Изобретение относится к очистке и сушке подложек для полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: система обработки подложки для полупроводниковых приборов содержит головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды с рабочей поверхностью, которую во время работы с небольшим зазором подводят к поверхности подложки. Система содержит первый канал, по которому через головку на поверхность подложки подается первая текучая среда, и второй канал, по которому через головку на поверхность подложки подается вторая текучая среда, отличная от первой. Система имеет также третий канал, который предназначен для удаления с поверхности подложки первой и второй текучих сред и который в процессе обработки подложки задействуется по существу одновременно с первым и вторым каналами. Описаны также способ и устройство, а также головка устройства для обработки подложки для полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает быструю и эффективную очистку и сушку полупроводниковых подложек при одновременном снижении количества образующихся на поверхности подложки следов грязи. 4 н. и 23 з.п. ф-лы, 21 ил.
1. Система обработки подложки для полупроводниковых приборов, содержащая головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды с рабочей поверхностью, подводимую во время работы с небольшим зазором к поверхности подложки, первый канал для подачи первой текучей среды через головку на поверхность подложки, второй канал для подачи второй текучей среды, отличной от первой текучей среды, через головку на поверхность подложки и третий канал для удаления с поверхности подложки первой текучей среды и второй текучей среды, при этом первый, второй и третий каналы выполнены с возможностью их, по существу, одновременного задействования в процессе работы.2. Система по п.1, в которой во время работы подложка перемещается таким образом, что ее обрабатываемая поверхность проходит рядом с головкой.3. Система по п.1, в которой во время работы головка перемещается и проходит рядом с подложкой.4. Система по п.1, в которой длина головки не превышает диаметра подложки.5. Система по п.1, в которой длина головки больше диаметра подложки.6. Система по п.1, которая имеет вторую головку, расположенную напротив первой головки и подводимую во время работы с небольшим зазором к поверхности нижней стороны подложки.7. Система по п.1, в которой в качестве первой текучей среды используется деионизированная вода (ДИВ) или очищающая жидкость.8. Система по п.1, в которой в качестве второй текучей среды используются пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.9. Способ обработки подложки для полупроводниковых приборов, заключающийся в том, что на поверхность подложки подают первую текучую среду, рядом с тем местом, в котором на поверхность подложки подают первую текучую среду, подают вторую текучую среду и с поверхности подложки удаляют первую и вторую текучие среды, по существу, одновременно с их подачей, при этом подача и удаление текучей среды сопровождаются формированием на поверхности подложки контролируемого мениска.10. Способ по п.9, в котором в качестве первой текучей среды используют ДИВ или очищающую текучую среду.11. Способ по п.9, в котором в качестве второй текучей среды используют пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.12. Способ по п.9, в котором первую и вторую текучие среды удаляют с поверхности подложки под действием разрежения, создаваемого в непосредственной близости от поверхности подложки.13. Способ по п.12, в котором регулированием глубины создаваемого разрежения у поверхности подложки формируют устойчивый мениск.14. Способ по п.9, в котором при формировании мениска в первую зону поверхности подложки подают первую текучую среду, во вторую зону поверхности подложки подают вторую текучую среду и удаляют первую и вторую текучие среды с поверхности подложки из, по существу, окружающей первую зону третьей зоны, которая по меньшей мере частично окружена второй зоной, при этом при подаче и удалении текучей среды на поверхности подложки формируется мениск.15. Способ по п.14, в котором в качестве первой текучей среды используют очищающую текучую среду.16. Способ по п.14, в котором в качестве второй текучей среды используют пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.17. Способ по п.14, в котором первую и вторую текучие среды удаляют с поверхности подложки под действием разрежения, которое создают в непосредственной близости от поверхности подложки.18. Устройство для обработки подложки для полупроводниковых приборов, содержащее головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды, которая выполнена с возможностью ее подвода к поверхности подложки и которая имеет по меньшей мере один первый подводящий канал для подачи на поверхность подложки первой текучей среды, когда головка находится в непосредственной близости от подложки, по меньшей мере один второй подводящий канал для подачи на поверхность подложки второй текучей среды, когда головка находится в непосредственной близости от подложки, и по меньшей мере один отводящий канал для удаления под действием создаваемого в нем разрежения с поверхности подложки первой и второй текучих сред, когда головка находится в непосредственной близости от подложки.19. Устройство по п.18, в котором первый подводящий канал служит для подачи в направлении подложки паров изопропилового спирта.20. Устройство по п.18, в котором второй подводящий канал служит для подачи в направлении подложки деионизированной воды.21. Устройство по п.18, в котором головка при ее нахождении в рабочем положении в непосредственной близости от подложки формирует на подложке мениск.22. Устройство по п.18, содержащее также блок для крепления и перемещения головки, предназначенный для прямолинейного перемещения головки вдоль радиуса подложки.23. Головка устройства для обработки подложки для полупроводниковых приборов, содержащая по меньшей мере один первый подводящий канал для подачи первой текучей среды на поверхность подложки через головку, по меньшей мере один второй подводящий канал для подачи второй текучей среды, отличной от первой текучей среды, на поверхность подложки через головку и по меньшей мере один отводящий канал для удаления с поверхности подложки первой и второй текучих сред, по меньшей мере часть которого расположена между по меньшей мере одним первым подводящим каналом и по меньшей мере одним вторым подводящим каналом и который выполнен с возможностью его, по существу, одновременного задействования с по меньшей мере одним первым подводящим каналом и с по меньшей мере одним вторым подводящим каналом, и акустический преобразователь, воздействующий акустической энергией на первую текучую среду, при этом по меньшей мере один второй подводящий канал окружает по меньшей мере задний край по меньшей мере одного отводящего канала.24. Головка по п.23, в которой в качестве первой текучей среды используется очищающий химический состав.25. Головка по п.23, в которой акустический преобразователь состоит из корпуса и расположенного в нем пьезокристалла.26. Головка по п.25, в которой акустический преобразователь соединен с источником напряжения высокой частоты, подаваемого на излучающий акустическую энергию пьезокристалл.27. Головка по п.25, в которой акустическая энергия представляет собой мегаакустические и/или ультразвуковые волны.
Приоритет по пунктам:
30.09.2002 по пп.1-18;30.06.2003 по пп.19-27.
