Таблицы
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ВЕРТИКАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 2009 |
|
RU2402105C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА КРЕМНИИ | 1992 |
|
RU2034364C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2010 |
|
RU2437186C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2010 |
|
RU2426194C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ | 2019 |
|
RU2703931C1 |
СПОСОБ ПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ | 2009 |
|
RU2460168C2 |
СТРУКТУРА - КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС (ВАРИАНТЫ) | 1998 |
|
RU2149482C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ВОЛЬФРАМА НА КРЕМНИИ | 2008 |
|
RU2375785C1 |
ТЕПЛООТВОДЯЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 2009 |
|
RU2411609C1 |
СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАТИНОВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В СИСТЕМЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 2019 |
|
RU2717264C1 |
Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана. На адгезионный слой последовательно нанесены взаимоконтактирующий слой и контактный слой из гальванически осажденного золота. Контактная система отличается тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированного термоионным способом, имеет состав, в котором соотношение титана и азота составляет 2:1, и оптимальную толщину, которая удовлетворяет определенному математическому соотношению. Технический результат изобретения заключается в уменьшении объемного электрического сопротивления барьерного слоя и, как следствие, существенном повышении термической и радиационной стойкости приборов с предлагаемой контактной системой. 3 ил.
Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом, содержащая омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана, взаимно контактирующий слой и контактный слой гальванически осажденного золота, отличающаяся тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированный термоионным способом, имеет состав, в котором отношение титана к азоту составляет 2:1, а оптимальная толщина L барьерного слоя определяется соотношением
где λ - коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/м·К;
b - постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температуры
λ0 - коэффициент теплопроводности при минимальных температурах, Вт/м·К;
Т1 - температура поверхности барьерного слоя со стороны р-n перехода, К;
Т2 - температура наружной поверхности барьерного слоя, К;
Р - тепловая мощность, выделяемая в единице объема, Вт/м3;
ν - плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;
D - коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;
t - время наработки прибора на отказ, ч;
α0 - концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;
Q - количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл - барьерный слой, атом/м2.
US 5426331 А, 20.06.1995 | |||
US 5260603 А, 09.11.1993 | |||
МНОГОСЛОЙНАЯ ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА | 1989 |
|
SU1581150A1 |
SU 1195849 А1, 15.06.1994. |
Авторы
Даты
2003-11-27—Публикация
2000-05-22—Подача