СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Российский патент 2007 года по МПК H01L21/263 

Описание патента на изобретение RU2304823C1

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия.

Известен способ радиационной обработки транзисторов (Патент РФ № 1424634, МПК Н01L 21/363. Способ радиационной обработки транзисторов / Белецкий П.Н., Вайсбурд Д.И., Орлов В.М., Чмух З.Н., Шемендюк А.П. - заявл. 12.01.1987, опубл. БИПМ №11, 20.04.2000 г.), суть которого заключается в облучении пластин кремния с транзисторными структурами протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины, и дозой от 7·1013 до 25·1013 протон/см2, а затем проводят термообработку при 400-450°С в течение 20-30 мин.

Однако данный способ невозможно использовать для приборов на основе арсенида галлия.

Известен способ повышения радиационной стойкости кремния (Патент РФ № 847839, МПК: Н01L 21/324 / Ахметов В.Д., Болотов В.В., Смирнов Л.С., ИФП СО АН СССР, заявл. 23.08.1979, опубл. БИМП № 17, 20.06.2000 г. - прототип), заключающийся в том, что проводят термическую обработку кремния в интервале температур 500-600°С в течение 100-800 ч в неактивной среде.

Данный способ, как и описанный выше, невозможно использовать для приборов на основе арсенида галлия.

Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является повышение стойкости приборов на основе арсенида галлия к воздействию облучения электронами различных энергий и гамма-квантами.

Поставленная задача достигается тем, что в способе повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия, включающем изготовление приборов и проведение термической обработки, после изготовления приборов проводят облучение флюенсом быстрых нейтронов в интервале от минимального флюенса, равного 1·1013 нейтрон/см2, до максимального флюенса, определяемого по формуле

где Fn max - максимальное значение флюенса нейтронов; - допустимый уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора; n0, nF - концентрация электронов в активной области прибора до и после облучения соответственно, см-3, а после облучения проводят термическую обработку при температуре 200±20°С в течение 30-60 мин.

Нижний предел флюенса быстрых нейтронов определяется тем, что использование флюенсов менее 1·1013 нейтрон/см2 не позволяет получить заметного повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия к воздействию облучения электронами и гамма-квантами.

С другой стороны, использование флюенса больше Fn max (1) приводит к деградации параметров приборов вследствие недопустимого уменьшения концентрации электронов в активном слое приборов в результате предварительного облучения. Допустимое изменение концентрации электронов в активном слое прибора задается коэффициентом К (1).

Использование температуры менее +180°С при последующей термической обработке не позволяет стабилизировать параметры приборов, подвергнутых предварительному облучению быстрыми нейтронами, в то время как использование температуры более +220°С может приводить к деградации параметров приборов.

Процесс стабилизации структуры радиационных дефектов полностью завершается при термическом отжиге при температуре 200±20°С в течение 30-60 минут, и при дальнейшем отжиге параметры приборов остаются неизменными.

Изложенное выше изобретение обеспечивает следующий положительный эффект. После облучения быстрыми нейтронами с последующим термическим отжигом концентрация электронов и их подвижность в арсениде галлия и, следовательно, электрические параметры приборов на его основе существенно не отличаются от исходных значений, но при этом повышается их стойкость к воздействию электронов и гамма-квантов.

Физическая сущность предлагаемого способа заключается в следующем. В результате воздействия флюенса быстрых нейтронов в арсениде галлия и приборах на его основе формируются треки пробега частиц, которые являются местом стока радиационных дефектов, вводимых при последующем облучении электронами и гамма-квантами. В результате сбора радиационных дефектов, создаваемых при последующем облучении электронами и гамма-квантами, на треках пробега быстрых нейтронов замедляется процесс деградации электрофизических свойств арсенида галлия и, соответственно, повышается радиационная стойкость.

Проведение термической обработки после предварительного облучения быстрыми нейтронами позволяет стабилизировать параметры приборов (исключить медленный дрейф параметров приборов при наработке) за счет стабилизации структуры радиационных дефектов, вводимых в результате предварительного облучения быстрыми нейтронами.

На чертеже показано изменение среднего значения мощности СВЧ-генерации диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн для различных партий приборов при облучении электронами с энергией 3 МэВ. Здесь: 1 - диоды изготовлены из приборных структур без предварительного облучения быстрыми нейтронами; 2 - диоды изготовлены из приборных структур при использовании облучения быстрыми нейтронами флюенсом Fn1=6,28·1013 нейтрон/см2 (Fn min<Fn1<Fn max); 3 - диоды изготовлены из приборных структур при использовании облучения быстрыми нейтронами флюенсом Fn2=2,53·1014 нейтрон/см2 (Fn2>Fn max). Во всех случаях после облучения быстрыми нейтронами проводилась термическая обработка при температуре +200°С в течение 40 мин. Для всех партий приборов мощность СВЧ-генерации после облучения электронами нормирована на ее значение до облучения.

Рассмотрим реализацию предлагаемого способа на примере диодов Ганна. По обычной сэндвич-технологии, включающей различные операции (создание контактов, формирование активных элементов методами фотолитографии, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионная сборка в металлокерамический корпус) из приборных структур с требуемой концентрацией электронов в активных слоях изготавливают диоды Ганна. После термокомпрессионной сборки в металлокерамические корпуса полученные диоды облучают быстрыми нейтронами флюенсом, значение которого выбирают в диапазоне от 1·1013 нейтрон/см2 до Fnmax, величина которого определяется по соотношению (1).

После облучения диодов проводят термическую обработку при температуре +200°С в течение 40 мин. Таким образом, получают диоды Ганна с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами.

Как видно из результатов, представленных на чертеже, предварительное облучение быстрыми нейтронами позволяет существенно повысить стойкость диодов Ганна к последующему облучению электронами. Несоблюдение требований к флюенсу быстрых нейтронов, оговоренных выше, не позволяет достигнуть возможного максимального повышения радиационной стойкости диодов Ганна, как это видно из результатов, показанных на чертеже.

Если в качестве критерия годности диода Ганна взять мощность СВЧ-генерации на уровне 75% от ее значения до облучения электронами, тогда экспериментальные результаты, представленные на чертеже позволяют сделать вывод о том, что предварительное облучение быстрыми нейтронами с последующей термической обработкой позволяет повысить стойкость диодов Ганна более чем в три раза. Выбранное нами допустимое изменение мощности СВЧ-генерации в результате облучения электронами основано на анализе результатов исследования стойкости генераторных систем на основе диодов Ганна к воздействию различных внешних факторов. При облучении гамма-квантами также обнаруживается существенное повышение стойкости приборов, изготовленных по предлагаемому способу.

Для других типов диодов Ганна, других видов полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при использовании предварительного облучения быстрыми нейтронами с последующей термической обработкой наблюдаются хорошие результаты, что подтверждает эффективность практического использования предлагаемого способа.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет существенно повысить радиационную стойкость приборов на основе арсенида галлия к воздействию электронов и гамма-квантов. Практическая реализация предлагаемого способа не вызывает каких-либо затруднений.

Похожие патенты RU2304823C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2304824C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2303314C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2303315C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2318269C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
  • Матвеев Валерий Семенович
RU2303316C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Градобоев Александр Васильевич
  • Рубанов Павел Владимирович
  • Ащеулов Александр Васильевич
RU2318270C1
КВАНТОВО-РАДИОИЗОТОПНЫЙ ГЕНЕРАТОР ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ФОТОНОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ ПОЛУПРОВОДНИКА 2015
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Гордеев Александр Иванович
  • Думаневич Анатолий Николаевич
RU2654829C2
ДЕТЕКТОР БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ 2013
  • Бритвич Геннадий Иванович
  • Кольцов Геннадий Иосифович
  • Диденко Сергей Иванович
  • Чубенко Александр Поликарпович
  • Черных Алексей Владимирович
  • Черных Сергей Владимирович
  • Барышников Федор Михайлович
  • Свешников Юрий Николаевич
  • Мурашев Виктор Николаевич
RU2532647C1
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ ПОВРЕЖДАЕМОСТИ РЕАКТОРНОГО ГРАФИТА 1997
  • Николаенко В.А.
  • Карпухин В.И.
  • Платонов П.А.
  • Штромбах Я.И.
  • Рязанцев Е.П.
  • Адамов Е.О.
RU2125306C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФЛЮЕНСА БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА 2014
  • Замятин Николай Иванович
  • Черёмухин Александр Евгеньевич
  • Шафроновская Анастасия Игоревна
RU2553840C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 304 823 C1

Реферат патента 2007 года СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает повышение стойкости к облучению приборов на основе арсенида галлия электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия, включающем изготовление приборов и проведение термической обработки, после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов в интервале от 1·1013 нейтрон/см2 до максимального флюенса Fn max, определяемого по формуле нейтрон/см2, где Fn max - максимальное значение флюенса нейтронов; - допустимый уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора; n0, nF - концентрация электронов в активной области прибора до и после облучения соответственно, см-3 а после облучения проводят термическую обработку при температуре 200±20°С в течение 30-60 мин. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 304 823 C1

Способ повышения радиационной стойкости приборов на основе арсенида галлия, включающий изготовление приборов и проведение термической обработки, отличающийся тем, что после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов в интервале от 1·1013 нейтрон/см2 до Fn max, определяемого по формуле

где Fn max - максимальное значение флюенса нейтронов; - допустимый уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора; n0, nF - концентрация электронов в активной области прибора до и после облучения, соответственно, см-3, а после облучения проводят термическую обработку при температуре 200±20°С в течение 30-60 мин.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2007 года RU2304823C1

US 5028968 А, 02.07.1991
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 1993
  • Болотов В.Н.
  • Постоев В.Е.
  • Филатов О.Н.
RU2097874C1
Способ изготовления биполярных транзисторов 1991
  • Голубев Николай Федорович
  • Латышев Александр Васильевич
  • Ломако Виктор Матвеевич
  • Прохоцкий Юрий Михайлович
SU1800501A1
SU 1424634 A1, 20.04.2000
УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ВИДЕОСИГНАЛА 0
  • Г. В. Брауде, Л. С. Шенко И. А. Аронов Лойиа
SU365857A1

RU 2 304 823 C1

Авторы

Градобоев Александр Васильевич

Рубанов Павел Владимирович

Ащеулов Александр Васильевич

Даты

2007-08-20Публикация

2006-04-17Подача