ДАТЧИК СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ Российский патент 2004 года по МПК H01L39/16 

Описание патента на изобретение RU2221314C1

Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках.

Известен датчик слабого магнитного поля (В≥10-8 Тл), содержащий диэлектрическую подложку, сверхпроводящую пленку в виде меандра из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала на основе системы Y-Ba-Cu-O [1].

Недостатком данного датчика является то, что он имеет большие габаритные размеры - 5 мм х 10 мм х5 мкм, сравнительно небольшая критическая температура Тc ~ 90 К и рабочая температура, то есть температура жидкого азота Т≈77,4 К находится близко к критической. Это вызывает повышение плотности нежелательного шума и соответственно ухудшения пороговой чувствительности по магнитному полю δВ и пороговой чувствительности по магнитному потоку δФ. Для данного датчика была получена экспериментальная чувствительность - δB≈10 нТл и δФ≈δB•А~250 Ф0, где А - площадь чувствительной части датчика, Ф0=2•10-15Вб - квант магнитного потока.

Как обычно, магниточувствительный элемент реагирует на магнитный поток Ф и, для конкретного датчика величина δФ остается независимой от его массо-габаритов. Тогда уменьшение порога чувствительности по магнитному полю δB возможно за счет увеличения площади чувствительного элемента, то есть δB= δФ/A. Как видим, одновременно с понижением B увеличивается площадь чувствительного элемента, поэтому такой элемент или с большой площадью приемной антенны не может быть использован для регистрации локального магнитного поля в пространственных размерах гораздо меньше размеров самого датчика. Поэтому для регистрации локальных магнитных полей дипольного типа на маленьких размерах пространственного разрешения (≤5 мм2) требуется, чтобы сам пленочный датчик также был локальным, то есть с площадью ≤5 мм2. В этой связи характерной локальностью сверхпроводящие пленочные датчики, предложенные в работах [1, 2] не обладают. Действительно, датчик на основе ВТСП пленки системы Y-Ba-Cu-O имели размеры 5 мм х 10 мм х 5 мкм, площадь чувствительного элемента А=50 мм2, δB=10 нТл и δФ=(δB•А)=250 Ф0 [1]. Датчик на основе ВТСП пленки системы Y-Ba-Cu-O имел размеры 10 ммх20 ммх0,28 мкм, площадь чувствительного элемента А=200 мм2 δB≥10 нТл и δФ=(δB•А)=500 Ф0 [2].

Недостатками данных ВТСП пленочных датчиков слабого магнитного поля являются большие габаритные размеры чувствительного участка и высокие пороговые чувствительности по магнитному потоку.

Наиболее близким техническим решением является конструкция датчика слабого магнитного поля на основе пленки ВТСП материала системы Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O [3], которые были приготовлены пленки методом высокочастотного (ВЧ) магнетронного распыления на подложках из оксида магния MgO (ориентация (100)). Испарение производилось из трех независимых тиглей, содержащих различные смеси: 1) Bi0,5Pb0,5Ox; 2) CaCu0,75Ox; 3) SrCu0,75Ox. Один цикл распыления состоял из временных интервалов, соответствующих распылению с каждого тигля: 1) ~ 6 с; 2) ~ 59,5 с; 3) 34,5 с. Напыление желаемой пленки толщиной ~ 2 мкм состояло из 400 таких циклов. В дальнейшем приготовленная пленочная структура отжигалась в атмосфере при температуре ~ 860oС в течение 160 ч, и на них формировался топологический рисунок в виде меандра с размерами: ширина 0,6 мм, длина 140 мм.

Недостатками данного датчика являются большие размеры чувствительного элемента, площадь А≈100 мм2, высокий уровень пороговой чувствительности по потоку δФ=δВ•А ~ 100 Ф0, сложная технология приготовления.

Целью предлагаемого изобретения является уменьшение габаритов чувствительного участка и понижение пороговой чувствительности по магнитному потоку ВТСП датчика слабого магнитного поля.

Поставленная цель достигается тем, что в известном датчике слабого магнитного поля, содержащем диэлектрическую подложку из оксида магния, магниточувствительный элемент из пленки ВТСП материала в виде меандра, имеющий выделенные площадки для потенциальных и токовых контактов, магниточувствительный элемент выполнен из пленки ВТСП материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox.

Датчик слабого магнитного поля на основе ВТСП пленочного материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox работает на физическом механизме - изменение остаточного сопротивления при рабочей температуре Т, то есть при температуре жидкого азота Т=77,4 К в зависимости от внешнего слабого магнитного поля в интервале - В=1 нТл÷1 мТл.

Физический механизм основан на магниточувствительности джозефсоновских переходов, которые в большом количестве образуются на границах гранул ВТСП в пленочном материале состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox [4].

На диэлектрической подложке из оксида магния (MgO) с ориентацией (100) образуется текстурированная пленка ВТСП материала стехиометрического состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox. Размер подложки 10 ммх10 ммх0,3 мм. Пленка осаждалась методом ВЧ магнитного распыления мишени - керамического ВТСП массивного материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox. Толщина пленки ~ 0,5 мкм. Методом фотолитографии на пленке формировалась полоса в виде меандра 2 с размерами: ширина полосы 0,2 мм, зазор - 0,2 мм. Площадь пленки 2,2 ммх2,2 мм, вид чувствительного элемента показан на фиг.1, где 1 - подложка из MgO (100), 2 - пленка на основе ВТСП материала; 3 -- серебряные площадки, потенциальные контакты; 4 - серебряные площадки, токовые контакты.

В дальнейшем приготовленная структура отжигалась в атмосфере при температуре ~ 860oС в течение 50 ч. После завершения технологического процесса полученная пленка меандра имела критическую температуру в пределах ~ (102К-110К) и высокую резистивную магниточуствительность ~ 100 Ом/Тл, приведенная на квадрат поверхности пленки при температуре кипения жидкого азота. После отжига на концах полоски вжигались в серебряные площадки для токовых 3, потенциальных 4 контактов, как показано на фиг.1. Размер контактных площадок составлял 0,2 ммх0,3 мм и расстояние между ними - 0,4 мм. Остаточное удельное сопротивление ρ77(0) при температуре жидкого азота Т=77,4К и при отсутствии внешнего магнитного поля В=0 имело значение ρ77(0) ≈ 2 мкОмсм. Остаточное сопротивление датчика составляло R77(0) ~ 2,5 Ом. На фиг.2 показаны типичные вольт-амперные характеристики при Т=77,4К при различных значениях В. Получены зависимости - R(В) ~ I(1,5-1,7); dR□/dB ~ 100 Ом/Тл при I= 1 мА, где R□=R(B) w/L - сопротивление датчика на единице длины L полоски, I - величина транспортного тока полоски. Для датчика реализована магниточувствительность S=ΔU/ΔB ~ 60 В/Тл при Т=77,4К, I=1 мА, В≤0,1 мТл. Измерения шумовых характеристик показали, что при приведенных параметрах Т, I и В достигается минимальная плотность шумового напряжения Nu при частоте 100 Гц - Nu≤3,2•10-8 В/(Гц)1/2. Отсюда следует разрешение по магнитному полю NB=Nu/S ~ 3,2•10-8/60 ~ 0,53 нТл/(Гц)1/2 при частоте 100 Гц или порог чувствительности по магнитному полю - δB=NB•10 ~ 5 нТл. Соответственно порог чувствительности по магнитному потоку для предложенного датчика будет δФ=δВ•А ~ 10Ф0 (где А ~ 5 мм2 - площадь чувствительной части датчика).

Предложенный нами датчик слабого магнитного поля на основе пленки ВТСП материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox имеет низкий порог чувствительности по магнитному потоку ~ 10Ф0 (в прототипе ~ 10Ф0), небольшие габаритные размеры, площадь чувствительной поверхности - ~ 5 мм2 (в прототипе ~ 100 мм2), и простая методика приготовления - ВЧ магнетронное распыление из керамической мишени ВТСП материала, отжиг в атмосфере - ≤50 ч, (в прототипе - ВЧ магнетронное распыление из тиглей в течение > 11 ч, и отжиг - ~ 160 ч).

Следует отметить, что предложенный датчик слабого магнитного поля рассчитан для регистрации проекции внешнего магнитного поля на ось плоскости чувствительного элемента, то есть когда В перпендикулярно поверхности датчика. В других направлениях, по оси Х и по оси Y магнитосопротивление (магниточувствительность) существенно меньше, чем по направлению перпендикулярно. Наше исследование показало, что в типичных пленках магнитосопротивление намного раз больше по направлению перпендикулярно поверхности датчика, чем параллельно его поверхности. Поэтому предложенный датчик может определить проекцию и направление измеряемого магнитного поля. В этом отношении предложенный датчик аналогичен магниторезистивному датчику на основе пленки пермолоя, в котором выделенное направление (ось легкого намагничивания) имеет сильное магнитосопротивление, а по другим направлениям магнитосопротивление пренебрежимо мало.

Предлагаемый пленочный датчик слабого магнитного поля по сравнению с прототипом имеет ряд преимуществ:
- низкий уровень пороговой чувствительности по магнитному потоку - 10Ф0, в прототипе ~ 100Ф0;
- маленькие габариты ~ 5 мм2, в прототипе ~ 100 мм2;
- пленка тонкая ~ 0,5 мкм (в прототипе ~ 2 мкм), текстурированная однородная, позволяет на их основе сделать датчик еще меньших размеров, имеющий более низкий уровень пороговой чувствительности по магнитному потоку - <10Ф0;
- простота изготовления.

Предлагаемое изобретение позволяет создать на базе пленок ВТСП материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox датчики слабого магнитного поля, имеющие небольшие массогабариты и низкие пороговые чувствительности по магнитному потоку и по магнитному полю.

ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ
1. Shintaku H. et at. Low noise operation of novel magnetic sensor using ceramic high Tc Superconductor film. Proc. 2nd ISS'89, ISTEC, Tsucuba, Japan, pp.999-1003.

2. Itoh M. et al. Characteristics of highly sensitive magnetic sensor constructed of thick HTS film. IEEE Transactions and Supercond., 1999. Vol. 9, 2, pp. 3085-3088.

3. Tsukamoto К. et al. Magnetic detector using Bi0Pb-Sr-Ca-Cu-O superconductive film. Japan joum. Appl. Phys., 1991, vol.30, 4B, April, pp.L 686-L 689. Прототип.

4. Grigorashvily Y.E. et al. Formation of thin Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O films by ex situ sputtering Supercond. Sci. TechnoL, 1999, vol.12, pp.270-273.

Похожие патенты RU2221314C1

название год авторы номер документа
ДАТЧИК СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКИ 2004
  • Ичкитидзе Л.П.
RU2258275C1
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ С ТРАНСФОРМАТОРОМ МАГНИТНОГО ПОТОКА 2005
  • Ичкитидзе Левон Павлович
RU2289870C1
ПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ДЛЯ НЕИНВАЗИВНОЙ РЕГИСТРАЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В БИОЛОГИЧЕСКОМ ОБЪЕКТЕ 2022
  • Ичкитидзе Леван Павлович
  • Герасименко Александр Юрьевич
  • Савельев Михаил Сергеевич
  • Телышев Дмитрий Викторович
  • Галечян Геворг Юрьевич
RU2797350C1
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР МАГНИТНОГО ПОТОКА 2011
  • Ичкитидзе Левон Павлович
  • Миронюк Антон Николаевич
RU2455732C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2006
  • Устинов Владимир Васильевич
  • Ромашев Лазарь Николаевич
  • Ювченко Александр Алексеевич
  • Васьковский Владимир Олегович
  • Турицин Александр Николаевич
RU2316078C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НАНОПЛЕНОК yBaCuO 2008
  • Скутин Анатолий Александрович
  • Югай Климентий Николаевич
  • Давлеткильдеев Надим Анварович
RU2382440C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СКВИДов С СУБМИКРОННЫМИ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ ПЕРЕХОДАМИ В ПЛЕНКЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА 2006
  • Волков Иван Александрович
  • Куприянов Михаил Юрьевич
  • Снигирев Олег Васильевич
RU2325005C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СЛАБЫХ СВЯЗЕЙ В СИСТЕМАХ НА ПЛЕНОЧНЫХ ВТСП-СКВИДАХ 2001
  • Югай К.Н.
  • Муравьев А.Б.
  • Югай К.К.
  • Скутин А.А.
  • Сычев С.А.
  • Серопян Г.М.
  • Канев Е.А.
RU2199796C2
СКВИД-МАГНИТОМЕТР НА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ПЛЕНКАХ 2000
  • Югай К.Н.
  • Муравьев А.Б.
  • Югай К.К.
  • Скутин А.А.
  • Сычев С.А.
  • Серопян Г.М.
  • Канев Е.А.
RU2184407C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КВАНТОВЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ДАТЧИК И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1997
  • Югай К.Н.
  • Скутин А.А.
  • Муравьев А.Б.
  • Сычев С.А.
  • Югай К.К.
  • Лежнин И.В.
RU2133525C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 221 314 C1

Реферат патента 2004 года ДАТЧИК СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Использование: в области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля состоит из диэлектрической подложки на основе оксида магния, магниточувствительного элемента из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox, выполненного в виде меандра. Техническим результатом изобретения является уменьшение габаритов чувствительного участка датчика и понижение пороговой чувствительности по магнитному потоку ВТСП датчика слабого магнитного поля. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 221 314 C1

Датчик слабого магнитного поля, содержащий диэлектрическую подложку из оксида магния, магниточувствительный элемент из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала в виде меандра, имеющий выделенные площадки для потенциальных и токовых контактов, отличающийся тем, что магниточувствительный элемент выполнен из пленки ВТСП материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2004 года RU2221314C1

Tsukamoto K
et.al
Magnetic detector using BiOPb-Sr-Ca-Cu-O superconductor film
Japan journ
Appl
Phys., vol.30, №4B, April, pp.L686-L689
JP 1173765 А, 10.07.1989
Способ очистки поверхностей нагрева 1972
  • Дементьев Валентин Матвеевич
  • Жлобинский Евгений Иванович
  • Литвин Олег Павлович
SU926508A1
RU 2005309 С1, 30.12.1993.

RU 2 221 314 C1

Авторы

Григорашвили Ю.Е.

Ичкитидзе Л.П.

Мингазин В.Т.

Даты

2004-01-10Публикация

2002-09-25Подача