ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВЫНУЖДЕННОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА Российский патент 2002 года по МПК H01S3/30 

Описание патента на изобретение RU2178938C1

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам с ВКР-преобразованием частоты генерации (ВКР - вынужденное комбинационное рассеяние), и может быть использовано в связи, локации, метрологии, дальнометрии и научных исследованиях.

Известен метод ВКР-сдвига частоты лазера с помощью жидкостных и газовых ячеек, а также монокристаллов [1] . Величина такого сдвига определяется частотами молекулярных колебаний и фононного спектра элемента, в котором реализуется эффект ВКР.

Наиболее близким техническим решением к заявляемому является монокристалл KGd(WO4)2 (КГВ), в котором был осуществлен ВКР-сдвиг на 901 и 768 см-1 [2] .

Недостатком кристалла КГВ как элемента для ВКР-преобразования является большая ширина линий спонтанного комбинационного рассеяния (СКР) 5-6 см-1 при 300 К, что снижает коэффициент ВКР-усиления и увеличивает порог ВКР-преобразования.

Технической задачей изобретения является улучшение энергетических параметров лазеров с ВКР-преобразованием частоты, в частности увеличение коэффициента ВКР-усиления и снижения порога ВКР-генерации. Это достигается тем, что в качестве материала для ВКР-преобразования лазерного излучения используется монокристалл вольфрамата бария-стронция с составом (Ba1-хSrx)yWzO4, где 0≤x≤1, 0,997<y<1,003; 0,999<z<1,001. Выход из указанных границ по y (менее 0,997 и более 1,003), по z (менее 0,999 и более 1,001) приводит к растрескиванию кристалла, появлению светорассеяния из-за присутствия посторонних фаз и т. д.

Данный монокристалл выращивается по методу Чохральского на установке "Кристалл 3м" с индукционным нагревом.

Вышеуказанный кристалл вольфрамата бария-стронция имеет узкую интенсивную линию (ширина 1,6-2,2 см-1 при 300 К) в спектре СКР на частоте 922-925 см-1. Эта ширина в 3-4 раза меньше ширины линий СКР, используемых для ВКР-преобразования в кристалле КГВ. Если учесть, что сечение рассеяния линий 901 и 768 см-1 в кристалле КГВ и линии 922-925 см-1 в кристалле вольфрамата бария стронция практически одинаковы, то пиковая интенсивность линии СКР в вольфрамате бария-стронция оказывается в 3-3,5 раза выше линий в кристалле КГВ. Это обстоятельство позволяет получить более высокий коэффициент ВКР-усиления и снизить порог ВКР-преобразования в кристалле вольфрамата бария-стронция по сравнению с кристаллом КГВ.

На фиг. 1 и 2 показаны спектры СКР кристалла КГВ (фиг. 1) и вольфрамата бария стронция с х= 0, y= 1 и z= 1 - (BaWO4) (фиг. 2) в области частот, используемых для ВКР-преобразования. Для иллюстрации более высокой интенсивности линии СКР в BaWO4 масштаб по оси ординат выбран одинаковым на обоих чертежах. Спектры записаны на образцах равной толщины (0,8 мм) при одинаковых условиях возбуждения и регистрации спектров СКР.

Пример конкретного выполнения.

Эксперимент по ВКР-преобразованию проводился на монокристаллах (Ba1-xSrx)yWzO4 с х= 0, (BayWzO4) c длиной 31 мм. Накачка осуществлялась импульсно-периодическим лазером на ИАГ с Nd3+ с пассивной модуляцией добротности на длине волны 532 нм. Было получено эффективное ВКР-преобразование на кристалле BayWzO4, а также измерены коэффициент усиления (G) и порог (W) ВКР-преобразования. Полученные значения G и W для BayWzO4 сравнивались с аналогичными значениями для кристалла КГВ с длиной 36 мм. Оказалось, что коэффициент ВКР-усиления для кристалла BayWzO4 был в 2 раза выше, чем для КГВ кристалла. Порог ВКР-преобразования в BayWzO4 был ниже, чем в КГВ в 1,5 раза несмотря на большую длину и более высокое оптическое качество кристалла КГВ.

Полученный эффект снижения порога и увеличения коэффициента ВКР-усиления в кристалле BayWzO4 объясняется только особенностями колебательного спектра этого кристалла, определяемыми его структурой.

Данные по составу кристалла BayWzO4 при его работе в качестве элемента ВКР-преобразования при различных режимах работы сведены в таблицу.

Литература
1. Грасюк А. З. Квантовая электроника, 1974, 3, 485.

2. Андрюнас К. , Вищакас Ю. , Кабелка В. , Мочалов И. В. , Павлюк А. А. , Петровский Г. Т. , Сырус В. Письма в ЖЭТФ, 1985, 42, с. 333.

Похожие патенты RU2178938C1

название год авторы номер документа
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ЛАЗЕР ЖЕЛТОГО СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 2000
  • Басиев Т.Т.
  • Дорошенко М.Е.
  • Зверев П.Г.
  • Прохоров А.М.
RU2178939C1
ОПТИЧЕСКАЯ СРЕДА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ МОНОХРОМАТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ 2008
  • Зубков Владимир Георгиевич
  • Леонидов Иван Ильич
  • Тютюнник Александр Петрович
  • Таракина Надежда Владимировна
  • Сурат Людмила Львовна
RU2394321C2
НЕПРЕРЫВНЫЙ ЛАЗЕР НА ВЫНУЖДЕННОМ КОМБИНАЦИОННОМ РАССЕЯНИИ 2005
  • Грабчиков Александр Степанович
  • Лисинецкий Виктор Александрович
  • Орлович Валентин Антонович
RU2292103C1
СПОСОБ УСИЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ЛАЗЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2009
  • Буганов Олег Васильевич
  • Грабчиков Александр Степанович
  • Орлович Валентин Антонович
  • Тихомиров Сергей Александрович
RU2403661C1
НЕПРЕРЫВНЫЙ КОМПАКТНЫЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ВКР-ЛАЗЕР (ВАРИАНТЫ) 2005
  • Грабчиков Александр Степанович
  • Демидович Александр Анатольевич
  • Лисинецкий Виктор Александрович
  • Орлович Валентин Антонович
RU2300834C2
Способ оценки стехиометрии монокристалла ниобата лития 2020
  • Бобрева Любовь Александровна
  • Сидоров Николай Васильевич
  • Палатников Михаил Николаевич
RU2743899C1
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, МНОГОСЛОЙНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, ГОЛОВКА ДЛЯ ВЫБРОСА ЖИДКОСТИ, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫБРОСА ЖИДКОСТИ, УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ДВИГАТЕЛЬ, ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 2012
  • Хаяси Дзумпеи
  • Такеда Кенити
  • Кояма Синя
  • Акаси Кенити
  • Фурута Тацуо
RU2561601C1
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, МНОГОСЛОЙНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, ГОЛОВКА ДЛЯ ВЫБРОСА ЖИДКОСТИ, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫБРОСА ЖИДКОСТИ, УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ДВИГАТЕЛЬ, ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 2012
  • Хаяси Дзумпеи
  • Такеда Кенити
  • Кояма Синя
  • Акаси Кенити
  • Фурута Тацуо
RU2607947C2
ОДНОПУЧКОВАЯ МИКРОСПЕКТРОСКОПИЯ КОГЕРЕНТНОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА НА ОСНОВЕ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКОГО СИНТЕЗАТОРА УПРАВЛЯЕМЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЕЙ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ 2007
  • Желтиков Алексей Михайлович
RU2360270C1
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО СПИНОВОГО РЕЗОНАНСА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2013
  • Корнилович Александр Антонович
  • Литвинов Владимир Георгиевич
  • Ермачихин Александр Валерьевич
  • Кусакин Дмитрий Сергеевич
RU2538073C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 178 938 C1

Реферат патента 2002 года ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВЫНУЖДЕННОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА

Изобретение используется в квантовой электронике, в частности в лазерах на вынужденном комбинационном рассеянии (ВКР). Сущность изобретения: материал для ВКР-преобразования частоты лазерного излучения на основе монокристалла вольфрамата бария-стронция с составом (Ba1-хSrx)уWzO4, где 0≤x≤1; 0,997<y<1,003; 0,999<z<1,001. Технический результат изобретения: увеличение коэффициента ВКР-усиления и снижение порога ВКР-преобразования. 2 ил. , 1 табл.

Формула изобретения RU 2 178 938 C1

Твердотельный лазерный материал для вынужденного комбинационного рассеяния света (ВКР), отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл с составом (Ba1-хSrx)уWzO4, где О≤х≤1; 0,997<y<1,003; 0,999<z<1,001.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2002 года RU2178938C1

АНДРЮНАС К
и др
Письма в ЖЭТФ, 1985, том 42, с
Телефонная трансляция с катодными лампами 1922
  • Коваленков В.И.
SU333A1
US 5721748 A, 24.02.1998
JP 05110171 A, 30.04.1993
СУЩИНСКИЙ М.М
Комбинационное рассеяние света и строение вещества
- М.: Наука, 1981, с.144-154.

RU 2 178 938 C1

Авторы

Басиев Т.Т.

Соболь А.А.

Зверев П.Г.

Ивлева Л.И.

Осико В.В.

Даты

2002-01-27Публикация

2000-04-25Подача