Показать метаданные Скрыть метаданные

(19)

(11)

2 217 842

(13)

(51)

МПК

H01L21/324(2000-01-01)

(21) (22)

Заявка

2003100747/28, 2003-01-14

(24)

Дата начала отсчета патента

2003-01-14

(22)

дата подачи заявки

2003-01-14

(45)

опубликовано

2003-11-27

(72)

авторы

Попов В.П.Тысченко И.Е.

(73)

патентообладатели

Институт Физики Полупроводников Объединенного Института Физики Полупроводников Со РанПопов Владимир Павлович

(56)

Документы, цитированные в отчете о поиске

DE 19753494 А1, 01.10.1998ЕР 1045448 А1, 18.10.2000ЕР 1170801 А1, 09.01.2002.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ Российский патент 2003 года по МПК H01L21/324

Описание патента на изобретение RU2217842C1

Таблицыс

Иллюстрации к изобретению RU 2 217 842 C1

Реферат патента 2003 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ

Использование: в полупроводниковой технологии, в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе для производства современных СБИС и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе заключается в том, что в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, пластину кремния и подложку соединяют, сращивают и расслаивают по имплантированному слою пластины, причем после химической обработки проводят сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности пластины и подложки, соединение пластины и подложки, их сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины в одну стадию, в низком вакууме, при температуре, при которой водород, внедренный вследствие имплантации, остается в кремнии в связанном состоянии. Техническим результатом изобретения является улучшение качества структуры. 8 з.п.ф-лы, 4 ил.

Формула изобретения RU 2 217 842 C1

1. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе, заключающийся в том, что в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, пластину кремния и подложку соединяют, сращивают и расслаивают по имплантированному слою пластины, отличающийся тем, что после химической обработки проводят сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности пластины и подложки, соединение пластины и подложки, их сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины в одну стадию, в низком вакууме, при температуре, при которой водород, внедренный вследствие имплантации, остается в кремнии в связанном состоянии.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что имплантацию водорода в пластину кремния проводят через предварительно выращенный тонкий (5÷50 нм) слой SiO₂, который после имплантации убирают.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводят имплантацию ионами водорода Н+2

или Н⁺ дозой (1,5÷15)·10¹⁶ см^-2 и энергией 20÷200 кэВ.

4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что после расслоения по имплантированному слою пластины кремния проводят отжиг при 1100°С в течение 0,5÷1 ч.

5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что приповерхностный нарушенный слой со структуры кремний-на-изоляторе, полученной на подложке в результате расслоения по имплантированному слою пластины кремния, удаляют полировкой или окислением с последующим травлением.

6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину кремния, на которой перед химической обработкой выращивают термический оксид кремния толщиной 0,01÷3 мкм.

7. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют стеклянную пластину толщиной порядка 500 мкм.

8. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют кварцевую пластину толщиной порядка 500 мкм.

9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности пластины и подложки, соединение пластины и подложки, их сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины проводят в низком вакууме (10^1÷10⁴ Па), при температуре от 80 до 350°С, длительностью от 0,1 до 100 ч.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2003 года RU2217842C1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ	1999	Попов В.П. Антонова И.В. Стась В.Ф. Миронова Л.В.	RU2164719C1
DE 19753494 А1, 01.10.1998
Перекатываемый затвор для водоемов	1922	Гебель В.Г.	SU2001A1
Устройство для создания акустических волн	1980	Васильев Александр Вячеславович Ревнивцев Валентин Степанович Маслов Евгений Николаевич	SU917193A1
Одноколесная ручная тележка	1978	Демин Михаил Денисович	SU977255A1
ЕР 1045448 А1, 18.10.2000
Штамм @ @ 113,используемый в качестве эталона для контроля наличия антигена Р в кишечных бактериях	1983	Макиров Куаныш Аманбаевич Гуляева Галина Алексеевна	SU1158581A1
ЕР 1170801 А1, 09.01.2002.

RU 2 217 842 C1

Авторы

Попов В.П.

Тысченко И.Е.

Даты

2003-11-27—Публикация

2003-01-14—Подача

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ	2003	Попов В.П.	RU2244984C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ	2003	Антонова И.В. Дудченко Н.В. Николаев Д.В. Попов В.П.	RU2265255C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ	2008	Попов Владимир Павлович Тысченко Ида Евгеньевна Дудченко Нина Владимировна	RU2382437C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ	2006	Попов Владимир Павлович Тысченко Ида Евгеньевна	RU2301476C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ	2008	Попов Владимир Павлович Тысченко Ида Евгеньевна	RU2368034C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИК-НА-ИЗОЛЯТОРЕ	2012	Тысченко Ида Евгеньевна	RU2498450C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ	2012	Тысченко Ида Евгеньевна	RU2497231C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ	1999	Попов В.П. Антонова И.В. Стась В.Ф. Миронова Л.В.	RU2164719C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ	2013	Жанаев Эрдэм Дашацыренович Дудченко Нина Владимировна Антонов Валентин Андреевич Попов Александр Иванович Попов Владимир Павлович	RU2538352C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛЕНОК	2003	Камаев Г.Н. Болотов В.В. Ефремов М.Д.	RU2240630C1