ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК Российский патент 2013 года по МПК G02F1/1368 

Описание патента на изобретение RU2475792C2

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы, на которой выполнено множество электродов пикселя в одной области пикселя; и к жидкокристаллическому устройству отображения (основано на системе разделения пикселей), включающему в себя подложку активной матрицы.

Уровень техники

Для улучшения зависимости от угла обзора у характеристики устройства жидкокристаллического дисплея (например, для недопущения излишней яркости на экране) было предложено устройство жидкокристаллического дисплея (основано на системе разделения пикселя. См. патентную литературу 1, например), в котором множеством подпикселей в одном пикселе управляют так, что получат разную яркость таким образом, чтобы модуляция области охвата подпикселей обеспечивала возможность отображения полутона.

В подложке активной матрицы, описанной в патентной литературе 1 (см. фиг.27), три электрода 121а-121с пикселя предусмотрены в одной области пикселя таким образом, что они располагаются вдоль линии 115 шины истока, при этом электрод 116s истока транзистора 116 соединен с контактным электродом 117а, контактный электрод 117а и электрод 511 управления соединены друг с другом через линию отвода, электрод 511 управления и контактный электрод 117b соединены друг с другом через линию отвода, контактный электрод 117а и электрод 121а пикселя соединены друг с другом через контактное отверстие 120а, контактный электрод 117b и электрод 121с пикселя соединены друг с другом через контактное отверстие 120b, электрод 121b пикселя, который является электрически плавающим, перекрывает управляющий электрод 511 через изолирующий слой, и электрод 121b пикселя связан через емкостную связь с каждым из электродов 121а и 121с пикселя (система разделения пикселя на основе емкостной связи). Кроме того, электрод 512 вспомогательной емкости предусмотрен так, что он расположен рядом с управляющим электродом 511 в направлении строки (направление, в котором проходит линия 112 шины затвора). Электрод 512 вспомогательной емкости соединен с электродом 121b пикселя через контактное отверстие 513. На участке, где электрод 511 управления и линия 113 шины вспомогательного конденсатора накладываются друг на друга, сформирован удерживающий конденсатор между электродами 121а и 121с пикселей и линией 113 шины вспомогательного конденсатора. На участке, где управляющий электрод 512 и линия 113 шины вспомогательного конденсатора накладываются друг на друга, сформирован удерживающий конденсатор между электродом 121b пикселя и линией 113 шины вспомогательного конденсатора.

В устройстве жидкокристаллического дисплея, включающем в себя подложку активной матрицы, каждый из подпикселей, соответствующих электродам 121а и 121с пикселя, может использоваться как яркий подпиксель, а подпиксель, соответствующий электроду 121b пикселя, может использоваться как темный подпиксель. Модуляция охвата области двух ярких подпикселей и одного темного подпикселя обеспечивает возможность отображения полутона.

Литература

Патентная литература

Патентная литература 1: Публикация заявки на японский патент Tokukai, №2006-39290, опубл. 9 февраля 2006 г.

Раскрытие изобретения

Техническая задача

Однако, в упомянутой выше обычной подложке активной матрицы, управляющий электрод 511 и электрод 512 вспомогательный емкости близко размещены параллельно друг другу в области пикселя в направлении строки, что может привести к короткому замыканию между управляющим электродом 511 и электродом 512 вспомогательной емкости, в результате чего получают высокий процент брака при производстве подложек с активной матрицей.

Учитывая указанное выше, в настоящем изобретении предложена подложка активной матрицы на основе системы разделения пикселя с емкостной связью, которая может быть изготовлена с более низким процентом брака.

Решение задачи

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением включает в себя линию сигнала данных, линию сигнала развертки, транзистор, соединенный с линией сигнала данных и с линией сигнала развертки, и линию удерживающего конденсатора, подложка активной матрицы дополнительно включает в себя первый электрод пикселя и второй электрод пикселя в каждой области пикселя, первый электрод пикселя соединен с линией сигнала данных через транзистор, причем второй электрод пикселя соединен с первым электродом пикселя через конденсатор, сформированный между вторым электродом пикселя и электродом емкостной связи, электрически соединенным с первым электродом пикселя, и второй электрод пикселя перекрывает линию удерживающего конденсатора через изолирующий слой, и изолирующий слой, имеющий тонкую область, расположенную так, что она составляет по меньшей мере часть участка, который не перекрывает электрод емкостной связи.

В подложке активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением изолирующая пленка между вторым электродом пикселя и линией удерживающего конденсатора имеет тонкую область на участке, который не наложен на электрод емкостной связи.

Такая конфигурация позволяет сформировать удерживающий конденсатор без предоставления электрода (электрода вспомогательный емкости) для формирования удерживающего конденсатора. Соответственно, можно избежать короткого замыкания между электродом управления (электродом емкостной связи) и электродом вспомогательной емкости, что можно видеть в обычной конфигурации (см. фиг.27), без уменьшения удерживающей емкости между вторым электродом пикселя и линией удерживающего конденсатора. Это позволяет повысить выход продукции при производстве подложки активной матрицы.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что изолирующая пленка включает в себя первую область, вторую область и третью область, причем каждая из первой области, второй области и третьей области перекрывает линию удерживающего конденсатора и второй электрод пикселя, первая область и третья область имеют тонкую область, а вторая область имеет участок, перекрывающий электрод емкостной связи и второй электрод пикселя, и первая область, вторая область и третья область выровнены в указанном порядке вдоль направления, в котором проходит линия сигнала развертки.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть расположена таким образом, что линия отвода, отходящая от проводящего электрода транзистора, и электрод емкостной связи соединены друг с другом на плоскости, где расположены линия отвода и электрод емкостной связи, и линия отвода соединена с первым электродом пикселя через контактное отверстие.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, покрывающую канал транзистора, и/или изолирующую пленку затвора.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, при этом межслойная изолирующая пленка включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, а тонкая область на изолирующей пленке выполнена путем утончения органической изолирующей пленки или удаления органической изолирующей пленки.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, и межслойная изолирующая пленка выполнена так, что по меньшей мере часть участка, перекрывающая второй электрод пикселя и электрод емкостной связи, выполнена тонкой.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что межслойная изолирующая пленка включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, и по меньшей мере часть участка, перекрывающего второй электрод пикселя и электрод емкостной связи, выполнена так, что органическая изолирующая пленка утончена или органическая изолирующая пленка удалена.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора, причем изолирующая пленка затвора включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, и тонкая область на изолирующей пленке выполнена путем утончения органической изолирующей пленки или удаления органической изолирующей пленки.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора, и изолирующая пленка затвора выполнена так, что по меньшей мере часть участка, перекрывающего второй электрод пикселя и электрод емкостной связи, выполнена тонкой.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что изолирующая пленка затвора включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, и по меньшей мере часть участка, перекрывающего второй электрод пикселя и электрод емкостной связи выполнена так, что органическая изолирующая пленка утончена или органическая изолирующая пленка удалена.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что органическая изолирующая пленка включает в себя по меньшей мере акриловую смолу, и/или эпоксидную смолу, и/или полиимидную смолу, и/или полиуретановую смолу, и/или смолу новолак, и/или силоксановую смолу.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что первый электрод пикселя и линия сигнала развертки частично перекрывают друг друга.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что она дополнительно включает в себя участок ответвления удерживающего конденсатора, отходящий от линии удерживающего конденсатора, причем участок ответвления удерживающего конденсатора отходит от линии удерживающего конденсатора таким образом, что участок ответвления удерживающего конденсатора проходит вдоль линии сигнала данных и перекрывает край второго электрода пикселя или выходит за пределы края.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что зазор между первым электродом пикселя и вторым электродом пикселя выполняет функцию управления выравниванием.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена так, что она дополнительно включает в себя третий электрод пикселя в упомянутой каждой области пикселя, причем третий электрод пикселя электрически соединен с первым электродом пикселя.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что первый электрод пикселя, второй электрод пикселя и третий электрод пикселя выровнены в указанном порядке вдоль направления, в котором проходит линия сигнала данных.

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением включает в себя: транзистор, соединенный с линией сигнала развертки, и линию удерживающего конденсатора, при этом каждая область пикселя включает в себя: первый электрод пикселя, соединенный с одним проводящим электродом транзистора; второй электрод пикселя, перекрывающий линию удерживающего конденсатора; и электрод емкостной связи, перекрывающий линию удерживающего конденсатора и второй электрод пикселя, причем один проводящий электрод или другой проводящий электрод транзистора электрически соединены с электродом емкостной связи, а в части области, где второй электрод пикселя перекрывает линию удерживающего конденсатора, но не перекрывает электрод емкостной связи, по меньшей мере одна из множества изолирующих пленок, обеспеченных между линией удерживающего конденсатора и вторым электродом пикселя, выполнена более тонкой, чем область, окружающая упомянутую по меньшей мере одну из множества изолирующих пленок.

Жидкокристаллическая панель в соответствии с настоящим изобретением включает в себя подложку активной матрицы и противоположную подложку, обращенную к подложке активной матрицы, причем противоположная подложка имеет выпуклость на ее поверхности, эта выпуклость обращена к области подложки активной матрицы, где межслойная изолирующая пленка утончена.

Жидкокристаллическая панель в соответствии с настоящим изобретением включает в себя подложку активной матрицы и противоположную подложку, обращенную к подложке активной матрицы, причем противоположная подложка имеет выпуклость на ее поверхности, эта выпуклость обращена к области подложки активной матрицы, где изолирующая пленка затвора утончена.

Жидкокристаллическая панель в соответствии с настоящим изобретением может быть выполнена таким образом, что линия удерживающего конденсатора проходит в направлении строки, и когда выпуклость поверхности противоположной подложки проецируется на слой, где обеспечена линия удерживающего конденсатора, проецируемая выпуклость располагается между двумя краями линии удерживающего конденсатора в направлении строки.

Жидкокристаллическая панель в соответствии с настоящим изобретением включает в себя подложку активной матрицы. Модуль жидкокристаллического дисплея в соответствии настоящим изобретением включает в себя жидкокристаллическую панель и возбуждающий модуль. Устройство жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением включает в себя модуль жидкокристаллического дисплея и устройство источника света. Телевизионный приемник в соответствии с настоящим изобретением включает в себя устройство жидкокристаллического дисплея и блок тюнера для приема телевизионной широковещательной передачи.

Полезные эффекты изобретения

Как описано выше, подложка активной матрицы разработана так, что она не допускает короткого замыкания между линией сигнала данных и электродом емкостной связи, увеличивая, таким образом, выход продукции при производстве подложки активной матрицы.

Краткое описание чертежей

На фиг.1 показан вид сверху, представляющий конфигурацию жидкокристаллической панели в соответствии настоящим изобретением (частный пример 1).

На фиг.2 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по линии X-Y, обозначенной на фиг.1.

На фиг.3 показан вид в разрезе, представляющий другой частный пример жидкокристаллической панели по линии X-Y, обозначенной на фиг.1.

На фиг.4 показан вид в разрезе, представляющий другой частный пример жидкокристаллической панели по линии X-Y, обозначенной на фиг.1.

На фиг.5 показана эквивалентная принципиальная схема жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1.

На фиг.6 показана временная диаграмма, представляющая как осуществляется возбуждение устройства жидкокристаллического дисплея, включающим в себя жидкокристаллическую панель, показанную на фиг.1.

На фиг.7 показан чертеж, схематично представляющий состояние отображения каждого кадра, когда устройство жидкокристаллического дисплея возбуждают, как показано на фиг.6.

На фиг.8 показан вид сверху, представляющий другой частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1 (частный пример 2).

На фиг.9 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по линии X-Y по фиг.8.

На фиг.10 показан вид сверху, представляющий еще один частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1 (частный пример 3).

На фиг.11 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по линии X-Y по фиг.10.

На фиг.12 показан вид сверху, представляющий еще один частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1 (частный пример 4).

На фиг.13 показан вид сверху, представляющий еще один частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1 (частный пример 5).

На фиг.14 показан вид сверху, представляющий еще один частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.13.

На фиг.15 показан вид сверху, представляющий еще один частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1 (частный пример 6).

На фиг.16 показан вид сверху, представляющий еще один частный пример жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением (частный пример 7).

На фиг.17 показан вид сверху, представляющий другой частный пример жидкокристаллической панели, показанной на фиг.16.

На фиг.18 показан вид сверху, представляющий другой частный пример жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8 (частный пример 8).

На фиг.19 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по линии X-Y, обозначенной на фиг.18.

На фиг.20 показан вид сверху, представляющий еще одни частный пример жидкокристаллической панели, представленной на фиг.10 (частный пример 9).

На фиг.21 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по линии X-Y по фиг.20.

На фиг.22(а) схематично показана конфигурация модуля жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением, на фиг.22(b) схематично показана конфигурация устройства жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.23 показана блок-схема, представляющая полную конфигурацию устройства жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.24 показана блок-схема, поясняющая функции устройства жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.25 показана блок-схема, поясняющая функции телевизионного приемника в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.26 показан вид в перспективе с покомпонентным представлением деталей, представляющий конфигурацию телевизионного приемника в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.27 показан вид сверху, представляющий конфигурацию известной жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.28 показан вид сверху, представляющий другой частный пример жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1 (частный пример 10).

Осуществление изобретения

Пример варианта осуществления в соответствии с настоящим изобретением поясняется ниже со ссылкой на чертежи. Для удобства пояснения направление, в котором проходят линии сигнала развертки, рассматривается как направление строки. Само собой разумеется, когда устройство жидкокристаллического дисплея, включающее в себя панель жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением (или подложку активной матрицы, используемую в панели жидкокристаллического дисплея), используется (его просматривают), линии сигнала развертки могут проходить или в поперечном направлении, или в продольном направлении. На чертежах, представляющих панель жидкокристаллического дисплея, структура управления выравниванием не показана, если в этом нет необходимости.

На фиг.5 показана эквивалентная принципиальная схема, представляющая часть панели жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим вариантом выполнения. Как показано на фиг.5, панель жидкокристаллического дисплея включает в себя линию 15 сигнала данных, проходящую в направлении столбца (в направлении вверх-вниз на чертежах), линию 16 сигнала развертки, проходящую в направлении строки (в направлении справа налево на чертежах), пиксели (101-104), расположенные в направлении строк и столбцов, линию 18 удерживающего конденсатора и общий электрод (противоположный электрод) com. Каждый пиксель имеет одинаковую структуру. Столбец пикселей, включающий в себя пиксели 101 и 102, расположен рядом со столбцом пикселей, включающим в себя пиксели 103 и 104. Строка пикселей, включающая в себя пиксели 101 и 103, расположена рядом со строкой пикселей, включающей в себя пиксели 102 и 104.

На панели жидкокристаллического дисплея одна линия 15 сигнала данных, одна линия сигнала 16 развертки и одна линия 18 удерживающего конденсатора предусмотрены для каждого пикселя. Три электрода (17а-17с) пикселя предусмотрены для одного пикселя, и эти три электрода пикселя выровнены в направлении столбца.

Например, в пикселе 101 электрод 17а пикселя соединен с линией 15 сигнала данных через транзистор 12, подключенный к линии 16 сигнала развертки, электроды 17а и 17с пикселя электрически соединены друг с другом, электроды 17а и 17с пикселя соединены с электродом 17b пикселя через соединительную емкость Сс, удерживающий конденсатор Ch1 сформирован между электродами 17а и 17с пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора, удерживающий конденсатор Ch2 сформирован между электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора, жидкокристаллический конденсатор С11 сформирован между электродами 17а и 17с пикселя и общим электродом com, и жидкокристаллический конденсатор С12 жидких кристаллов сформирован между электродом 17b пикселей и общим электродом com.

В устройстве дисплея на жидких кристаллах, включающем в себя панель дисплея на жидких кристаллах, когда выбрана линия 16 сигнала развертки, электрод 17а пикселя соединяется с линией 15 сигнала (через транзистор 12). Предположим, что потенциалы электродов 17а и 17с пикселя, после того как транзистор 12 будет закрыт, составляет Vac, и потенциал на электроде 17b пикселя, после того как транзистор 12 будет закрыт, составляет Vb. Поскольку электроды 17а и 17с пикселя соединены с электродом 17b пикселя через соединительную емкость Сс, отношение |Vac|>|Vb| удовлетворяется (|Vb|, например, обозначает разность потенциалов между Vb и Vcom (потенциал com)). Следовательно, подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя, используется как яркий подпиксель, подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя, используется как темный подпиксель, а подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя, используется как яркий подпиксель таким образом, что модуляция охвата области из двух ярких подпикселей и одного темного подпикселя обеспечивает возможность отображения полутона. Это позволяет улучшить характеристику угла обзора устройства жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим вариантом осуществления.

Частный пример 1 жидкокристаллической панели

На фиг.1 представлен частный пример пикселя 101, показанного на фиг.5. На фиг.1, для более простого просмотра, показаны только элементы подложки активной матрицы, а элементы подложки цветного фильтра (противоположной подложки) не показаны. Как представлено на чертеже, транзистор 12 предусмотрен рядом с участком, где линия 15 сигнала данных и линия 16 сигнала развертки пересекают друг друга, и три электрода пикселя (первый-третий электроды 17а-17с пикселя) и электрод 67 емкостной связи, присутствующие на том же уровне, где присутствует линия сигнала данных, предусмотрены в области пикселя, определенной этими линиями сигналов (15 и 16). Первый-третий электроды 17а-17с пикселя имеет каждый прямоугольную форму, и они выровнены в таком порядке в направлении столбца. Линия 18 удерживающего конденсатора проходит в направлении строки таким образом, что она пересекает центр пикселя (так, что она перекрывает второй электрод 17b пикселя). Кроме того, второй электрод пикселя 17b перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора через изолирующую пленку (изолирующая пленка затвора, межслойная изолирующая пленка) (не показана). Эта изолирующая пленка имеет тонкую область 51а, толщина которой меньше, чем толщина на других участках.

Электрод 67 емкостной связи расположен таким образом, что он перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора через изолирующую пленку затвора (не показана) и перекрывает второй электрод 17b пикселя через межслойную изолирующую пленку (не показана). Таким образом, электрод 67 емкостной связи расположен ниже электрода 17b второго пикселя, а тонкая область 51а расположена между одной из двух соседних линий сигнала данных (линия 15 сигнала данных) и электродом 67 емкостной связи. Кроме того, электрод 8 истока транзистора 12 соединен с линией 15 сигнала данных, электрод 9 стока соединен с электродом 29а отвода через линию 27 отвода стока, и электрод 29а отвода соединен с электродом 67 емкостной связи через промежуточную линию 37 и соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а. Электрод 67 емкостной связи соединен с промежуточным электродом 29с через промежуточную линию 47, и промежуточный электрод 29с соединен с электродом 17с пикселя через контактное отверстие 11с. Такая конфигурация обеспечивает для электрода 9 стока транзистора 12, первого электрода 17а пикселя и электрода 67 емкостной связи возможность электрического соединения друг с другом, так что связующая емкость Сс (см. фиг.5) формируется на участке, где электрод 67 емкостной связи и электрод 17b второго пикселя наложены друг на друга.

Кроме того, удерживающий конденсатор Ch1 сформирован на участке, где электрод 67 емкостной связи и линия 18 удерживающего конденсатора наложены друг на друга, а удерживающий конденсатор Ch2 сформирован на участке, на котором второй электрод 17b пикселя и линия 18 удерживающего конденсатора перекрывают друг друга и который соответствует тонкой области 51а.

На фиг.2 показан чертеж в разрезе по линии X-Y, обозначенной на фиг.1. Как показано на фиг.2, жидкокристаллическая панель в соответствии с настоящим вариантом осуществления включает в себя подложку 3 активной матрицы, подложку 30 цветного фильтра, которая обращена к подложке 3 активной матрицы, и слой 40 жидких кристаллов, предусмотренный между двумя подложками (3 и 30). В подложке 3 активной матрицы линия 16 сигнала развертки и линия 18 удерживающего конденсатора расположены на стеклянной подложке 31, и неорганическая изолирующая пленка 22 затвора расположена так, что она покрывает линию 16 сигнала развертки и линию 18 удерживающего конденсатора. На неорганической изолирующей пленке 22 затвора предусмотрены линия 27 отвода стока, электрод 29а отвода, промежуточная линия 37, электрод 67 емкостной связи и линия 15 сигнала данных. Хотя это не показано на виде в разрезе, на неорганической изолирующей пленке 22 затвора предусмотрены полупроводниковый слой (слой i и слой n+) и электрод истока и электрод стока, прилегающие каждый к слою n+. Кроме того, неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 предусмотрена таким образом, что она закрывает слой металла. На этой неорганической межслойной изолирующей пленке 25 предусмотрены первый и второй электроды 17а и 17b пикселя, и пленка 19 выравнивания расположена таким образом, что она покрывает эти электроды пикселя. Неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 проколота в месте контактного отверстия 11a, которое соединяет электрод 17а пикселя с электродом 29а отвода. Кроме того, электрод 67 емкостной связи наложен на электрод 17а пикселя через неорганическую изолирующую пленку 25, так что здесь формируется связующая емкость Сс (см. фиг.5). Кроме того, электрод 67 емкостной связи перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора через неорганическую изолирующую пленку 22 затвора, так что здесь формируется удерживающий конденсатор Ch1 (см. фиг.5). В тонкой области 51а второй электрод 17b пикселя перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора через неорганическую изолирующую пленку 22 затвора и неорганическую межслойную изолирующую пленку 25, так что формируется удерживающая емкость Ch2 (см. фиг.5).

С другой стороны, в подложке 30 цветного фильтра расположен цветной слой (слой цветного фильтра) 14 на стеклянной подложке 32, общий электрод (com) 28 расположен на цветном слое 14, и пленка 19 выравнивания расположена таким образом, что она покрывает общий электрод 28.

Тонкая область 51а сформирована путем частичного утончения изолирующей пленки (неорганической изолирующей пленки 22 затвора и неорганической межслойной изолирующей пленки 25) между вторым электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора. При этом тонкая область 51а может быть сформирована путем утончения неорганической межслойной изолирующей пленки 25, как показано на фиг.2, или может быть сформирована путем утончения неорганической изолирующей пленки 22 затвора, как показано на фиг.3. В качестве альтернативы тонкая область 51а может быть сформирована путем утончения как неорганической межслойной изолирующей пленки 25, так и неорганической изолирующей пленки 22 затвора.

В качестве альтернативы тонкая область 51а может быть сформирована путем частичного удаления неорганической межслойной изолирующей пленки 25 из изолирующей пленки (неорганической изолирующей пленки 22 затвора и неорганической межслойной изолирующей пленки 25 между слоями) между вторым электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора, как показано на фиг.4. В этом случае, тонкая область 51а формируется путем перекрытия второго электрода пикселя линии 18 удерживающего конденсатора через неорганическую изолирующую пленку 22 затвора.

В конфигурации по фиг.1 тонкая область 51а расположена рядом с электродом 67 емкостной связи в направлении, в котором проходит линия 16 сигнала развертки. Однако положение тонкой области 51а не ограничивается такой конфигурацией, и она может быть расположена на области, где сформирован удерживающий конденсатор Ch2 (см. фиг.5) второго электрода 17b пикселя. Соответственно, тонкая область 51а может быть расположена между линией 16 сигнала развертки и электродом 67 емкостной связи, например, в соответствии с шириной линии и положением линии 18 удерживающего конденсатора.

Способ возбуждения

На фиг.6 показана временная диаграмма, представляющая способ возбуждения устройства жидкокристаллического дисплея (устройство жидкокристаллического дисплея с нормальным черным режимом) в соответствии с настоящим вариантом осуществления, включающим в себя жидкокристаллическую панель, показанную на фиг.1. Sv и SV обозначают потенциалы сигнала, подаваемые в две соседние линии сигнала данных соответственно. Gp обозначает сигнал импульса открытия затвора, который подают в линию 16 сигнала развертки. Va-Vc обозначают потенциалы электродов 17а-17с пикселя соответственно.

При таком способе возбуждения, как показано на фиг.6, последовательно выбирают линии сигнала развертки, полярность потенциала сигнала, подаваемого в линию сигнала данных, инвертируют относительно каждого одного периода (1Н) горизонтальной развертки, полярность потенциала сигнала, подаваемого в указанный период горизонтального развертки в отдельных кадрах, инвертируют относительно каждого одного кадра, и потенциалы сигнала с разной полярностью подают в две соседних линии сигнала данных в один период горизонтальной развертки.

В частности, последовательные кадры F1 и F2 выполнены следующим образом: в F1 последовательно выбирают линии сигнала развертки. В одну из двух соседних линий сигнала данных подают потенциал сигнала с положительной полярностью в 1-й период горизонтального развертки (включая, например, период записи для электрода 17а пикселя) и потенциал сигнала с отрицательной полярностью во 2-м периоде горизонтального развертки. В другую из двух соседних линий сигнала данных подают потенциал сигнала с отрицательной полярностью в 1-м горизонтальном периоде развертки и потенциал сигнала с положительной полярностью во 2-м периоде горизонтальной развертки. Следовательно, удовлетворяется соотношение |Va|=|Vc|≥|Vb|, как показано на фиг.6, так что подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя (плюс полярность), используется как яркий подпиксель (ниже называется "яркий"), подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя (положительная полярность), используется как темный подпиксель (ниже называется "темный"), а подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя (положительная полярность), используется как "яркий". В результате, пиксели используются как "яркий" и "темный", как показано в позиции (а) на фиг.7.

Кроме того, в кадре F2 последовательно выбирают линии сигнала развертки. В одну из двух соседних линий сигнала данных подают потенциал сигнала с отрицательной полярностью в 1-й период горизонтального развертки (включая, например, период записи для электрода 17а пикселя) и потенциал сигнала с положительной полярностью во 2-й период горизонтального развертки. В другую из двух соседних линий сигнала данных подают потенциал сигнала с положительной полярностью в 1-й период горизонтального развертки и потенциал сигнала с отрицательной полярностью во 2-й период горизонтального развертки. Следовательно, удовлетворяется соотношение |Va|=|Vc|≥|Vb|, как показано на фиг.6, так что подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя (отрицательная полярность), используется как яркий подпиксель (ниже называется "яркий"), подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя (отрицательная полярность), используется как темный подпиксель (ниже называется "темный"), и подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя (отрицательная полярность), используется как "яркий". В результате, пиксели используются как "яркий" и "темный", как показано в позиции (b) на фиг.7.

Хотя структуры управления выравниванием не показаны на фиг.1-4, жидкокристаллическая панель MVA (многодоменного вертикального выравнивания) разработана таким образом, что каждый электрод пикселя имеет паз для управления выравниванием, а на подложке с цветными фильтрами предусмотрены ребра для управления выравниванием. Вместо ребер, для управления выравниванием, как описано выше, на общем электроде подложки цветного фильтра могут быть предусмотрены пазы для управления выравниванием.

В конфигурации жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1, электрод 67 емкостной связи расположен ниже второго электрода 17b пикселя (плавающий электрод пикселя), и тонкая область 51а перекрывает на второй электрод 17b пикселя и линию 18 удерживающего конденсатора, но не перекрывает электрод 67 емкостной связи. Такая конфигурация позволяет сформировать удерживающий конденсатор без предоставления электрода для формирования удерживающего конденсатора (электрода вспомогательной емкости), так что удерживающая емкость между вторым электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора удержания не падает. Вследствие этого становится возможным исключить короткое замыкание между электродом 511 управления (электрод 67 емкостной связи) и электродом 512 вспомогательной емкости, который можно видеть в обычной конфигурации (см. фиг.27).

Тонкая область 51а также может быть расположена на части неорганической межслойной изолирующей пленки 25, так что эта часть перекрывает электрод 67 емкостной связи. В такой конфигурации может быть уменьшена область электрода 67 емкостной связи для получения требуемой емкостной связи. Это увеличивает расстояние между электродом 67 емкостной связи и линией сигнала данных, уменьшая, таким образом, вероятность короткого замыкания между электродом 67 емкостной связи и линией 15 сигнала данных.

Таким образом, неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 также используется как защитная пленка, предназначенная для защиты канала транзистора. Соответственно, неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 может быть выполнена толстой на других участках, кроме участка, где расположена тонкая область 51а. Это повышает надежность транзистора.

Как описано выше, предпочтительно сконструировать неорганическую межслойную изолирующую пленку 25 так, чтобы она была тонкой, с учетом уменьшения площади электрода 67 емкостной связи для получения требуемой емкости. С другой стороны, предпочтительно сконструировать неорганическую межслойную изолирующую пленку 25 толстой, с учетом надежности транзистора. В этом отношении, описанная выше конфигурация позволяет получить оба эффекта путем размещения тонкой области 51а на части толстой неорганической межслойной изолирующей пленки 25, которая частично перекрывает электрод 67 емкостной связи.

Для получения описанных выше эффектов, неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 может быть расположена так, что неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 будет иметь двухслойную структуру, и верхний слой удаляют или утончают на участке, где электрод 67 емкостной связи и второй электрод 17b пикселя перекрывают друг друга.

Эффект, аналогичный описанным выше эффектам, может быть получен также в конфигурации размещения тонкой области 51а на неорганической изолирующей пленке 22 затвора. Таким образом, путем обеспечения тонкой области 51а в части толстой неорганической изолирующей пленки 22 затвора, так что эта часть перекрывает электрод 67 емкостной связи, становится возможным получить требуемую емкость при недопущении короткого замыкания на участке пересечения линии 16 сигнала развертки и линии 15 сигнала данных и не допустить увеличения паразитной емкости на участке пересечения. Как и в случае неорганической межслойной изолирующей пленки 25, имеющей двухслойную структуру, неорганическая изолирующая пленка 22 затвора 22 может иметь двухслойную структуру.

Способ изготовления жидкокристаллической панели

Ниже поясняется процесс изготовления жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением. Этот процесс включает в себя этап изготовления подложки активной матрицы, этап изготовления подложки цветного фильтра и этап изготовления, состоящий в закреплении подложек друг на друге и заполнении пространства между подложками жидким кристаллом для получения жидкокристаллической панели.

Вначале формируют металлическую пленку, такую как пленка из титана, хрома, алюминия, молибдена, тантала, вольфрама и меди, пленка из их сплавов или многослойная пленка из этих металлов (толщиной 1000Å-3000Å) на подложке, изготовленной из стекла, пластика и т.д. способом напыления. После этого сформированную таким образом пленку структурируют, используя технологию фотолитографии (процесс фотогравировки, ниже называется "технологией PEP"), для формирования линии сигнала развертки, электродов затвора транзисторов (в некоторых случаях, количество линий сигналов развертки составляет удвоенное количество электродов затворов) и линии удерживающего конденсатора.

Затем формируют неорганическую изолирующую пленку (толщиной приблизительно 3000Å-5000Å), изготовленную из нитрида кремния или диоксида кремния, используя способ CVD (химическое осаждение из паровой фазы) на всей подложке, на которой были сформированы линии сигнала развертки, формируя, таким образом, изолирующую пленку затвора.

Затем на изолирующей пленке затвора (по всей подложке) непрерывно формируют внутреннюю пленку из аморфного кремния (толщиной 1000Å-3000Å) и пленку из n+ аморфного кремния (толщиной 400Å-700Å), легированную фосфором. После этого сформированные таким образом пленки структурируют, используя технологии PEP, для формирования множества слоев кремния, изготовленных из внутреннего слоя аморфного кремния и слоя n+ аморфного кремния, таким образом, что многослойный кремний имеет замкнутую форму.

После этого на подложке, где была сформирована многослойная структура из кремния, формируют металлическую пленку из такого металла, как титан, хром, алюминий, молибден, тантал, вольфрам и медь, пленку из их сплавов или многослойную пленку из этих металлов (толщиной 1000Å-3000Å) способом напыления. После этого сформированную таким образом пленку структурируют, используя технологию PEP, для формирования линии сигнала данных, электродов истока и электродов стока транзисторов, линий отвода стока, электродов отвода, промежуточных линий и электродов емкостной связи.

Кроме того, используя электроды истока и электроды стока как маски, слой n+ аморфного кремния, составляющий многослойную структуру из кремния, удаляют способом вытравливания для формирования каналов для транзисторов. Полупроводниковый слой может быть изготовлен из аморфной кремниевой пленки, как описано выше. В качестве альтернативы полупроводниковый слой может быть изготовлен из поликремниевой пленки или может быть изготовлен из аморфной кремниевой пленки и поликремниевой пленки, каждую из которых подвергают лазерному отжигу для улучшения кристалличности. Это повышает скорость движения электронов в полупроводниковом слое, что улучшает характеристики транзистора (TFT).

Затем на всей подложке, где были сформированы линии сигналов данных и т.д., формируют неорганическую изолирующую пленку (толщиной 2000Å-5000Å), изготовленную из нитрида кремния или диоксида кремния, используя CVD, для формирования неорганический межслойной изолирующей пленки.

После этого межслойную изолирующую пленку удаляют способом вытравливания, применяя технологии PEP, для формирования контактных отверстий и тонкой области 51а. Половинную экспозицию можно использовать таким образом, чтобы межслойная изолирующая пленка оставалась тонкой в тонкой области 51а. Затем прозрачную проводящую пленку (толщиной 1000Å-2000Å), изготовленную из ITO (оксид индия-олова), IZO (диоксид индия-цинка), диоксида цинка или оксида олова и т.д. формируют способом напыления на всей подложке, размещая в местах межслойной изолирующей пленки, где были сформированы контактные отверстия и тонкая область 51а. После этого прозрачную проводящую пленку структурируют, используя технологию PEP, для формирования электродов пикселей.

Наконец, пленку из полиимидной смолы толщиной 500Å-1000Å печатают на всей подложке так, что она располагается на электродах пикселей, и после этого спекают и подвергают однонаправленной обработке трением, используя вращающуюся ткань и т.п. для формирования пленки выравнивания. Таким образом, изготавливают подложку активной матрицы.

Далее поясняется этап изготовления подложки цветного фильтра.

Вначале тонкую пленку из хрома или полимерной смолы, содержащей черный пигмент, формируют на подложке (на всей подложке), изготовленной из стекла, пластика и т.д., и затем эту пленку, сформированную таким образом, структурируют, используя технологию PEP, для формирования черных матриц. Затем, в промежутках между черными матрицами, формируют в виде определенной структуры слои красного, зеленого и синего цветов (толщиной 2 мкм или около этого), используя дисперсию пигмента и т.д.

Затем формируют прозрачную проводящую пленку (толщиной около 1000Å), изготовленную из ITO, IZO, диоксида цинка или оксида олова и т.д. на всей подложке, на слоях цветного фильтра для формирования общего электрода (com).

В конечном итоге, полиимидную смолу толщиной 500Å-1000Å печатают на всей подложке, размещая ее на общем электроде, и затем подвергают спеканию и однонаправленной обработке трением с использованием вращающейся ткани и т.п. для формирования пленки выравнивания. Таким образом, получают подложку цветного фильтра.

Далее поясняется этап изготовления.

Первоначально наносят уплотнительный материал, изготовленный из термореактивной эпоксидной смолы, используя трафаретную печать, на одну из подложки активной матрицы и подложки цветного фильтра таким образом, что уплотнительный материал формирует структуру рамки с вырезом, через который будет произведен впрыск жидкого кристалла, и сферические распорки, изготовленные из пластика или двуокиси кремния, с диаметром, соответствующим толщине слоя жидких кристаллов, распределяют по другой из подложек.

Затем подложку активной матрицы и подложку цветного фильтра скрепляют друг с другом, и уплотнительный материал подвергают отверждению.

Наконец, жидкокристаллический материал заливают в промежуток, окруженный подложкой активной матрицы, подложкой цветного фильтра и уплотнительным материалом, используя вакуумный способ, и затем применяют полимерную смолу, отверждаемую под ультрафиолетовым излучением, в часть, через которую была произведена заливка жидких кристаллов, и подложки подвергают ультрафиолетовому облучению для формирования слоя жидкокристаллического кристалла между ними. Таким образом, изготавливают жидкокристаллическую панель.

Частный пример 2 жидкокристаллической панели

Изолирующая пленка между слоями (защитная пленка канала) может быть расположена таким образом, что органическая межслойная изолирующая пленка 26 (например, из акриловой полимерной смолы), более толстая, чем неорганическая межслойная изолирующая пленка 25 на фиг.2, будет сформирована на неорганической межслойной изолирующей пленке 25 так, чтобы межслойная изолирующая пленка имела двухслойную структуру (25 и 26), как показано на фиг.9. Это приводит к эффекту уменьшения различных паразитных емкостей, недопущению короткого замыкания между линиями и уменьшению образования трещин и т.д. в электроде пикселя, делая слои, находящиеся под электродом пикселя, плоскими. В этом случае, как показано на фиг.8 и 9, предпочтительно создать органическую межслойную изолирующую пленку 26 таким образом, чтобы участок К, перекрывающий электрод 67 емкостной связи, был удален. Такая конфигурация позволяет получить описанный выше эффект при обеспечении достаточной величины связующей емкости (Сс на фиг.5). В такой конфигурации паразитная емкость между линией сигнала развертки и электродом пикселя уменьшается. Соответственно, становится возможным увеличить долю открытой области путем перекрытия линии 16 сигнала развертки и первого электрода 17а пикселя, как показано на фиг.8 и 9.

Неорганическая межслойная изолирующая пленка 25, органическая межслойная изолирующая пленка 26, контактное отверстие 11а и тонкая область 51а на фиг.9 могут быть сформированы, например, следующим образом. Транзисторы и линии сигнала данных формируют на подложке, а затем неорганическую межслойную изолирующую пленку 25 (пленку пассивации), изготовленную из SiNx толщиной приблизительно 3000Å, формируют так, чтобы она покрывала всю подложку, используя способ CVD, применяя смесь таких газов, как газообразный SiH4, газообразный NH3 и газообразный N2. После этого органическую межслойную изолирующую пленку 26, изготовленную из положительно фоточувствительной акриловой смолы толщиной приблизительно 3 мкм, формируют способом покрытия центрифугированием или нанесения штампом. После этого органическую межслойную изолирующую пленку 26 подвергают фотолитографии так, чтобы была сформирована впалая часть органической межслойной изолирующей пленки 26, тонкая область 51а и различные структуры для контакта. Кроме того, используя структурированную органическую межслойную изолирующую пленку 26 в качестве маски, неорганическую межслойную изолирующую пленку 25 подвергают сухому травлению, используя смесь газов, таких как газ CF4 и газ O2. В частности, выполняют фотолитографический процесс таким способом, чтобы впалая часть органической межслойной изолирующей пленки 26 и тонкая область 51а были изготовлены в результате половинной экспозиции таким образом, чтобы органическая межслойная изолирующая пленка оставалась тоньше во впалой части после окончания проявления, тогда как контактные отверстия изготавливают с применением полной экспозиции так, что органическая межслойная изолирующая пленка не остается в контактных отверстиях, когда проявление заканчивают. На данном этапе с помощью сухого вытравливания, используя смесь газов, таких как газ CF4 и газ O2, удаляют оставшуюся пленку (органическую межслойную изолирующую пленку) во впалой части органической межслойной изолирующей пленки и в тонкой области 51а и неорганическую межслойную изолирующую пленку, которая находилась под органической межслойной изолирующей пленкой в контактных отверстиях. Органическая межслойная изолирующая пленка 26 может представлять собой изолирующую пленку, изготовленную из материала SOG (нанесенного центрифугированием на стекло). Органическая межслойная изолирующая пленка 26 может включать в себя по меньшей мере одну из акриловой полимерной смолы, эпоксидной смолы, полиимидной смолы, полиуретановой смолы, смолы новолак и силоксановой смолы.

Частный пример 3 жидкокристаллической панели

Изолирующая пленка затвора может быть размещена таким образом, что органическая изолирующая пленка 21 затвора, более толстая, чем неорганическая изолирующая пленка 22 затвора на фиг.2, формируется под неорганической изолирующей пленкой 22 затвора так, чтобы изолирующая пленка затвора представляла собой двухслойную структуру (21 и 22), как показано на фиг.12. Это позволяет получить эффект уменьшения различных паразитных емкостей, недопущения короткого замыкания между линиями и уменьшения разъединения линий сигнала данных, линий отвода стока и т.д., делая плоскими слои, находящиеся под линиями сигнала данных, линиями отвода стока и т.д. В этом случае, как показано на фиг.10 и 11, предпочтительно создать органическую изолирующую пленку 21 затвора таким образом, чтобы участок, перекрывающий электрод 67 емкостной связи, и участок, перекрывающий второй электрод 17b пикселя и линию 18 удерживающего конденсатора (тонкая область 51а), были удалены (впалая часть F). Такая конфигурация позволяет получать описанные выше эффекты, обеспечивая достаточную величину емкостной связи (Ch1 и Ch2 по фиг.5). В такой конфигурации паразитная емкость между линией сигнала развертки и электродом пикселя уменьшается. Соответственно, становится возможным увеличить долю открытой области путем перекрытия линии 16 сигнала развертки и первого электрода 17а пикселя, как показано на фиг.10 и 11.

Частный пример 4 жидкокристаллической панели

На фиг.12 показан вид сверху, представляющий другую конфигурацию жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением. Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.12, выполнена таким образом, что изолирующая пленка, перекрывающая линию 18 удерживающего конденсатора и второй электрод 17b пикселя, включает в себя первую-третью области, которые выровнены в данном порядке в направлении, в котором проходит линия 16 сигнала развертки, первая область имеет тонкую область 51а, вторая область имеет участок, где электрод 67 емкостной связи и второй электрод 17b пикселя перекрывают друг друга, а третья область имеет тонкую область 51b.

При такой компоновке тонкая область 51а предусмотрена между одной из соседних двух линий сигнала данных (линией 15 сигнала данных) и электродом 67 емкостной связи, а тонкая область 51b предусмотрена между другой из соседних двух линий сигнала данных и электродом 67 емкостной связи. Следовательно, удерживающий конденсатор Ch1 сформирован на участке, где электрод 67 емкостной связи и линия 18 удерживающего конденсатора перекрывают друг друга, а конденсатор Ch2 удержания сформирован на участках, на которых второй электрод 17b пикселя и линия 18 удерживающего конденсатора перекрывают друг друга и которые соответствуют тонким областям 51а и 51b соответственно. Это предотвращает уменьшение удерживающей емкости между вторым электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора и исключает короткое замыкание между электродом 511 управления (электрод 67 емкостной связи) и электродом 512 вспомогательной емкости, что можно видеть в обычной конфигурации (см. фиг.27). Кроме того, поскольку тонкие области 51а и 51b сформированы между электродом 67 емкостной связи и линией 15 сигнала данных, короткое замыкание между электродом 67 емкостной связи и линиями сигнала данных (одной из соседних двух линий сигнала данных (линией 15 сигнала данных) и другой) возникает с меньшей вероятностью.

Частный пример 5 жидкокристаллической панели

На фиг.13 показан вид сверху, представляющий другую конфигурацию жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением. Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.13, выполнена таким образом, что ответвление 18р линии удерживающего конденсатора, которое проходит вдоль линии 15 сигнала данных на виде сверху, и ответвление 18q линии удерживающего конденсатора, которое проходит вдоль линии сигнала данных, соседней с линией 15 сигнала данных на виде сверху, отходят от линии 18 удерживающего конденсатора, и что ответвление линии 18р удерживающего конденсатора перекрывает один из двух краев второго электрода 17b пикселя, и этот край проходит вдоль линий сигналов данных (край, расположенный ближе к линии 15 сигнала данных), а ответвление 18q линии удерживающего конденсатора перекрывает другой из двух краев. Следовательно, ответвления 18р и 18q линии удерживающего конденсатора используют в качестве экранирующих электродов для электрода 17b пикселя (плавающий электрод пикселя), более эффективно предотвращая попадание электрического заряда на электрод 17b пикселя. Это позволяет предотвратить эффект "прилипания" изображения к подпикселю, включающему в себя электрод 17b пикселя (темный подпиксель).

Жидкокристаллическая панель на фиг.13 может быть выполнена таким образом, что межслойная изолирующая пленка (защитная пленка канала) имеет двухслойную структуру, включающую в себя неорганическую межслойную изолирующую пленку и органическую межслойную изолирующую пленку. Такая конфигурация позволяет получить такие эффекты, как уменьшение различных паразитных емкостей, предотвращение короткого замыкания между линиями и уменьшение разрывов и т.д. электрода пикселя, путем уплощения слоев, находящихся под электродом пикселя. В таком случае, как показано на фиг.14, предпочтительно создать органическую межслойную изолирующую пленку таким образом, чтобы участок К перекрытия электрода 67 емкостной связи и участки R1 и R2 перекрытия ответвлений 18р и 18q линии удерживающего конденсатора были удалены. Такая конфигурация обеспечивает получение описанных выше эффектов путем обеспечения достаточной величины емкостной связи (Сс на фиг.5) и обеспечения эффекта экранирования, получаемого благодаря ответвлениям 18р и 18q линии удерживающего конденсатора. В такой конфигурации, поскольку уменьшается паразитная емкость между линией сигнала развертки и электродом пикселя, становится возможным увеличить долю открытой области путем перекрытия линии 16 сигнала развертки и первого электрода 17а пикселя так, как показано на фиг.14.

Частный пример 6 жидкокристаллической панели

На фиг.15 показан вид сверху, представляющий другую конфигурацию жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением. Как показано на чертеже, жидкокристаллическая панель по фиг.1 может быть модифицирована путем удаления третьего электрода 17с пикселя, промежуточного электрода 29с и контактного отверстия 11с. Устройство жидкокристаллического дисплея, включающее в себя жидкокристаллическую панель по фиг.15, может отображать полутон в результате модуляции по области охвата одного яркого подпикселя, который представляет собой подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя, и одного темного подпикселя, который представляет собой подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя.

Частный пример 7 жидкокристаллической панели

На фиг.16 показан вид сверху, представляющий другую конфигурацию жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением. Как показано на чертеже, в области пикселя, ограниченного линией 15 сигнала данных и линией 16 сигнала развертки, второй электрод 17b пикселя, имеющий трапециевидную форму при рассмотрении в направлении строки, и первый электрод 17а пикселя, имеющий форму, которой соответствует второй электрод 17b пикселя, выровнены в направлении строки, и линия 18 удерживающего конденсатора проходит в направлении строки таким образом, что она пересекает центр пикселя (перекрывая второй электрод 17b пикселя).

Таким образом, внешний контур второго электрода 17b пикселя состоит из первой стороны, которая пересекает линию 18 удерживающего конденсатора и образует угол приблизительно 90° относительно направления строки, второй стороны, которая продолжается от одного конца первой стороны таким образом, что образуется угол приблизительно 45° относительно направления строки, третьей стороны, которая продолжается от другого конца первой стороны таким образом, что образуется угол приблизительно 315° относительно направления строки, и четвертой стороны, которая параллельна первой стороне и пересекает линию 18 удерживающего конденсатора. Первая сторона формирует верхнее основание трапеции, а четвертая сторона формирует нижнее основание трапеции, и линия, соединяющая медианы первой стороны и четвертой стороны, проходит по линии 18 удерживающего конденсатора.

Кроме того, внешний контур первого 17а электрода пикселя состоит из стороны, расположенной вдоль линии 15 сигнала данных, стороны вдоль линии 16 сигнала развертки, стороны вдоль линии сигнала развертки, соседней с линией 16 сигнала развертки, и трех сторон, обращенных к первой-третьей сторонам второго электрода 17b пикселя. Зазор между первой стороной второго электрода 17b пикселя и стороной первого электрода 17а пикселя, которая обращена к первой стороне второго электрода 17b пикселя, называется первым зазором S1, зазор между второй стороной второго электрода 17b пикселя и стороной первого электрода 17а пикселя, которая обращена ко второй стороне второго электрода 17b пикселя, называется вторым зазором S2, а зазор между третьей стороной второго электрода 17b пикселя и стороной первого электрода 17а пикселя, которая обращена к третьей стороне второго электрода 17b пикселя, называется третьим зазором S3.

Также в настоящей жидкокристаллической панели второй электрод 17b пикселя перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора через изолирующую пленку (изолирующая пленка затвора, межслойная изолирующая пленка) (не показана), и изолирующая пленка имеет тонкую область 51а. Электрод 67 емкостной связи расположен таким образом, что он перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора через изолирующую пленку затвора (не показана) и перекрывает второй электрод 17b пикселя через межслойную изолирующую пленку (не показана). Таким образом, электрод 67 емкостной связи расположен ниже второго электрода 17b пикселя, а тонкая область 51а расположена между одной из двух соседних линий сигнала данных (линией 15 сигнала данных) и электродом 67 емкостной связи. Кроме того, электрод 8 истока транзистора 12 соединен с линией 15 сигнала данных, электрод 9 стока соединен с электродом 29а отвода через линию 27 отвода стока, а электрод 29а отвода соединен с электродом 67 емкостной связи через промежуточную линию 37 и соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а. Такая конфигурация обеспечивает возможность электрического соединения друг с другом электрода стока 9 транзистора 12, первого электрода 17а пикселя и электрода 67 емкостной связи, так что связующая емкость Сс (см. фиг.5) образуется на участке, где электрод 67 емкостной связи и второй электрод 17b пикселя перекрывают друг друга.

Кроме того, удерживающий конденсатор Ch1 сформирован на участке, где электрод 67 емкостной связи и линия 18 удерживающего конденсатора перекрывают друг друга, а удерживающий конденсатор Ch2 сформирован на участке, в котором второй электрод 17b пикселя и линия 18 удерживающего конденсатора перекрывают друг друга и которая соответствует тонкой 51а области.

Кроме того, ответвление 18р линии удерживающего конденсатора отходит от линии 18 удерживающего конденсатора таким образом, что оно проходит вдоль линии 15 сигнала данных на виде сверху, а ответвление 18q линии удерживающего конденсатора отходит от линии 18 удерживающего конденсатора таким образом, что оно проходит вдоль линии сигнала данных, соседней с линией 15 сигнала данных на виде сверху. Ответвление 18р линии удерживающего конденсатора перекрывает первую сторону внешнего контура второго электрода 17b пикселя, а ответвление 18q линии удерживающего конденсатора перекрывает четвертую сторону внешнего контура второго электрода 17b пикселя.

В жидкокристаллической панели, показанной на фиг.16, становится возможным исключить короткое замыкание между электродом 511 управления (электрод 67 емкостной связи) и электродом 512 вспомогательной емкости, как можно видеть в обычной конфигурации (см. фиг.27).

В случае, когда используется жидкокристаллическая панель по фиг.16 на основе MVA, второй зазор S2 или третий зазор S3 могут использоваться как структура управления выравниванием. Кроме того, поскольку ответвления 18р и 18q линии удерживающего конденсатора используются как экранирующие электроды для электрода 17b пикселя (плавающий электрод пикселя), становится возможным более эффективно предотвратить поступление электрического заряда во второй электрод 17b пикселя. Это позволяет предотвратить "прилипание" изображения к подпикселю, включающему в себя электрод 17b пикселя (темный подпиксель).

Жидкокристаллическая панель по фиг.16 может быть выполнена таким образом, что межслойная изолирующая пленка (защитная пленка канала) имеет двухслойную структуру, включающую в себя неорганическую межслойную изолирующую пленку и органическую межслойную изолирующую пленку. Такая конфигурация обеспечивает возникновение эффектов, таких как уменьшение различных паразитных емкостей, предотвращение короткого замыкания между линиями и уменьшение вероятности пробоя и т.д. электрода пикселя, благодаря тому, что слои, размещенные под электродом пикселя, сделаны плоскими. В таком случае, как показано на фиг.17, предпочтительно предусмотреть органическую межслойную изолирующую пленку таким образом, чтобы участок К, перекрывающий электрод 67 емкостной связи, и участки W1 и W2, перекрывающие ответвления 18р и 18q линии удерживающего конденсатора, были удалены. Такая конфигурация обеспечивает возможность получения описанных выше эффектов при обеспечении достаточной величины связующей емкости (Сс на фиг.5) и обеспечении экранирующего эффекта, обеспечиваемого ответвлениями 18р и 18q линии удерживающего конденсатора. В такой конфигурации, поскольку уменьшена паразитная емкость между линией сигнала развертки и электродом пикселя, становится возможным увеличить долю открытой площади путем перекрытия линии 16 сигнала развертки и первого электрода 17а пикселя, как показано на фиг.17.

Частный пример 8 жидкокристаллической панели

Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.8 и 9, может быть модифицирована в панель, представленную на фиг.18 и 19. Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.18 и 19, сконструирована таким образом, что поверхность подложки цветного фильтра имеет выступ D, обращенный к впалой части F органической межслойной изолирующей пленки 26 подложки 3 активной матрицы. Такая конфигурация позволяет компенсировать выемку на поверхности подложки активной матрицы, которая была сформированы за счет впалой части К и которая позволяет обеспечить толщину слоя жидкого кристалла под выступом D, по существу, такую же, как и в окружающих областях. Это позволяет обеспечить однородную толщину слоя жидкого кристалла, что уменьшает количество используемого жидкого кристалла. В позиции (а) на фиг.19 выступающий элемент i предусмотрен на противоположном электроде 28 и используется как выступ D. Это позволяет предотвратить короткое замыкание между вторым электродом 17b пикселя и противоположном электродом 28, даже если электропроводный посторонний предмет попадет в выемку на поверхности подложки активной матрицы, и эта выемка сформирована впалой частью К. В случае жидкокристаллической панели на основе MVA, выступающий элемент i может быть выполнен на том же этапе, что и ребра для управления выравниванием. В позиции (b) на фиг.19 выступающий элемент j сформирован из цветного слоя 14 (под противоположным электродом 28) и используется как выступ D на поверхности подложки цветного фильтра. Выступающий элемент j может представлять собой цветной слой с цветом, отличающимся от цветного слоя 14 таким образом, что выступ D будет получен путем наложения этих цветных слоев (то есть цветного слоя R и цветного слоя G). Конфигурация, показанная в позиции (b) на фиг.19, обеспечивает возможность сделать более коротким расстояние между вторым электродом 17b пикселя и противоположным электродом 28 под выступом D, чем в случае, когда выступ D не предусмотрен. Это позволяет увеличить электрическую емкость жидкого кристалла.

Как показано на фиг.18, для того, чтобы нарушение выравнивания, вызванное выступом D на подложке цветного фильтра, было менее видимыми, желательно разместить выступ D таким образом, чтобы проекция выступа D на слой, в котором сформирована линия 18 удерживающего конденсатора, была расположены между двумя краями линии 18 удерживающего конденсатора в направлении строки.

Частный пример 9 жидкокристаллической панели

Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.10 и 11, может быть модифицирована в панель, представленную на фиг.20 и 21. Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.20 и 21, сконструирована таким образом, что поверхность подложки цветного фильтра имеет выступ D, обращенный к впалой части F органической изолирующей пленки 21 затвора подложки 3 активной матрицы. Такая конфигурация позволяет компенсировать выемку на поверхности подложки активной матрицы, которая была сформирована впалой частью F, что позволяет обеспечить толщину слоя жидкого кристалла под выступом D, по существу, такую же, как и в окружающих областях. Это позволяет обеспечить однородную толщину слоя жидкого кристалла, что уменьшает объем используемого жидкого кристалла. В позиции (а) на фиг.21 выступающий элемент i предусмотрен на противоположном электроде 28 и используется как выступы D. Это позволяет предотвратить короткое замыкание между вторым электродом 17b пикселя и противоположном электродом 28, даже если электропроводный посторонний предмет попадет в выемку на поверхности подложки активной матрицы, и эта выемка сформирована впалой частью К. В случае жидкокристаллической панели на основе MVA, выступающий элемент i может быть выполнен на том же этапе (из того же материала), что и ребра для управления выравниванием (то есть фенольная смола новолак). В позиции (b) на фиг.21 выступающий элемент j сформирован из цветного слоя 14 (под противоположным электродом 28) и используется как выступ D на поверхности подложки цветного фильтра. Выступающий элемент j может представлять собой цветной слой с цветом, отличающимся от цвета цветного слоя 14 таким образом, чтобы выступ D изготовлен путем наложения этих цветных слоев (например, цветного слоя R и цветного слоя G). Конфигурация в позиции (b) на фиг.21 обеспечивает возможность сделать расстояние между вторым электродом 17b пикселя и противоположным электродом 28 под выступом D короче, чем в случае, когда выступ D не предусмотрен. Это обеспечивает возможность увеличить электрическую емкость жидкого кристалла.

Как показано на фиг.20, для того, чтобы такое нарушение выравнивания, связанное с выступом D подложки цветного фильтра, было менее видимым, желательно установить выступ D таким образом, чтобы проекция выступа D на слой, где сформирована линия 18 удерживающего конденсатора, была расположена между двумя краями линии 18 удерживающего конденсатора в направлении строки.

Частный пример 10 жидкокристаллической панели

На фиг.28 показан вид сверху, представляющий другую конфигурацию жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением. Подложка активной матрицы жидкокристаллической панели, показанной на фиг.28, включает в себя транзисторы 112 и 212, каждый из которых соединен с линией 16 сигнала развертки, и транзистор 312, соединенный с линией 116 сигнала развертки, которая расположена рядом с линией 16 сигнала развертки. Одна область пикселя включает в себя электроды 17а и 17b пикселей и два электрода 266 и 267 конденсатора. Здесь каждый из электродов 266 и 267 конденсатора наложен на линию 18 удерживающего конденсатора через изолирующую пленку затвора и наложен на электрод 17b пикселя через пленку защиты канала. Электрод 308 истока транзистора 312 соединен с электродом 267 конденсатора через электрод 227 отвода, а электрод 309 стока транзистора 312 соединен с электродом пикселя 17а через контактное отверстие. На участке 288 перекрытия, где электрод 17b пикселя не перекрывает на электроды 266 и 277 конденсатора, но перекрывает линию 18 удерживающего конденсатора, по меньшей мере одна из изолирующей пленки затвора и защитной пленки канала выполнена более тонкой, чем вокруг.

В частности, вокруг участка 288 перекрытия защитная пленка канала состоит из неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки, более толстой, чем неорганическая изолирующая пленка, тогда как на участке 288 перекрытия органическая изолирующая пленка удалена, и линия 18 удерживающего конденсатора и электрод 17b пикселя перекрывают друг друга только через изолирующую пленку затвора и неорганическую изолирующую пленку. Общий электрод 128 истока транзисторов 112 и 212 соединен с линией 15 сигнала данных, электрод 109 стока транзистора 112 соединен с электродом 266 конденсатора через отводящий электрод 127р, электрод 266 конденсатора соединен с электродом 17а пикселя через отводящий электрод 127q стока и контактное отверстие. Электрод 209 стока транзистора 212 соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие. Здесь удерживающий конденсатор между электродом 17а пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора сформирован на участке, где электрод 266 конденсатора и линия 18 удерживающего конденсатора перекрывают друг друга, удерживающий конденсатор между электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора сформирован на участке 288 перекрытия, а удерживающий конденсатор между электродом 17а пикселя и электродом 17b пикселя сформирован на участке, где электрод 267 конденсатора наложен на электрод 17b пикселя.

Предположим, что осуществляется управление жидкокристаллической панелью, показанной на фиг.28. Когда выполняют передачу сигнала развертки по линии 16 сигнала развертки, один и тот же потенциал сигнала данных записывают в электроды 17а и 17b пикселя. Когда выполняют развертку по (следующей) линии 116 сигнала развертки, электроды 17а и 17b пикселя соединены друг с другом через конденсатор. Вследствие этого, электрод 17а пикселя используется как темный подпиксель, а электрод 17b пикселя используется как яркий подпиксель.

В настоящей жидкокристаллической панели предусмотрен участок 288 перекрытия, где линия 18 удерживающего конденсатора и электрод 17b пикселя перекрывают друг друга только через изолирующую пленку затвора и неорганическую изолирующую пленку. Соответственно, становится возможным увеличить расстояние между электродом 267 конденсатора и линией 115 сигнала данных при обеспечении удерживающей емкости между электродом 17b пикселя и линией 18 удерживающего конденсатора. Это позволяет ослабить влияние короткого замыкания между электродом 267 конденсатора и линией 115 сигнала данных, улучшая, таким образом, выход продукции при производстве жидкокристаллической панели.

Модуль жидкокристаллического дисплея и устройство жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением

В настоящем варианте осуществления модуль жидкокристаллического дисплея в устройстве жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением выполнен следующим образом. А именно, с любой стороны жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим изобретением две поляризационные пластины А и В скомбинированы так, чтобы оси поляризации пластин А и В поляризации пересекаются под прямыми углами друг с другом. Кроме того, лист оптической компенсации или тому подобное может быть наложен на поляризационную пластину, если необходимо. Далее, как показано в позиции (а) на фиг.22, возбуждающие модули (возбуждающий модуль 202 затвора и возбуждающий модуль 201 истока) соединены. В следующем описании поясняется соединение с помощью способа TCP (упаковка несущей лентой) в качестве одного примера. Вначале временно прижимают ACF (анизотропную проводящую пленку) на участке вывода жидкокристаллической панели. Затем TCP, в которой загружены задающие модули, выштамповывают из несущей ленты. TCP выравнивают с электродом вывода панели, и нагревают, и, наконец, сжимают. После этого подложку 203 микросхемы (PWB: печатная плата) для соединения задающих модулей TCP вместе и входного вывода TCP соединяют вместе с помощью ACF. Таким образом, обеспечивают модуль 200 жидкокристаллического дисплея. После этого, как показано в позиции (b) на фиг.22, схема 209 управления дисплеем соединяется с возбуждающими модулями (201 и 202) модуля жидкокристаллического дисплея через печатную плату 203. При интегрировании модуля 200 жидкокристаллического дисплея и схемы 209 управления дисплеем с устройством 204 освещения (модуль задней подсветки) получают устройство 210 жидкокристаллического дисплея.

На фиг.23 показана блок-схема, представляющая конфигурацию устройства жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением. Как показано на чертеже, устройство жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением включает в себя блок дисплея (жидкокристаллическую панель), возбуждающий модуль (SD) истока, возбуждающий модуль (GD) затвора и схему управления дисплеем. Возбуждающий модуль истока осуществляет управление линией сигнала затвора, возбуждающий модуль затвора осуществляет управление линией сигнала развертки, а схема управления дисплеем управляет возбуждающим модулем истока и возбуждающим модулем затвора.

Схема управления дисплеем принимает от внешнего источника сигнала (например, тюнера) цифровой видеосигнал Dv, характеризующий изображение, предназначенное для отображения; сигнал HSY горизонтальной синхронизации и сигнал VSY вертикальной синхронизации, каждый из которых соответствует цифровому видеосигналу Dv; и сигнал DC управления, предназначенный для управления работой дисплея. Кроме того, схема управления генерирует на основе сигналов Dv, HSY, VSY, и DC, принятых таким образом, сигнал SSP импульса начала данных, сигнал SCK тактовой частоты данных, сигнал DA цифрового изображения, указывающий изображение, предназначенное для отображения (сигнал, соответствующий видеосигналу Dv), сигнал GSP запускающего импульса затвора, сигнал GCK тактовой частоты затвора и сигнал управления выходом возбуждающего модуля затвора (сигнал GOE управления выходом сигнала развертки), каждый из которых используется как сигнал для установления возможности отображения блоком дисплея изображения, характеризуемого цифровым видеосигналом Dv, и схема управления дисплеем выводит эти сигналы.

Более конкретно видеосигнал Dv подвергают регулировке синхронизации и т.д. во внутреннем запоминающем устройстве, в случае необходимости, и затем выводят как сигнал DA цифрового изображения из схемы управления дисплеем. Сигнал SCK тактовой частоты данных генерируют как сигнал, состоящий из импульсов, соответствующих пикселям изображения, обозначенного сигналом DA цифрового изображения. Сигнал SSP запускающего импульса данных генерируют на основе сигнала HSY горизонтальной синхронизации, как сигнал, который имеет высокий (Н) уровень только в течение определенного периода относительно каждого периода горизонтальной развертки. Сигнал GSP запускающего импульса затвора генерируют на основе сигнал VSY вертикальной синхронизации, как сигнал, который имеет уровень Н только в течение заданного периода относительно каждого периода кадра (каждого период вертикального развертки). Сигнал GCK тактовой частоты затвора генерируют на основе сигнала HSY горизонтальной синхронизации. Сигнал GOE управления выходом возбуждающего модуля затвора генерируют на основе сигнала HSY горизонтальной синхронизации и сигнала DC управления.

Среди сигналов, генерируемых таким образом, схема управления дисплеем, сигнал DA цифрового изображения, сигнал POL инверсии полярности, предназначенный для управления потенциалом сигнала (потенциалом сигнала данных), сигнал SSP запускающего импульса данных и сигнал SCK тактовой частоты данных вводят на возбуждающий модуль истока, а сигнал GSP запускающего импульса затвора, сигнал GCK тактовой частоты затвора и сигнал GOE управления выходом возбуждающего модуля затвора подают на возбуждающий модуль затвора.

На основе сигнала DA цифрового изображения, сигнал SCK тактовой частоты данных, сигнал SSP запускающего импульса данных и сигналы POL инверсии полярности, возбуждающий модуль истока последовательно генерирует аналоговое напряжение (напряжение сигнала), соответствующее значениям пикселей в каждой линии сигнала развертки изображения, представленного сигналом DA цифрового изображения, и выводит эти сигналы данных в линии сигналы данных соответственно.

На основе сигнала GSP запускающего импульса затвора, сигнала GCK тактовой частоты затвора и сигнала GOE управления выходом затвора возбуждающий модуль затвора генерирует импульсы включения затвора и выводит эти импульсы включения затвора в линии сигнала развертки, соответственно, для избирательного возбуждения линий сигнала развертки.

Как описано выше, возбуждающий модуль истока и возбуждающий модуль затвора возбуждают линии сигнала данных и линии сигнала развертки в блоке дисплея (жидкокристаллическая панель) таким образом, что потенциал сигнала записывается в электрод пикселя из линии сигнала данных через транзистор (TFT), соединенный с выбранной линией сигнала развертки. Таким образом, в отдельных подпикселях напряжение прикладывают к слою жидких кристаллов, и приложение напряжения управляет степенью пропускания света от задней подсветки, обеспечивая возможность отображение подпикселей изображения, обозначенного цифровым видеосигналом Dv.

Далее, в следующем тексте поясняется один пример конфигурации применения устройства жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением в телевизионном приемнике. На фиг.24 показана блок-схема, представляющая конфигурацию устройства 800 дисплея для телевизионного приемника. Устройство 800 дисплея включает в себя модуль 84 жидкокристаллического дисплея, схему 80 разделения Y/C, схему 81 видеоизображения сигнала цветности, A/D преобразователь 82, контроллер 83 жидкого кристалла, схему 85 возбуждения задней подсветки, заднюю подсветку 86, микрокомпьютер 87 и схему 88 градации. Модуль 84 дисплея на жидких кристаллах включает в себя: жидкокристаллическую панель; и возбуждающий модуль истока, и возбуждающий модуль затвора, каждый из которых предназначен для возбуждения жидкокристаллической панели.

В устройстве 800 дисплея в соответствии с описанной выше конфигурацией комплексный цветной видеосигнал Scv, как телевизионный сигнал, вводят извне в схему 80 разделения Y/C. В схеме 80 разделения Y/C комплексный цветной видеосигнал Scv разделяют на сигнал яркости и сигнал цветности. Сигнал яркости и сигнал цветности преобразуют в аналоговые сигналы RGB, соответствующие трем основным цветам света в схеме 81 насыщенности видеоизображения. Кроме того, аналоговые сигналы RGB преобразуются в цифровые сигналы RGB с помощью A/D преобразователя 82. Цифровые сигналы RGB подают в контроллер 83 жидких кристаллов. Кроме того, в схеме 80 разделения Y/C горизонтальные и вертикальные сигналы синхронизации, выделенные из сложного цветного видеосигнала Scv, вводят извне. Такие сигналы синхронизации также вводят в контроллер 83 жидких кристаллов через микрокомпьютер 87.

Модуль 84 дисплея на жидких кристаллах принимает от контроллера 83 жидких кристаллов цифровые сигналы RGB, а также как сигналы моментов времени, основанные на сигналах синхронизации с заданными моментами времени. Кроме того, схема 88 градации генерирует потенциалы градации, соответствующие трем основным цветам R, G и В для цветного отображения, и подает потенциалы градации в модуль 84 жидкокристаллического дисплея. В модуле 84 жидкокристаллического дисплея сигналы управления (сигналы данных = потенциалы сигналов, сигналы развертки и т.д.) генерируют с помощью возбуждающего модуля истока, возбуждающего модуля затвора и т.д. в модуле 84 жидкокристаллического дисплея в соответствии с сигналами RGB, сигналы моментов времени и потенциалы градации, а также цветное изображение отображают с помощью жидкокристаллической панели в модуле 84 отображения жидких кристаллов. Для обеспечения возможности отображения изображения модулем 84 жидкокристаллического дисплея требуется излучение света с задней стороны панели жидкого кристалла в модуле отображения жидких кристаллов. В жидкокристаллическом дисплее 800 под управлением микрокомпьютера 87 схема 85 возбуждения задней подсветки осуществляет управление задней подсветкой 86 для излучения света с задней стороны жидкокристаллической панели. Управление всей системой, включая в себя упомянутые выше процессы, осуществляется с помощью микрокомпьютера 87. В качестве видеосигнала (комплексного цветного видеосигнала), подаваемого снаружи, можно использовать не только видеосигнал в соответствии с телевизионной широковещательной передачей, но также и видеосигнал, снятый с помощью камеры или поданный через Интернет. В жидкокристаллическом дисплее 800 можно выполнять отображение изображения в соответствии с различными видеосигналами.

При отображении изображения с помощью устройства 800 жидкокристаллического дисплея в соответствии с телевизионной широковещательной передачей блок 90 тюнера подключают к устройству 800 жидкокристаллического дисплея, как показано на фиг.25, таким образом, что будет получен телевизионный приемник 601 в соответствии с настоящим изобретением. Блок 90 тюнера выделяет сигнал канала, который должен быть принят, среди волн (высокочастотных сигналов), принятых антенной (не показана), и преобразует сигнал канала в сигнал промежуточной частоты. Блок 90 тюнера детектирует сигнал промежуточной частоты, выделяя в результате комплексный цветной видеосигнал Scv как телевизионный сигнал. Комплексный цветной видеосигнал Scv поступает в устройство 800 дисплея, как описано выше, в виде, отображаемом устройством 800 дисплея в соответствии с комплексным цветным видеосигналом Scv.

На фиг.26 показан вид в перспективе с покомпонентным представлением деталей, представляющий один пример конфигурации телевизионного приемника в соответствии с настоящим изобретением. Как показано на фиг.26, настоящий телевизионный приемник 601 включает в себя в качестве составляющих элементов первый корпус 801 и второй корпус 806 в дополнение к устройству 800 дисплея. Устройство 800 жидкокристаллического дисплея расположено так, что первый и второй корпуса 801 и 806 удерживают устройство 800 дисплея так, что в нем находится устройство 800 дисплея. Первый корпус 801 имеет отверстие 801а для передачи изображения, отображаемого в устройстве 800 жидкокристаллического дисплея. С другой стороны, второй корпус 806 покрывает заднюю сторону устройства 800 жидкокристаллического дисплея. Во втором корпусе 806 предусмотрена рабочая схема 805, предназначенная для обеспечения работы устройства 800 дисплея. Во втором корпусе 806 дополнительно предусмотрен опорный элемент 808, находящийся ниже них.

В изобретении, описанном таким образом, должно быть очевидно, что один и тот же способ может изменяться различным образом. Такие изменения не следует рассматривать, как выход за пределы сущности и объема изобретения, и все такие модификации, как очевидно для специалистов в данной области техники, предназначены для включения их в пределы объема нижеприведенной формулы изобретения.

Промышленная применимость

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением и жидкокристаллическая панель, включающая в себя подложку активной матрицы, предпочтительно применимы, например, в телевизоре на жидких кристаллах.

Список номеров ссылочных позиций

101-104: пиксель

12: транзистор

15: линия сигнала данных

16: линия сигнала развертки

17а-17с: первый-третий электроды пикселей

18: линия удерживающего конденсатора

21: органическая изолирующая пленка затвора

22: неорганическая изолирующая пленка затвора

25: неорганическая межслойная изолирующая пленка

26: органическая межслойная изолирующая пленка

51а, 51b: тонкая область

67: электрод емкостной связи

84: модуль жидкокристаллического дисплея

601: телевизионный приемник

800: устройство жидкокристаллического дисплея

Похожие патенты RU2475792C2

название год авторы номер документа
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, МОДУЛЬ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2009
  • Цубата Тосихиде
RU2488152C2
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2009
  • Цубата Тошихиде
RU2478224C2
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙНЫЙ БЛОК, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2009
  • Цубата Тошихиде
RU2490724C2
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, МОДУЛЬ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ, УСТРОЙСТВО ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ, ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК И СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ПОДЛОЖКИ АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ 2009
  • Цубата Тосихиде
RU2478225C2
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, МОДУЛЬ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ, УСТРОЙСТВО ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2009
  • Цубата Тосихиде
RU2475790C2
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ 2009
  • Цубата Тосихиде
RU2469367C1
ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО, МОДУЛЬ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2008
  • Цубата Тосихиде
RU2452989C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2008
  • Цубата Тосихиде
RU2453882C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ 2010
  • Мацумото Тосихиро
  • Мурата Мицухиро
  • Кавахира Юити
RU2509326C1
УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ ДЛЯ УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК 2010
  • Китаяма Масаэ
  • Симосикирё Фумикадзу
  • Ириэ Кентаро
RU2488894C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 475 792 C2

Реферат патента 2013 года ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК

Подложка активной матрицы включает в себя первый и второй электроды (17а, 17b) пикселя в каждой области пикселя, первый электрод (17а) пикселя соединен с линией (15) сигнала данных через транзистор (12), второй электрод (17b) пикселя соединен с первым электродом (17а) пикселя через конденсатор, сформированный между вторым электродом пикселя (17b) и электродом (67) емкостной связи, электрически соединенным с первым электродом (17а) пикселя, второй электрод (17b) пикселя перекрывает линию (18) удерживающего конденсатора через изолирующий слой, а изолирующий слой имеет тонкую область (51а), расположенную так, чтобы она составляла по меньшей мере часть участка, который не перекрывает электрод (67) емкостной связи. 8 н. и 16 з.п. ф-лы, 28 ил.

Формула изобретения RU 2 475 792 C2

1. Подложка активной матрицы, содержащая линию сигнала данных, линию сигнала развертки, транзистор, соединенный с линией сигнала данных и с линией сигнала развертки, и линию удерживающего конденсатора, при этом подложка активной матрицы дополнительно содержит первый электрод пикселя и второй электрод пикселя в каждой области пикселя,
первый электрод пикселя соединен с линией сигнала данных через транзистор,
второй электрод пикселя соединен с первым электродом пикселя через конденсатор, сформированный между вторым электродом пикселя и электродом емкостной связи, электрически соединенным с первым электродом пикселя, причем второй электрод пикселя перекрывает линию удерживающего конденсатора через изолирующую пленку, а
изолирующая пленка содержит тонкую область, расположенную так, что она занимает по меньшей мере часть участка, не перекрывающего электрод емкостной связи.

2. Подложка активной матрицы по п.1, в которой
изолирующая пленка включает в себя первую область, вторую область и третью область,
каждая область из первой области, второй области и третьей области перекрывает линию удерживающего конденсатора и второй электрод пикселя, первая область и третья область содержат тонкую область, а вторая область содержит участок, перекрывающий электрод емкостной связи и второй электрод пикселя, при этом
первая область, вторая область и третья область выровнены в указанном порядке вдоль направления, в котором проходит линия сигнала развертки.

3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой
линия отвода, отходящая от проводящего электрода транзистора, и электрод емкостной связи соединены друг с другом на плоскости, на которой расположены линия отвода и электрод емкостной связи, и линия отвода соединена с первым электродом пикселя через контактное отверстие.

4. Подложка активной матрицы по п.1, в которой изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, покрывающую канал транзистора, и/или изолирующую пленку затвора.

5. Подложка активной матрицы по п.4, в которой
изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, причем
межслойная изолирующая пленка включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом тонкая область на изолирующей пленке выполнена путем утончения органической изолирующей пленки или удаления органической изолирующей пленки.

6. Подложка активной матрицы по п.4 или 5, в которой
изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, при этом
межслойная изолирующая пленка выполнена так, что по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи является тонкой.

7. Подложка активной матрицы по п.6, в которой
межслойная изолирующая пленка включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи выполнена так, что органическая изолирующая пленка утончена или органическая изолирующая пленка удалена.

8. Подложка активной матрицы по п.4, в которой
изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора, изолирующая пленка затвора включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом
тонкая область на изолирующей пленке выполнена путем утончения органической изолирующей пленки или удаления органической изолирующей пленки.

9. Подложка активной матрицы по п.4 или 8, в которой
изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора, при этом
изолирующая пленка затвора выполнена так, что по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи является тонкой.

10. Подложка активной матрицы по п.9, в которой
изолирующая пленка затвора включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом
по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи выполнена так, что органическая изолирующая утончена или органическая изолирующая пленка удалена.

11. Подложка активной матрицы по п.5, в которой
органическая изолирующая пленка включает в себя акриловую смолу, и/или эпоксидную смолу, и/или полиимидную смолу, и/или полиуретановую смолу, и/или смолу новолак, и/или силоксановую смолу.

12. Подложка активной матрицы по п.5 или 8, в которой
первый электрод пикселя и линия сигнала развертки частично перекрывают друг друга.

13. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая участок ответвления удерживающего конденсатора, отходящий от линии удерживающего конденсатора,
причем участок ответвления удерживающего конденсатора отходит от линии удерживающего конденсатора так, что участок ответвления удерживающего конденсатора проходит вдоль линии сигнала данных и перекрывает край второго электрода пикселя или проходит за пределами края.

14. Подложка активной матрицы по п.1, в которой
зазор между первым электродом пикселя и вторым электродом пикселя имеет функцию управления выравниванием.

15. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая третий электрод пикселя в упомянутой каждой области пикселя, при этом
третий электрод пикселя электрически соединен с первым электродом пикселя.

16. Подложка активной матрицы по п.15, в которой
первый электрод пикселя, второй электрод пикселя и третий электрод пикселя выровнены в указанном порядке вдоль направления, в котором проходит линия сигнала данных.

17. Подложка активной матрицы, содержащая: транзистор, соединенный с линией сигнала развертки; и линию удерживающего конденсатора, при этом каждая область пикселя включает в себя: первый электрод пикселя, соединенный с одним проводящим электродом транзистора; второй электрод пикселя, перекрывающий линию удерживающего конденсатора; и электрод емкостной связи, перекрывающий линию удерживающего конденсатора и второй электрод пикселя,
один проводящий электрод или другой проводящий электрод транзистора электрически соединен с электродом емкостной связи, и
в части области, где второй электрод пикселя перекрывает линию удерживающего конденсатора, но не перекрывает электрод емкостной связи, по меньшей мере одна из множества изолирующих пленок, выполненных между линией удерживающего конденсатора и вторым электродом пикселя, является более тонкой, чем область, окружающая упомянутую по меньшей мере одну из множества изолирующих пленок.

18. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по п.6 и противоположную подложку, обращенную к подложке активной матрицы, при этом
противоположная подложка имеет выпуклость на ее поверхности, причем выпуклость обращена к области подложки активной матрицы, в которой межслойная изолирующая пленка является тонкой.

19. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по п.9 и противоположную подложку, обращенную к подложке активной матрицы, при этом
противоположная подложка имеет выпуклость на ее поверхности, причем выпуклость обращена к области подложки активной матрицы, в которой изолирующая пленка затвора является тонкой.

20. Жидкокристаллическая панель по п.18, в которой
линия удерживающего конденсатора проходит в направлении строки, и при проектировании выпуклости поверхности противоположной подложки на слой, в котором выполнена линия удерживающего конденсатора, проецируемая выпуклость располагается между двумя краями линии удерживающего конденсатора в направлении строки.

21. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по п.1 или 17.

22. Жидкокристаллический модуль отображения, содержащий жидкокристаллическую панель по п.21 и устройство возбуждения.

23. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее жидкокристаллический модуль отображения по п.22 и устройство - источник света.

24. Телевизионный приемник, содержащий жидкокристаллическое устройство отображения по п.23 и блок тюнера для приема телевизионной широковещательной передачи.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2013 года RU2475792C2

JP 2006039290 А, 09.02.2006
JP 2008097009 А, 24.04.2008
Пломбировальные щипцы 1923
  • Громов И.С.
SU2006A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ (ВАРИАНТЫ) 2000
  • Замбалаев Е.Б.
RU2226291C2

RU 2 475 792 C2

Авторы

Цубата Тосихиде

Даты

2013-02-20Публикация

2009-07-09Подача