замещая железо в тетраэдрических позициях, снижает намагниченность в тонком слое. Образуется двухслойная магнитная пленка со 180o доменной границей, свободная от ЖЦМД. ЦМД в основном слое пленки содержат по две ВБЛ и, таким образом, являются нормальными.

Упорядочение кристаллической решетки ЭФГП ведет к увеличению обменной константы, что увеличивает температуру Кюри.

Уменьшение дефектности пленки ведет также к уменьшению оптического поглощения.

Таким образом, предлагаемое техническое решение по сравнению с прототипом обладает следующими отличительными признаками.

1. Облучение g-квантами ведут до дозы D 8• 107 Гр непрерывно.

2. Облучение по достижении дозы D 8•107 Гр ведут порциями доз g-квантов величиной в (1,5 2,5)• 107 Гр с последующим измерением температуры Кюри, оптического поглощения и интервалов полей коллапса до полного подавления ЖЦМД.

3. Облучение ведут при мощности дозы PD 5 25 Гр/c.

Использование указанных отличительных признаков для достижения поставленной цели авторам неизвестно.

На фиг. 1 представлены результаты измерения полей коллапса от дозы g-облучения для ЭФГП (YSmLuCa)3(FeGe)5O12 (толщина пленки h 5,7 мкм). Каак видно из графика, от D 103 Гр до D 9• 107 Гр dHo не изменяется. От D 9•107 Гр и далее наблюдается резкое падение δHo.. При D 2•108 Гр, достигнув максимального уменьшения, интервал полей коллапса при дальнейшем облучении не изменяется. Таким образом, облучение данной феррит-гранатовой пленки γ-квантами до дозы D 2• 108 Гр уменьшает разброс полей коллапса dHo от 3,15 кА/м до 0,25 кА/м (на 92%), т.е. подавляются ЖЦМД.

На фиг. 2 представлены спектры пропускания для этой же структуры в исходном состоянии (1) и по достижении дозы γ -облучения D 2•108 Гр (2). Одновременно с эффектом подавления ЖЦМД можно наблюдать "просветление" пленки на всем интервале волновых чисел. Максимальное просветление (Т 15 17%) наблюдается в интервале 11000 18000 см-1.

Температура Кюри Тc для вышеуказанной пленки по достижении дозы g-облучения D 2•108 Гр увеличилась по сравнению с Тc в исходном состоянии на 8 градусов.

Пример 1. Предлагаемое техническое решение реализовалось следующим образом. В качестве объекта подавления ЖЦМД использовались две ЭФГП состава (YSmLuCa)3(FeGe)5O12 (h 5,4; 7,75 мкм), взятые из разных партий и выращенные по стандартной технологии методом жидкофазной эпитаксии из раствора в расплаве на подложках Gd3Ga5O12 ориентации (111). Источником g -квантов служила изотопная установка УКП-250000 на основе радионуклида Со60 (энергия g-квантов 1,25 МэВ, мощность дозы облучения 15 Гр/c). Интервал полей коллапса dHo измерялся как δHo=Hоп-H01 (где H01 коллапс первого ЦМД, Ноп коллапс последнего ЦМД) магнитооптическим методом (см. Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах. Справочник. М. Радио и связь, 1987, стр. 30). Точность измерений составляла 1 2 Оптические спектры пропускания ЭФГП снимались на спектрофотометре "Specord-M-40" (точность измерения 0,5). Температура Кюри измерялась магнитооптическим методом как температура перехода структур в немагнитное состояние и фиксировалась по исчезновению доменной структуры. Была достигнута точность 1 К.

Вначале измерялись разброс полей коллапса и температура Кюри, регистрировались спектры пропускания ЭФГП в исходном состоянии. Далее все пленки непрерывно облучались γ-квантами до дозы D 8•107 Гр, после чего проводились контрольные измерения. В дальнейшем все структуры обрабатывались g-квантами с проведением измерений dHo, Т и Tc через каждые (1,5 2,5)•107 Гр. Обработка каждой пленки прекращалась при полном подавлении ЖЦМД.

Период контрольных измерений выбран как (1,5 2.5)• 107 Гр, исходя из следующих соображений. Если интервал контрольных измерений меньше 1,5•107 Гр, то требуемый эффект сохраняется, но менее выражен, а именно: скорость подавления ЖЦМД уменьшается, не всегда удается достичь полного подавления ЖЦМД, значительно уменьшается из-за увеличения числа операций производительность способа. Период контрольных измерений более, чем 2,5•107 Гр, приводил к нежелательным изменениям магнитных параметров (уменьшению эффективной анизотропии и увеличению поля коллапса), т.е. существенное влияние оказывали высокая температура и отжиг. Таким образом, исходя из условий точности измерений, производительности и экономичности способа, период контроля интересуемых параметров выбран как (1,5 2,5)•107 Гр. Облучение прекращают при полном подавлении ЖЦМД, что достигается, как правило, в интервале доз (1,0 3,0)•108 Гр. Дальнейшее облучение пленок нецелесообразно, т.к. может привести к перераспределению ионов Ga3+ и Fe3+ по подрешеткам и, кака результат, к изменению магнитных параметров.

Результаты испытания предлагаемого технического решения приведены в таблице.

Кака видно из таблицы, предлагаемое техническое решение эффективно подавляет ЖЦМД. Полное подавление ЖЦМД сопровождается просветлением пленки и ростом ее температуры Кюри. Магнитные параметры ЭФГП при этом не изменяются (изменения не выходят за пределы ошибки измерения; точность измерения Po и Ho 1 2 Hк 5 7). Обнаруженные эффекты проявили хорошую стабильность на протяжении срока в 1,5 года, благодаря чему предполагаемое изобретение имеет большое практическое значение.

Таким образом, предлагаемое техническое решение по сравнению с прототипом обладает следующими преимуществами:
позволяет полностью подавлять ЖЦМД;
повышает термостабильность ЭФГП на 5 9 градусов;
увеличивает оптическое пропускание пленок на 10 15

Похожие патенты RU2073934C1

название год авторы номер документа
МАТЕРИАЛ, СТОЙКИЙ К ПОТОКАМ γ -КВАНТОВ 1993
  • Костишин В.Г.
  • Чуков И.И.
  • Летюк Л.М.
RU2072005C1
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 2009
  • Костишин Владимир Григорьевич
  • Кожитов Лев Васильевич
  • Медведь Виктор Вячеславович
  • Морченко Александр Тимофеевич
  • Читанов Денис Николаевич
RU2431205C2
Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосной пленке 1986
  • Мамалуй Юлия Александровна
  • Сирюк Юлия Андреевна
  • Ярош Григорий Сергеевич
SU1341681A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ УПРАВЛЯЕМЫХ ТРАНСПАРАНТОВ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК (BI, GA)-СОДЕРЖАЩИХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ 1999
  • Костишин В.Г.
  • Летюк Л.М.
  • Ладыгин Е.А.
  • Зотова Е.А.
RU2150768C1
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 2012
  • Костишин Владимир Григорьевич
  • Читанов Денис Николаевич
RU2522594C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ СВИНЦА В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТАХ-ГРАНАТАХ 2001
  • Костишин В.Г.
  • Медведь В.В.
  • Летюк Л.М.
RU2206143C1
ОПТИЧЕСКИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ПРИМЕСЕЙ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТАХ-ГРАНАТАХ 2001
  • Костишин В.Г.
  • Медведь В.В.
  • Летюк Л.М.
RU2210835C2
ОПТИЧЕСКИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ ГРАНАТА 1993
  • Костишин В.Г.
  • Летюк Л.М.
  • Бугакова О.Е.
  • Ладыгин Е.А.
  • Мусалитин А.М.
RU2093922C1
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК 1991
  • Крылов Д.Г.
  • Ладыгин Е.А.
  • Горюнов Н.Н.
  • Паничкин А.В.
  • Галеев А.П.
RU2009517C1
Способ формирования в феррит-гранатовой пленке цилиндрического магнитного домена с простой блоховской стенкой 1985
  • Барьяхтар Федор Григорьевич
  • Прудников Анатолий Михайлович
  • Линник Алексей Иванович
  • Линник Татьяна Алексеевна
SU1316046A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 073 934 C1

Реферат патента 1997 года СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ФЕРРИТГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОК

Использование: в области магнитной микроэлектроники. Сущность: структуры облучают γ-квантами Co60 до дозы D = 8•107 Гр непрерывно, а по достижении этой дозы - с последующим измерением интервалов полей коллапса через каждые (1,5 - 2,5)•107 Гр при мощности дозы облучения PD = 5 - 25 Гр/с до полного подавления жестких цилиндрических магнитных доменов. 2 ил., 1 табл.

Формула изобретения RU 2 073 934 C1

Способ обработки эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок, включающий их облучение j-квантами Со60, отличающийся тем, что облучение до дозы D 8 • 107 Гр ведут непрерывно, а по ее достижении дозу j-квантов увеличивают порциями (1,5 2,5) • 107 Гр при мощности дозы облучения PD 5 25 Гр/с до полного подавления жестких цилиндрических магнитных доменов.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2073934C1

Балашов А.М., Червоненкис А.Я
Магнитные материалы для микроэлектроники& - М.: Энергия, 1979, с
Горный компас 0
  • Подьяконов С.А.
SU81A1
Эшенфельдер А
Физика и техника цилиндрических магнитных доменов
- М.: Мир, 1983, с
Пюпитр для работы на пишущих машинах 1922
  • Лавровский Д.П.
SU86A1
В.Gambon, D
Challeton , D
Mouduit
The influence of neutron aud gamma irradiation in bubble garnet filws
-IEEE Trans, Magn, 1981, v
Печь для сжигания твердых и жидких нечистот 1920
  • Евсеев А.П.
SU17A1
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ СМОЛЯНОГО БЕТОНА ДЛЯ УСТРОЙСТВА ДОРОГ 1925
  • Д. Радклифф
SU2565A1

RU 2 073 934 C1

Авторы

Костишин В.Г.

Летюк Л.М.

Кирпенко А.Г.

Морченко А.Т.

Шипко М.Н.

Даты

1997-02-20Публикация

1994-03-31Подача