Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ разделения партий на три группы по надежности [1]: пониженного уровня, уровня, соответствующего требованиям технических условий, и повышенного уровня.
Наиболее близким является способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [2], по которому на приборы воздействуют электростатическим разрядом (ЭСР), напряжением на 20-30% превышаемый допустимый по техническим условиям потенциал, после чего проводят термический отжиг при температуре 100-125°С в течение 2-4 ч, а относительную величину изменения интенсивности шумов F рассчитывают по формуле
где
Недостатком способа является подача электростатического заряда напряжением, превышающем на 20-30% допустимый по техническим условиям потенциал, что может внести недопустимые изменения в структуре ППИ.
Изобретение направлено на повышение достоверности и расширения функциональных возможностей.
Это достигается тем, что измерения информативного электрического параметра или параметров при нормальной температуре проводят до, после воздействия ЭСР допустимой по техническим условиям величины и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой по техническим условиям температуре кристалла.
Способ осуществляется следующим образом: ЭСР воздействует по пяти разрядов в обоих направлениях для транзисторов: эмиттер-база, эмиттер-коллектор, коллектор-база; на цифровые и аналоговые интегральные схемы: вход - общая точка, выход - общая точка, вход - выход, питание - общая точка [3].
По результатам испытаний и измерений электрических параметров рассчитывают коэффициент К по формуле
где Анач, АЭСР, АТТ - значения электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно.
По набранной статистике для данного типа изделий определяется значение коэффициента, по которым определяется изделие пониженной надежности.
Источники информации
1. Горлов М.И., Емельянов В.А., Ануфриев Д.Л. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий. - Мн.: Белорусская наука. 2006. - 367 с.
2. Патент РФ №2230335, G01R 31/26, опубл. 10.06.2004. Бюл. №16.
3. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электростатические заряды в электронике. - Минск: Белорусская наука, 2006, с.32-33.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПОНИЖЕННОГО УРОВНЯ КАЧЕСТВА ИЗ ПАРТИЙ ИЗДЕЛИЙ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ | 2011 |
|
RU2511633C2 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2008 |
|
RU2374658C1 |
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2010 |
|
RU2538032C2 |
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 2005 |
|
RU2284538C1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2010 |
|
RU2507525C2 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2010 |
|
RU2515372C2 |
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 2012 |
|
RU2546998C2 |
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2010 |
|
RU2490655C2 |
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО СТОЙКОСТИ К ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ РАЗРЯДАМ | 2008 |
|
RU2379698C1 |
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности | 2019 |
|
RU2702962C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Способ отбраковки полупроводниковых изделий предполагает измерение у каждого изделия информативного электрического параметра или параметров, при этом измерения параметров осуществляют после проведения пяти воздействий электростатическим разрядом различной полярности предельно допустимым напряжением и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой температуре кристалла. По результатам испытаний рассчитывают коэффициент К по формуле
где Анач, АЭСР, ATT - значения электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно, и в зависимости от критерия К, установленного для каждого типа полупроводникового изделия, определяют ненадежные изделия. Технический результат изобретения - повышение достоверности испытаний и расширение функциональных возможностей отбраковки полупроводниковых изделий.
Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности, в соответствии с которым у каждого изделия партий измеряют информативный электрический параметр или параметры, отличающийся тем, что измерения параметров проводят после проведения пяти воздействий электростатическим разрядом различной полярности предельно допустимым напряжением и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой температуре кристалла, по результатам испытаний рассчитывают коэффициент К по формуле:
где Анач, АЭСР, ATT - значение электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно, и в зависимости от критерия К, установленного для каждого типа полупроводникового изделия, определяют ненадежные изделия.
RU 2008144594 A, 11.11.2008 | |||
Горлов М.И | |||
Физические основы надежности интегральных микросхем // Издательство Воронежского Университета, 1995 (с.93-102) | |||
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 2004 |
|
RU2276378C1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2004 |
|
RU2258234C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 2002 |
|
RU2230335C1 |
Приспособление для автоматического показывания реклам | 1918 |
|
SU883A1 |
Test Method Stand for Microcircuits // Department of Defense USA, 1991 (стр.36) | |||
US 6624653 B1, 23.09.2003 | |||
US 6484279 B2, 19.11.2002 | |||
US 20090066354 A1, 12.03.2009. |
Авторы
Даты
2013-06-10—Публикация
2010-04-05—Подача