Изобретение относится к первичным измерительным преобразователям электромагнитного излучения, чувствительный элемент которых выполнен в виде тонкой пленки, нанесенной на керамическую подложку. Из соединений типа АIIВVI уже давно изучался CdS благодаря использованию его в измерителях интенсивности света.
При измерении интенсивности электромагнитного излучения в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до инфракрасного излучения широко применяют полупроводниковые фоторезисторы, а в γ -области -полупроводниковые детекторы излучения.
Для изготовления серийных фоторезисторов в настоящее время используют, главным образом, два типа материалов: сернистый кадмий и селенистый кадмий. Светочувствительный элемент фоторезистора может быть выполнен в виде тонкой пленки, нанесенной на стеклянную или керамическую подложку.
В войсковой дозиметрии используют пленочные детекторы γ - излучения на основе сернистого кадмия.
Проведенные исследования подтверждают возможность использования полупроводникового сульфида кадмия в качестве чувствительного материала для детекторов электромагнитного излучения в интервале длин волн от γ - до ультрафиолетового. Результаты проведенных исследований дали возможность для создания чувствительного элемента, способного одновременного измерять интенсивность γ - и ультрафиолетового излучений и разработки способа компенсации влияния темновых токов.
В качестве аналогов были выбраны следующие технические решения.
Фотосопротивления СФ 2-5, СФ2-1 (Н.Н. Акимов и др. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА. Справочник. - Минск.:"Беларусь", 1994.-591с.), имеющие пленочный чувствительный элемент с металлическими пленочными контактами, помещенные в герметичный корпус.
Фотосопротивления широкого применения ФСК-2, ФСК-2а. (Н.Н. Акимов и др. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА. Справочник. - Минск: Беларусь, 1994.-591с.),имеющие пленочный чувствительный элемент с пленочными металлическими контактами, помещенный в герметичный корпус.
Согласно данным, опубликованным в трудах (В. Кмент А. Кун. Техника измерений радиоактивных излучений.- М.: Наука,1964) на основе CdS созданы полупроводниковые твердотельные детекторы сопротивления гамма-излучения, работающие в импульсном режиме, которые выполнены в виде таблетки или пластины.
Недостатком рассматриваемых решений является узкий диапазон измеряемых величин, необходимость компенсации погрешностей, обусловленных влиянием темновых токов.
В качестве прототипа выбрано решение, в котором используется пленочный CdS в качестве чувствительного материала для детектора гамма-излучения, нанесенный на керамическую или стеклянную подложку с пленочными медными контактами, помещенный в герметичный корпус. Прибор на основе такого детектора работает в режиме непосредственного измерения электросопротивления, которое пропорционально интенсивности гамма-излучения. (Дозиметрия ионизирующих излучений ядерных взрывов /Авт. кол.: Б.А. Шестериков, В.И. Щербаков, Ю.И. Фролов и др. -М.: Воениздат, 1976.-475с.).
Недостатки этого решения - узкий диапазон измеряемых величин, необходимость компенсации погрешностей, обусловленных влиянием темновых токов.
Задачей предлагаемой разработки является уменьшение погрешности, вызванной влиянием темновых токов в первичном измерительном преобразователе ультрафиолетового и гамма-излучений.
Данная техническая задача осуществляется тем, что три одинаковых пленочных детектора из сернистого кадмия 1, 2, 3 с одинаковым номинальным сопротивлением нанесены на ситалловую подложку 4 методом вакуумного испарения (фиг. 1). Тем же методом получены медные контакты (не показаны). Экспериментально установлено, что на пленочный сульфид в комплексе воздействует ряд факторов, которые в значительной степени изменяют его электросопротивление: гамма- и ультрафиолетовое излучение, температура, видимый свет. Поэтому при совместном измерении гамма- и ультрафиолетового излучений необходимо компенсировать влияние темновых токов. Для этой цели детектор 1 закрыт свинцовой пластиной 5, которая изолирует его от γ - и ультрафиолетового излучений. Пластина располагается над пленкой чтобы не изменять термодинамического равновесия с другими детекторами. Детектор 2 изолирован от воздействия ультрафиолетового излучения посредствам нанесения на него слоя эмали, не пропускающего видимый и ультрафиолетовый свет. Детектор 3 закрыт фильтром видимого света 7. Таким образом на детектор 1 будет действовать температура, на детектор 2 - температура и γ - излучение, на детектор 3 - температура, γ - и ультрафиолетовое излучения. Последовательно подаваемый инвертируемый сигнал с детектора 1 на детектор 2 компенсирует влияние температурной погрешности на детекторе 2, измеряющим интенсивность γ -излучения. Аналогично, последовательный инвертируемый сигнал с детектора 2 подается на детектор 3, измеряющий интенсивность ультрафиолетового света, компенсируя погрешность, вызванную действием температуры и γ - излучения. В конечном итоге на детекторе 2 (R2) можно фиксировать падение сопротивления, вызванное воздействием γ - излучения, пропорциональное экспозиционной дозе, а на детекторе 3 (R3)-ультрафиолетовым, пропорциональным интенсивности ультрафиолетового излучения (фиг. 2). В качестве инвертора используются операционные усилители с единичным коэффициентом усиления. Переключение режимов измерения осуществляется переключателем SA 1.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ СТРУКТУР | 2013 |
|
RU2546119C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ГАЗОВОГО СЕНСОРА ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ МОНООКСИДА УГЛЕРОДА СО БЕЗ НАГРЕВАНИЯ | 2013 |
|
RU2544272C2 |
ТЕРМОЗОНД ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ЗАЩИТНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ | 1994 |
|
RU2101674C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ РАДИАЦИОННО СТОЙКИХ ПЛЕНОК | 2006 |
|
RU2328059C1 |
ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ИК-ДИАПАЗОНА | 1991 |
|
RU2032993C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 1999 |
|
RU2155418C1 |
Полупроводниковый датчик аммиака | 2015 |
|
RU2613482C1 |
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ДЕТЕКТОР | 2000 |
|
RU2190240C2 |
Управляемый светом генератор электрических колебаний на однородных кристаллах сульфида кадмия | 2017 |
|
RU2655737C1 |
Высокотемпературный ИК фоторезистор | 2021 |
|
RU2781043C1 |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для измерения электромагнитных излучений, работающих в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до гамма-излучений. Техническим результатом изобретения является расширение диапазона измеряемых величин и уменьшение погрешностей, вызванных влиянием темновых токов. Сущность: устройство содержит три одинаковых пленочных детектора, выполненных из пленки сернистого кадмия, нанесенной на керамическую подложку. Первый детектор изолирован свинцовой пластиной от воздействия гамма- и ультрафиолетового излучений и предназначен для компенсации погрешности, вызванной изменением температуры на втором детекторе. Второй детектор изолирован слоем эмали, не пропускающей видимый и ультрафиолетовый свет, и предназначен для измерения интенсивности гамма-излучения. Третий детектор закрыт фильтром видимого света и предназначен для измерения интенсивности ультрафиолетового излучения. 2 ил.
Первичный измерительный преобразователь ультрафиолетового и гамма-излучений, содержащий пленочные детекторы излучения из сернистого кадмия, нанесенные на керамическую подложку, отличающийся тем, что включает в себя три одинаковых пленочных детектора из сернистого кадмия: детектор 1 - изолированный свинцовой пластиной от воздействия γ- и ультрафиолетового излучений, предназначенный для компенсации погрешности, вызванной действием температуры на детекторе 2, детектор 2 - изолированный слоем эмали, не пропускающей видимый и ультрафиолетовый свет, предназначенный для измерения интенсивности τ-излучения, а также для компенсации погрешности, вызванной действием температуры и γ-излучения, на детекторе 3, детектор 3 - закрытый фильтром видимого света, предназначенный для измерения интенсивности ультрафиолетового излучения.
Шестериков В.И | |||
и др | |||
Дозиметрия ионизирующих излучений ядерных взрывов | |||
- М.: Воениздат, 1976, с.475 | |||
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ | 1988 |
|
SU1517674A1 |
Полупроводниковый фотоприемник | 1991 |
|
SU1806425A3 |
WO 9903155 А2, 21.01.1999 | |||
US 4614961 А, 30.09.1986. |
Авторы
Даты
2002-09-20—Публикация
2000-06-21—Подача