МНОГОСЛОЙНАЯ КОНТАКТНАЯ СИСТЕМА К КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЕ С МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ Российский патент 2003 года по МПК H01L23/48 

Описание патента на изобретение RU2217844C2

Таблицы

Похожие патенты RU2217844C2

название год авторы номер документа
ВЕРТИКАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 2009
  • Семенов Анатолий Васильевич
  • Хан Александр Владимирович
  • Хан Владимир Александрович
RU2402105C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА КРЕМНИИ 1992
  • Громов Д.Г.
  • Мочалов А.И.
  • Пугачевич В.П.
  • Хрусталев В.А.
  • Азаров А.А.
RU2034364C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Солдатенков Федор Юрьевич
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостиков Владимир Петрович
RU2437186C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Солдатенков Федор Юрьевич
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостиков Владимир Петрович
RU2426194C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ 2019
  • Афанаскин Василий Васильевич
  • Брюхно Николай Александрович
  • Губанов Владимир Николаевич
  • Котова Маргарита Юрьевна
  • Ловцов Павел Сергеевич
RU2703931C1
СПОСОБ ПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ 2009
  • Зенин Виктор Васильевич
  • Бойко Владимир Иванович
  • Кочергин Александр Валерьевич
  • Спиридонов Борис Анатольевич
  • Строгонов Андрей Владимирович
RU2460168C2
СТРУКТУРА - КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС (ВАРИАНТЫ) 1998
  • Красников Г.Я.
  • Лукасевич М.И.
  • Сулимин А.Д.
RU2149482C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ВОЛЬФРАМА НА КРЕМНИИ 2008
  • Плющева Светлана Всеволодовна
  • Шаповал Сергей Юрьевич
  • Михайлов Геннадий Михайлович
  • Андреева Александра Викторовна
RU2375785C1
ТЕПЛООТВОДЯЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 2009
  • Бабак Александр Георгиевич
  • Адонин Алексей Сергеевич
  • Мишакин Николай Иванович
RU2411609C1
СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАТИНОВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В СИСТЕМЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2019
  • Рогозин Никита Владимирович
  • Побединский Виталий Владимирович
RU2717264C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 217 844 C2

Реферат патента 2003 года МНОГОСЛОЙНАЯ КОНТАКТНАЯ СИСТЕМА К КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЕ С МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ

Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана. На адгезионный слой последовательно нанесены взаимоконтактирующий слой и контактный слой из гальванически осажденного золота. Контактная система отличается тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированного термоионным способом, имеет состав, в котором соотношение титана и азота составляет 2:1, и оптимальную толщину, которая удовлетворяет определенному математическому соотношению. Технический результат изобретения заключается в уменьшении объемного электрического сопротивления барьерного слоя и, как следствие, существенном повышении термической и радиационной стойкости приборов с предлагаемой контактной системой. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 217 844 C2

Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом, содержащая омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана, взаимно контактирующий слой и контактный слой гальванически осажденного золота, отличающаяся тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированный термоионным способом, имеет состав, в котором отношение титана к азоту составляет 2:1, а оптимальная толщина L барьерного слоя определяется соотношением

где λ - коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/м·К;

b - постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температуры

λ0 - коэффициент теплопроводности при минимальных температурах, Вт/м·К;

Т1 - температура поверхности барьерного слоя со стороны р-n перехода, К;

Т2 - температура наружной поверхности барьерного слоя, К;

Р - тепловая мощность, выделяемая в единице объема, Вт/м3;

ν - плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;

D - коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;

t - время наработки прибора на отказ, ч;

α0 - концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;

Q - количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл - барьерный слой, атом/м2.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2003 года RU2217844C2

US 5426331 А, 20.06.1995
US 5260603 А, 09.11.1993
МНОГОСЛОЙНАЯ ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА 1989
  • Аверина Н.Д.
  • Крымко М.М.
  • Кузнецов Ю.А.
  • Марков А.Н.
  • Пресс Ф.П.
SU1581150A1
SU 1195849 А1, 15.06.1994.

RU 2 217 844 C2

Авторы

Болтовец Николай Силович

Веремейченко Георгий Никитович

Коростинская Тамара Васильевна

Даты

2003-11-27Публикация

2000-05-22Подача