Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосной пленке Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД)

Цели изобретения - расширение области применения способа путем регу- лирования температурного диапазона статической устойчивости решетки 1ЩЦ и плотности ее упаковки.

На фиг,1 представлена полевая зависимость параметров решетки ЩД: периода а и диаметра домена d пленки состава (YSmLuCa) (FeGe) зО, , сформированной при 20°С импульсным магнитным полем ;с по следующим наложением поля смещения; на фиг. 2 - то же, для решетки, сформированной при совместном воздействии поля смешения, разного по величине, и импульсного поля; на фиг, 3 - температурно-полевая диаграмма устойчивости решетки ЩД в пленке того же состава.

Кривая 1 - это температурная зависимость поля коллапса ЩД, т,е, перехода пленки в однородно намагниченное состояние, кривые 2 и 3 - зависимости температуры распада решетки от величины поля смещения. Кривая 2 иллюстрирует случай, когда решетка сформирована импульсным магнитным полем при Н О с последующим воздействием на нее полем смещения; кривая 3 - решетка формируется суперпозицией полей gg поля смещения показана кривой 2 на

смещения и импульсного,

В таблице приведены параметры и температурные интервалы устойчивости РЦЦ при формировании решетки указанными воздействиями,

В соответствии с предложенным способом формирование решетки ЦМД в маг- нитоодноосной пленке осуществляют следующим образом.

Воздействуют на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, направленными коллинеарно оси легкого намагничивания пленки, причем воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем осуществляют при 20 С при постоянном магнитном поле смещения, равном (0-0,5) Н, где Н - поле коллапса ЦИД в магнито- одноосной пленке,

Физическая сущность предложенного способа состоит в следующем.

Векторы напряженности импульсного

магнитного поля Н

и магнитного

яеи и 341681

поля смещения Н

коллинеарны оси легкого намагничивания магнитоодно- осного материала. Если вектор антипараллелен вектору намагниченности насыщения внутри ЦМД| то поле смещения считается положительным, если параллелен - отрицательным. Показатель плотности упаковки решетки ЦМД 10 параметр у 1/а (где d - диаметр домена, а - постоянная .решетки), Для идеально плотноупакованной гексагональной решетки , т,е. предел плотности упаковки 100%,

15 В зависимости от условий формирования решетки ЩД, т,е. последовательности приложения поля смешения, его величины и знака, получаются решетки с разными, свойствами, стати20 чески устойчивые на разных температурных интервалах. Следует строго разграничивать формирование решетки импульсным магнитньм полем при Hjn О с последующим воздействием на

25 сформированную PlUt полем смещения, и формирование решетки импульсным магнитным полем в поле смещения,

Как видно из фиг., с ростом положительного поля смещения диаметр до30 мена d уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличивается, Период решетки а от поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки от

поля смещения показана кривой 2 на

фиг.З, При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать; плотность увеличивается при - О, уменьшается при О (фиг. 1 , таблица),

На фиг,2 показано влияние поля смещения на параметры решетки ЦИД

пленки (YSraLuCa) 3 (FeGe)50i2 ,сформиро- ванной при воздействии суперпо зиции полей, С ростом величины приложенного при формировании решетки положительного поля смещения диаметр домена d уменьшается, период решетки а растет. Такая решетка без поля смещения существовать не может. С ростом величины приложенного при формировании рещетки отрицательного поля смещения диаметр домена и период ре- шетки увеличиваются, а плотность остается постоянной и равной у при Hj. О, Эта репштка сохраняется и после смятия отрицательного поля смещения ,

3

Влияние поля смещения на температурный интервал устойчивости таких решеток пленки (YSmLuCa),(FeGe)jO, показано на диаграмме фиг.З. Зависимость температуры распада решетки от поля смещения представлена кривой 3. Каждый раз решетку формируют при одной и той же температуре 20°С, затем пленку нагревают. Если решетка формируется импульсным полем при Нр О, то при нагревании пленки решетка ЦуЩ устойчива в температурном интервале Т Т - Т. При Т 100 С решетка распадается на разделенные страйпами блоки новой решетки. При предложенном способе формирования решетки ЩВД воздействием суперпозиции полей смещения и им пульсного температурный интервал ста тической устойчивости решеток с ростом величины положительного поля сме щения сначала уменьшается (кривая 3 фиг.З и таблица), затем при Н., 50 Э, равном приблизительно половине поля коллапса ИНД, температурный интервал статической устойчивости решетки максимален и достигает йТ 155 С. Плотность упаковки у решеток, сформированных в положительном поле смещения, меньше, чем у решеток, сформированных при Н.д 0. Такие решетки могут существовать только в поле смещения и при снятии поля разрушаются. Так, если при Н О у 0,74 и йТ 80°С, то при

Н,

+ 30 Э у 0,54 и йТ 54 С,

при :)U а у

50 Э у 0,45 и &Т 158°С. При формировании решетки в отрицательном поле смещения ее плотность у такая же, как и в нулевом поле смещения, т.е. у 0,74, и не изменяется в отрицательном поле смещения . Такая решетка Utifl сохраняется и при выключении поля смещения. Температурный интервал устойчивости решетки, сформированной в отрицательном поле смещения, растет с ростом этого поля при сохранении постоянной плотности решетки. Так, для решетки, сформированной при - 10 Э, у 0,74 и температурный интервал устойчивости ЬТ 100 С, при Н - 20 Э, соответствующем 0,2 Н),

416814

у 0,74, а решетка устойчива практически на всем температурном интервале до температуры Кюри.

5

Как видно из таблицы и фиг.З,

при,предложенном способе формирования решетки температурный интервал устойчивости решетки ЦМД изменяется

10 от 0,3 до 0,92 рабочего температурного интервала пленки, а плотность решетки у - от 0,3 до 0,9.

Оптимальный интервал полей смещения, используемых для воздействия

15 на решетку, составляет 0-0,5 U. .

При дальнейшем увеличении поля происходит значительное уменьшение температурного интервала устойчивости.

Использование предложенного спо- 20 соба формирования решетки ЦИД позволяет регулировать температурный интервал устойчивости решетки и ее плотность, при этом решетку можно формировать при любой обусловленной

25 необходимостью температуре, меньшей температуры Кюри ЦМД-содержащего материала. Это позволяет с достаточной точностью задать оптимальные условия сохранения записи информации в запо30 минающем устройстве на ЩД.

Формула изобретения

Способ формирования решетки ци35 линдрических магнитных доменов в маг- нитоодноосной пленке, основанный на воздействии на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения,

40 направленными коллинеарно оси легкого намагничивания магнитоодноосной пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем регулирования

45 температурного диапазона статической устойчивости решетки цилиндрических магнитньрс доменов и плотности ее упаковки, воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем

50 осуществляют при 20 С при постоянном магнитном поле смещения, равном (О - 0,5) Н, где Н - поле коллапса цилиндрического магнитного домена в магнитоодноосной пленке.

Примечание. Т 178С рабочий температурный интервал

пленки.

-80 -ttO

О +ifO +80 фие.1

Нсм,Э

-80 -kO О +ifO +80 Нсм.Э Фиг, 2

Фи9.3

Редактор Л.Пчолинская

Составитель Ю.Розенталь

Техред Л .Сердюкова Корректор А.Зимокосов

Заказ 4441/55

Тираж 589Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно -полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЩЦ) . Целью изобретения является расширение области применения способа путем регулирования температурного диапазона статической устойчивости решетки ЦМД и плотности ее упаковки. В соответствии с предложенным способом формирование решетки ЩЦ в магнитордноосной пленке осуществляют следующим обра-, зом. Воздействуют на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, направленными коллинеарно оси легкого намагничивания пленки, причем воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем осуществляют при температуре 20 С при постоянном магнитном поле смещения,равном (0-0,5) Н, где HK - поле коллапса 3 ил., ЦМД в магнитоодноосной пленке, i табл. О) оэ 4 OS 00