Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано при выращивании монокристаллов гранатов, более конкретно монокристаллов тербий-галлиевого граната, применяющихся, например, в лазерной технике, магнитной микроэлектронике, для ювелирных целей.
Из заявки Российской Федерации №94008750, приоритет 27.04.1996, известны окрашенные монокристаллы, в частности, окрашенные монокристаллы тербий-галлиевого граната. Окрашенные монокристаллы со структурой граната выращивали по методу Чохральского в иридиевом или платиновом тигле (если в составе граната доминируют ниобий и кальций). Для монокристаллов на основе кальций-ниобий-галлиевого граната оптимальными являются следующие условия роста: скорость вытягивания 2-5 мм/ч, скорость вращения 60-80 об/мин, скорость потока кислорода через реакционный объем 0,5-2 л/мин, отношение диаметра кристалла к диаметру тигля не более 0,6. Выращенные кристаллы имели диаметр до 80 мм, причем из расплава переходило в кристалл до 75 вещества.
Выращенные монокристаллы подвергали одному из типов обработки: облучали рентгеновскими лучами; отжигали в вакууме при температуре до 800-2000К в течение 0,5-10 час с последующим снижением температуры со скоростью 500 К/час; отжигали в инертной атмосфере в течение 0,5-40 час при температуре не выше 1900К, отжигали на воздухе при температуре до 1600К.
Известные монокристаллы получены с использованием введения в окрашенный монокристалл дополнительной примеси Me, валентность ионов которой отличается от валентности ионов окрашивающей примеси М и/или матрицы монокристалла А, что приводит к ряду физических эффектов, влияющих на окраску монокристалла.
Окрашенные монокристаллы получали различными известными методами, например методом Багдасарова, методом Чохральского. Получение монокристаллов тербий-галлиевого граната в опубликованной заявке не описано.
Из заявки Российской Федерации № 94008773, приоритет 27.04.1996, известен бесцветный синтетический монокристалл, в том числе и со структурой граната, в частности, матрица монокристалла может быть выполнена на основе тербий-галлиевого граната (матрица) и при этом дополнительно содержать в качестве просветляющей примеси неодим, никели и/или кобальт, причем содержание просветляющей примеси составляет от 10-8 до 10-2 мас.% и может плюс к этому дополнительно содержать дополнительные просветляющие примеси (кальций, стронций и/или магний), причем содержание дополнительной просветляющей примеси составляет от 10-8 до 10-2 мас.%.
Бесцветные монокристаллы получали различными известными методами, в частности методом Багдасарова, а также методом Чохральского.
Так, в частности, бесцветные монокристаллы со структурой граната выращивали по методу Чохральского в иридиевом или платиновом тигле (если в составе граната доминируют ниобий и кальций). Для монокристаллов на основе кальций-ниобий-галлиевого граната оптимальным являются следующие условия роста: скорость вытягивания 2-5 мм/ч, скорость вращения 60-80 об/мин, скорость потока кислорода через реакционный объем 0,5-2 л/мин, отношение диаметра кристалла к диаметру тигля не более 0,6. Выращенные кристаллы имели диаметр до 80 мм, причем из расплава переходило в кристалл до 75 вещества.
Так был получен прозрачный бесцветный монокристалл на основе кальций-ниобий-галлиевого граната со следующим содержанием компонентов (в вес.): неодим 0,002; никель 0,0002; кобальт 0,0007.
Примеры на получение монокристаллов на основе тербий-галлиевого граната в известной заявке на предлагаемое изобретение отсутствуют.
Технической задачей заявленного изобретения является получение оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната (ТГГ) с бесцветной окраской и повышенной оптической прозрачностью с коэффициентом поглощения 0,5×10-3 см-1 для применения в лазерной технике.
Поставленная техническая задача достигается способом получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната методом Чохральского путем расплавления исходной шихты, включающей просветляющую кальцийсодержащую добавку и выращивание монокристалла из расплава на затравку, причем, согласно изобретению, в качестве исходной шихты используют смесь оксидов тербия и галлия, в качестве кальцийсодержащей добавки - оксид или карбонат кальция, а после выращивания осуществляют его отжиг в атмосфере водорода при 850-950°С в течение около 5 часов до исчезновения оранжевой окраски.
Оксид кальция (СаО) или карбонат кальция (СаСО3) вводят в расплав в количестве от 0,1 до 1,0 г один - два раза перед выращиванием кристаллов на количество шихты, равное 4-8 кг.
Ниже приводится конкретный пример осуществления способа, иллюстрирующий изобретение, но не ограничивающий его.
Пример 1. Оптически прозрачные монокристаллы тербий-галлиевого граната (ТГГ) выращивают по методу Чохральского, например, на установке «Скиф-3» или установке «Скиф-4». Гранатообразующие компоненты (матрица) предварительно просушенные (при температуре 800-1000°С, например) взвешивают на аналитических весах, перемешивают до образования гомогенной смеси.
Типичный примерный состав шихты может быть такой (в мас.%):
Оксид галлия - 45,523
Оксид тербия - 54,477
Из смеси могут прессовать таблетки. Смесь (шихту) помещают в тигель (иридиевый или платиновый), плавят, добавляют кальцийсодержащую добавку (Оксид кальция (СаО) или карбонат кальция (СаСО3) в расплавленную шихту.
Если добавляют оксид кальция (СаО), то его добавляют в количестве 0,1 г в состав оксид галлия 45,523 мас.%, оксид тербия 54,477 мас.%. Если добавляют карбонат кальция (СаСО3), то его добавляют в количестве до 1 г в состав оксид галлия 45,523 мас.%; оксид тербия 54,477 мас%.
Далее вытягивают ориентированные кристаллы из расплава (вытягивание кристаллов на ориентированную затравку). Выращенный монокристалл с добавкой оксида кальция (СаО) или карбоната кальция (СаСО3) имел оранжевую окраску и полосу поглощения в диапазоне длин волн 400-659 нм. Далее осуществляют отжиг кристаллов в течение 5 часов в атмосфере водорода при 900°С. После отжига кристалл становится бесцветным и полоса поглощения исчезает. Получают оптически прозрачные монокристаллы.
Введение добавок (оксид кальция (СаО) или карбонат кальция (СаСО3) препятствуют винтовому расту кристаллов. Их влияние на технический результат (который, как указано выше, состоит в получении оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната (ТГТ) с бесцветной окраской и повышенной оптической прозрачностью с коэффициентом поглощения 0,5×10-3 см-1 и для применения в лазерной технике) заключается в стабилизации процесса выращивания и препятствовании винтовому росту кристаллов.
Изделия из полученных монокристаллов - это, например, цилиндрические элементы, в частности, диаметром 20 мм и длиной 20-40 мм, или элементы, имеющие форму параллелепипеда, например 3×10×20 мм, используемые для изготовления Фарадеевских вращателей.
Основное требование по качеству для Фарадеевских вращателей - это оптическая однородность кристаллов и величина коэффициента поглощения, которые должны составлять 30-40 дБ и 0,5×10-3 см-1 соответственно.
Пример 2. Получают ювелирный материал на основе оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната, полученных методом Чохральского аналогично примеру 1, только отжигу подвергают получаемые ювелирные изделия (в виде камней, например) при 850°С в атмосфере водорода в течение 4,8 часов.
При получении монокристаллов тербий-галлиевого граната заявленным способом используют следующие оптимальные условия роста их:
- скорость вытягивания - 2-7 мм/час;
- скорость вращении тигеля - 2-10 об/мин;
- диаметр затравки - от 2 мм до 8 мм.
Выращивание кристаллов осуществляют в инертной атмосфере (например, в атмосфере азота) с добавкой кислорода.
Выращенные кристаллы имеют диаметр до 80 мм, вес (масса) их - 4-8 кг, время роста кристаллов- 20-40 часов, плотность кристаллов ≈7,2 г/см3.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРАНАТА | 2013 |
|
RU2560356C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕРБИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА | 2006 |
|
RU2328560C1 |
Поликристаллический синтетический ювелирный материал (варианты) и способ его получения | 2015 |
|
RU2613520C1 |
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЮВЕЛИРНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА | 1991 |
|
RU2019587C1 |
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЮВЕЛИРНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА | 1991 |
|
RU2019588C1 |
Способ улучшения цветовых характеристик природного касситерита методом термообработки | 2020 |
|
RU2743679C1 |
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2020 |
|
RU2723395C1 |
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ГАЛЛИЯ В СЦИНТИЛЛЯТОРАХ НА ОСНОВЕ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВЫХ ГРАНАТОВ | 2016 |
|
RU2670865C2 |
МОНОКРИСТАЛЛ СО СТРУКТУРОЙ ГРАНАТА ДЛЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ДАТЧИКОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2017 |
|
RU2646407C1 |
Способ выращивания монокристаллов кальций-ниобий-галлиевого граната | 1986 |
|
SU1414015A1 |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей. Монокристаллы тербий-галлиевого граната получают методом Чохральского путем расплавления исходной шихты, включающей просветляющую кальцийсодержащую добавку, и последующего выращивания монокристалла из расплава на затравку. В качестве исходной шихты используют смесь оксидов тербия и галлия, в качестве кальцийсодержащей добавки - оксид или карбонат кальция, а после выращивания осуществляют отжиг кристалла в атмосфере водорода при 850-950°С в течение около 5 часов до исчезновения оранжевой окраски. Изобретение позволяет получать оптически прозрачные однородные кристаллы с коэффициентом поглощения 0,5·10-3 см-1.
Способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната методом Чохральского путем расплавления исходной шихты, включающей просветляющую кальцийсодержащую добавку и выращивание монокристалла из расплава на затравку, отличающийся тем, что в качестве исходной шихты используют смесь оксидов тербия и галлия, в качестве кальцийсодержащей добавки - оксид или карбонат кальция, а после выращивания осуществляют его отжиг в атмосфере водорода при 850-950°С в течение около 5 ч до исчезновения оранжевой окраски.
RU 94008773 A1, 27.04.1996 | |||
RU 94008750 A1, 27.04.1996 | |||
US 6483645 B1, 19.11.2002. |
Авторы
Даты
2008-07-10—Публикация
2006-09-15—Подача