Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы, включающей в себя множество электродов пикселя в области пикселя, и к жидкокристаллическому устройству отображения (режим разделения пикселя), в котором используется подложка активной матрицы.
Уровень техники
В качестве меры для улучшения зависимости от угла обзора гамма-характеристик в жидкокристаллических устройствах отображения (например, сдерживания излишней яркости и т.п. экрана), было предложено жидкокристаллическое устройство отображения, которое управляет множеством подпикселей в пикселе так, что они имеют разную яркость, так что обеспечивается возможность отображения полутонов путем модуляции этих подпикселей по площади (режим разделения пикселей; например, см. Патентную литературу 1).
Подложка активной матрицы, раскрытая в Патентной литературе 1 (см. фиг.36), имеет два электрода 190а и 190b пикселя, расположенные в области пикселя; электрод 178 истока транзистора соединен с линией 171 данных, а электрод 175 стока соединен с электродом 190а пикселя через контактное отверстие 185. Кроме того, соединительный электрод 176 соединен с электродом 175 стока транзистора через удлинитель 177. Кроме того, соединительный электрод 176 и электрод 190b пикселя перекрывают друг друга, и конденсатор связи образуется на этой перекрываемой части (режим разделения пикселя с емкостной связью).
Жидкокристаллическое устройство отображения, в котором используется такая подложка активной матрицы, позволяет сделать подпиксели, смежные с электродом 190а пикселя, яркими подпикселями, а подпиксели, смежные с электродом 190b пикселя, темными подпикселями. Таким образом, можно отображать полутон, используя модуляцию по площади этих ярких подпикселей и темных подпикселей.
Список литературы
Патентная литература
Патентная литература 1
Публикация заявки на японский патент, Tokukai, №2006-221174 (дата публикации: 24 августа 2006 г.).
Раскрытие изобретения
Техническая задача
Однако, при использовании описанной выше подложки активной матрицы, конденсатор связи формируется в части, где электрод 190b пикселя и соединительный электрод 176 перекрывают друг друга. Следовательно, для получения достаточной емкости связи соединительный электрод 176 должен иметь большую площадь, в результате чего снижается апертура.
Цель настоящего изобретения состоит в увеличении апертуры подложки активной матрицы в режиме разделения пикселя с емкостной связью.
Решение задачи
Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением включает в себя: линию сигнала данных; первую изолирующую пленку; вторую изолирующую пленку; транзистор; первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор; второй электрод пикселя; первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя; и второй электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя, при этом второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя, второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с образованием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, а второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с образованием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
В соответствии с такой конфигурацией, два конденсатора связи (конденсатор, сформированный между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и конденсатор, сформированный между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя), сформированы в направлении толщины подложки, и эти два конденсатора связи включены параллельно для обеспечения соединения первого и второго электродов пикселя через два включенных параллельно конденсатора связи. В результате можно увеличить апертуру путем уменьшения площади, занимаемой вторым электродом конденсатора, без изменения емкости связи и увеличить емкость связи, без изменения площади второго электрода конденсатора (то есть без изменения апертуры).
В этом случае, второй электрод пикселя и первый электрод конденсатора могут быть соединены через контактное отверстие, выполненное через первую изолирующую пленку и вторую изолирующую пленку. Кроме того, конфигурация может быть такой, что транзистор имеет проводящий электрод, через который транзистор соединен с первым электродом пикселя через контактное отверстие, а первый электрод пикселя соединен со вторым электродом конденсатора через контактное отверстие, отличающееся от контактного отверстия, соединяющего проводящий электрод транзистора и первый электрод пикселя.
Кроме того, подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением включает в себя: линию сигнала данных; первую изолирующую пленку; вторую изолирующую пленку; транзистор; первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор; второй электрод пикселя; первый электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя; и второй электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя, при этом второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя, второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и первый электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя.
В соответствии с этой конфигурацией, два конденсатора связи (конденсатор, сформированный между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и конденсатор, сформированный между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя) сформированы в направлении толщины подложки, и эти два конденсатора связи включены параллельно для обеспечения соединения первого и второго электродов пикселя через включенные параллельно два конденсатора связи. В результате можно увеличить апертуру путем уменьшения площади второго электрода конденсатора без изменения емкости связи, и увеличить емкость связи без изменения площади второго электрода конденсатора (то есть без изменения апертуры).
В этом случае первый электрод пикселя и первый электрод конденсатора могут быть соединены через контактное отверстие, выполненное через первую изолирующую пленку и вторую изолирующую пленку.
В настоящей подложке активной матрицы первый электрод конденсатора находится в том же слое, что и линия сигнала развертки. Кроме того, второй электрод конденсатора может находиться в том же слое, что и линия сигнала данных.
В настоящей подложке активной матрицы вторая изолирующая пленка может быть выполнена так, что ее толщина не больше толщины первой изолирующей пленки. Кроме того, первая изолирующая пленка может представлять собой изолирующую пленку затвора. Кроме того, вторая изолирующая пленка может представлять собой межслойную изолирующую пленку, покрывающую канал транзистора.
Настоящая подложка активной матрицы может быть выполнена так, что первый электрод конденсатора имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и второй электрод конденсатора также имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и на виде сверху в перспективе подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны от соответствующих краев второго электрода конденсатора.
Настоящая подложка активной матрицы может быть выполнена таким образом, что первый электрод конденсатора имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и второй электрод конденсатора также имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и на виде сверху в перспективе подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны от соответствующих краев первого электрода конденсатора.
Настоящая подложка активной матрицы может быть выполнена так, что она дополнительно включает в себя провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
Настоящая подложка активной матрицы включает в себя: первую изолирующую пленку; вторую изолирующую пленку; транзистор; первый электрод пикселя, электрически соединенный с транзистором; второй электрод пикселя; первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя; и второй электрод конденсатора, электрически соединенный с транзистором, при этом второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя; второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
Описанная выше конфигурация может дополнительно включать в себя: третий электрод конденсатора, соединенный со вторым электродом конденсатора, в том же слое, что и второй электрод конденсатора; и провод накопительного конденсатора, формирующий конденсатор с третьим электродом конденсатора.
Настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя подложку активной матрицы. Кроме того, настоящая жидкокристаллическая панель может быть выполнена так, что она включает в себя: подложку активной матрицы; и противоположную подложку, имеющую линейный выступ для контроля выравнивания, который расположен таким образом, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под этим линейным выступом. Кроме того, настоящая жидкокристаллическая панель может быть выполнена так, что она включает в себя подложку активной матрицы; и противоположную подложку, включающую в себя общий электрод (противоположный электрод), который содержит прорезь для контроля выравнивания, расположенную так, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под этой прорезью.
Настоящий модуль жидкокристаллического дисплея включает в себя: жидкокристаллическую панель и модуль возбуждения. Кроме того, настоящее жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя модуль жидкокристаллического дисплея; и модуль источника света. Кроме того, телевизионный приемник включает в себя жидкокристаллическое устройство отображения и блок тюнера, выполненный с возможностью приема телевизионной широковещательной передачи.
Полезные результаты изобретения
Как описано выше, в соответствии с настоящей подложкой активной матрицы, два конденсатора связи сформированы в направлении толщины подложки, и эти два конденсатора связи включены параллельно, обеспечивая связь между первым и вторым электродами пикселя через включенные параллельно два конденсатора связи. В результате можно увеличить апертуру путем уменьшения площади, занимаемой вторым электродом конденсатора, без изменения емкости связи и увеличить емкость связи без изменения площади второго электрода конденсатора (то есть без изменения апертуры).
Краткое описание чертежей
На фиг.1 показан вид сверху, иллюстрирующий один пример конфигурации настоящей жидкокристаллической панели.
На фиг.2 показана эквивалентная схема настоящей жидкокристаллической панели.
На фиг.3 показан вид в разрезе по линии X-Y жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1.
На фиг.4 показана временная диаграмма, иллюстрирующая способ возбуждения жидкокристаллического устройства отображения, включающего в себя жидкокристаллическую панель, представленную на фиг.1.
На фиг.5 показан схематичный вид, иллюстрирующий покадровое состояние отображения в случае, когда используется способ возбуждения, показанный на фиг.4.
На фиг.6 показан вид сверху, иллюстрирующий, как скорректировать жидкокристаллическую панель, представленную на фиг.1.
На фиг.7 показан вид в разрезе по линии X-Y жидкокристаллической панели, представленной на фиг.6.
На фиг.8 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1.
На фиг.9 показан вид сверху, иллюстрирующий другую конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.
На фиг.10 показан вид в разрезе, иллюстрирующий жидкокристаллическую панель по фиг.9.
На фиг.11 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.9.
На фиг.12 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели, представленной на фиг.11.
На фиг.13 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.11.
На фиг.14 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по фиг.13.
На фиг.15 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.
На фиг.16 показан вид сверху другой модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.
На фиг.17 показан вид сверху еще одной модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1.
На фиг.18 показан вид сверху другой модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.
На фиг.19 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.15.
На фиг.20 показан вид сверху еще одной модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.
На фиг.21 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.20.
На фиг.22 показан вид сверху другой модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.9.
На фиг.23 показан вид сверху, иллюстрирующий еще одну конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.
На фиг.24 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.23.
На фиг.25 показан вид сверху, иллюстрирующий другую модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.23.
На фиг.26 показана эквивалентная схема, иллюстрирующая еще одну конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.
На фиг.27 показан вид сверху, в частности, иллюстрирующий пример жидкокристаллической панели, представленной на фиг.26.
На фиг.28 схематично показан вид, иллюстрирующий состояние отображения полутона жидкокристаллическим устройством отображения, включающим в себя жидкокристаллическую панель по фиг.26.
На фиг.29 (а) схематично представлен вид, иллюстрирующий конфигурацию настоящего жидкокристаллического модуля отображения, и (b) схематично показан вид, иллюстрирующий конфигурацию настоящего жидкокристаллического устройства отображения.
На фиг.30 показана блок-схема, иллюстрирующая общую конфигурацию настоящего жидкокристаллического устройства отображения.
На фиг.31 показана блок-схема, иллюстрирующая функции настоящего жидкокристаллического устройства отображения.
На фиг.32 показана блок-схема, иллюстрирующая функции настоящего телевизионного приемника.
На фиг.33 показан вид в перспективе с покомпонетным представлением деталей, иллюстрирующий конфигурацию настоящего телевизионного приемника.
На фиг.34 показан вид сверху, иллюстрирующий еще одну конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.
На фиг.35 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по фиг.34.
На фиг.36 показан вид сверху, иллюстрирующий конфигурацию обычной жидкокристаллической панели.
Осуществление изобретения
Один вариант осуществления в соответствии с настоящим изобретением будет описан ниже, со ссылкой на фиг.1-35. Для простоты пояснения, направление, в котором проходит линия сигнала развертки, обозначено как направление строки. Однако само собой разумеется, что линия сигнала развертки может проходить в горизонтальном направлении или в вертикальном направлении в используемом (просматриваемом) состоянии жидкокристаллического устройства отображения, включающего в себя настоящую жидкокристаллическую панель (или подложку активной матрицы, используемую в нем). Следует отметить, что каждый из чертежей жидкокристаллической панели представлен с соответствующим исключением структур управления выравниванием (например, прорезей, предусмотренных в электроде пикселя подложки активной матрицы, и ребер, сформированных на подложке цветного фильтра).
На фиг.2 показана эквивалентная схема одной части жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим вариантом осуществления (например, в нормально черном режиме). Как показано на фиг.2, настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя: линии 15х и 15y сигнала данных, которые проходят в направлении столбца (вертикальное направление на фиг.2); линии 16х и 16у сигнала развертки, которые проходят в направлении строки (горизонтальное направление на фиг.2); пиксели (101-104), которые выровнены в направлениях столбца и строки; линии 18р и 18q накопительных конденсаторов; и общий электрод (противоэлектрод) com. Конфигурации пикселей идентичны друг другу. Следует отметить, что столбец пикселей, включающий в себя пиксели 101 и 102, расположен смежно со столбцом пикселей, включающим в себя пиксели 103 и 104, а строка пикселей, включающая в себя пиксели 101 и 103, расположена смежно со строкой пикселей, включающей в себя пиксели 102 и 104.
В настоящей жидкокристаллической панели один пиксель связан с одной линией сигнала данных, одной линией сигнала развертки и одним проводом накопительного конденсатора. Кроме того, один пиксель включает в себя два электрода пикселя, которые выровнены друг относительно друга в направлении столбца.
Например, в пикселе 101, электрод 17а пикселя соединен с линией 15х сигнала данных через транзистор 12а, который соединен с линией 16х сигнала развертки, а электрод 17а пикселя соединен с электродом 17b пикселя через конденсаторы Cab1 и Cab2 связи. Накопительный конденсатор Cha сформирован между электродом 17а пикселя и проводом 18р накопительных конденсаторов, а накопительный конденсатор Chb сформирован между электродом 17b пикселя и проводом 18р накопительных конденсаторов. Жидкокристаллический конденсатор Сlа сформирован между электродом 17а пикселя и общим электродом com, а жидкокристаллический конденсатор Clb сформирован между электродом 17b пикселя и общим электродом com. Следует отметить, что конденсаторы Cab1 и Cab2 связи включены параллельно.
В жидкокристаллическом устройстве отображения, включающем в себя настоящую жидкокристаллическую панель, когда выбрана линия 16х сигнала развертки, электрод 17а пикселя соединен с линией 15х сигнала данных (через транзистор 12а). Поскольку электрод 17а пикселя соединен с электродом 17b пикселя через конденсаторы Cab1 и Cab2 связи, то |Va|>|Vb|, где Va представляет собой электрический потенциал электрода 17а пикселя, после которого транзистор 12а переключается в состояние ВЫКЛЮЧЕНО, а Vb представляет собой электрический потенциал электрода 17b пикселя, после которого транзистор 12а переключается в состояние ВЫКЛЮЧЕНО (следует отметить, что |Vb|, например, обозначает разность электрических потенциалов между Vb и электрическим потенциалом corn (=Vcom)). В результате, подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя, становится ярким подпикселем, а подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя, становится темным подпикселем, что позволяет отображать полутона с помощью модуляции по площади этих ярких подпикселей и темных подпикселей. Следовательно, можно улучшить характеристики угла обзора для настоящего жидкокристаллического устройства отображения.
На фиг.1 иллюстрируется частный пример пикселя 101, показанного на фиг.2. Для простоты представления на фиг.1 приведены только элементы подложки активной матрицы, а элементы подложки цветного фильтра (против подложки) не представлены на чертеже. Как показано на фиг.1, транзистор 12а расположен вблизи места пересечения линии 15х сигнала данных и линии 16х сигнала развертки; электрод 8 истока транзистора 12а соединен с линией 15х сигнала данных, линия 16х сигнала развертки также используется как электрод затвора транзистора 12а, а электрод 9 стока транзистора 12а соединен с вытянутым электродом 27 стока. В области пикселя, отделенной двумя линиями (15х и 16х) сигнала, электрод 17а пикселя (первый электрод пикселя), расположенный ближе к транзистору 12а, и электрод 17b пикселя (второй электрод пикселя) выровнены относительно друг друга в направлении столбца.
Кроме того, вытянутый электрод 27 стока соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а, а также соединен с электродом 37 конденсатора верхнего слоя (вторым электродом конденсатора) в том же слое. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя продолжается до места, где электрод 17b пикселя прерывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, электрод 77 конденсатора нижнего слоя (первый электрод конденсатора) расположен так, что его перекрывает электрод 17b пикселя и электрод 37 конденсатора верхнего слоя, при этом электрод 77 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11f. Следует отметить, что два края электрода 37 конденсатора верхнего слоя расположены ниже электрода 17b пикселя, и эти края проходят вдоль направления столбца, и два края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены ниже электрода 17b пикселя, и эти края проходят вдоль направления столбца. На виде сверху в перспективе оба края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренних сторон соответствующих краев электрода 37 конденсатора верхнего слоя.
В данном варианте осуществления электрод 77 конденсатора нижнего слоя расположен в том же слое, что и линия 16х сигнала развертки, а электрод 37 конденсатора верхнего слоя расположен в том же слое, что и линия 15х сигнала данных. На участке, где электрод 77 конденсатора нижнего слоя, электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 17b пикселя перекрывают друг друга, изолирующая пленка затвора расположена между электродом конденсатора 77 нижнего слоя и электродом 37 конденсатора верхнего слоя, и межслойная изолирующая пленка расположена между электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя. В результате, конденсатор Cab1 связи (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя, а конденсатор Cab2 связи (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя.
Кроме того, провод 18р накопительных конденсаторов расположен так, что он пересекает область пикселя. Электрод 17а пикселя и электрод 17b пикселя перекрывают провод 18р накопительных конденсаторов так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате, накопительный конденсатор Cha (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает провод 18р накопительных конденсаторов, и накопительный конденсатор Chb (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает провод 18р накопительного конденсатора.
На фиг.3 показан вид в разрезе по линии X-Y на фиг.1. Как представлено на фиг.3, настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя подложку 3 активной матрицы, подложку 30 цветного фильтра, обращенную к подложке активной матрицы 3, и слой 40 жидких кристаллов, расположенный между этими двумя подложками (3 и 30). Подложка 3 активной матрицы содержит линию 16х сигнала развертки, провод 18р накопительных конденсаторов и электрод 77 конденсатора нижнего слоя, расположенные на стеклянной подложке 31, и на этих элементах изолирующая пленка 22 затвора расположена так, что она покрывает эти элементы. Вытянутый электрод 27 стока и электрод 37 конденсатора верхнего слоя расположены в слое выше изолирующей пленки 22 затвора. Хотя они не показаны на виде в разрезе, полупроводниковый слой (слой i и слой n+), электрод 8 истока и электрод 9 стока, которые находятся в контакте со слоем n+, и линия 15х сигнала данных сформированы в слое выше изолирующей пленки 22 затвора. Кроме того, межслойная изолирующая пленка 25 (неорганическая межслойная изолирующая пленка) выполнена так, что она покрывает этот металлический слой. Электроды 17а и 17b пикселя выполнены на межслойной изолирующей пленке 25, и выравнивающая пленка 7 выполнена так, что она покрывает эти электроды пикселя. В контактном отверстии 11a межслойная изолирующая пленка 25 выполнена со сквозным отверстием через нее, что позволяет соединять электрод 17а пикселя с электродом 37 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, в контактном отверстии 11f изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 выполнены со сквозным отверстием через них, обеспечивая, таким образом, возможность соединения электрода 17b пикселя с электродом 77 конденсатора нижнего слоя.
В варианте осуществления электрод 77 конденсатора нижнего слоя накладывается на электрод 37 конденсатора верхнего слоя так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 77 конденсатора нижнего слоя и электродом 37 конденсатора верхнего слоя, и конденсатор Cab1 связи (см. фиг.2) образуется на этом (77, 37) перекрытии. Кроме того, электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 17b пикселя так, что межслойная изолирующая пленка 25 расположена между электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя, и конденсатор Cab2 связи (см. фиг.2) образуется на этом участке (37, 17b) перекрытия. Кроме того, провод 18р накопительных конденсаторов перекрыт электродом 17а пикселя так, что изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя; в результате чего на этом участке (18р, 17а) перекрытия образуется накопительный конденсатор Cha (см. фиг.2). Аналогично, провод 18р накопительных конденсаторов перекрыт электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17b пикселя, в результате чего накопительный конденсатор Chb (см. фиг.2) образуется на этом участке (18р, 17b) перекрытия.
Материал и толщина изолирующей пленки 22 затвора, и материал и толщина межслойной изолирующей пленки 25 определяются с учетом (i) функций изолирующей пленки 22 затвора, в качестве изолирующей пленки затвора, (ii) функций межслойной изолирующей пленки 25, как защитной пленки канала транзистора, и, дополнительно, с учетом (in) требуемой емкости связи. В варианте осуществления используется нитрид кремния (SiNx) для каждой из изолирующей пленки 22 затвора и межслойной изолирующей пленки 25, и межслойная изолирующая пленка 25 образована более тонкой, чем изолирующая пленка 22 затвора.
В то же время подложка 30 цветного фильтра имеет цветной слой (слой цветного фильтра) 14, расположенный на стеклянной подложке 32, и общий электрод (com) 28 расположен в слое выше цветного слоя 14. Кроме того, выравнивающая пленка 19 образована на общем электроде 28 так, что она покрывает общий электрод 28.
На фиг.4 показана временная диаграмма, иллюстрирующая способ возбуждения настоящего жидкокристаллического устройства отображения (жидкокристаллическое устройство отображения с нормально черным режимом), включающего в себя панель, представленную на фиг.1 и 2. Sv и SV представляют собой электрические потенциалы сигнала, которые подают в линии 15х и 15y сигнала данных (см. фиг.2), соответственно; Gx и Gy представляют собой сигналы импульса включения затвора, которые подают в линии 16х и 16у сигнала развертки, соответственно; Va-Vd представляют собой электрические потенциалы электродов 17а-17d пикселя, соответственно; а VA и АВ представляют собой электрические потенциалы электродов 17А и 17В пикселя, соответственно.
Как показано на фиг.4, в таком способе возбуждения линии сигнала развертки последовательно выбирают для (i) инверсии полярности электрического потенциала сигнала, подаваемого в линии сигнала данных за один период (1Н) горизонтальной развертки, и (ii) инверсии полярности электрического потенциала сигнала, который подают в каждый из периодов горизонтальной развертки, имеющий идентичный обычный порядковый номер в соответствующих кадрах для модулей размером в один кадр. Кроме того, электрические потенциалы сигнала противоположных полярностей подают в две соседние линии сигнала данных в один идентичный период горизонтальной развертки.
Более конкретно, в случае последовательных кадров F1 и F2, в F1 последовательно выбирают линию сигнала развертки; в одну из двух смежных линий сигнала данных подают электрический потенциал сигнала с положительной полярностью в первый период горизонтальной развертки (например, включающий в себя период записи электрода 17а пикселя), и электрический потенциал сигнала с отрицательной полярностью подают во второй период горизонтальной развертки; в другую одну из двух линий сигнала данных электрический потенциал сигнала с отрицательной полярностью подают в первый период горизонтальной развертки, и электрический потенциал сигнала положительной полярности подают во второй период горизонтальной развертки. В результате, |Va|>|Vb| и |Vc|>|Vd|, как показано на фиг.4; например, подпиксель, включающий в себя электрод пикселя 17а (положительной полярности) становится ярким подпикселем (ниже, "яркий"), подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя (положительной полярности) становится темным подпикселем (ниже, "темный"), подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя (отрицательной полярности) становится "ярким", и подпиксель, включающий в себя электрод 17d пикселя (отрицательной полярности) становится "темным". В целом, подпиксели становятся такими, как показано в позиции (а) на фиг.5.
Кроме того, в момент времени F2 последовательно выбирают линию сигнала развертки; в одну из двух соседних линий сигнала данных подают сигнал в виде электрического потенциала отрицательной полярности в первый период горизонтальной развертки (например, включающий в себя период записи электрода 17а пикселя), и электрический потенциал сигнала положительной полярности подают во второй период горизонтальной развертки; в другую из двух линий сигнала данных электрический потенциал сигнала положительной полярности подают в первый период горизонтальной развертки, и электрический потенциал сигнала отрицательной полярности подают во второй период горизонтальной развертки. В результате, |Va|>|Vb| и |Vc[>|Vd|, как представлено на фиг.4; например, подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя (отрицательной полярности) становится "ярким", подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя (отрицательной полярности) становится "темным", подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя (положительной полярности) становится "ярким", и подпиксель, включающий в себя электрод 17d пикселя (положительной полярности) становится "темным". В целом, подпиксели становятся такими, как показано в позиции (b) на фиг.5.
Хотя структура управления выравниванием не показана на фиг.1 и 3, например, в жидкокристаллической панели в режиме MVA (многодоменное вертикальное выравнивание), прорези для управления выравниванием предусмотрены на каждом из электродов пикселей подложки активной матрицы, и ребра для управления выравниванием предусмотрены на подложке с цветными фильтрами. Вместо ребра на общем электроде подложки цветного фильтра может быть предусмотрена прорезь для управления выравниванием.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.1, имеет конденсатор Cab1 связи (конденсатор связи на участке, где электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя) и конденсатор Cab2 связи (конденсатор связи на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя), образованные в направлении толщины подложки, причем конденсаторы Cab1 и Cab2 связи включены параллельно. Это позволяет соединять электроды 17а и 17b пикселя через параллельно включенные конденсаторы Cab1 и Cab2 связи. В результате, становится возможным увеличить апертуру путем уменьшения площади электрода 37 конденсатора верхнего слоя без изменения емкости связи, и увеличить емкость связи без изменения площади электрода 37 конденсатора верхнего слоя (без изменения апертуры).
Кроме того, в настоящей жидкокристаллической панели нитрид кремния (SiNx) используется для каждой из изолирующей пленки 22 затвора и межслойной изолирующей пленки 25, и межслойную изолирующую пленку 25 формируют более тонкой, чем изолирующая пленка 22 затвора. Толщина изолирующей пленки 22 затвора значительно влияет на свойства транзистора, и при этом нежелательно в значительной степени изменять ее толщину для достижения эффекта увеличения апертуры или увеличения емкости связи. С другой стороны, толщина межслойной изолирующей пленки 25 (пленка защиты канала) относительно мало влияет на свойства транзистора. Следовательно, для улучшения описанного выше эффекта, при сохранении свойств транзистора предпочтительно уменьшить толщину межслойной изолирующей пленки 25, и предпочтительно, как и в настоящей жидкокристаллической панели, сделать толщину межслойной изолирующей пленки 25 более тонкой, чем толщина изолирующей пленки 22.
Кроме того, поскольку оба края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 37 конденсатора верхнего слоя на виде сверху в перспективе настоящей жидкокристаллической панели, емкость связи вряд ли изменится, даже если выравнивание электрода 77 конденсатора нижнего слоя или электрода 37 конденсатора верхнего слоя будет сдвинуто в направлении строки (устойчивость в отношении сдвига выравнивания). С учетом устойчивости к сдвигу выравнивания оба края электрода конденсатора 37 верхнего слоя могут быть расположены с внутренних сторон соответствующих краев электрода 77 конденсатора нижнего слоя. Однако, как показано на фиг.1, в результате того, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя имеет большую ширину и электрод 37 конденсатора верхнего слоя образует конденсатор связи как с электродом 77 конденсатора нижнего слоя, так и с электродом 17b пикселя, можно улучшить такие эффекты, как увеличение апертуры или еще большее увеличение емкости связи.
Если электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 77 конденсатора нижнего слоя замкнуть накоротко на фиг.1 и 3, электрод 17а пикселя и электрод 17b пикселя также будут короткозамкнуты. Однако в таком случае можно исправить это короткое замыкание с сохранением конденсатора Cab2 связи (конденсатора связи между электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя) путем обрезки для удаления части электрода 17b пикселя, причем эта часть расположена внутри контактного отверстия 11f.
Ниже описан способ изготовления настоящей жидкокристаллической панели. Способ изготовления жидкокристаллической панели включает в себя этап изготовления подложки активной матрицы, этап изготовления подложки цветного фильтра и этап сборки путем соединения двух подложек вместе и заполнения жидким кристаллом пространства между двумя подложками.
Вначале на подложке, изготовленной из стекла, пластика или тому подобного, формируют металлическую пленку из титана, хрома, алюминия, молибдена, тантала, вольфрама, меди или подобного металла, или пленку из сплава этих металлов, или ламинированную пленку из этих металлов (толщиной от 1000 до 3000 Å) путем напыления, и после этого формируют структуру, используя фотолитографическую технологию (процесс фотогравировки, называемый "технологией PEP"), для формирования линии сигнала развертки (электрода затвора транзистора), провода накопительных конденсаторов и электрода конденсатора нижнего слоя.
Далее, на всей подложке, на которой были сформированы линия сигнала развертки и т.п., формируют неорганическую изолирующую пленку (имеющую толщину приблизительно 4000 Å) из нитрида кремния, оксида кремния или подобного материала с использованием CVD (химическое осаждение из паровой фазы) для формирования изолирующей пленки затвора.
Затем, на изолирующей пленке затвора (вся подложка) последовательно формируют пленку аморфного кремния с собственной проводимостью (имеющую толщину от 1000 до 3000 Å) и пленку n+ аморфного кремния (имеющую толщину от 400 до 700 Å), которую легируют фосфором, используя способ CVD, и после этого выполняют структурирование, используя технологию PEP, для формирования на электроде затвора кремниевой многослойной структуры в форме острова из слоя аморфного кремния с собственной проводимостью и слоя аморфного n+ кремния.
После этого на всей подложке, на которой сформирована многослойная структура из кремния, формируют путем напыления металлическую пленку, изготовленную из титана, хрома, алюминия, молибдена, тантала, вольфрама, меди или подобного металла, или пленку в виде сплава из этих металлов, или многослойную пленку из этих металлов (имеющую толщину от 1000 до 3000 Å). Затем выполняют структурирование, используя технологию PEP, для формирования линии сигнала данных, электрода истока и электрода стока транзистора, вытянутого электрода стока и электрода конденсатора верхнего слоя (формируя слой металла).
Кроме того, слой n+ аморфного кремния, включенного в многослойную структуру кремния, удаляют путем вытравливания таким образом, что электрод истока и электрод стока используются как маска, формируя, таким образом, канал транзистора. Здесь полупроводниковый слой может быть сформирован из аморфной кремниевой пленки, как описано выше, однако может также быть сформирован путем формирования поликремниевой пленки. Кроме того, аморфную кремниевую пленку или пленку из поликремния можно подвергнуть процессу лазерного отжига для улучшения ее кристалличности. В результате этого происходит ускорение перемещения электронов в полупроводниковом слое и улучшаются свойства транзистора (TFT).
Затем на всей подложке, на которой сформированы линии сигнала данных и т.п., формируют неорганическую изолирующую пленку (имеющую толщину приблизительно 3000 Å) из нитрида кремния, оксида кремния или тому подобного способом CVD для формирования межслойной изолирующей пленки.
После этого межслойную изолирующую пленку или межслойную изолирующую пленку и изолирующую пленку затвора удаляют путем вытравливания с помощью технологии PEP, чтобы открыть контактное отверстие. На участке, где открывают контактное отверстие 11а на фиг.1 и 3, межслойную изолирующую пленку удаляют, а на участке, где открывают контактное отверстие 11f, удаляют межслойную изолирующую пленку и изолирующую пленку затвора.
Затем на всей подложке, на которой была сформирована межслойная изолирующая пленка и в которой были открыты контактные отверстия, формируют прозрачную электропроводную пленку (имеющую толщину от 1000 до 2000 Å), изготовленную из ITO (оксид индия и олова), IZO (оксид индия и цинка), оксида цинка, оксида кремния, оксида олова или подобного материала, путем напыления, и после этого выполняют структурирование, используя технологию PEP, формируя, таким образом, электроды пикселя.
В конечном итоге, печатают полиимидную полимерную смолу на всей подложке, на которой сформированы электроды пикселей, так чтобы получить толщину от 500 до 1000 Å. После этого эту полимерную смолу подвергают тепловой обработке и затем натирают в одном направлении, используя вращающуюся ткань, для формирования пленки выравнивания. В результате описанного выше изготавливают подложку активной матрицы.
В дальнейшем описании подробно описан этап изготовления подложки цветного фильтра.
Вначале на подложке (всей подложке), изготовленной из стекла, пластика или подобного материала, формируют тонкую пленку из хрома или пленку из полимерной смолы, включающую в себя черный пигмент. После этого выполняют структурирование с использованием технологии PEP для формирования черной матрицы. Затем в зазорах черной матрицы формируют слой цветного фильтра из красного, зеленого и синего (имеющий толщину приблизительно 2 мкм), используя структурирование с использованием технологии распыления пигмента или тому подобной.
После этого на всей подложке, на которой был сформирован слой цветного фильтра, формируют прозрачную электропроводную пленку (имеющую толщину приблизительно 1000 Å), из ITO, IZO, оксида цинка, оксида олова или подобного материала, для формирования общего электрода (com).
В конечном итоге, на всей подложке, на которой расположен общий электрод, печатают полиимидную полимерную смолу, так чтобы она имела толщину от 500 до 1000 Å, и после этого эту полиимидную полимерную смолу подвергают тепловой обработке и затем натирают в одном направлении, используя вращающуюся ткань, для формирования пленки выравнивания. В результате описанной выше обработки изготавливают подложку цветного фильтра.
Следующее описание относится к этапу сборки.
Вначале на одну из подложку активной матрицы и подложку цветного фильтра наносят уплотнительный материал, изготовленный из термореактивной эпоксидной смолы или подобного материала, используя печать через трафарет для формирования рамки, в части которой формируют отверстие для впрыска жидкого кристалла; а на другой подложке расставляют сферические разделители, изготовленные из пластика или двуокиси кремния, причем эти разделители имеют диаметр, соответствующий толщине слоя жидкого кристалла.
Затем подложку активной матрицы и подложку цветного фильтра склеивают вместе, и герметизирующий материал подвергают отверждению.
В конечном итоге, в пространство, окруженное подложкой активной матрицы, подложкой цветного фильтра и уплотнительным материалом, впрыскивают материал жидкого кристалла, используя процедуру откачки воздуха. После этого на отверстие впрыска жидкого кристалла наносят полимерную смолу, отверждаемую ультрафиолетовым излучением, для герметизации материала жидкого кристалла под действием ультрафиолетового излучения, формируя, таким образом, жидкокристаллический слой. В результате описанного выше изготавливают жидкокристаллическую панель.
Как показано на фиг.3, межслойная изолирующая пленка 25 (неорганическая межслойная изолирующая пленка), показанная на фиг.3, может иметь межслойную органическую изолирующую пленку 26, которая расположена на межслойной изолирующей пленке 25, причем межслойная органическая изолирующая пленка 26 выполнена более толстой, чем межслойная изолирующая пленка 25. В результате получают двухслойную защитную пленку (25, 26) канала, как показано на фиг.7. Такая конфигурация позволяет достичь такого эффекта, как снижение различной паразитной емкости, недопущение короткого замыкания между проводами и уменьшение вероятности разлома электродов пикселя из-за уменьшения толщины. В этом случае, как представлено на фиг.6 и 7, предпочтительно, чтобы межслойная органическая изолирующая пленка 26 была выполнена со сквозным отверстием на участке Kx, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя. Это позволяет достичь описанного выше эффекта при обеспечении достаточной емкости связи. Кроме того, предпочтительно, чтобы для межслойной органической изолирующей пленки 26 участок Kу, перекрывающий провод 18р накопительного конденсатора, был выполнен со сквозным отверстием. Это позволяет достичь описанного выше эффекта при обеспечении достаточной емкости накопления. Кроме того, настоящая конфигурация обеспечивает возможность уменьшения паразитной емкости между линией сигнала развертки и электродом пикселя и уменьшения паразитной емкости между линией сигнала данных и электродом пикселя. Следовательно, как показано на фиг.6 и 7, становится возможным увеличить апертуру, благодаря тому, что электрод пикселя перекрывает линию сигнала данных и линию сигнала развертки.
Межслойная изолирующая пленка 25 (межслойная неорганическая изолирующая пленка), межслойная органическая изолирующая пленка 26 и контактные отверстия 11a и 11f, каждое из которых представлено на фиг.7, могут быть выполнены, например, как описано ниже. А именно после формирования линии транзистора и линии сигнала данных формируют межслойную изолирующую пленку 25 (пленку пассивации), изготовленную из SiNx, имеющую толщину приблизительно 3000 Å, с помощью CVD, для того чтобы закрыть всю подложку, используя смешанный газ, включающий в себя газ SiHU, газ NH3 и газ N2. После этого органическую межслойную изолирующую пленку 26, изготовленную из фоточувствительной акриловой полимерной смолы положительного типа, имеющей толщину приблизительно 3 мкм, формируют путем нанесения покрытия способом центрифугирования или нанесения покрытия в матрице. Затем формируют участки со сквозными отверстиями и различные контактирующие структуры межслойной органической изолирующей пленки 26 путем фотолитографии, и дополнительно межслойную изолирующую пленку 25 подвергают сухому травлению, используя смешанный газ, включающий в себя газ CF4 и газ O2, так чтобы структурированная органическая межслойная изолирующая пленка 26 использовалась как маска. Более конкретно, например, для участка органической межслойной изолирующей пленки со сквозным отверстием выполняют половину экспозиции на этапе фотолитографии так, что во время, когда проявление будет закончено, остается тонкая органическая межслойная межслойная изолирующая пленка, тогда как для участка контактного отверстия выполняют полную экспозицию на этапе фотолитографии так, что во время, когда заканчивается проявление, не остается какой-либо органической межслойной изолирующей пленки. Здесь, после выполнения сухого травления с использованием смешанного газа, включающего в себя газ CF4 и газ O2, на участке органической межслойной изолирующей пленки со сквозным отверстием удалена остаточная пленка (из органической межслойной изолирующей пленки), на участке контактного отверстия 11а удалена межслойная изолирующая пленка 25, расположенная под органической межслойной изолирующей пленкой, и на участке контактного отверстия 11f удалена межслойная изолирующая пленка 25 и изолирующая пленка 22 затвора, расположенные ниже органической межслойной изолирующей пленки. То есть на участке контактного отверстия 11a травление прекращают при удалении межслойной изолирующей пленки 25, и обнажении поверхности вытянутого электрода 27 стока (например, пленку из А1), а на участке контактного отверстия 11f травление прекращают при удалении межслойной изолирующей пленки 25 и изолирующей пленки 22 затвора и обнажении поверхности электрода 77 конденсатора нижнего слоя (например, пленки из А1). Следует отметить, что органическая межслойная изолирующая пленка 26 может представлять собой изолирующую пленку, изготовленную, например, из материала SOG (нанесение способом центрифугирования на стекло), и органическая межслойная изолирующая пленка 26 может включать в себя по меньшей мере одну из акриловой полимерной смолы, эпоксидной полимерной смолы, полиамидной полимерной смолы, полиуретановой полимерной смолы, смолы типа новолак и силоксановой полимерной смолы.
Рассматривая снова фиг.1, можно видеть, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя проходит от вытянутого электрода 27 стока к электроду 17b пикселя (фиг.1). Однако электрод 37 конденсатора верхнего слоя также может быть укорочен, как показано на фиг.8. Более конкретно, вытянутый электрод 27 стока соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а, тогда как электрод 37 конденсатора верхнего слоя соединен с электродом 17а пикселя на участке ближе к электроду 17b пикселя, через контактное отверстие 11i. Это сокращает длину электрода 37 конденсатора верхнего слоя, позволяя, таким образом, увеличить апертуру.
Другой конкретный пример пикселя 101, показанного на фиг.2, представлен на фиг.9. На фиг.9 транзистор 12а расположен вблизи пересечения линии 15х сигнала данных и линии 16х сигнала развертки. Электрод 8 истока транзистора 12а соединен с линией 15х сигнала данных, причем линия 16х сигнала развертки используется также как электрод затвора транзистора 12а, а электрод 9 стока транзистора 12а соединен с вытянутым электродом 27 стока. В области пикселя, ограниченной двумя линиями (15х и 16х) сигналов, электрод 17а пикселя (первый электрод пикселя) расположен ближе к транзистору 12а, а электрод 17b пикселя (второй электрод пикселя) выровнен в направлении столбца.
Электрод 47 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11j, проходили так, что его перекрывает электрод 17а пикселя, и, кроме того, электрод 87 конденсатора нижнего слоя расположен так, что его перекрывает электрод 17а пикселя и электрод 47 конденсатора верхнего слоя. Электрод 87 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11g. Кроме того, электрод 17а пикселя соединен с вытянутым электродом 27 стока через контактное отверстие 11а.
Электрод 47 конденсатора верхнего слоя имеет два края, расположенные под электродом 17а пикселя, и эти края проходят вдоль направления столбца, и электрод 87 конденсатора нижнего слоя также имеет два края, расположенные ниже электрода 17а пикселя, и эти края проходят вдоль направления столбца. На виде сверху оба края электрода 87 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 47 конденсатора верхнего слоя.
В данном варианте осуществления электрод 87 конденсатора нижнего слоя сформирован в том же слое, что и линия 16х сигнала развертки, а электрод 47 конденсатора верхнего слоя сформирован в том же слое, что и линия 15х сигнала данных. На участке, где электрод 87 конденсатора нижнего слоя, электрод 47 конденсатора верхнего слоя и электрод 17а пикселя перекрывают друг друга, изолирующая пленка затвора расположена между электродом 87 конденсатора нижнего слоя и электродом 47 конденсатора верхнего слоя, а межслойная изолирующая пленка расположена между электродом 47 конденсатора верхнего слоя и электродом 17а пикселя. В результате формируется конденсатор Cab1 связи на участке, где электрод конденсатора 47 верхнего слоя перекрывает электрод 87 конденсатора нижнего слоя, и формируется конденсатор Cab2 связи на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает электрод 47 конденсатора верхнего слоя.
Кроме того, провод 18р накопительных конденсаторов расположен так, что он пересекает область пикселя. Провод 18р накопительных конденсаторов расположен так, что его перекрывают электрод 17а пикселя и электрод 17b пикселя так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате, накопительный конденсатор Cha формируется на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает провод 18р накопительного конденсатора, а накопительный конденсатор Chb формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает провод 18р накопительных конденсаторов.
На фиг.10 показан вид в разрезе по линии X-Y на фиг.9. Как показано на фиг.10, настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя подложку 3 активной матрицы, подложку 30 цветного фильтра, обращенную к подложке 3 активной матрицы, и жидкокристаллический слой 40, расположенный между двумя подложками (3 и 30). Подложка 3 активной матрицы имеет провод 18р накопительных конденсаторов и электрод 87 конденсатора нижнего слоя, сформированные на стеклянной подложке 31, и изолирующая пленка 22 затвора выполнена так, что она закрывает провод 18р накопительных конденсаторов и электрод 87 конденсатора нижнего слоя. В слое, расположенном сверху от изолирующей пленки 22 затвора, сформированы электрод 47 конденсатора верхнего слоя и вытянутый электрод 27 стока. Кроме того, межслойная изолирующая пленка 25 выполнена так, что она закрывает этот слой металла. Электроды 17а и 17b пикселя сформированы на межслойной изолирующей пленке 25 и, кроме того, выравнивающая пленка 7 выполнена так, что она закрывает электроды пикселя. В контактном отверстии 11j межслойная изолирующая пленка 25 сформирована со сквозным отверстием, которое в результате соединяет электрод 17b пикселя с электродом 47 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, в контактном отверстии 11a межслойная изолирующая пленка 25 выполнена со сквозным отверстием, в результате электрод 17а пикселя соединяется с вытянутым электродом 27 стока. Кроме того, в контактном окне 11g межслойная изолирующая пленка 25 и изолирующая пленка 22 затвора выполнены со сквозным отверстием, в результате чего соединяется электрод 87 конденсатора нижнего слоя с электродом 17а пикселя.
В данном варианте осуществления электрод 87 конденсатора нижнего слоя перекрывается электродом 47 конденсатора верхнего слоя так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 87 конденсатора нижнего слоя и электродом 47 конденсатора верхнего слоя. На этом участке (87 и 47) перекрытия формируется конденсатор Cab1 связи (см. фиг.2). Кроме того, электрод 47 конденсатора верхнего слоя перекрывается электродом 17а пикселя так, что межслойная изолирующая пленка 25 располагается между электродом 47 конденсатора верхнего слоя и электродом 17а пикселя, и на этом участке (47 и 17а) перекрытия формируется конденсатор Саb2 связи (см. фиг.2). Кроме того, провод 18р накопительных конденсаторов перекрывается электродом 17а пикселя так, что изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 располагается между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя, и на этом участке (18р и 17а) перекрытия формируется накопительный конденсатор Cha (см. фиг.2). Аналогично, провод 18р накопительных конденсаторов перекрывается электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 расположены между проводом 18р накопительного конденсатора и электродом 17b пикселя, и на этом участке (18р и 17b) перекрытия формируется накопительный конденсатор Chb (см. фиг.2).
Конфигурация, показанная на фиг.9, позволяет не только достичь эффекта увеличения апертуры и повышения емкости связи, но также и получить преимущества, состоящие в том, что благодаря соединению электрода 87 конденсатора нижнего слоя не с электродом 17b пикселя, а с электродом 17а пикселя, можно удерживать на низком уровне возникновение "склеивания" изображения электрода 17b пикселя, который находится в электрически плавающем состоянии.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.9, также может быть выполнена, как показано на фиг.11. А именно электрод 87 конденсатора нижнего слоя проходит до положения, где на электрод 87 конденсатора нижнего слоя перекрывает вытянутый электрод 27 стока, причем электрод 87 конденсатора нижнего слоя, вытянутый электрод 27 стока и электрод 17а пикселя соединены через контактное отверстие 11s. Это позволяет свести два контактных отверстия (11а и 11g) на фиг.9 в одно контактное отверстие 11s. Ориентация жидкого кристалла на участке, где предусмотрено контактное отверстие, часто нарушается из-за неровности уровня, и это может быть замечено визуально; однако сведение вместе контактных отверстий в одно, как описано выше, уменьшает область, в которой нарушена ориентация жидкого кристалла, позволяя, таким образом, улучшить качество отображения. В случае, когда такое нарушение ориентации жидкого кристалла скрыто из-за использования пленки, экранирующей свет (например, черной матрицы), или скрыто путем расширения электрода конденсатора нижнего слоя, сведение вместе контактных отверстий в одно отверстие уменьшает область экранирования света, обеспечивая, таким образом, увеличение апертуры.
На фиг.12 показан вид в разрезе по линии X-Y, представленной на фиг.11. Как показано на фиг.12, в контактном отверстии 11j межслойная изолирующая пленка 25 содержит сквозное отверстие, которое, в результате, соединяет электрод 17b пикселя с электродом 47 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, в контактном отверстии 11s межслойная изолирующая пленка 25 и изолирующая пленка 22 затвора выполнены со сквозными отверстиями, в результате чего соединяются электрод 87 конденсатора нижнего слоя, вытянутый электрод 27 стока и электрод 17а пикселя. Следует отметить, что на участке, где сформировано контактное отверстие 11s, изолирующая пленка 22 затвора должна быть удалена в результате вытравливания, например, используя технологию PEP, перед формированием вытянутого электрода 27 стока.
Жидкокристаллическая панель по фиг.11 может быть выполнена, как представлено на фиг.13. А именно участок 99 сквозного отверстия открыт в вытянутом электроде 27 стока так, что он перекрывает часть проема контактного отверстия 11s. Например, участок 99 сквозного отверстия и контактное отверстие 11s открыты так, что внешний контур участка 99 сквозного отверстия расположен внутри внешнего контура проема контактного отверстия 11s. Это позволяет одновременно открывать контактные отверстия 11s и 11j без выполнения вытравливания изолирующей пленки 22 затвора, используя технологию PEP, причем такое вытравливание требуется в конфигурации фиг, 11 и 12 (перед формированием вытянутого электрода 27 стока).
Например, в случае, когда смешанный газ, включающий в себя газ CF4 и газ O2, используется при вытравливании межслойной изолирующей пленки, вытравление прекращается после удаления межслойной изолирующей пленки 25 на участке, где открыто контактное отверстие 11j и поверхность (например, А1) вытянутого электрода 27 стока обнажена, и на участке, где открыт сквозной участок 99, вытравливание прекращают после удаления межслойной изолирующей пленки 25 и изолирующей пленки 22 затвора после того, как обнажится поверхность (например, А1) электрода 87 конденсатора нижнего слоя. Кроме того, на этом этапе можно удалить изолирующую пленку затвора и межслойную изолирующую пленку, расположенную в слое выше конечного участка линии сигнала развертки, для того, чтобы открыть конечный участок линии сигнала развертки (для соединения конечного участка линии сигнала развертки с внешним соединительным выводом). В качестве вытравливающего средства также можно использовать другое, помимо смешанных газов, средство, содержащее буферное вещество HP (BHF), в котором фтороводородная кислота (HF) смешана с фторидом аммония (NH4F).
Жидкокристаллическая панель, представленная на фиг.8, может быть выполнена так, как показано на фиг.15. А именно, хотя на фиг.8 это не показано, жидкокристаллическая панель MVA имеет, как показано на фиг.15, прорези SL для управления выравниванием, предусмотренные в электродах пикселя подложки активной матрицы, и ребра (линейные выступы) Li для управления выравниванием, предусмотренные на подложке цветного фильтра. Благодаря тому, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 77 конденсатора нижнего слоя подложки активной матрицы предусмотрены ниже ребер Li в данном варианте осуществления, можно увеличить апертуру.
Кроме того, в жидкокристаллической панели MVA бывают случаи, когда в электроде пикселя подложки активной матрицы предусмотрены прорези SL для управления выравниванием, а в общем электроде (противоэлектроде) подложки цветного фильтра предусматривают прорези sl для управления выравниванием, как показано на фиг.16. В этом случае электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 77 конденсатора нижнего слоя подложки активной матрицы могут быть расположены ниже прорезей sl общего электрода для увеличения апертуры.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.1, может быть модифицирована, как показано на фиг.17. А именно провод 18р накопительных конденсаторов расположен вблизи линии 16х сигнала развертки. В этом случае провод 18р накопительного конденсатора перекрывается только электродом 17а пикселя, так что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя, и на этом участке перекрытия формируется накопительный конденсатор между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя. В случае, когда межслойная изолирующая пленка имеет определенную толщину, вытянутый электрод 27 стока может быть вытянут так, что он будет перекрывать провод 18р накопительных конденсаторов для того, чтобы обеспечить накопительную емкость. Аналогично, жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.8, может быть модифицирована, как представлено на фиг.18. А именно провод 18р накопительных конденсаторов располагается близко к линии 16х сигнала развертки. В этом случае провод 18р накопительных конденсаторов перекрывается только электродом 17а пикселя, так что изолирующая пленка затвора и неорганическая межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя, и на этом участке перекрытия формируется накопительный конденсатор между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя. Аналогично, жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.15, может быть модифицирована, как представлено на фиг.19. А именно провод 18р накопительных конденсаторов расположен близко к линии 16х сигнала развертки. В такой конфигурации вытянутый электрод 27 стока проходит так, что он перекрывает провод 18р накопительных конденсаторов для того, чтобы обеспечить накопительную емкость. В этом случае провод 18р накопительных конденсаторов перекрывается вытянутым электродом 27 стока так, что только изолирующая пленка затвора расположена между проводом 18р накопительных конденсаторов и вытянутым электродом 27 стока, и на этом участке перекрытия формируется большая часть накопительной емкости между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя.
Жидкокристаллическая панель по фиг.8 также может модифицирована, как показано на фиг.20. Жидкокристаллическая панель, представленная на фиг.20, включает в себя электрод 17b пикселя V-образной формы, если смотреть вдоль направления строки, а электрод 17а пикселя расположен так, что он окружает электрод 17b пикселя. Более конкретно, электрод 17b пикселя имеет два края Е1 и Е2, каждый из которых расположен под углом 45 градусов относительно направления строки, и имеет два края Е3 и Е4, каждый из которых расположен под углом 315 градусов относительно направления строки. Зазор между краем Е1 и соответствующим краем электрода 17а пикселя, проходящим параллельно краю Е1, используется как прорезь SL1 для управления выравниванием, зазор между краем Е2 и соответствующим краем электрода 17а пикселя, проходящим параллельно краю Е2, используется как прорезь SL2 для управления выравниванием, зазор между краем Е3 и соответствующим краем электрода 17а пикселя, продолжающимся параллельно краю Е3, используется как прорезь SL3 для управления выравниванием, а зазор между краем Е4 и соответствующим краем электрода 17а пикселя, проходящим параллельно краю Е4, используется как прорезь SL4 для управления выравниванием.
В этой конфигурации вытянутый электрод 27 стока соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11i, проходит так, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя проходит под прорезью SL3. Кроме того, электрод 77 конденсатора нижнего слоя расположен так, что его перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 17b пикселя, и соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11f. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя имеет два края, расположенные ниже электрода 17b пикселя под углом 315 градусов относительно направления строки, и электрод 77 конденсатора нижнего слоя также имеет два края, расположенные ниже электрода 17b пикселя под углом 315 градусов относительно направления строки. На виде сверху оба края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 37 конденсатора верхнего слоя. В такой конфигурации конденсатор Cab1 связи формируется на участке, где электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя, а конденсатор Cab2 связи формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя. Провод 18р накопительных конденсаторов расположен так, что пересекает область пикселя. Провод 18р накопительного конденсатора перекрывается электродом 17а пикселя и электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате накопительный конденсатор формируется на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает провод 18р накопительных конденсаторов, накопительный конденсатор формируется на участке, где электрод 17b пикселя наложен на провод 18р накопительных конденсаторов.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.20, также может быть модифицирована, как показано на фиг.21. Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.21, включает в себя электрод 17b пикселя, имеющий два края Е1 и Е2, каждый из которых расположен под углом 315 градусов относительно направления строки, и имеет два края Е3 и Е4, каждый из которых расположен под углом 45 градусов относительно направления строки. Зазор между краем Е1 и соответствующим краем электрода 17а пикселя, проходящим параллельно краю Е1, используется как прорезь SL1 для управления выравниванием, и зазор между краем Е3 и соответствующим краем электрода 17а пикселя, проходящего параллельно краю Е3, используется как прорезь SL3 для управления выравниванием.
Вытянутый электрод 27 стока соединен с электродом 37 конденсатора верхнего слоя в том же слое. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя проходит в направлении столбца так, что он проходит ниже прорези SL1, затем изменяет направление на электроде 17b пикселя, располагаясь под углом 315 градусов относительно направления строки, после чего продолжается ниже ребра Li, сформированного на подложке цветного фильтра в положении между кромками Е1 и Е2 на виде сверху.
Кроме того, кольцеобразное ответвление 18рх накопительного конденсатора, которое соответствует внешней кромке электрода 17b пикселя, проходит от провода 18р накопительного конденсатора. Ответвление 18рх накопительного конденсатора перекрывается электродом 17а пикселя и электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между ответвлением 18рх накопительного конденсатора и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате, формируется накопительный конденсатор на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает ответвление 18рх накопительного конденсатора, и формируется накопительный конденсатор на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает ответвление 18рх накопительного конденсатора.
Как показано на фиг.21, благодаря тому, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя проходит ниже ребра Li, можно достичь увеличения апертуры и улучшить способность управления выравниванием. Само собой разумеется, вместо ребра Li может быть предусмотрена прорезь на общем электроде подложки SF. Кроме того, благодаря тому, что ответвление 18рх накопительного конденсатора соответствует внешней кромке электрода 17b пикселя, можно увеличить апертуру при сохранении накопительной емкости и дополнительно улучшить возможность управления выравниванием. Кроме того, также возможно достичь эффекта удержания на низком уровне "склеивания" изображения электродом 17b пикселя, который находится в электрически плавающем состоянии.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.9, может быть модифицирована, как представлено на фиг.22. Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.22, включает в себя электрод 17а пикселя треугольной формы, если смотреть вдоль направления строки, и электрод 17b пикселя, который расположен вокруг электрода 17а пикселя. Более конкретно, электрод 17а пикселя имеет край Е1, расположенный под углом 45 градусов относительно направления строки, и имеет край Е2, расположенный под углом 315 градусов относительно направления строки. Зазор между краем Е1 и соответствующим краем электрода 17b пикселя, проходящим параллельно краю Е1, используется как прорезь SL1 для управления выравниванием, а зазор между краем Е2 и соответствующим краем электрода 17b пикселя, проходящим параллельно краю Е2, используется как прорезь SL2 для управления выравниванием.
В данном варианте осуществления, вытянутый провод 57 стока, проходящий от электрода 9 стока, соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а. Электрод 47 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11j, проходит так, что он расположен ниже прорези SL2. Кроме того, электрод 87 конденсатора нижнего слоя расположен таким образом, что электрод 47 конденсатора верхнего слоя и электрод 17а пикселя перекрывают электрод 87 конденсатора нижнего слоя, и электрод 87 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11g. Следует отметить, что электрод 47 конденсатора верхнего слоя имеет два края, расположенных ниже электрода 17а пикселя, причем каждый край расположен под углом 45 градусов относительно направления строки, а электрод 87 конденсатора нижнего слоя также имеет два края, расположенные ниже электрода 17а пикселя, причем каждый край распложен под углом 45 градусов относительно направления строки. На виде сверху оба края электрода 87 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 47 конденсатора верхнего слоя.
В этой конфигурации участок, где электрод 87 конденсатора нижнего слоя, электрод 47 конденсатора верхнего слоя и электрод 17а пикселя перекрывают друг друга, имеет изолирующую пленку затвора, расположенную между электродом 87 конденсатора нижнего слоя и электродом 47 конденсатора верхнего слоя, и межслойную изолирующую пленку, расположенную между электродом 47 конденсатора верхнего слоя и электродом 17а пикселя. В результате формируется конденсатор связи на участке, где электрод 47 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 87 конденсатора нижнего слоя, и формируется конденсатор связи на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает электрод 47 конденсатора верхнего слоя. Эти два конденсатора связи включены параллельно.
Кроме того, кольцеобразное удлинение 18рх накопительного конденсатора проходит от провода 18р накопительного конденсатора, причем это удлинение 18рх накопительного конденсатора соответствует внешнему контуру электрода 17а пикселя. Удлинение 18рх накопительного конденсатора перекрывается электродом 17а пикселя и электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между удлинением 18рх накопительного конденсатора и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате формируется накопительный конденсатор на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает удлинение 18рх накопительного конденсатора, и накопительный конденсатор формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает удлинение 18рх накопительного конденсатора. Как показано на фиг.22, благодаря тому, что удлинение 18рх накопительного конденсатора соответствует внешнему контуру электрода 17а пикселя, можно увеличить апертуру при сохранении накопительной емкости и дополнительно улучшить возможность управления выравниванием.
Настоящая жидкокристаллическая панель также может быть выполнена, как показано на фиг.23. Жидкокристаллическая панель по фиг.23 имеет транзистор 12а, расположенный вблизи места пересечения линии 15х сигнала данных и линии 16х сигнала развертки; электрод 8 истока транзистора 12а соединен с линией 15х сигнала данных, линия 16х сигнала развертки также используется как электрод затвора транзистора 12а, а электрод 9 стока транзистора 12а соединен с вытянутым электродом 27 стока. Участок пикселя, отделенный двумя линиями (15х и 16х) сигнала, включает в себя электрод 17au пикселя, расположенный ближе к транзистору 12а, электрод 17b пикселя и электрод 17av пикселя, который идентичен по форме электроду 17au пикселя. Электрод 17au пикселя имеет форму равнобедренной трапеции, имеющей край Е1 и край Е2, являющиеся сторонами равной длины, при этом край Е1 расположен под углом 315 градусов относительно направления строки, а край Е2 расположен под углом 45 градусов относительно направления строки, причем сторона основания равнобедренной трапеции проходит вдоль направления столбца. Электрод 17av пикселя имеет форму равнобедренной трапеции, имеющей край Е3 и край Е4, которые являются сторонами равной длины, причем край Е3 расположен под углом 45 градусов относительно направления строки, а край Е4 расположен под углом 315 градусов относительно направления строки, при этом сторона основания равнобедренной трапеции проходит вдоль направления столбца. Электроды 17au и 17av пикселя расположены так, что когда электрод 17au пикселя поворачивается на 180 градусов, используя центр области пикселя в качестве центра поворота электрод 17au пикселя совмещается с электродом 17au пикселя. Электрод 17b пикселя имеет Z-образную форму, соответствующую электродам 17au и 17av пикселя. Кроме того, зазор между краем Е1 электрода 17au пикселя и соответствующим краем электрода 17b пикселя, проходящим параллельно краю Е1, используется как прорезь SL1 для управления выравниванием, зазор между краем Е2 электрода 17au пикселя и соответствующим краем электрода 17b пикселя, проходящим параллельно краю Е2, используется как прорезь SL2 для управления выравниванием, зазор между краем Е3 электрода 17av пикселя и соответствующим краем 17b электрода пикселя, проходящим параллельно краю Е3, используется как прорезь SL3 для управления выравниванием, и зазор между краем Е4 электрода 17av пикселя и соответствующим краем электрода 17b пикселя, проходящим параллельно краю Е4, используется как прорезь SL4 для управления выравниванием.
В данном варианте осуществления вытянутый электрод 27 стока соединен с электродом 17au пикселя через контактное отверстие 11а. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17au пикселя через контактное отверстие 11u, проходит в направлении столбца и проходит под прорезью SL2. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя затем изменяет свое направление на 90 градусов в положении под электродом 17b пикселя, проходя под электродом 17av пикселя, и оконечный участок электрода 37 конденсатора верхнего слоя и электрода 17av пикселя соединены через контактное отверстие 11v. Кроме того, электрод 77 конденсатора нижнего слоя расположен так, что электрод 77 конденсатора нижнего слоя перекрывается электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя, причем электрод 77 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11f. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя имеет два края, расположенные под электродом 17b пикселя, причем эти края вытянуты вдоль направления столбца, и электрод 77 конденсатора нижнего слоя также имеет два края, расположенные под электродом 17b пикселя, причем эти края вытянуты вдоль направления столбца. На виде сверху оба края электрода 37 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 77 конденсатора верхнего слоя. В такой конфигурации формируется конденсатор связи на участке, где электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя, и формируется конденсатор связи на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя. Эти два конденсатора связи включены параллельно.
Кроме того, кольцеобразное удлинение 18рх накопительного конденсатора, соответствующее внешнему контуру области пикселя, отходит от провода 18р накопительного конденсатора. Удлинение 18рх накопительного конденсатора перекрывается электродом 17а пикселя и электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между удлинением 18рх накопительного конденсатора и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате формируется накопительный конденсатор на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает удлинение 18рх накопительного конденсатора, и формируется накопительный конденсатор на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает удлинение 18рх накопительного конденсатора. Как показано на фиг.23, благодаря тому, что удлинение 18рх накопительного конденсатора соответствует внешнему контуру области пикселя, можно поддерживать на низком уровне склеивание изображения электрода 17b пикселя при сохранении накопительной емкости, причем электрод 17b пикселя находится в электрически плавающем состоянии.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.23, также может быть модифицирована, как представлено на фиг.24. А именно удлинение 18рх накопительного конденсатора расположено так, что оно соответствует внешнему контуру электрода 17b пикселя, а электрод 37 конденсатора верхнего слоя вытянут в направлении строки. На фиг.24 электрод 37 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17au пикселя через контактное отверстие 11u, вытянут в направлении строки посредине пикселя в направлении столбца, вначале проходит под прорезью SL2, оказываясь под электродом 17b пикселя, а затем проходит под прорезью SL3, оказываясь под электродом 17av пикселя; и оконечный участок электрода 37 конденсатора верхнего слоя соединен с электродом 17av пикселя через контактное отверстие 11v. Как показано на фиг.24, благодаря тому, что удлинение 18рх накопительного конденсатора соответствует внешнему контуру электрода 17b пикселя, можно увеличить апертуру при сохранении накопительной емкости, и дополнительно улучшить возможность управления выравниванием. Кроме того, возможно достичь эффекта поддержания на низком уровне "склеивания" изображения электрода 17b пикселя, который находится в электрически плавающем состоянии.
Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.23, также может быть модифицирована, как представлено на фиг.25. На фиг.25 электрод 37 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17au пикселя через контактное отверстие 11u, вытянут в направлении строки, а затем разветвляется по двум направлениям под электродом 17b пикселя. Одно ответвление проходит под ребром Li и вдоль ребра Li, сформированного на подложке цветного фильтра так, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя проходит под углом 315 градусов относительно направления строки между краями Е2 и Е3 электрода 17b пикселя на виде сверху. Другое ответвление проходит под прорезью SL3 и под электродом 17av пикселя, и оконечный участок этого другого ответвления электрода 37 конденсатора верхнего слоя соединен с электродом 17av пикселя через контактное отверстие 11v.
Кроме того, провод 18р накопительного конденсатора расположен так, что он пересекает область пикселя. Электрод 67b накопительного конденсатора расположен так, что он перекрывает провод 18р накопительного конденсатора, он перекрывается электродом 17b пикселя, а электрод 67av накопительного конденсатора расположен так, что он перекрывает провод 18р накопительного конденсатора, и его перекрывает электрод 17av пикселя. Электроды 67b и 67av накопительного конденсатора оба сформированы в том же слое, что и линия 15х сигнала данных. Электрод 17b пикселя соединен с электродом 67b накопительного конденсатора через контактное отверстие 11i, а электрод 17av пикселя соединен с электродом 67av накопительного конденсатора через контактное отверстие 11j.
Как показано на фиг.25, благодаря тому, что электрод конденсатора 37 верхнего слоя расположен так, что он проходит под ребром Li, можно достичь увеличения апертуры и улучить возможность управления выравниванием. Само собой разумеется, вместо ребра Li прорезь может быть расположена на общем электроде подложки CF. Кроме того, благодаря тому, что предусмотрены электроды 67b и 67av накопительного конденсатора, можно увеличить накопительную емкость между проводом 18р накопительного конденсатора и электродом 17au пикселя или электродом 17av пикселя и увеличить накопительную емкость между проводом 18р накопительного конденсатора и электродом 17b пикселя.
Пиксели, включенные в жидкокристаллическую панель, показанную на фиг.2, имеют идентичные конфигурации, однако настоящее изобретение не ограничено этим. Например, как показано на фиг.26, взаимосвязь соединений электрода пикселя с транзистором может изменяться между пикселями, которые расположены рядом друг с другом в направлении строки.
Например, в пикселе 101 электрод 17а пикселя соединен с линией 15х сигнала данных через транзистор 12а, который соединен с линией 16х сигнала развертки, и электрод 17а пикселя соединен с электродом 17b пикселя через конденсаторы Cab1 и Cab2 связи. Накопительный конденсатор Cha сформирован между электродом 17а пикселя и проводом 18р накопительного конденсатора, а накопительный конденсатор Chb сформирован между электродом 17b пикселя и проводом 18р накопительного конденсатора. Кроме того, жидкокристаллический конденсатор Cla сформирован между электродом 17а пикселя и общим электродом corn, а жидкокристаллический конденсатор Clb сформирован между электродом 17b пикселя и общим электродом com. Следует отметить, что конденсаторы Cab1 и Cab2 связи включены параллельно.
С другой стороны, в пикселе 103, который расположен рядом с пикселем 101 в направлении строки, электрод 17В пикселя, расположенный рядом с электродом 17b пикселя в направлении строки, соединен с линией 15у сигнала данных через транзистор 12А, который соединен с линией 16х сигнала развертки, а электрод 17А пикселя, смежный с электродом 17а пикселя в направлении строки, соединен с электродом 17В пикселя через конденсаторы CAB1 и САВ2 связи. Кроме того, накопительный конденсатор ChA сформирован между электродом 17А и проводом 18р накопительного конденсатора, а накопительный конденсатор ChB сформирован между электродом 17В пикселя и проводом 18р накопительного конденсатора. Кроме того, жидкокристаллический конденсатор ClA сформирован между электродом 17А пикселя и общим электродом com, и жидкокристаллический конденсатор ClB сформирован между электродом 17В пикселя и общим электродом com. Следует отметить, что конденсаторы CAB1 и САВ2 связи включены параллельно.
Частный пример пикселей 101 и 103, показанный на фиг.26, иллюстрируется на фиг.27. Схема пикселя 101 идентична показанной на фиг.8. С другой стороны, в пикселе 103 транзистор 12А расположен вблизи места пересечения линии 15у сигнала данных и линии 16х сигнала развертки; электрод истока транзистора 12А соединен с линией 15у сигнала данных, линия 16х сигнала развертки используется также в качестве электрода затвора транзистора 12А, и электрод стока транзистора 12А соединен с вытянутым электродом 127 стока. Область пикселя, разделенная двумя линиями (15у и 16х) сигналов, включает в себя электрод 17А пикселя, расположенный рядом с транзистором 12А, и электрод 17В пикселя, выровненный в направлении столбца.
Вытянутый электрод 127 удлинения стока соединен с электродом 17В пикселя через контактное отверстие 11В, и электрод 137 конденсатора верхнего слоя, соединенный с электродом 17В пикселя через контактное отверстие 11J, проходит так, что электрод 17А пикселя перекрывает электрод 137 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, электрод 277 конденсатора нижнего слоя расположен так, что его перекрывают электрод 137 конденсатора верхнего слоя и электрод 17А пикселя, при этом электрод 277 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17А пикселя через контактное отверстие 11F. Электрод 137 конденсатора верхнего слоя имеет два края, расположенные под электродом 17А пикселя, причем эти края вытянуты вдоль направления столбца, а электрод 277 конденсатора нижнего слоя также имеет два края, расположенные под электродом 17А пикселя, причем эти края проходят вдоль направления столбца. На виде сверху оба края электрода 277 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 137 конденсатора верхнего слоя.
В данном варианте осуществления электрод 277 конденсатора нижнего слоя сформирован в том же слое, что и линия 16х сигнала развертки, а электрод 137 конденсатора верхнего слоя сформирован в том же самом слое, что и линия 15у сигнала данных. На участке, где электрод 277 конденсатора нижнего слоя, электрод 137 конденсатора верхнего слоя и электрод 17А пикселя перекрывают друг друга, изолирующая пленка затвора расположена между электродом 277 конденсатора нижнего слоя и электродом 137 конденсатора верхнего слоя, а межслойная изолирующая пленка расположена между электродом 137 конденсатора верхнего слоя и электродом 17А пикселя. В результате формируется конденсатор САВ1 связи на участке, где электрод 137 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 277 конденсатора нижнего слоя, и формируется конденсатор САВ2 связи на участке, где электрод 17А пикселя перекрывает электрод 137 конденсатора верхнего слоя.
Кроме того, провод 18р накопительного конденсатора перекрывается электродом 17А пикселя и электродом 17В пикселя так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительного конденсатора и электродом 17А пикселя или электродом 17В пикселя. В результате, накопительный конденсатор ChA сформирован на участке, где электрод 17А пикселя перекрывает провод 18р накопительного конденсатора, а накопительный конденсатор ChB сформирован на участке, где электрод 17В пикселя перекрывает провод 18р накопительного конденсатора.
Как показано на фиг.28, во время отображения полутона жидкокристаллической панели, включающей в себя жидкокристаллическую панель, представленную на фиг.26 и 27, подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя, представляет собой яркий подпиксель, подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя, представляет собой темный подпиксель, подпиксель, включающий в себя электрод 17А пикселя, представляет собой темный подпиксель, и подпиксель, включающий в себя электрод 17В пикселя, представляет собой яркий подпиксель. В настоящей жидкокристаллической панели ни один из двух ярких подпикселей (темных подпикселей) не становятся смежными друг с другом в направлении строки. Следовательно, может быть достигнуто высококачественное отображение, имеющее меньшее количество неоднородностей в виде полос, по сравнению с конфигурацией, в которой яркие подпиксели (или темные подпиксели) выровнены в направлении строки.
Другая конфигурация настоящей жидкокристаллической панели показана на фиг.34, а на фиг.35 показан вид в разрезе фиг.34. Как показано на фиг.34, подложка активной матрицы жидкокристаллической панели включает в себя транзисторы 12а и 12b, соединенные с линией 16х сигнала развертки, и транзистор 112, соединенный с линией 16у сигнала развертки, который используется как следующей каскад линии 16х сигнала развертки. Область пикселя, отделенная линией 15х сигнала данных и линией 16х сигнала развертки, включает в себя: электроды 17au, 17av и 17b пикселя; электроды 67b и 67av накопительного конденсатора, электроды 87 и 97 конденсатора верхнего слоя и соединительный провод 57, причем электроды накопительного конденсатора, электроды конденсатора верхнего слоя и соединительный провод сформированы в том же слое, что и слой линии 15х сигнала данных; и электрод 77 конденсатора нижнего слоя сформирован в том же слое, что и линия 16х сигнала развертки. Форма и расположение электродов 17au, 17av и 17b пикселя идентичны показанным на фиг.25. Кроме того, электрод 17au пикселя соединен с электродом 17av пикселя через контактные отверстия 11u и 11v и соединительный провод 57. Электрод 67b накопительного конденсатора соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11i, электрод 67av накопительного конденсатора соединен с электродом 17av пикселя через контактное отверстие 11j, и электрод 77 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11f.
Следует отметить, что общий электрод 8 истока транзисторов 12а и 12b соединен с линией 15х сигнала данных, электрод 9а стока транзистора 12а соединен с электродом 17au пикселя через контактное отверстие 11а, а электрод 9b стока транзистора 12b соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11b. Кроме того, электрод 108 истока транзистора 112 соединен с электродом 67av накопительного конденсатора (соединен в том же слое), электрод 109 стока транзистора 112 соединен с электродом 87 конденсатора верхнего слоя (соединен в том же слое), а электрод 87 конденсатора верхнего слоя соединен с электродом 97 конденсатора верхнего слоя (соединен в том же слое).
В данном варианте осуществления, как показано на фиг.34 и 35, электрод 67b накопительного конденсатора перекрывает провод 18р накопительного конденсатора так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 67b накопительного конденсатора и проводом 18р накопительного конденсатора, а электрод 67av накопительного конденсатора перекрывает провод 18р накопительного конденсатора так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 67av накопительного конденсатора и проводом 18р накопительного конденсатора. Электрод 97 конденсатора верхнего слоя перекрывает провод 18р накопительного конденсатора так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 97 конденсатора верхнего слоя и проводом 18р накопительного конденсатора, и, кроме того, электрод 97 конденсатора верхнего слоя перекрывается электродом 17b пикселя так, что защитная пленка канала (слоистая пленка из неорганической межслойной изолирующей пленки 25 и органической межслойной изолирующей пленки 26, которая толще, чем неорганическая межслойная изолирующая пленка) размещена между электродом 97 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя. Электрод 87 конденсатора верхнего слоя перекрывается электродом 17b пикселя так, что защитная пленка канала (слоистая пленка из неорганической межслойной изолирующей пленки 25 и органической межслойной изолирующей пленки 26, которая толще, чем неорганическая межслойная изолирующая пленка 25) помещена между электродом 87 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя, а электрод 77 конденсатора нижнего слоя перекрывается электродом 87 конденсатора верхнего слоя так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 77 конденсатора нижнего слоя и электродом 87 конденсатора верхнего слоя. В данном варианте осуществления формируется накопительный конденсатор между электродом 17av пикселя и проводом 18р накопительного конденсатора на участке, где электрод 67av накопительного конденсатора перекрывает провод 18р накопительного конденсатора, и формируется накопительный конденсатор между электродом 17b пикселя и проводом 18р накопительного конденсатора на участке, где электрод 67b накопительного конденсатора перекрывает провод 18р накопительного конденсатора. Большая часть емкости связи между электродом 17b пикселя и электродами 17au и 17av пикселя формируется на участке, где электрод 87 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя, а остальная часть емкости связи формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 87 конденсатора верхнего слоя, и на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 97 конденсатора верхнего слоя.
Когда возбуждают жидкокристаллическую панель по фиг.34, электрический потенциал одиночного сигнала данных записывают в каждый из электродов 17au, 17av и 17b пикселя в момент времени, когда выполняют развертку в линии 16х сигнала развертки. Когда выполняют развертку в линии 16у сигнала развертки (следующий каскад), электроды 17av и 17au пикселя соединены с электродом 17b пикселя через конденсатор связи. Следовательно, во время отображения полутона, формируются темный подпиксель электродов 17au и 17av пикселя и яркий подпиксель электрода пикселя 17b.
В настоящем варианте осуществления модуль жидкокристаллического дисплея и жидкокристаллическое устройство отображения выполнены, как описано ниже. А именно две поляризующие пластины А и В наклеены на поверхность жидкокристаллической панели с обеих сторон жидкокристаллической панели так, чтобы ось поляризации поляризующей пластины А и ось поляризации поляризующей пластины В пересекались под прямым углом друг к другу. На поляризующую пластину может быть нанесен лист оптической компенсации или тому подобное, если необходимо. Далее, как показано на фиг.29 (а), жидкокристаллическая панель соединена с модулями возбуждения (модулем 202 возбуждения затвора, модулем возбуждения 201 истока). В данном варианте осуществления в качестве примера описано соединение модуля возбуждения с использованием способа TCP. Вначале ACF предварительно сжимают до участка вывода жидкокристаллической панели. Затем TCP, на котором расположен задающий модуль, выштамповывают из несущей ленты; TCP выравнивают с электродом вывода панели, и после этого TCP нагревают и плотно сжимают. После этого подложку 209 схемы (PWB) для соединения TCP модуля возбуждения с входным выводом TCP соединяют с помощью ACF. В результате, получают модуль 200 жидкокристаллического дисплея. После этого, как показано на фиг.29 (b), модули (201 и 202) возбуждения модуля жидкокристаллического дисплея соединяют в схему 209 управления отображением через подложку 201 схемы для интегрирования модулей возбуждения с устройством 204 освещения (модуль задней подсветки). В результате получают устройство 210 жидкокристаллического дисплея.
На фиг.30 показана блок-схема, иллюстрирующая конфигурацию настоящего жидкокристаллического устройства отображения. Как показано на фиг.30, настоящее жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя блок отображения (жидкокристаллическую панель), модуль возбуждения истока (SD), модуль возбуждения затвора (GD) и схему управления отображением. Модуль возбуждения истока осуществляет возбуждение линий сигнала данных, модуль возбуждения затвора осуществляет возбуждение линий сигнала развертки, а схема управления отображением управляет модулем возбуждения истока и модулем возбуждения затвора.
Схема управления отображением принимает от внешнего источника сигнала (например, тюнера) цифровой видеосигнал Dv, представляющий изображение, подлежащее отображению, сигнал HSY горизонтальной синхронизации и сигнал VSY вертикальной синхронизации, соответствующие цифровому видеосигналу Dv, и сигнал DC управления, предназначенный для управления работой дисплея. Кроме того, на основе этих принимаемых сигналов Dv, HSY, VSY и DC схема управления отображением генерирует сигналы для отображения в блоке дисплея изображения, представленного цифровым видеосигналом Dv: сигнал DDP запускающего импульса данных, сигнал SCK тактовой частоты данных, сигнал DA цифрового изображения (сигнал, соответствующий видеосигналу Dv), представляющему подлежащее отображению изображение, сигнал GSP запускающего импульса затвора, сигнал GCK тактовой частоты затвора и сигнал GOE управления выходом модуля возбуждения затвора (сигнал управления выходом сигнала развертки). Схема управления отображением затем выводит эти сигналы.
Более конкретно, схема управления отображением (i) выводит видеосигнал Dv как цифровой сигнал DA изображения после выполнения регулировок синхронизации и т.п. видеосигнала Dv, используя, в случае необходимости, внутреннее запоминающее устройство, (ii) генерирует сигнал SCK тактовой частоты данных, как сигнал, составленный из импульса, соответствующего пикселям изображения, которое представляет цифровой сигнал DA изображения, (iii) генерирует сигнал SSP запускающего импульса начала данных как сигнал, который, на основе сигнала HSY горизонтальной синхронизации, принимает высокий уровень (уровень Н) только в течение заданного времени за период горизонтальной развертки, (iv) генерирует сигнал GSP запускающего импульса затвора как сигнал, который, на основе сигнала VSY вертикальной синхронизации, принимает уровень Н только в течение заданного времени за период кадра (один период вертикальной развертки), (v) генерирует сигнал GCK тактовой частоты затвора на основе сигнала HSY горизонтальной развертки и (vi) генерирует сигнал GOE управления выходом модуля возбуждения затвора на основе сигнала HSY горизонтальной синхронизации и сигнала DC управления.
Среди сигналов, которые генерируют в схеме управления отображением, как упомянуто выше, цифровой сигнал DA изображения, сигнал POL инверсии полярности, который управляет полярностью электрического потенциала сигнала (электрического потенциала сигнала данных), сигнал SSP запускающего импульса данных и сигнал SCK тактовой частоты данных вводят в модуль возбуждения истока; в то время как сигнал GSP запускающего импульса затвора, сигнал GCK тактовой частоты затвора и сигнал GOE управления выходом модуля возбуждения затвора вводят в задающий модуль затвора.
Модуль возбуждения истока последовательно генерирует, на каждый один период горизонтальной развертки, аналоговый электрический потенциал (электрический потенциал сигнала), который эквивалентен значению пикселя в линиях сигнала развертки изображения, представленного цифровым сигналом DA изображения, на основе цифрового сигнала DA изображения, сигнала SCK тактовой частоты данных, сигнала SSP импульса начала данных и сигнала POL инверсии полярности. Модуль возбуждения истока затем выводит эти сигналы данных в линии сигнала данных.
Модуль возбуждения затвора генерирует сигнал импульса включения затвора на основе сигнала GSP запускающего импульса затвора, сигнала GCK тактовой частоты затвора и сигнала GOE управления выходом модуля возбуждения затвора и выводит сгенерированный сигнал в линию сигнала развертки. Это позволяет избирательно возбуждать линии сигнала развертки.
Благодаря возбуждению линий сигнала данных и линий сигнала развертки блока дисплея (жидкокристаллической панели) модулем возбуждения истока и модулем возбуждения затвора, как описано выше, электрический потенциал сигнала записывают в электрод пикселя из линий сигнала данных через транзистор (TFT), подключенный к выбранной линии сигнала развертки. В результате прикладывают напряжение к жидкокристаллическому слою подпикселей, которое управляет количеством света, передаваемого от задней подсветки. Это приводит к отображению изображения, представленного цифровым видеосигналом Dv на подпикселях.
Следующее описание поясняет один пример конфигурации настоящего жидкокристаллического устройства отображения в случае, когда жидкокристаллическое устройство отображения применяют в телевизионном приемнике. На фиг.31 показана блок-схема, иллюстрирующая конфигурацию жидкокристаллического устройства 800 отображения для использования в телевизионном приемнике. Жидкокристаллическое устройство 800 отображения включает в себя: модуль 84 жидкокристаллического дисплея; схему 80 разделения Y/C, схему 81 цветности видеосигнала; A/D преобразователь 82; контроллер 83 жидкого кристалла; схему 85 управления задней подсветкой; заднюю подсветку 86; микрокомпьютер (микрокомпьютер) 87 и схему 88 градации. Модуль 84 жидкокристаллического дисплея включает в себя жидкокристаллическую панель, а также модуль возбуждения истока и модуль возбуждения затвора для управления жидкокристаллической панелью.
В жидкокристаллическом устройстве 800 отображения такой конфигурации вначале композитный цветной видеосигнал Scv в качестве телевизионного сигнала подают извне в схему 80 Y/C разделения, и композитный цветной видеосигнал Scv разделяют на сигнал яркости и сигнал цветности. Сигнал яркости и сигнал цветности преобразуют с помощью схемы 81 цветности видеосигнала в аналоговые RGB сигналы, которые соответствуют трем основным цветам, и, кроме того, аналоговые RGB сигналы преобразуют с помощью A/D преобразователя 82 в цифровые RGB сигналы. Цифровые RGB сигналы вводят в контроллер 83 жидкого кристалла. Кроме того, в схеме 80 Y/C разделения также получают сигналы sine горизонтальной и вертикальной синхронизации из композитного цветного видеосигнала Scv, введенного извне. Эти сигналы синхронизации также вводят в контроллер 83 жидкого кристалла через микрокомпьютер 87.
В модуле 84 жидкокристаллического дисплея цифровые сигналы RGB вводят из контроллера 83 жидкого кристалла в заданные моменты времени вместе с сигналами синхронизации на основе сигнала sinc. Кроме того, в схеме 88 градации генерируют электрические потенциалы градации для каждого из трех основных цветов цветного дисплея R, G, В. Эти электрические потенциалы градации также подают в модуль 84 жидкокристаллического дисплея. В модуле 84 жидкокристаллического дисплея сигнал возбуждения (сигнал данных=электрический потенциал сигнала, сигнал развертки и т.д.), сгенерированный с помощью модуля возбуждения истока, модуля возбуждения затвора и т.п., подают извне на основе сигнала RGB, сигнала синхронизации и электрических потенциалов градации, и цветное изображение отображают на внутренней жидкокристаллической панели на основе сигнала возбуждения. Для отображения изображения с помощью модуля 84 жидкокристаллического дисплея необходимо излучать свет с задней стороны жидкокристаллической панели внутри модуля жидкокристаллического дисплея. В жидкокристаллическом устройстве 800 отображения свет излучают на заднюю сторону жидкокристаллической панели с помощью схемы 85 возбуждения задней подсветки, которая возбуждает заднюю подсветку 86 под управлением микрокомпьютера 87. Управление всей системой, в том числе описанными выше процессами, осуществляют с помощью микрокомпьютера 87. Видеосигналы, введенные извне (композитный цветной видеосигнал), могут представлять собой не только видеосигналы на основе телевизионной широковещательной передачи, но также могут представлять собой видеосигналы, снятые камерой, и видеосигналы, подаваемые через соединение с Интернет. При использовании жидкокристаллического устройства 800 отображения можно выполнить отображение изображения на основе различных видеосигналов.
В случае, когда изображение на основе телевизионной широковещательной передачи отображают в жидкокристаллическом устройстве 800 отображения, блок 90 тюнера подключают к жидкокристаллическому устройству 800 отображения, как показано на фиг.32, образуя, таким образом, настоящий телевизионный приемник 601. Блок 90 тюнера извлекает сигналы каналов, подлежащих приему, из волн (высокочастотных сигналов), которые принимают с помощью антенны (не показана), и преобразует их в сигнал промежуточной частоты. В результате детектирования такого сигнала промежуточной частоты отбирают композитные цветные видеосигналы Scv в качестве телевизионного сигнала. Композитный цветной видеосигнал Scv, как уже описано выше, вводят в жидкокристаллическое устройство 800 отображения, и изображение на основе композитного цветного видеосигнала Scv отображают в жидкокристаллическом устройстве 800 отображения.
На фиг.33 показан вид в перспективе с покомпонентным представлением деталей примера, иллюстрирующего одну конфигурацию настоящего телевизионного приемника. Как показано на фиг.33, настоящий телевизионный приемник 601 включает в себя, в качестве его составляющих, жидкокристаллическое устройство 800 отображения, первый корпус 801 и второй корпус 806. Между первым корпусом 801 и вторым корпусом 806 установлено жидкокристаллическое устройство 800 отображения таким образом, что устройство 800 жидкокристаллического дисплея окружено двумя корпусами. В первом корпусе 801 выполнено отверстие 801а, через которое передают изображение, отображаемое в жидкокристаллическом устройстве 800 отображения. Кроме того, второй корпус 806 закрывает заднюю сторону жидкокристаллического устройства 800 отображения, и включает в себя схему 805 операций для управления жидкокристаллическим устройством 800 отображения. Кроме того, второй корпус 806 имеет поддерживающий элемент 808, расположенный на его нижней стороне.
Очевидно, что изобретение, таким образом описанное выше, может быть изменено различными способами. Такие изменения не следует рассматривать как выход за пределы сущности и объема изобретения, и все такие модификации, как будет понятно для специалиста в данной области техники, считаются входящими в объем следующей формулы изобретения.
Промышленная применимость
Подложка активной матрицы и жидкокристаллическая панель, включающая в себя подложку активной матрицы, каждая в соответствии с настоящим изобретением, соответствующим образом используются, например, для жидкокристаллического телевизора.
Список номеров ссылочных позиций
101-104. Пиксель
12а. Транзистор
15х. Линия сигнала данных
16х. Линия сигнала развертки
17а. Электрод пикселя (первый электрод пикселя)
17b. Электрод пикселя (второй электрод пикселя)
18р. Провод накопительного конденсатора
22. Изолирующая пленка затвора
25. Межслойная изолирующая пленка
37, 47. Электрод конденсатора верхнего слоя (второй электрод конденсатора)
77. Электрод конденсатора нижнего слоя (первый электрод конденсатора)
84. Модуль жидкокристаллического дисплея
601. Телевизионный приемник
800. Жидкокристаллическое устройство отображения
Изобретение относится к подложке активной матрицы, включающей в себя множество электродов пикселя, и к жидкокристаллическому устройству отображения, в котором используется подложка активной матрицы. Заявленная подложка активной матрицы включает в себя: второй электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя; и первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя, причем второй электрод конденсатора находится в слое, который расположен между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя. Конденсатор связи сформирован между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора в результате перекрытия вторым электродом конденсатора первого электрода конденсатора так, что между вторым электродом конденсатора и первым электродом конденсатора расположена изолирующая пленка затвора, и другой конденсатор связи сформирован между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя в результате перекрытия вторым электродом пикселя второго электрода конденсатора так, что между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя расположена межслойная изолирующая пленка. Технический результат - увеличение апертуры в подложке активной матрицы, работающей в режиме разделения пикселей с емкостной связью. 9 н. и 22 з.п. ф-лы, 36 ил.
1. Подложка активной матрицы, содержащая:
линию сигнала данных;
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя,
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
2. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая:
линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.
3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.
4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.
5. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.
6. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.
7. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев второго электрода конденсатора.
8. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев первого электрода конденсатора.
9. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
10. Подложка активной матрицы по п.1, в которой второй электрод пикселя и первый электрод конденсатора соединены через сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
11. Подложка активной матрицы по п.1, в которой транзистор содержит проводящий электрод, которым транзистор соединен с первым электродом пикселя через контактное отверстие, при этом первый электрод пикселя соединен со вторым электродом конденсатора через контактное отверстие, отличное от контактного отверстия, соединяющего проводящий электрод транзистора с первым электродом пикселя.
12. Подложка активной матрицы, содержащая:
линию сигнала данных;
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя,
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
первый электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя.
13. Подложка активной матрицы по п.12, в которой первый электрод пикселя и первый электрод конденсатора соединены через сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
14. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая вытянутый электрод стока, отходящий от проводящего электрода транзистора, при этом вытянутый электрод стока соединен с первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя через одно сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
15. Подложка активной матрицы по п.14, в которой вытянутый электрод стока содержит сквозной участок или участок с прорезью, перекрывающий проем контактного отверстия и первый электрод конденсатора.
16. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая:
линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.
17. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.
18. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.
19. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.
20. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.
21. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев второго электрода конденсатора.
22. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев первого электрода конденсатора.
23. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
24. Подложка активной матрицы, содержащая:
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, электрически соединенный с транзистором;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электрод пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный с транзистором,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя;
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
25. Подложка активной матрицы по п.24, дополнительно содержащая:
третий электрод конденсатора, соединенный со вторым электродом конденсатора и расположенный в том же слое, что и второй электрод конденсатора; и
провод накопительного конденсатора для формирования конденсатора с третьим электродом конденсатора.
26. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по любому из пп.1-25.
27. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-25; и
противоподложку, имеющую линейный выступ для управления выравниванием, расположенный так, что, по меньшей мере, часть первого электрода конденсатора расположена под линейным выступом.
28. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-25; и
противоподложку, включающую в себя общий электрод, содержащий прорезь для управления выравниванием, расположенную так, что, по меньшей мере, часть первого электрода конденсатора расположена под прорезью.
29. Модуль жидкокристаллического дисплея, содержащий:
жидкокристаллическую панель по любому из пп.26-28; и
модуль возбуждения.
30. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее:
модуль жидкокристаллического дисплея по п.29; и
модуль источника света.
31. Телевизионный приемник, содержащий:
жидкокристаллическое устройство отображения по п.30; и
блок тюнера, выполненный с возможностью приема телевизионной широковещательной передачи.
| US 5953088 A, 14.09.1999 | |||
| WO 2004086129 A1, 07.10.2004 | |||
| US 2002047822 A1, 25.04.2002 | |||
| JP 2008039982 A, 21.02.2008. |
