СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Российский патент 2007 года по МПК H01L21/18 

Описание патента на изобретение RU2303315C1

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия.

Известен способ изготовления транзисторов на основе кремния (Патент РФ №1424634, МПК Н01L 21/363. Способ радиационной обработки транзисторов / Белецкий П.Н., Вайсбурд Д.И., Орлов В.М., Чмух З.Н., Шемендюк А.П. - заявл. 12.01.1987, опубл. БИПМ №11, 20.04.2000 г.), суть которого заключается в облучении пластин кремния с транзисторными структурами протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины, и дозой от 7·1013 до 25·1013 протон/см2, а затем проводят термообработку при 400-450°С в течение 20-30 мин.

Данный способ невозможно использовать для приборов на основе арсенида галлия.

Известен способ повышения радиационной стойкости кремния (Патент РФ №847833, МПК Н01L 21/324 / Ахметов В.Д., Болотов В.В., Смирнов Л.С., ИФП СО АН СССР, заявл. 23.08.1979, опубл. БИМП №17, 20.06.2000 г. - прототип), заключающийся в том, что проводят термическую обработку кремния в интервале температур 500-600°С в течение 100-800 ч в неактивной среде.

Данный способ, как и описанный выше, невозможно использовать для приборов на основе арсенида галлия.

Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является изготовление приборов на основе арсенида галлия с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами.

Поставленная задача достигается тем, что в способе изготовления приборов на основе арсенида галлия, включающем изготовление приборов и последующую обработку, приборы изготавливают из приборных структур с концентрацией электронов в активной области больше требуемой для обеспечения выходных параметров приборов, а после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов, величину которого определяют по формуле

где Fn - значение флюенса нейтронов; - уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора при облучении флюенсом быстрых нейтронов; n0 - концентрация электронов в активной области прибора до облучения, см-3; n1 - концентрация электронов в активной области приборов, требуемая для обеспечения выходных параметров, см-3; а после облучения проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 часов.

Использование температуры менее +80°С при последующей токовой тренировке в непрерывном режиме питания не позволяет стабилизировать параметры приборов, подвергнутых предварительному облучению быстрыми нейтронами, в то время как использование температуры более +90°С может приводить к деградации параметров приборов.

Процесс стабилизации структуры радиационных дефектов полностью завершается при токовой тренировке в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 часов и при дальнейшем отжиге параметры приборов остаются неизменными.

Изложенное выше изобретение обеспечивает следующий положительный эффект. После облучения быстрыми нейтронами концентрация электронов в арсениде галлия снижается до значения, необходимого для обеспечения требуемых параметров приборов, что позволяет гарантировать получение приборов с требуемыми параметрами, но при этом повышается их стойкость к воздействию электронов и гамма-квантов.

Физическая сущность предлагаемого способа заключается в следующем. В результате воздействия потока быстрых нейтронов в арсениде галлия формируются треки пробега частиц, которые являются местом стока радиационных дефектов, вводимых при последующем облучении электронами и гамма-квантами. В результате сбора радиационных дефектов, создаваемых при последующем облучении электронами и гамма-квантами, на треках пробега быстрых нейтронов замедляется процесс деградации электрофизических свойств арсенида галлия при последующем облучении электронами и гамма-квантами и, соответственно, повышается их радиационная стойкость.

Проведение токовой тренировки в непрерывном режиме питания после предварительного облучения быстрыми нейтронами позволяет стабилизировать параметры приборов (исключить медленный дрейф параметров приборов при наработке) за счет стабилизации структуры радиационных дефектов, вводимых в результате предварительного облучения быстрыми нейтронами.

Использование более высокой концентрации электронов в исходных приборных структурах исключает ухудшение выходных параметров приборов за счет снижения концентрации электронов в активных слоях в результате предварительного облучения быстрыми нейтронами ниже допустимого уровня.

На чертеже показан график изменения среднего значения мощности СВЧ-генерации диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн для различных партий приборов при облучении электронами с энергией 3 МэВ. Здесь: 1 - диоды изготовлены из приборных структур с требуемой концентрацией электронов в активных слоях без применения облучения быстрыми нейтронами; 2 - диоды изготовлены из приборных структур с требуемой концентрацией электронов в активных слоях при использовании облучения быстрыми нейтронами флюенсом Fn=6,28·1013 нейтрон/см2, повышение флюенса нейтронов выше этого значения приводит к снижению стойкости диодов при последующем облучении электронами; 3 - диоды изготовлены из приборных структур с повышенной концентрацией электронов в активных слоях при использовании облучения быстрыми нейтронами флюенсом Fn=4,3·1014 нейтрон/см2. Во всех случаях после облучения быстрыми нейтронами проводилась токовая тренировка в непрерывном режиме питания при +85°С в течение 10 часов. Для всех партий приборов мощность СВЧ-генерации после облучения электронами нормирована на ее значение до облучения.

Рассмотрим реализацию предлагаемого способа на примере диодов Ганна. По обычной сэндвич-технологии, включающей различные операции (создание контактов, формирование активных элементов методами фотолитографии, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионная сборка в металлокерамический корпус), из приборных структур с повышенной концентрацией электронов в активных слоях изготавливают диоды Ганна. После термокомпрессионной сборки в металлокерамические корпуса полученные диоды облучают флюенсом быстрых нейтронов, значение которого определяют по формуле (1).

После облучения диодов проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре +85°С в течение 10 часов. Таким образом получают диоды Ганна с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами.

Как видно из результатов, представленных на чертеже, предварительное облучение быстрыми нейтронами позволяет существенно повысить стойкость диодов Ганна к последующему облучению электронами. Но использование исходного арсенида галлия с требуемой концентрацией электронов не позволяет достигнуть возможного максимального повышения радиационной стойкости диодов Ганна, в то время как использование приборных структур с повышенной исходной концентрацией электронов и применение больших значений флюенсов быстрых нейтронов (см. график 3) позволяет дополнительно повысить радиационную стойкость по сравнению с приборными структурами, имеющими оптимальное значение концентрации электронов в активных слоях (см. график 2). Оценки показывают, что максимальное повышение стойкости к последующему облучению электронами может превышать 10 раз. Аналогичные результаты наблюдаются при последующем облучении гамма-квантами.

Для других типов диодов Ганна, других видов полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при использовании предварительного облучения быстрыми нейтронами с последующей токовой тренировкой наблюдаются идентичные результаты, что подтверждает эффективность практического использования предлагаемого способа изготовления полупроводниковых приборов.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет существенно повысить радиационную стойкость приборов на основе арсенида галлия к воздействию электронов и гамма-квантов. Практическая реализация предлагаемого способа не вызывает каких-либо затруднений.

Похожие патенты RU2303315C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2304824C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2303314C1
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2304823C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2318270C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2318269C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
  • Матвеев Валерий Семенович
RU2303316C1
СПОСОБ ИМИТАЦИОННОГО ТЕСТИРОВАНИЯ СТОЙКОСТИ ПРИБОРНОЙ СТРУКТУРЫ К ОБЛУЧЕНИЮ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ (ВАРИАНТЫ) 2016
  • Тетельбаум Давид Исаакович
  • Гусейнов Давуд Вадимович
  • Михайлов Алексей Николаевич
  • Белов Алексей Иванович
  • Королев Дмитрий Сергеевич
  • Оболенский Сергей Владимирович
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Данилов Юрий Александрович
  • Вихрова Ольга Викторовна
  • Шарапов Александр Николаевич
RU2638107C1
Способ создания диодных оптоэлектронных пар, стойких к гамма-нейтронному излучению 2020
  • Лебединская Анастасия Евгеньевна
  • Кабальнов Юрий Аркадьевич
  • Труфанов Алексей Николаевич
RU2739863C1
ДЕТЕКТОР БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ 2013
  • Бритвич Геннадий Иванович
  • Кольцов Геннадий Иосифович
  • Диденко Сергей Иванович
  • Чубенко Александр Поликарпович
  • Черных Алексей Владимирович
  • Черных Сергей Владимирович
  • Барышников Федор Михайлович
  • Свешников Юрий Николаевич
  • Мурашев Виктор Николаевич
RU2532647C1
КВАНТОВО-РАДИОИЗОТОПНЫЙ ГЕНЕРАТОР ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ФОТОНОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ ПОЛУПРОВОДНИКА 2015
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Гордеев Александр Иванович
  • Думаневич Анатолий Николаевич
RU2654829C2

Реферат патента 2007 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Изобретение позволяет изготовить приборы на основе арсенида галлия с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия приборы изготавливают из приборных структур с концентрацией электронов в активной области больше требуемой для обеспечения выходных параметров приборов, после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов, величину которого определяют по формуле ,

где Fn - значение флюенса нейтронов; - уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора при облучении флюенсом быстрых нейтронов Fn; n0 - концентрация электронов в активной области прибора до облучения, см-3; n1 - концентрация электронов в активной области приборов после облучения, требуемая для обеспечения выходных параметров, см-3; а после облучения проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 часов. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 303 315 C1

Способ изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия, включающий изготовление приборов и последующую обработку, отличающийся тем, что изготавливают приборы из приборных структур с концентрацией электронов в активной области больше требуемой для обеспечения выходных параметров приборов, после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов, величину которого определяют по формуле

где Fn - значение флюенса нейтронов; - уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора при облучении флюенсом быстрых нейтронов Fn; n0 - концентрация электронов в активной области прибора до облучения, см-3; n1 - концентрация электронов в активной области приборов после облучения, требуемая для обеспечения выходных параметров, см-3; а после облучения проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 ч.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2007 года RU2303315C1

Способ изготовления биполярных транзисторов 1991
  • Голубев Николай Федорович
  • Латышев Александр Васильевич
  • Ломако Виктор Матвеевич
  • Прохоцкий Юрий Михайлович
SU1800501A1
SU 1424634 A1, 20.04.2000
SU 847839 A1, 20.06.2000
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 1993
  • Болотов В.Н.
  • Постоев В.Е.
  • Филатов О.Н.
RU2097874C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-СТРУКТУР 1992
  • Зайцев Н.А.
  • Медведев А.И.
  • Николаева Н.В.
  • Суровиков М.В.
RU2012091C1
УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ВИДЕОСИГНАЛА 0
  • Г. В. Брауде, Л. С. Шенко И. А. Аронов Лойиа
SU365857A1

RU 2 303 315 C1

Авторы

Градобоев Александр Васильевич

Рубанов Павел Владимирович

Ащеулов Александр Васильевич

Даты

2007-07-20Публикация

2006-04-17Подача