Изобретение относится к волоконно-оптическим измерительным устройствам и может быть использовано в энергетике, сильноточной электронике для измерения электромагнитных полей, электрических токов и напряжений.
Широкое освещение в настоящее время получили работы по созданию датчиков магнитного поля и электрического тока. Наиболее близким к предлагаемому решению по технической сущности и достигаемым результатам является волоконно-оптический датчик тока, рассмотренный в Lightwave Technology, v. LT-1, 1, March 1983, р.93-97 и взятый в качестве наиболее близкого аналога.
Конструктивно известный датчик представляет собой устройство, содержащее источник излучения (AlGaAs LED, длина волны 0,85 мкм), оптически активный кристалл Bi12GeO20 и систему "поляризатор-анализатор", выполненную на уголковых призмах (polaryzed beam splitters), фотоприемник, градиентные линзы. В качестве соединителей используются многомодовые оптические волокна с диаметром сердцевины 100 мкм и числовой апертурой 0,18.
Описанное устройство работает следующим образом: свет постоянной интенсивности направляется по волокну от источника излучения к оптически активному кристаллу. Свет, пройдя через поляризатор, приобретает линейную поляризацию. Линейно поляризованный свет направляется в кристалл Bi12GeO20, где происходит вращение плоскости поляризации светового луча под действием внешнего (измеряемого) магнитного поля и собственного кругового двулучепреломления кристалла.
Угол поворота плоскости поляризации можно записать как
ψ = ψA+ψF = VHL+θL,
где V - константа Верде материала;
Н - приложенное магнитное поле;
L - длина кристалла;
θ - собственное круговое двулучепреломление кристалла.
После того как луч вышел из кристалла, он проходит через анализатор. Оптические оси поляризатора и анализатора параллельны. После анализатора по световоду луч направляется к фотоприемному устройству.
К недостаткам описанной конструкции необходимо отнести значительную температурную погрешность - ≈4o на интервале температур от -25o до +65oС, обусловленную температурными дрейфами собственного кругового двулучепреломления θ и константы Верде кристалла V.
Задача, решаемая данным изобретением, заключается в разработке волоконно-оптического датчика магнитного поля и электрического тока, отличающегося от аналога улучшенными техническими характеристиками, а именно - высокой температурной стабильностью.
Решение поставленной задачи обеспечивается тем, что в волоконно-оптическом датчике магнитного поля и электрического тока, содержащем источник излучения, поляризатор, оптически активный кристалл, анализатор, фотоприемник, угол между оптическими осями поляризатора и анализатора α выбирают в зависимости от длины кристалла.
Проведя матричные преобразования при заданном состоянии входной поляризации, получим выражение для вектора Максвелла и через него вычислим интенсивность излучения I на входе фотоприемника.
При условии, что вклад линейного двулучепреломления кристалла по сравнению с вкладом кругового двулучепреломления мал и им можно пренебречь, выражение для I запишем в виде
где α - угол между оптическими осями поляризатора и анализатора;
I0 - интенсивность света в отсутствие внешнего магнитного поля Н.
Рассмотрим коэффициент преобразования оптически активного кристалла датчика, определяемый как относительное изменение интенсивности света I на входе фотоприемника:
В первом приближении зависимость Sн от температуры t можно записать в виде
где V0 и θ0 - параметры V и θ, взятые при t0=20oС. Из выражения (1) следует, что изменение коэффициента преобразования датчика Sн при изменении температуры окружающей среды определяется двумя основными факторами: температурным дрейфом константы Верде материала и изменением от температуры величины коэффициента собственной оптической активности Далее запишем величину относительного отклонения коэффициента преобразования Sн(t) в виде:
Из выражения (2) представляется возможным выявить пути улучшения температурных характеристик данного датчика. Для этого разложим выражение (2) в ряд по t и найдем такое соотношение между длиной кристалла L0 и углом α0, при котором отклонение от температуры величины константы Верде будет компенсироваться отклонением от температуры величины оптической активности кристалла
Ограничимся первым членом разложения, приравняв его к нулю. Получим выражение:
Разрешим (3) по α:
Кроме того, при рассмотрении температурных характеристик датчика следует учитывать и тот факт, что выходной поляризатор должен быть ориентирован относительно входного так, чтобы глубина модуляции была максимальной.
Это значит, что выражение (4) должно удовлетворять требованию:
2(θL+α) = π/2.
Решение системы (5)
позволяет для данного кристалла получить параметры L0 и α0, при которых достигается улучшение температурных характеристик датчика при максимальной глубине модуляции сигнала.
Так, при типовых значениях исходных данных для кристалла Bi12SiO20 V0= 6,88•10-5 рад/А; рад/А град;
θ =170 рад/м;
Из системы (5) получим L0=6 мм, α =13o30'.
Это значит, что при взаимной ориентации оптических осей поляризаторов 13o30' и длине кристалла 6 мм, датчик магнитного поля и электрического тока практически не чувствителен к дрейфу параметров что повышает точность датчика на порядок при обеспечении максимальной глубины модуляции сигнала.
На чертеже представлена схема волоконно-оптического датчика магнитного поля и электрического тока, где 1 - источник излучения, 2 - световоды, 3 - градиентные линзы, 4 - поляризатор, 5 - кристалл, обладающий круговым двулучепреломлением, 6 - анализатор, 7 - фотоприемное устройство.
Устройство работает следующим образом.
Свет от источника излучения 1 по световоду 2 проходит через градиентную линзу 3 и попадает на поляризатор 4. Далее свет проходит через кристалл 5, анализатор 6, градиентную линзу 3 и попадает на фотоприемник 7. Интенсивность излучения на входе фотоприемного устройства 7 описывается выражением (1). При этом оптические оси поляризатора 4 и анализатора 6 ориентированы под углом α0, что соответствует длине кристалла L0.
Для определения величин параметров α0, L0 используется система двух уравнений (5).
В переменном магнитном поле Н датчик измеряет составляющую магнитного поля, совпадающую с продольной осью кристалла 5.
По результатам экспериментальных исследований дрейф коэффициента преобразования на интервале температур от 0 до 100oС составил 0,2%, что на порядок лучше, чем у ближайшего аналога.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА | 2015 |
|
RU2606935C1 |
ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА | 2015 |
|
RU2608576C1 |
Устройство для градуировки бесконтактных волоконно-оптических датчиков электрического тока на основе кристаллов BSO | 2017 |
|
RU2654072C1 |
МИКРОРЕЗОНАТОРНЫЙ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА | 1999 |
|
RU2170439C1 |
МИКРОРЕЗОНАТОРНЫЙ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЛИНЕЙНЫХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ | 1998 |
|
RU2142116C1 |
МИКРОРЕЗОНАТОРНЫЙ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ | 1999 |
|
RU2157512C1 |
МУЛЬТИПЛЕКСНАЯ СИСТЕМА АВТОГЕНЕРАТОРНЫХ МИКРОРЕЗОНАТОРНЫХ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН | 1998 |
|
RU2142615C1 |
МИКРОРЕЗОНАТОРНЫЙ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН | 1997 |
|
RU2135957C1 |
ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ИЗМЕРЕНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН | 1998 |
|
RU2142115C1 |
МИКРОРЕЗОНАТОРНЫЙ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК УГЛОВЫХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ | 1998 |
|
RU2142117C1 |
Изобретение относится к волоконно-оптическим измерительным устройствам. Предлагаемый волоконно-оптический датчик магнитного поля и электрического тока содержит источник излучения, поляризатор, оптически активный кристалл, анализатор, фотоприемник. Значение длины оптически активного кристалла и угол между оптическими осями поляризатора и анализатора выбраны так, чтобы отклонение от температуры величины константы Верде компенсировалось отклонением от температуры коэффициента собственного кругового двулучепреломления при обеспечении максимальной глубины модуляции сигнала. Технический результат - высокая температурная стабильность датчика. 1 ил.
Волоконно-оптический датчик магнитного поля и электрического тока, содержащий источник излучения, поляризатор, оптически активный кристалл, анализатор, фотоприемник, отличающийся тем, что значения длины оптически активного кристалла L0 и угол между оптическими осями поляризатора и анализатора α0 выбраны так, что отклонение от температуры величины константы Верде ΔV/Δt будет компенсироваться отклонением от температуры коэффициента собственного кругового двулучепреломления ΔΘ/Δt при обеспечении максимальной глубины модуляции сигнала.
US 4999570, 12.03.1991 | |||
СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИОННОГО АНАЛИЗА | 1992 |
|
RU2040796C1 |
US 5040896, 20.08.1991 | |||
ЛАЗЕРНАЯ СИСТЕМА И ДВУХИМПУЛЬСНЫЙ ЛАЗЕР | 1998 |
|
RU2144722C1 |
RU 1739776 А1, 10.02.1997 | |||
DE 4431589 А1, 07.03.1996 | |||
WO 00/05590 А1, 03.02.2000 | |||
БУСУРИН В.И., НОСОВ Ю.Р | |||
Волоконно-оптические датчики | |||
- М.: Энергоатомиздат, 1990, стр.85 | |||
ОКОСИ Т | |||
Волоконно-оптические датчики | |||
- М.: Энергоатомиздат, 1990, с.157-163. |
Авторы
Даты
2003-09-27—Публикация
2000-06-28—Подача