СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНООБЪЕКТОВ НА ПОДЛОЖКЕ Российский патент 2004 года по МПК B82B3/00 

Изобретение относится к области электроники, а более конкретно к способам получения нанообъектов на подложке.

Известен способ получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа вблизи подложки [Моряков О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн. 7. Электронная обработка. Учебное пособие для ПТУ - М.: Высшая школа, 1990 - 128 с., ил. - стр.35-36].

Недостатком аналога является низкая точность воспроизведения нанообъектов на подложке.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой. [Неволин В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Учебное пособие - М.: МИЭТ, 2000 - 69 с., ил. - стр.4-5].

Недостатком прототипа является низкая точность воспроизведения нанообъектов на подложке из-за интенсивной электроэрозии самого зонда.

В основу изобретения положена техническая задача обеспечить высокую точность воспроизведения нанообъектов на подложке.

Поставленная задача решается тем, что в способе получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой, согласно изобретению в качестве зонда используют луч лазера, которым ионизируют рабочий газ, причем лазер устанавливают на многокоординатном пьезоприводе, а на подложку подают отрицательный потенциал.

Введением в способ получения нанообъектов на подложке вместо твердого зонда - луча лазера создается ионизация рабочего газа только внутри луча, и осаждение на подложку происходит в нанообласти взаимодействия лазерного луча с подложкой, чем и обеспечивается высокая точность воспроизведения нанообъектов на подложке.

Сущность изобретения поясняется чертежом 1, где показано устройство, реализующее способ получения нанообъектов на подложке.

Устройство, реализующее способ получения нанообъектов на подложке, содержит вакуумную камеру 1, внутри которой находится рабочий газ 2. В вакуумной камере 2 на многокоординатном приводе 5 находится лазер 3 с лучом 4. Подложка 6 связана с блоком питания 7.

Способ получения нанообъектов на подложке реализуется следующим образом. Луч 4 лазера 3 направляют на подложку 6, которую заряжают отрицательным потенциалом от блока питания 7. Лучом 4 лазера 3 ионизируют рабочий газ 2 и создают узконаправленный поток ионов рабочего газа 2 в сторону подложки 6.

Применение предложенного способа получения нанообъектов на подложке обеспечивает высокую точность воспроизведения на подложке ввиду узкой направленности потока ионов рабочего газа при работе лазера в импульсном режиме.

Использование: в области электроники, для получения нанообъектов на подложке. Техническим результатом изобретения является обеспечение высокой точности воспроизведения нанообъектов на подложке. Сущность изобретения: в способе получения нанообъектов на подложке, включающем ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой, в качестве зонда используют луч лазера, которым ионизируют рабочий газ, причем лазер устанавливают на многокоординатном пьезоприводе, а на подложку подают отрицательный потенциал. 1 ил.

Способ получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой, отличающийся тем, что в качестве зонда используют луч лазера, которым ионизируют рабочий газ, причем лазер устанавливают на многокоординатном пьезоприводе, а на подложку подают отрицательный потенциал.