МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Российский патент 2003 года по МПК H01L29/70 

Описание патента на изобретение RU2216073C1

Заявляемое изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов.

Известен мощный СВЧ-транзистор, содержащий полупроводниковую подложку с транзисторными структурами, коллекторные, базовые и эмиттерные области которых соединены с соответствующими им электродами корпуса, причем эмиттерные области фрагментированы с целью компенсации эффекта оттеснения тока к периферии эмиттера [1].

Недостатками такого транзистора являются неравномерное распределение мощности по транзисторным структурам и его плохая термическая устойчивость вследствие положительной обратной связи по теплу, приводящие к снижению выходной мощности P1 и надежности транзистора.

В другом мощном СВЧ-транзисторе каждая транзисторная структура снабжена балластным резистором из материала с положительным температурным коэффициентом сопротивления, который одной своей стороной контактирует с металлизацией эмиттерной области транзисторной структуры, а противоположной стороной контактирует с металлизацией площадки для присоединения проводника, служащего для соединения эмиттерной области транзисторной структуры с одноименным электродом корпуса [2]. Это позволяет повысить однородность входных сопротивлений транзисторных структур и их температурную стабильность, тем самым повысив Р1 и надежность транзистора. Увеличение сопротивлений балластных резисторов, приводящее к повышению P1, влечет за собой снижение коэффициента усиления по мощности КP и КПД транзистора. Поэтому сопротивления балластных резисторов принимают некоторое оптимальное значение, которое не исключает неравномерности разогрева транзисторных структур вследствие их неоднородного взаиморасположения, что ограничивает Р1 транзистора в целом.

Увеличение проходной емкости "коллектор-эмиттер" и полной емкости коллектора за счет добавления к площади металлизации под потенциалом эмиттера над коллекторной областью площади балластного резистора, а также различия площадей резисторов вследствие разницы их сопротивлений препятствуют достижению максимального значения коэффициента усиления по мощности на основной рабочей частоте транзистора. Наличие балластных резисторов и увеличение их длины пропорционально их сопротивлениям относительно некоторого минимального значения для реализации величин R(i) приводит к увеличению площади транзисторных структур и транзистора в целом.

Балластный резистор конструктивно располагается на изолирующем окисле над областью коллектора, поэтому наряду с емкостью металлизации для присоединения эмиттерного проводника его емкость входит в состав паразитной проходной емкости "коллектор-эмиттер" СКЭ. Емкость СКЭ шунтирует активное входное сопротивление транзистора в схеме с общей базой (ОБ), что приводит к передаче части входной мощности через СКЭ без усиления непосредственно в коллекторную цепь транзистора. В схеме с общим эмиттером (ОЭ) через СКЭ часть выходной мощности попадает в общий вывод, минуя нагрузку. Независимо от схемы включения транзистора (с ОБ или ОЭ) емкость балластного резистора входит в состав полной коллекторной емкости СК, с которой коэффициент передачи тока h21 и коэффициент усиления по мощности КP связаны обратной зависимостью [3] . Поэтому увеличение СКЭ приводит к снижению КР=P1/PBX; РВХ - входная мощность транзистора. В конструкции прототипа сопротивление балластного резистора пропорционально его длине, или, с другой стороны, площадь балластного резистора пропорциональна величине его сопротивления. Таким образом, транзисторные структуры, у которых сопротивление балластных резисторов больше, имеют большие площади балластных резисторов и большие величины дополнительной емкости в составе СКЭ и СК, следовательно, имеют меньшие значения КP, что приводит к снижению КP транзистора в целом.

Кроме того, различие емкостей балластных резисторов приводит к различию емкостей СК(i) транзисторных структур, что в свою очередь обуславливает несовпадение резонансных частот их выходных цепей с основной рабочей частотой транзистора f0; Lвых - выходная индуктивность, образующая параллельный резонансный контур с СК [4]. Несовпадение fP(i) и f0 приводит к недостижению выходной мощностью P1(i) i-й транзисторной структуры на резонансной частоте своего максимального значения, следовательно, к уменьшению КР, так как Р1 является суммой P1(i), i=1,...,N.

Заявляемое изобретение предназначено для уменьшения проходной емкости "коллектор-эмиттер", полной коллекторной емкости транзистора и уменьшения неоднородности полных коллекторных емкостей и размеров его транзисторных структур в отдельности, и при его осуществлении может быть увеличен коэффициент усиления по мощности транзистора на основной рабочей частоте и уменьшена площадь транзистора.

Вышеуказанная задача решается тем, что в известном мощном СВЧ-транзисторе, содержащем N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием Δ между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор с сопротивлением R(i), i=1,...,N, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника, согласно изобретению, хотя бы в одном балластном резисторе имеются выемки, ширина которых в местах контактов балластного резистора с металлизацией области эмиттера не превышает Δ/3, а площади S(i), S(k) резистивных слоев хотя бы двух балластных резисторов с сопротивлениями R(i)≥(R(k) (i, k∈{1, 2...,N}) удовлетворяют соотношению:
R(k)/R(i)≤(S(i)/S(k)≤R(i)/R(k) (1)
Получаемый при осуществлении изобретения технический результат, а именно увеличение коэффициента усиления по мощности на основной рабочей частоте транзистора и уменьшение площади транзистора, достигается за счет того, что наличие выемок в балластном резисторе позволяет уменьшить площадь верхней обкладки конденсатора, образованного резистором и областью коллектора, на величину площади выемок и тем самым уменьшить паразитные емкости СКЭ и СК, выполнение соотношения (1) позволяет уменьшить разницу площадей балластных резисторов под потенциалом эмиттера, тем самым компенсировать разницу коллекторных емкостей транзисторных структур, следовательно, достичь лучшего совпадения резонансных частот коллекторных цепей транзисторных структур fР(i) с основной рабочей частотой транзистора f0, а увеличение погонного (на единицу длины) сопротивления балластных резисторов за счет наличия в них выемок позволяет уменьшить длину балластных резисторов и тем самым уменьшить площади соответствующих транзисторных структур.

Реализация требуемых сопротивлений резисторов R(i) может быть осуществлена за счет вариации количеством и конфигурацией выемок без увеличения длины резистора пропорционально увеличению R(i) относительно некоторого минимального значения в их ряду для данного транзистора. Очевидно, наличие выемок в резисторе приводит к уменьшению ширины резистора, поэтому величина его погонного сопротивления ρ(i)=R(i)/l(i), где l(i) - длина резистора будет в этом случае больше, чем ρ(i) сплошного резистора без промежутков. Следовательно, реализация требуемого значения R(i) при наличии в резисторе выемок будет приводить к уменьшению длины резистора, т.е. расстояния между смежными краями металлизации области эмиттера и металлизации площадки для присоединения проводника, и тем самым к уменьшению площади транзисторной структуры. При изменении R(i) в небольших пределах (например, не более чем в два раза) l(i) может быть фиксированной величиной, и максимальное уменьшение площади транзистора будет при равенстве всех l(i) некоторому минимальному значению, соответствующему минимальному сопротивлению среди всех R(i).

Условие непревышения шириной выемки в местах контактов балластного резистора с металлизацией области эмиттера трети величины Δ обеспечивает гальванический контакт с балластным резистором каждого фрагмента области эмиттера.

Условие (1) позволяет компенсировать увеличение площади балластного резистора с ростом его сопротивления. В случае равенства сопротивлений: R(i)= R(k) условие (1) приводит к равенству площадей резисторов S(i)=S(k), что обеспечивает равенство дополнительных емкостей "коллектор-эмиттер" транзисторных структур за счет балластных резисторов, следовательно, равенство полных коллекторных емкостей транзисторных структур и равенство fР(i)=f0. Если R(i)>R(k), условие (1) позволяет уменьшить отклонение fР(i) от f0 и тем самым приблизить КР транзистора к максимальному для данной конструкции значению, которое будет иметь место в случае S(i)/S(k)=1, возможном быть реализованным в рамках условия (1).

На фиг.1 изображен заявляемый мощный СВЧ-транзистор, вид сверху. На фиг. 2 отдельно показана транзисторная структура.

Мощный СВЧ-транзистор состоит из основания корпуса 1, на котором расположены электроды: входной 2, нулевого потенциала 3 и коллекторный 4. Для данного примера исполнения транзистора 2 и 3 - соответственно электроды базы и эмиттера. Полупроводниковая подложка 5 является в данном примере областью коллектора для всех транзисторных структур. Каждая транзисторная структура включает в свой состав область базы 6, в пределах которой размещены фрагменты области эмиттера 7, контактирующие с металлизацией области эмиттера 8. Между металлизацией 8 и металлизацией 9 площадки для присоединения эмиттерного проводника 10 расположен балластный резистор 11, противоположные стороны которых контактируют с областями металлизации 8 и 9. Количество выемок 12 в балластных резисторах и их геометрические параметры выбраны таким образом, чтобы реализовать сопротивления R(i) и при этом удовлетворить условию (1) и обеспечить достижение требуемого технического результата. На фиг.2 показано, что ширина выемок 12 в местах контактов балластного резистора 11 с металлизацией 8 не превышает трети расстояния Δ между центрами фрагментов 7. На фиг. 2 также показана металлизация 13 области базы, через которую осуществляется контакт области 6 с металлизацией 14 площадки для присоединения базового проводника 15. Для наглядности представления областей 2 и 3 участки металлизации 4 и 8 не показаны в пределах пунктирной линии. На фиг.1 металлизация 8 в целях упрощения изображения над областью эмиттера и металлизация 13 над областью базы 6 не показана, а металлизация 8 в месте контакта с резистором 11 показана сплошной.

При работе мощного СВЧ-транзистора в схеме каскада усиления мощности с ОБ уменьшение площади балластного резистора 11 под потенциалом эмиттера за счет наличия выемок 12 обеспечивает, во-первых, снижение проходной емкости "коллектор-эмиттер" СКЭ, в результате чего меньшая по сравнению с прототипом часть входной мощности будет передаваться через СКЭ в выходную цепь без усиления, а во-вторых, будет уменьшена полная емкость коллектора СК. Оба этих фактора обеспечивают повышение коэффициента усиления по мощности КР. В схеме с ОЭ к увеличению КР будет приводить второй из названных факторов, а также уменьшение части выходной мощности, попадающей через СКЭ в общий вывод схемы усилительного каскада, минуя нагрузку.

Несмотря на возможное наличие промежутков в местах контактов резистора 11 с металлизацией 8, непревышение шириной этих промежутков трети минимального расстояния Δ между центрами фрагментов 7 обеспечивает включение всех без исключения фрагментов 7 в схему каскада через металлизацию 8, балластный резистор 11, металлизацию 9, проводник 10 и электрод 3 (или электрод 2 в схеме с ОБ) даже при фрагментации металлизации 8 (фиг.2). Так как конфигурация области эмиттера должна обеспечивать максимальное отношение периметра эмиттера к площади базы [4,5], т.е. максимальную плотность размещения фрагментов 7 в пределах области 6, расстояние Δ определяется разрешением литографического процесса - минимальным расстоянием σ между двумя ближайшими параллельными линиями структуры. В типовой конструкции мощного СВЧ-транзистора металлизации областей эмиттера и базы представляют собой две встречно направленных вложенных одна в другую гребенки [1] (фиг.2). Штыри (фрагменты) гребенок контактируют через окна в защитном окисле с областями базы и эмиттера (на фиг.2 не показаны). Величина Δ складывается из: удвоенного расстояния от центра фрагмента 7 до края контактного окна (2•σ/2 = σ), удвоенного расстояния от края контактного окна до края фрагмента металлизации 8 (2•σ = 2σ), удвоенного расстояния от края фрагмента металлизации 8 до края фрагмента металлизации области базы 13 (2σ) и ширины фрагмента металлизации 13, равной удвоенному расстоянию от края фрагмента до края контактного окна и ширине контактного окна, т.е. 3σ. Таким образом, Δ = 8σ, а минимальная ширина фрагмента металлизации 8 в месте контакта с балластным резистором 11, как и ширина фрагмента металлизации 13, равна 3σ. Очевидно, во избежание пропуска контакта резистора 11 с металлизацией 8 ширина выемок 12 в местах контактов резистора 11 с металлизацией 8 должна быть меньше ширины фрагмента металлизации 8, т.е. 3σ. Выразив это расстояние через Δ, как более общий конструктивный параметр по сравнению с σ, получим 3Δ/8, а с небольшим запасом для обеспечения перекрытия участков 11 с металлизацией 8-Δ/3.

Выполнение условия (1) уменьшает разницу площадей резисторов 11 под потенциалом эмиттера по сравнению с разницей аналогичных площадей в конструкции прототипа, тем самым уменьшая разницу дополнительных емкостей "коллектор-эмиттер" за счет наличия в конструкции транзистора балластных резисторов с различными сопротивлениями. Это приводит к выравниванию значений СК транзисторных структур, лучшему совпадению резонансных частот их коллекторных цепей с основной рабочей частотой транзистора f0 и в итоге повышению КР на частоте f0 за счет более эффективного сложения выходных мощностей транзисторных ячеек в общей нагрузке.

Наличие в резистивном слое балластного резистора 11 выемок 12 дает возможность, за счет варьирования геометрическими параметрами выемок (фиг.2) реализовать в широких пределах различные значения сопротивлений R(i) без пропорционального увеличения соответствующих длин l(i), т.е. расстояния между смежными краями металлизации 8 и 9, и таким образом без пропорционального изменения площади и паразитной емкости резистора. В итоге это позволяет частично компенсировать связанное с наличием балластных резисторов и разницы их сопротивлений R (i) снижение КР, а также уменьшить длины резисторов и, тем самым уменьшить площади транзисторных структур и транзистора в целом без ухудшения его энергетических характеристик.

ЛИТЕРАТУРА
1. Колесников В.Г. и др. Кремниевые планарные транзисторы / Под ред. Я. А. Федотова. - М.: Сов. радио, 1973, 336 с.

2. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В. И. Никишин, Б.К. Петров, В.Ф. Сыноров и др. М.: Радио и связь, 1989.- С.107.

3. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В. И. Никитин, Б.К. Петров, В.Ф. Сыноров и др. М.: Радио и связь, 1989, с.11-20, 30-38.

4. Там же, с.11-12.

5. Там же, с.83.

Похожие патенты RU2216073C1

название год авторы номер документа
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР 2002
  • Петров Б.К.
  • Булгаков О.М.
RU2216072C1
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА 2002
  • Петров Б.К.
  • Булгаков О.М.
RU2216070C1
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА 2002
  • Петров Б.К.
  • Булгаков О.М.
RU2216069C1
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА 2002
  • Петров Б.К.
  • Булгаков О.М.
RU2216071C1
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР 2003
  • Булгаков О.М.
  • Петров Б.К.
RU2227946C1
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР 2003
  • Булгаков О.М.
  • Петров Б.К.
RU2227945C1
МОЩНАЯ СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА 2003
  • Булгаков О.М.
  • Петров Б.К.
RU2253923C1
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР 2003
  • Булгаков О.М.
  • Петров Б.К.
RU2253924C1
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА 2003
  • Булгаков О.М.
  • Петров Б.К.
RU2229184C1
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР 2009
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Петров Борис Константинович
  • Лупандин Владислав Владимирович
RU2403650C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 216 073 C1

Реферат патента 2003 года МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР

Использование: полупроводниковая электроника. Мощный СВЧ-транзистор содержит N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника. В балластных резисторах сделаны выемки, ширина которых в местах контакта резистора с металлизацией эмиттерной области не превышает трети шага мультипликации эмиттерной области. Реализация требуемых значений сопротивлений резисторов за счет вариации количества и геометрических параметров выемок обеспечивает уменьшение неоднородности транзисторных структур, а также уменьшение их размеров вследствие уменьшения минимальной длины и разницы в длинах и площадях резисторов. Техническим результатом изобретения также является уменьшение проходной емкости "коллектор-эмиттер" и полной коллекторной емкости транзистора. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 216 073 C1

Мощный СВЧ-транзистор, содержащий N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием Δ между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор с сопротивлением R(i), i= 1, . . . , N, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника, отличающийся тем, что хотя бы в одном балластном резисторе имеются выемки, ширина которых в местах контактов балластного резистора с металлизацией области эмиттера не превышает Δ/3, а площади S(i), S(k) резистивных слоев хотя бы двух балластных резисторов с сопротивлениями R(i) ≥ R(k) (i, k ∈ { 1, 2, . . . , N} ) удовлетворяют соотношению:
R(k)/R(i) ≤ S(i)/S(k) ≤ R(i)/R(k).

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2003 года RU2216073C1

НИКИШИН В.И
и др
Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов
- М.: Радио и связь, 1989, с.106-107
МОЩНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР 1975
  • Захаров В.И.
  • Левкович Г.С.
  • Левицкий К.Б.
  • Синкевич В.Ф.
  • Шибанов А.П.
  • Шелчков Б.И.
  • Щиголь Ф.А.
SU1424656A1
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР 1990
  • Асессоров В.В.
  • Булгаков О.М.
  • Инкерманлы И.Л.
  • Кочетков А.И.
  • Петров Б.К.
SU1679922A1
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ) 1992
  • Аронов В.Л.
  • Евстигнеев А.С.
  • Евстигнеева Г.В.
  • Русаков Е.О.
RU2054755C1
US 4639757 А, 27.01.1987
US 5907180 А, 25.05.1999
US 6013942 А, 11.01.2000
Лесозаготовительная машина 1974
  • Чайкин Анатолий Семенович
  • Табунов Лев Васильевич
  • Ладенко Валентин Васильевич
  • Стефанов Олег Александрович
  • Федоров Юрий Михайлович
  • Кругов Владимир Степанович
SU736908A1

RU 2 216 073 C1

Авторы

Петров Б.К.

Булгаков О.М.

Даты

2003-11-10Публикация

2002-11-10Подача