Заявляемое изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов.
Известна мощная СВЧ транзисторная структура, в которой на полупроводниковой подложке размещены коллекторная, базовая и эмиттерная области, соединенные с соответствующими им электродами корпуса, а также балластный резистор из материала с положительным температурным коэффициентом сопротивления, контактирующий своими противоположными сторонами с металлизацией области эмиттера и площадкой для присоединения эмиттерного проводника [1, с.106]. Балластный резистор необходим для стабилизации входного сопротивления транзисторной структуры и повышения ее термической устойчивости путем предотвращения эффекта шнурования тока посредством уменьшения положительной токотермической обратной связи.
Недостатком такой транзисторной структуры является неравномерное распределение мощности по площади активных областей структуры, приводящее к снижению выходной мощности Р1 и надежности транзисторной структуры.
В другой транзисторной структуре балластный резистор имеет непрямоугольную форму [1, с.107]. Непрямоугольная форма резистора обеспечивает неравномерное распределение сопротивления по ширине резистора и, таким образом, подключение к различным участкам области эмиттера различных сопротивлений с целью увеличения уровня рассеиваемой мощности в областях транзисторной структуры с лучшими условиями отвода тепла и уменьшения этого уровня в областях транзисторной структуры с худшими условиями отвода тепла. Изменение сопротивления балластного резистора по его ширине позволяет повысить равномерность разогрева транзисторной структуры и за счет этого увеличить Р1 и повысить надежность транзисторной структуры.
Недостатком такой транзисторной структуры является снижение коэффициента усиления по мощности КP=P1/Рвх (Рвх - входная мощность) за счет увеличения паразитной проходной емкости “эмиттер-коллектор” СКЭ и полной емкости коллектора СK вследствие увеличения площади балластного резистора, а также за счет дополнительного рассеяния части входной мощности на балластном резисторе без усиления [1, С.11-20, 30-38]. Кроме того, увеличение длины балластного резистора относительно некоторого среднего значения, пропорционального сопротивлению резистора, приводит к увеличению площади транзисторной структуры
Наиболее близкой по совокупности признаков является транзисторная структура, балластный резистор которой включает в себя фрагменты из двух различных материалов, что позволяет предохранить активные области от перегрева при отклонении параметров режима эксплуатации от штатных значений [2]. Однако это не влечет за собой уменьшение площади балластного резистора и устранения недостатков, присущих указанной выше транзисторной структуре [1, с.107].
Балластный резистор конструктивно располагается на изолирующем окисле над областью коллектора, поэтому, наряду с емкостью металлизации для присоединения эмиттерного проводника, его емкость входит в состав паразитной проходной емкости “коллектор-эмиттер” СКЭ. Емкость СКЭ шунтирует активное входное сопротивление транзистора в схеме с общей базой (ОБ), что приводит к передаче части входной мощности через СКЭ без усиления непосредственно в коллекторную цепь транзистора. В схеме с общим эмиттером (ОЭ) через СКЭ часть выходной мощности попадает в общий вывод, минуя нагрузку. Независимо от схемы включения транзистора (с ОБ или ОЭ) емкость балластного резистора входит в состав полной коллекторной емкости СK, с которой коэффициент передачи тока h21 и коэффициент усиления по мощности КP связаны обратной зависимостью [1, С.11-20, 30-38]. Поэтому увеличение СКЭ, обусловленное увеличением площади балластного резистора в соответствии с требуемым законом распределения сопротивления по его ширине, приводит к снижению КP.
Заявляемое изобретение предназначено для уменьшения проходной емкости “коллектор-эмиттер” и полной коллекторной емкости транзистора и длины балластного резистора, и при его осуществлении может быть увеличен коэффициент усиления по мощности и уменьшена площадь транзисторной структуры.
Вышеуказанная задача решается тем, что в известной мощной СВЧ транзисторной структуре, содержащей области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника, характеризующийся удельной проводимостью где σ(х) - закон распределения проводимости балластного резистора по его ширине, x∈[0;h], h - ширина балластного резистора у края металлизации области эмиттера, а расстояние между смежными краями металлизации области эмиттера и металлизации площадки для присоединения эмиттерного проводника характеризуется некоторой функцией l(х), согласно изобретению, балластный резистор включает в себя по меньшей мере один фрагмент с удельной проводимостью σ*<σ0, такой, что для любых двух участков резистора одинаковой ширины Δhi=Δhj, по меньшей мере один из которых полностью или частично включает в себя фрагмент с удельной проводимостью σ*, проводимости участков , Σi>Σj, и средние длины участков удовлетворяют соотношению:
Получаемый при осуществлении изобретения технический результат, а именно, увеличение коэффициента усиления по мощности, достигается за счет того, что наличие в балластном резисторе фрагментов с удельной проводимостью, меньшей средней удельной проводимости резистора, размещенных в соответствии с законом распределения проводимости по ширине резистора σ(х), позволяет уменьшить площадь верхней обкладки конденсатора, образованного резистором и областью коллектора, и тем самым уменьшить паразитные емкости СКЭ и СK, а уменьшение площади транзисторной структуры достигается за счет того, что увеличение сопротивления отдельных участков балластного резистора в соответствии с законом σ(х) осуществляется не только за счет увеличения длины этих участков, но и за счет увеличения их удельного сопротивления, и таким образом уменьшается длина балластного резистора.
На чертеже изображена заявляемая мощная СВЧ транзисторная структура, вид сверху.
Мощная СВЧ транзисторная структура размещена на полупроводниковой подложке 1, являющейся в данном примере областью коллектора. В пределах области базы 2 размещены фрагменты области эмиттера 3, контактирующие с металлизацией эмиттера 4. Между металлизацией 4 и металлизацией 5 площадки для присоединения эмиттерного проводника 6 расположен балластный резистор 7, противоположные стороны которого контактируют с металлизацией 4 и 5. В резисторе 7 имеются фрагменты 8 из материала с удельной проводимостью σ* большей, чем средняя удельная проводимость резистора. На чертеже также показана металлизация 9 области базы, через которую осуществляется контакт области 2 с металлизацией 10 площадки для присоединения базового проводника 11. Участки резистора шириной Δhi, Δhj+1, не содержащий и содержащий фрагмент с из материала с удельной проводимостью σ*, обозначены на фиг.1, 2 соответственно как 12 и 13.
При работе мощной СВЧ транзисторной структуры в составе мощного СВЧ транзистора в схеме каскада усиления мощности с ОБ уменьшение площади балластного резистора 7 под потенциалом эмиттера за счет наличия фрагментов 8 из материала с пониженной удельной проводимостью σ* обеспечивает, во-первых, снижение проходной емкости “коллектор-эмиттер” СКЭ, в результате чего меньшая по сравнению с прототипом часть входной мощности будет передаваться через СКЭ в выходную цепь без усиления, а, во-вторых, будет уменьшена полная емкость коллектора СК. Оба этих фактора обеспечивают повышение коэффициента усиления по мощности КP. В схеме с ОЭ к увеличению КP будет приводить второй из названных факторов, а также уменьшение части выходной мощности, попадающей через СКЭ в общий вывод схемы усилительного каскада, минуя нагрузку.
Реализация требуемого сопротивления резистора R и закона распределения его проводимости по ширине σ(х), или Σ(Δhj), может быть осуществлена за счет вариации количеством и конфигурацией фрагментов 8 из материала с удельной проводимостью σ*, а также плотностью распределения их площади по ширине резистора 7. Общее сопротивление резистора:
где N=h/Δh. Очевидно, наличие в пределах какого-либо k-го участка 13 балластного резистора хотя бы одного фрагмента 8 с удельной проводимостью σ* будет приводить к уменьшению проводимости этого участка
Длина участка 13 lk в этом случае будет меньше, чем длина сплошного участка 12 резистора той же проводимости без фрагментов 8 с удельной проводимостью σ*. Следовательно, реализация требуемого значения R при наличии в резистивном покрытии фрагментов 8 с повышенной удельной проводимостью σ* будет приводить к уменьшению длины резистора 7, т.е. расстояния между смежными краями металлизации 4 области эмиттера 3 и металлизации площадки 5 для присоединения проводника 6, и, тем самым - к уменьшению площади транзисторной структуры. Варьируя количество и геометрические параметры фрагментов 8 в пределах различных участков 13 балластного резистора, можно реализовать требуемый закон распределения усредненной по ширине участков 12, 13 проводимости резистора Σ(Δhj), обеспечивающий повышение равномерности разогрева транзисторной структуры, а также удовлетворить требования условия (1), обеспечивающие дополнительное уменьшение длины балластного резистора и площади транзисторной структуры.
Литература
1. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В.И.Никишин, Б.К.Петров, В.Ф.Сыноров и др. - М.: Радио и связь, 1989. - 144 с.
2. О.М.Булгаков, Б.К.Петров. Мощная СВЧ транзисторная структура / Заявка на изобретение №200310187/20 (001859) - прототип.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2002 |
|
RU2216073C1 |
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА | 2002 |
|
RU2216070C1 |
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА | 2002 |
|
RU2216071C1 |
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА | 2002 |
|
RU2216069C1 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2002 |
|
RU2216072C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2020 |
|
RU2743673C1 |
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР | 2009 |
|
RU2403650C1 |
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА | 2003 |
|
RU2229184C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2022 |
|
RU2791863C1 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2003 |
|
RU2253924C1 |
Использование: в полупроводниковой электронике, в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная СВЧ транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника. В балластном резисторе имеются фрагменты из материала с относительно более высоким удельным сопротивлением. Требуемое значение сопротивления резистора и заданный закон изменения сопротивления по ширине резистора реализуются за счет подбора количества, геометрических параметров и распределения фрагментов по ширине резистора. Дополнительное условие на средние длины и проводимости участков резистора обеспечивает уменьшение длины балластного резистора и тем самым уменьшение площади транзисторной структуры. Техническим результатом изобретения является уменьшение проходной емкости “коллектор-эмиттер” и полной коллекторной емкости транзистора и длины балластного резистора, увеличение коэффициента усиления по мощности и уменьшение площади транзисторной структуры. 1 ил.
Мощная СВЧ транзисторная структура, содержащая области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника, характеризующийся удельной проводимостью
где σ(х) - закон распределения проводимости балластного резистора по его ширине, х∈[0;h]; h - ширина балластного резистора у края металлизации области эмиттера, а расстояние между смежными краями металлизации области эмиттера и металлизации площадки для присоединения эмиттерного проводника характеризуется некоторой функцией l(х), отличающаяся тем, что балластный резистор включает в себя по меньшей мере один фрагмент с удельной проводимостью σ*<σ0, такой, что для любых двух участков резистора одинаковой ширины Δhi=Δhj, no меньшей мере один из которых полностью или частично включает в себя фрагмент с удельной проводимостью σ*, проводимости участков и средние длины участков удовлетворяют соотношению:
МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА | 2002 |
|
RU2216070C1 |
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2001 |
|
RU2190899C1 |
НИКИШИН В.И | |||
и др | |||
Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов | |||
- М.: Радио и связь | |||
Механизм для сообщения поршню рабочего цилиндра возвратно-поступательного движения | 1918 |
|
SU1989A1 |
4157561 А, 05.06.1979. |
Авторы
Даты
2005-06-10—Публикация
2003-11-11—Подача