ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ Российский патент 2014 года по МПК G02F1/1343 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения. Точнее говоря, настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, которое применяет способ возбуждения, использующий тонкопленочный транзистор.

ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] Жидкокристаллическое устройство отображения (LCD) является устройством, которое выполняет отображение таким образом, что оптическое свойство света, излученного из источника света, управляется с использованием жидкокристаллического слоя и т.п., заполненного между парой подложек, и используется в различных областях, пользуясь преимуществом своих характеристик, например, тонкого профиля, легкого веса и низкого энергопотребления.

[0003] В жидкокристаллическом устройстве отображения состояние ориентации жидкокристаллических молекул изменяется путем подачи напряжения на жидкокристаллический слой с использованием пары электродов, образованных на подложках, и посредством этого изменяется состояние поляризации света, проходящего через жидкокристаллический слой. В жидкокристаллическом устройстве отображения светофильтры множества цветов размещаются для выполнения цветного отображения. Пара подложек, охватывающих жидкокристаллический слой, удерживается распорками, чтобы иметь равномерный зазор (зазор ячейки) между ними, и соединяется друг с другом герметизирующим материалом.

[0004] В жидкокристаллическом устройстве отображения обычно образуются подпиксели трех цветов: красного (R), зеленого (G) и синего (B). Светофильтр каждого цвета размещается для каждого из подпикселей, и регулирование цвета выполняется для каждого пикселя путем регулирования света, проходящего через светофильтр каждого цвета.

[0005] В последние годы создано такое ухищрение, что в дополнение к подпикселям RGB размещается белый подпиксель (W), чтобы увеличить яркость (см., например, Патентную литературу 1). Кроме того, также исследован способ, в котором площади подпикселей RGBW создаются разными для каждого цвета, чтобы соответствующим образом регулировать цветовой баланс (см., например, Патентную литературу 2).

[0006] В жидкокристаллическом устройстве отображения электроды пикселей обычно размещаются в матричной форме, и каждый из электродов пикселей возбуждается через переключатель, образованный тонкопленочным транзистором (TFT). TFT является полевым транзистором с тремя выводами, и электрод стока каждого из TFT подключается к электроду пикселя, соответствующему TFT. Электрод затвора каждого из TFT подключается к шине затвора каждой строки матрицы. Электрод истока каждого из TFT подключается к шине истока каждого столбца матрицы. Нужное изображение можно получить путем подачи сигнала изображения в шину истока и путем последовательного сканирования шины затвора.

[0007] Некоторые из жидкокристаллических устройств отображения имеют многозазорную конфигурацию, в которой толщина (зазор ячейки) жидкокристаллического слоя сделана разной для подпикселя каждого цвета. Однако в случае, где размер зазора ячейки сделан разным, изменяется значение емкости, ассоциированной с электродом пикселя. Поэтому, чтобы устранить разницу в емкости пикселя между подпикселями, необходимо внести ухищрения, например, (a) выравнивание площадей электрода пикселя между подпикселями и создание разной накопительной емкости для каждого из подпикселей, или (b) создание площадей электрода пикселя разными для каждого из подпикселей и выравнивание накопительной емкости между подпикселями (см., например, Патентную литературу 3).

[0008] Кроме того, в жидкокристаллическом устройстве отображения, чтобы решить проблему зависимости угла обзора из-за различия в показателях γ между моментом, когда на дисплей смотрят во фронтальном направлении, и моментом, когда на дисплей смотрят в наклонном направлении, имеет место случай, где пиксель делится на множество подпикселей, и где показатели γ приводятся близко друг к другу (см., например, Патентную литературу 4). Показатели γ означают градационную зависимость яркости отображения. То, что показатели γ отличаются между моментом, когда на дисплей смотрят во фронтальном направлении, и моментом, когда на дисплей смотрят в наклонном направлении, означает, что состояние отображения градации изменяется в соответствии с направлением наблюдения. Проблему зависимости угла обзора из-за показателей γ можно устранить таким образом, что состояние, имеющее разные показатели γ, образуется путем подачи разного напряжения на жидкокристаллический слой, соответствующий каждому из подпикселей.

[0009] Кроме того, в качестве способа для создания распорки также опробован способ, в котором, когда светофильтры образуются в соответствии с подпикселями RGB, светофильтры также аналогичным образом образуются в месте, где должна образоваться распорка, и укладываются слоями для образования распорки (см., например, Патентную литературу 5). В Патентной литературе 5, чтобы компенсировать изменение емкости каждого пикселя из-за распорки, образованной в подпикселе, исследован способ, который выравнивает отношение емкостей каждого из соответствующих пикселей путем изменения размера линии накопительного конденсатора.

[0010] Кроме того, раскрывается подложка активной матрицы, в которой линия общего электрода образуется параллельно сигнальной линии сканирования, и каждая схема пикселя образуется так, что емкость Cgd между сигнальной линией сканирования и электродом пикселя становится больше при электрическом удалении от возбуждающей схемы сигнальной линии сканирования, чтобы устранить неоднородность сдвига уровня у потенциала пикселя, созданного при спаде сигнала сканирования (например, Патентная литература 6).

СПИСОК ИСТОЧНИКОВ

Патентная литература

[0011] Патентная литература 1: JP 2001-296523 A.

Патентная литература 2: JP 2007-25697 A.

Патентная литература 3: JP 6-11733 A.

Патентная литература 4: JP 2004-62146 A.

Патентная литература 5: WO 2008/081624.

Патентная литература 6: WO 2006/006376.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Техническая проблема

[0012] Во время исследования жидкокристаллического устройства отображения, включающего в себя подпиксели (в дальнейшем также называемые элементами изображения) множества цветов, авторы настоящего изобретения обратили внимание на явление, в котором, когда шаг отличается между элементами изображения (например, длина между элементами изображения в направлении вдоль линий сканирования), и когда экран с белым окном отображается на полутоновом фоне в течение длительного времени, а затем отображается сплошной полутоновый экран, только цвет в части, соответствующей белому окну, кажется отличным от цвета фоновой части.

[0013] Фиг.68 - схематичный чертеж, показывающий состояние, когда белое окно отображается на полутоновом фоне, а Фиг.69 - схематичный чертеж, показывающий состояние полутонового сплошного отображения, когда удаляется белое окно. Как показано на Фиг.68 и Фиг.69, в состоянии полутонового сплошного отображения послеизображение вследствие отображения до удаления белого окна возникает в области, в которой отображалось белое окно.

[0014] Авторы настоящего изобретения проводили различные исследования о причинах возникновения такого явления и обнаружили, что послеизображение возникает на дисплее, например, потому, что площадь электрода пикселя или толщина жидкокристаллического слоя отличается среди элементов изображения, так что емкость пикселя сделана разной для каждого из элементов изображения.

[0015] Когда, например, площадь элемента изображения или толщина жидкокристаллического слоя отличается для каждого цвета, значение электростатической емкости, созданной электродом пикселя, также отличается для каждого из элементов изображения. Фиг.70 - схематичный чертеж, показывающий формы сигнала напряжений стока у двух электродов пикселей, размещенных рядом друг с другом.

[0016] Формы сигнала, показанные на левой стороне Фиг.70, являются формами сигнала, ассоциированными с элементом изображения, имеющим большую емкость пикселя в случае неизменной емкости затвор-сток, а формы сигнала, показанные на правой стороне Фиг.70, являются формами сигнала, ассоциированными с элементом изображения, имеющим меньшую емкость пикселя в случае неизменной емкости затвор-сток. Как показано на Фиг.70, эффективное значение напряжения стока (Vd) отличается для каждого элемента изображения. Причина в том, что величина проходного напряжения (ΔVd) отличается между элементами изображения, и в том, что полярность напряжений стока (Vd(+), Vd(-)) изменяется в каждый момент, когда выполняется возбуждение электрода пикселя переменным током. Поскольку противоэлектрод не создается для каждого из пикселей, мешающее напряжение устанавливается в значение, общее для всех пикселей. Поэтому значение оптимального мешающего напряжения, определенное значением напряжения стока (Vd(+), Vd(-)) после прохода, устанавливается в разное значение для каждого из элементов изображения, и поэтому сложно, чтобы все элементы изображения возбуждались соответствующим образом с помощью мешающего напряжения, общего для всех элементов изображения.

[0017] Нижеследующее объяснит мешающее напряжение в плоскости и коррекцию в плоскости (градацию Cgd), обусловленные паразитной емкостью между затвором и стоком. Фиг.71 - график, показывающий распределение 121 мешающего напряжения в плоскости (распределение оптимального мешающего напряжения в направлении по линии сканирования (шины затвора) в плоскости панели) в случае отсутствия градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения. В положении x=0 оптимальное мешающее напряжение определяется по ΔVd, и при продвижении в направлении линии сканирования сближение задержек стробирующего сигнала и явного ΔVd уменьшается, а оптимальное мешающее напряжение увеличивается. Поскольку мешающее напряжение является только одним значением на плоскости, возникает отклонение оптимального мешающего напряжения в зависимости от положений. Обычно, как показано на Фиг.71, регулировка мешающего напряжения выполняется в центре экрана. Таким образом, отклонение 120 оптимального мешающего напряжения доходит до максимума в конечных частях. В этом случае в отображенных изображениях могут возникать мерцание, ухудшение изображения или послеизображение. Фиг.72 - график, показывающий градацию 122 Cgd, присутствующую в жидкокристаллическом устройстве отображения. Фиг.73 - график, показывающий распределение 123 мешающего напряжения в плоскости в традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения в случае выполнения градации Cgd. В панели, имеющей электроды пикселей с одинаковой емкостью пикселя среди элементов изображения, вышеописанная регулировка добивается подходящего распределения мешающего напряжения в плоскости.

[0018] Нижеследующее описывает случай выполнения коррекции в плоскости (градации Cgd) с помощью паразитной емкости (Cgd) между затвором и стоком в панели, имеющей электрод пикселя, в которой емкости пикселей у элементов изображения отличаются друг от друга. Коррекция с помощью градации Cgd определяется величиной коррекции 1 Шага (величина коррекции от начальной емкости затвор-сток, образованной линией сканирования и электродом пикселя, на который сначала подается сигнал сканирования до коррекции, до емкости затвор-сток после коррекции следующего Шага, определенной перекрывающейся областью электрода пикселя с линией сканирования, в этом документе также называемой величиной коррекции Cgd) и определением, для скольких пикселей поддерживается коррекция. Чем меньше пикселей, в которых поддерживается коррекция, тем больше скорость увеличения коррекции. В отличие от этого, чем больше пикселей, в которых поддерживается коррекция, тем меньше скорость увеличения коррекции. Величина коррекции Cgd может быть отрицательным значением. В случае, где величина коррекции Cgd и количество пикселей, для которых поддерживается коррекция, определяются без учета разницы в емкостях пикселей, разницы ΔVd среди элементов изображения увеличиваются из-за разницы в емкости пикселя в частях, где величина коррекции в плоскости панели в определенной степени большая. В результате оптимальное мешающее напряжение может меняться среди элементов изображения.

[0019] Более того, в соответствии с исследованием авторов настоящего изобретения было обнаружено, что такое изменение в оптимальных мешающих напряжениях служит причиной воздействия послеизображения на дисплей.

[0020] Настоящее изобретение создано в связи с вышеописанными обстоятельствами. Цель настоящего изобретения - предоставить жидкокристаллическое устройство отображения, которое почти не вызывает послеизображение в панели, в которой выполняется градация Cgd, даже когда емкости пикселей у элементов изображения отличаются друг от друга.

Решение проблемы

[0021] Чтобы подавить послеизображение, авторы настоящего изобретения исследовали различные способы для уравнивания оптимального мешающего напряжения среди элементов изображения и обратили внимание на то, что одним из факторов, необходимых для регулировки оптимального мешающего напряжения, является описанное выше ΔVd. Когда значения ΔVd у элементов изображения становятся близкими друг к другу, оптимальные мешающие напряжения также становятся равными друг другу среди элементов изображения. Значение ΔVd может выражаться в виде ΔVd=α×Vg^p-p. Как показано на описанной выше Фиг.70, значение Vg^p-p представляет собой изменение напряжения затвора в момент, когда TFT выключается. Необходимо поддерживать значение Vg^p-p отчасти в неизменном значении, и поэтому необходимо регулировать значение α, чтобы изменять значение ΔVd. Значение α выражается в виде α=Cgd/(Cgd+Csd+Ccs+Clc). Условное обозначение Csd обозначает паразитную емкость между истоком и стоком, условное обозначение Ccs обозначает паразитную емкость между Cs и стоком, и условное обозначение Clc обозначает емкость жидкого кристалла. Суммарное значение Cgd+Csd+Ccs+Clc, которое в дальнейшем также называется Cpix, представляет собой общую емкость (то есть емкость пикселя), подключенную к стоку TFT.

[0022] В результате всестороннего исследования средства для эффективного регулирования значения α авторы настоящего изобретения обнаружили, что значение α можно эффективно регулировать, когда емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя, среди множества электродов пикселей, расположенных в одном пикселе.

[0023] Касаемо проблемы панели, в которой выполняется градация Cgd, в том, что разница значения ΔVd между элементами изображения больше, когда величина коррекции определяется без учета разницы в емкости пикселя, авторы настоящего изобретения обратили внимание на перекрывающуюся область электрода пикселя. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что распределение мешающего напряжения в плоскости можно эффективно регулировать путем образования градации Cgd, хотя скорость увеличения в перекрывающейся области электрода пикселя становится отличной друг от друга. Между тем при проектировании градации Cgd обычно величина коррекции Cgd (ΔCgd) сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, а скорость увеличения величины впоследствии уменьшается из-за характеристики задержки сигнала в линиях затвора.

[0024] Авторы настоящего изобретения обнаружили, что мешающего напряжения ближе к оптимальному значению для каждого элемента изображения можно добиться в следующей конфигурации. Емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Принимая во внимание разницу ΔVd на основе разницы между емкостями пикселей, Cdg (α) регулируется подходящим образом. Более того, перекрывающаяся область электрода пикселя, который перекрывается линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, размещенных в соответствии с одноцветными элементами изображения, и скорость увеличения отличается среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Величину коррекции Cdg в каждом из электродов пикселей можно установить подходящим образом в зависимости от площадей электродов пикселей. Посредством этого можно обеспечить мешающее напряжение, близкое к оптимальному значению. Эта конфигурация может предотвратить появление послеизображения и соответственно может решить вышеупомянутую проблему. Соответственно, авторы изобретения завершили настоящее изобретение.

[0025] А именно настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, которое включает в себя пару подложек и жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек, и конфигурируется так, что пиксель образуется элементами изображения множества цветов, где одна из пары подложек включает в себя линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, подключенные к тонкопленочным транзисторам; другая из пары подложек включает в себя противоэлектрод; электроды пикселей размещаются для элементов изображения; линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток; емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе; перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения; и скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей.

[0026] Жидкокристаллическое устройство отображения из настоящего изобретения включает в себя пару подложек, жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек, и конфигурируется так, что пиксель образуется элементами изображения множества цветов. Пара подложек может быть образована из подложки матрицы в качестве одной из подложек и подложки светофильтра в качестве другой из подложек. Элементы изображения с множеством цветов достигаются с помощью светофильтров, размещенных соответственно в элементах изображения. Различные цвета могут отображаться путем регулирования баланса цветов.

[0027] Одна из пары подложек включает в себя линии сканирования (в дальнейшем также называемые шинами затвора), сигнальные линии (в дальнейшем также называемые шинами истока), линии накопительного конденсатора (в дальнейшем также называемые шинами Cs), тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, соответственно подключенные к тонкопленочным транзисторам. Электрод стока каждого из TFT подключается к электроду пикселя, соответствующему TFT. Электрод затвора каждого из TFT подключается к шине затвора каждой строки. Электрод истока каждого из TFT подключается к шине истока каждого столбца. Нужное изображение может формироваться путем подачи сигнала изображения в шины истока наряду с приложением напряжения к шинам затвора в заранее установленный момент.

[0028] В вышеописанной конфигурации необходимо, чтобы линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы и электрод пикселя размещались через изолирующие пленки или т.п. с некоторыми интервалами, чтобы быть электрически изолированными друг от друга. Более того, электрод пикселя и противоэлектрод размещаются отделенными друг от друга жидкокристаллическим слоем. Поэтому некоторая величина электростатической емкости образуется между каждой из линий и каждым из электродов, и между электродами. В частности, линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток (Cgd), сигнальная линия и электрод пикселя образуют емкость исток-сток (Csd), линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образуют накопительную емкость (Ccs), а электрод пикселя и противоэлектрод образуют емкость жидкого кристалла (Clc).

[0029] Другая из пары подложек включает в себя противоэлектрод. Поскольку электрическое поле образуется между электродом пикселя и противоэлектродом, и поскольку каждый из электродов пикселей индивидуально управляется тонкопленочным транзистором, ориентация жидкого кристалла может управляться для каждого из элементов изображения, и посредством этого можно точно управлять всем экраном.

[0030] Электроды пикселей размещаются для элементов изображения, и емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Это размещение позволяет эффективно управлять значением α перед установкой градации Cgd. Скорость увеличения перекрывающейся области электрода пикселя, перекрытого линией сканирования, которая увеличивается от электрода пикселя, на который сначала подается сигнал линии сканирования, по ходу сигнала линии сканирования отличается среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Перекрывающаяся область, а именно величина коррекции Cgd, коррелирует с размером емкости пикселя. Когда электроду пикселя с большей емкостью пикселя разрешается иметь большую перекрывающуюся область, а электроду пикселя с меньшей емкостью пикселя разрешается иметь меньшую перекрывающуюся область, емкости затвор-сток (Cgd), образованные линиями сканирования и электродами пикселей, выгодно регулируются на основе электрических характеристик, специфичных для подложек схем. В силу этого можно пресечь изменение в оптимальных мешающих напряжениях среди элементов изображения.

[0031] Вышеприведенная формулировка "перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения" означает следующее: в случае жидкокристаллического устройства отображения, использующего три основных цвета RGB, например, перекрывающаяся область электрода пикселя, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в электроде пикселя, соответствующем красному элементу изображения, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в электроде пикселя, соответствующем зеленому элементу изображения, и сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в электроде пикселя, соответствующем синему элементу изображения. Вышеприведенная формулировка "сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования" означает, что скорость увеличения сначала (например, в момент, когда сигнал идет из положения x=0 на горизонтальной оси, где сигнал вводится в линию сканирования, на плоской поверхности панели в направлении распространения сигнала) является положительным значением. Вышеприведенная формулировка "скорость увеличения впоследствии уменьшается" означает, что скорость увеличения в некоторых случаях уменьшается до отрицательного значения. Например, в случае жидкокристаллического устройства отображения с односторонними сигнальными линиями сканирования перекрывающаяся область обычно уменьшается (скорость увеличения становится отрицательным значением) возле края панели, не являющегося входным, а в случае жидкокристаллического устройства отображения с двусторонними сигнальными линиями сканирования перекрывающаяся область обычно уменьшается (скорость увеличения становится отрицательным значением возле центра панели) возле центра панели. Между тем емкость затвор-сток может управляться путем регулировки ширины канала TFT, регулировки перекрывающейся области шины затвора и электрода стока, регулировки перекрывающейся области электрода пикселя и шины затвора и т.п.

[0032] Конфигурация жидкокристаллического устройства отображения из настоящего изобретения особенно не ограничивается при условии, что она, по существу, включает в себя такие компоненты. Нижеследующее будет подробно описывать предпочтительные варианты осуществления жидкокристаллического устройства отображения из настоящего изобретения.

[0033] Предпочтительно, чтобы электрод пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, подключался к тонкопленочному транзистору с большей шириной канала среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Иными словами, электрод пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, подключался к тонкопленочному транзистору с меньшей шириной канала среди тонкопленочных транзисторов, размещенных в одном пикселе.

[0034] Область канала в TFT является частью, не перекрытой электрически электродом истока и электродом стока в виде сверху полупроводникового слоя, который располагается между электродом истока и электродом стока. Другими словами, область канала TFT является областью, которая не легирована.

[0035] Размер области канала TFT обладает большим влиянием на характеристики TFT. Чем больше ширина области канала, тем лучше становятся текущие характеристики. Изменение размера области канала обладает влиянием на значение Cgd, которое является компонентом Cpix.

[0036] Ширина канала не относится к расстоянию (в дальнейшем также называемому длиной канала) между электродом истока и электродом стока, а относится к ширине части, где электрод истока и электрод стока обращены друг к другу при виде сверху. Ширина канала коррелирует с размером емкости пикселя, а размер емкости пикселя коррелирует с площадью электрода пикселя. Изменение в значениях α среди элементов изображения перед установкой градации Cgd можно выгодно остановить, разрешая TFT с большей шириной канала подключаться к электроду пикселя с большей площадью и разрешая TFT с меньшей шириной канала подключаться к электроду пикселя с меньшей площадью, на основе характеристик TFT.

[0037] Электрод пикселя с большей емкостью пикселя среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, предпочтительно имеет большую перекрывающуюся область с линией сканирования электрода пикселя среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Другими словами, электрод пикселя с меньшей емкостью пикселя среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, имеет меньшую перекрывающуюся область с линией сканирования электрода пикселя среди множества тонкопленочных транзисторов, размещенных в одном пикселе. Вышеприведенная конфигурация предпочтительно также может остановить изменение в значениях α среди элементов изображения перед установкой градации Cgd. Кроме того, в показателях подходящего управления значением α перекрывающаяся область электрода пикселя с большей емкостью пикселя, перекрытого линией сканирования, предпочтительно отличается от перекрывающейся области электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя, перекрытого линией сканирования. Кроме того, в показателях подходящего управления значением α перекрывающаяся область электрода пикселя с большей емкостью пикселя, перекрытого линией накопительного конденсатора, предпочтительно отличается от перекрывающейся области электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя, перекрытого линией накопительного конденсатора.

[0038] Площадь электрода пикселя с большей емкостью пикселя отличается, например, по размеру от площади электрода пикселя, имеющего меньшую емкость пикселя. Применение структуры настоящего изобретения в вышеупомянутом варианте осуществления позволяет в достаточной мере проявить результаты настоящего изобретения. В вышеупомянутом варианте осуществления площадь электрода пикселя с большей емкостью пикселя обычно больше площади электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя.

[0039] Например, жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с большей емкостью пикселя, отличается по толщине от жидкокристаллического слоя, перекрытого электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя. Применение структуры настоящего изобретения в вышеупомянутом варианте осуществления позволяет в достаточной мере проявить результаты настоящего изобретения. В вышеупомянутом варианте осуществления жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с большей емкостью пикселя, обычно имеет меньшую толщину, чем жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя.

[0040] Предпочтительно, чтобы сигнальная линия и электрод пикселя образовывали емкость исток-сток (Csd), чтобы линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образовывали накопительную емкость (Ccs), чтобы электрод пикселя и противоэлектрод образовывали емкость жидкого кристалла (Clc), чтобы отношения емкости затвор-сток к сумме емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла (значение этого отношения емкости затвор-сток в дальнейшем задается как α) отличались среди элементов изображения с множеством цветов, и чтобы разница между наибольшим отношением емкости затвор-сток и наименьшим отношением емкости затвор-сток среди отношений емкостей затвор-сток для каждого элемента изображения с разными цветами была равна 10% или меньше от наименьшего отношения емкости затвор-сток, а предпочтительнее 5% или меньше.

[0041] Предпочтительно, чтобы значения α у элементов изображения в этом случае были близки друг к другу. Более того, когда значения α устанавливаются в вышеописанном диапазоне, можно устранить разницу между оптимальными мешающими напряжениями соответствующих элементов изображения, чтобы можно было в достаточной мере подавить послеизображение.

[0042] Предпочтительно, чтобы сигнальная линия и электрод пикселя образовывали емкость исток-сток, чтобы линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образовывали накопительную емкость, чтобы электрод пикселя и противоэлектрод образовывали емкость жидкого кристалла, и чтобы коэффициенты отклика ("Cpix(min)/Cpix(max)"), вычисленные в одном элементе изображения из отношений минимального значения суммы емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла к максимальному значению суммы емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла, отличались среди элементов изображения с множеством цветов, и чтобы разница между наибольшим коэффициентом отклика и наименьшим коэффициентом отклика предпочтительно равнялась 5% или меньше от наименьшего коэффициента отклика среди коэффициентов отклика, полученных соответственно для каждого из элементов изображения разных цветов.

[0043] Предпочтительно, чтобы каждый из электродов пикселя делился на две или более частей в одном элементе изображения, чтобы тонкопленочные транзисторы подключались к разделенным частям электродов пикселей, чтобы линии накопительного конденсатора перекрывались каждым из электродов пикселей, и чтобы полярность напряжения инвертировалась с равным интервалом времени. В дальнейшем способ, в котором один элемент изображения управляется с использованием множества разделенных частей (называемых также электродами подпикселей) электрода пикселя, как описано выше, также называется способом множественного возбуждения. Когда множество электродов подпикселей размещается в одном и том же элементе изображения и соответственно возбуждается разными действующими напряжениями, образуется состояние, где разные показатели γ смешиваются, так что можно устранить зависимость угла обзора на основе показателей γ. Более того, можно предотвратить увеличение количества дополнительных линий путем возбуждения электродов подпикселей по способу множественного возбуждения, используя изменение напряжения линии накопительного конденсатора.

[0044] Предпочтительно, чтобы сигнальная линия и электрод пикселя образовывали емкость исток-сток (Csd), чтобы линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образовывали накопительную емкость (Ccs), чтобы электрод пикселя и противоэлектрод образовывали емкость жидкого кристалла (Clc), чтобы отношения накопительной емкости к сумме емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла (значение этого отношения накопительной емкости в дальнейшем задается как K) отличались среди элементов изображения с множеством цветов, и чтобы разница между наибольшим отношением накопительной емкости и наименьшим отношением накопительной емкости среди отношений накопительной емкости для каждого элемента изображения разных цветов предпочтительно составляла 1,0% или меньше от наименьшего отношения накопительной емкости.

[0045] Вышеописанный предпочтительный вариант осуществления выгодно применим к жидкокристаллическим устройствам отображения трехцветного типа RGB (красный (R), зеленый (G), синий (B) и жидкокристаллическим индикаторным панелям четырехцветного типа RGBY (желтый (Y) элемент изображения добавляется к трехцветному RGB), четырехцветного типа RGBC (голубой (C) элемент изображения добавляется к трехцветному RGB), четырехцветного типа RGBW (белый (W) элемент изображения добавляется к трехцветному RGB), и многоцветного типа из более чем четырех цветов, по существу, включающего в себя RGBY, RGBC, RGBW или т.п.

[0046] Предпочтительные примеры варианта осуществления четырех- или более цветного типа включают в себя устройство отображения, имеющее поверхность отображения, образованную из пикселя, включающего в себя подпиксели красного, зеленого, синего и желтого, где подпиксель (подпиксели) красного и/или синего имеет/имеют большую площадь апертуры, чем другие подпиксели (вариант осуществления, в котором площадь апертуры красного подпикселя является наибольшей, вариант осуществления, в котором площадь апертуры синего подпикселя является наибольшей, или вариант осуществления, в котором обе площади апертуры красного подпикселя и синего подпикселя являются наибольшими, среди всех подпикселей), либо где подпиксель (подпиксели) зеленого и/или желтого имеет/имеют меньшую площадь апертуры, чем другие подпиксели (вариант осуществления, в котором площадь апертуры зеленого подпикселя является наименьшей, вариант осуществления, в котором площадь апертуры желтого подпикселя является наименьшей, или вариант осуществления, в котором обе площади апертуры зеленого подпикселя и желтого подпикселя являются наименьшей, среди всех подпикселей). Желтый может заменяться голубым, или желтый и голубой могут включаться в вышеприведенный пример. Кроме того, вышеупомянутый пиксель может включать в себя подпиксели красного и/или синего, имеющие отличные друг от друга цветовые характеристики.

В жидкокристаллических устройствах отображения с четырьмя или более основными цветами в случае, где увеличивается количество основных цветов, используемых для отображения, ухудшается обзор, особенно из-за сниженной яркости красного цвета. Также в случае, где свет с высокой цветовой температурой используется для управления цветовым тоном отображения белого, яркость красного цвета дополнительно снижается, в силу этого дополнительно ухудшая обзор. Вышеприведенный предпочтительный вариант осуществления может отображать яркий красный цвет, и соответственно обзор можно улучшить. Вышеупомянутое преимущество и структура настоящего изобретения вместе синергически улучшают результаты настоящего изобретения.

[0047] Вышеприведенные варианты осуществления могут применяться в подходящем сочетании при условии, что это сочетание не выходит за сущность настоящего изобретения.

ПОЛЕЗНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0048] С помощью жидкокристаллического устройства отображения из настоящего изобретения изменение оптимальных мешающих напряжений управляется среди элементов изображения в панели, в которой выполняется коррекция в плоскости (градация Cgd), вызванная паразитной емкостью между затвором и стоком, и поэтому можно пресечь формирование послеизображения.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0049] Фиг.1 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления в случае невыполнения градации Cgd.

Фиг.2 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей, TFT и различных линий в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления.

Фиг.3 - схематический вид сверху, когда светофильтры в Варианте 1 осуществления размещаются в форме полос.

Фиг.4 - схематический вид сверху, когда светофильтры в Варианте 1 осуществления размещаются в форме матрицы два-на-два.

Фиг.5 - эквивалентная принципиальная схема в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления.

Фиг.6 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 1.

Фиг.7 - схематический вид сверху, показывающий первый пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала.

Фиг.8 - схематический вид сверху, показывающий второй пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала.

Фиг.9 - схематический вид сверху (увеличенный вид), показывающий второй пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала.

Фиг.10 - схематический вид сверху, показывающий третий пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала.

Фиг.11 - схематический вид сверху (увеличенный вид), показывающий третий пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала.

Фиг.12 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 2.

Фиг.13 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 3.

Фиг.14 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 4.

Фиг.15 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 5.

Фиг.16 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 5.

Фиг.17 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 6.

Фиг.18 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 6.

Фиг.19 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 6.

Фиг.20 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 6.

Фиг.21 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 7.

Фиг.22 - схематический вид сверху светофильтров для каждого пикселя из Примера 7.

Фиг.23 - схематический вид сверху, показывающий пример TFT, в котором размер перекрывающейся области электрода пикселя в действительности регулируется в Примере 5.

Фиг.24 - график, показывающий мозаичную область между Шагом (n) и Шагом (n+1) в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления.

Фиг.25 - график, показывающий величину коррекции ΔVd (мВ) в относительных положениях от входной клеммы затвора в жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 8.

Фиг.26 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 8.

Фиг.27 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у каждого из трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 8.

Фиг.28 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из другой измененной версии Примера 8.

Фиг.29 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в жидкокристаллическом устройстве отображения из другой измененной версии Примера 8 в случае выполнения градации Cgd.

Фиг.30 - график, показывающий величину коррекции ΔVd (мВ) в относительных положениях от входной клеммы затвора в жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 9.

Фиг.31 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 9.

Фиг.32 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 9.

Фиг.33 - график, показывающий величину коррекции ΔVd (мВ) в относительных положениях от входной клеммы затвора в жидкокристаллическом устройстве отображения из Сравнительного примера 1.

Фиг.34 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Сравнительного примера 1.

Фиг.35 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Сравнительного примера 1.

Фиг.36 - график, показывающий связь между отношением размера канала и отношением площади электрода пикселя.

Фиг.37 - схематический вид сверху, показывающий область, в которой шина затвора и электрод стока перекрывают друг друга.

Фиг.38 - схематический вид сверху, показывающий область, в которой шина затвора и электрод стока перекрывают друг друга.

Фиг.39 - схематический вид сверху, показывающий область, в которой шина затвора и электрод стока перекрывают друг друга.

Фиг.40 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.37, и показывает форму, по которой изменяется размер d1 у TFT, показанного на Фиг.37.

Фиг.41 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.37, и показывает форму, по которой изменяется размер d1 у TFT, показанного на Фиг.37.

Фиг.42 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.37, и показывает форму, по которой изменяется размер d2 у TFT, показанного на Фиг.37.

Фиг.43 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.37, и показывает форму, по которой изменяется размер d2 у TFT, показанного на Фиг.37.

Фиг.44 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.38, и показывает форму, по которой изменяется размер d3 у TFT, показанного на Фиг.38.

Фиг.45 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.38, и показывает форму, по которой изменяется размер d4 у TFT, показанного на Фиг.38.

Фиг.46 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.38, и показывает форму, по которой изменяется размер d4 у TFT, показанного на Фиг.38.

Фиг.47 - схематический вид сверху, показывающий область, в которой шина затвора и электрод пикселя перекрывают друг друга, и показывающий форму, в которой обычная шина затвора и обычный электрод пикселя перекрывают друг друга.

Фиг.48 - схематический вид сверху, показывающий область, в которой шина затвора и электрод пикселя перекрывают друг друга, и показывающий пример, в котором регулируется размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока.

Фиг.49 - схематический вид сверху, показывающий область, в которой шина затвора и электрод пикселя перекрывают друг друга, и показывающий пример, в котором регулируется размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока.

Фиг.50 - график, показывающий связь между отношением перекрывающейся области затвор-сток и отношением площади электрода пикселя.

Фиг.51 - график, показывающий связь между периодом кадровой развертки и интенсивностью приложенного напряжения.

Фиг.52 - схематичный чертеж, показывающий состояние дисплея, когда исследовалось влияние разницы коэффициента отклика на дисплей.

Фиг.53 - график, показывающий подходящий диапазон коэффициента отклика, выраженного "Cpix(min)/Cpix(max)".

Фиг.54 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей, TFT и различных линий в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 2 осуществления.

Фиг.55 - эквивалентная принципиальная схема в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 2 осуществления.

Фиг.56 показывает формы сигнала, когда выполняется возбуждение нескольких пикселей.

Фиг.57 - схематический вид сверху, показывающий диапазон, в котором расширенная часть шины Cs и расширенная часть электрода стока перекрывают друг друга в Варианте 2 осуществления.

Фиг.58 - схематический вид сверху, показывающий пример, когда емкость Cs регулируется перекрывающейся областью электрода пикселя и шины Cs.

Фиг.59 - схематический вид сверху, показывающий пример, когда емкость Cs регулируется перекрывающейся областью электрода пикселя и шины Cs.

Фиг.60 - схематический вид сверху, показывающий пример, когда емкость Cs регулируется перекрывающейся областью электрода пикселя и шины Cs.

Фиг.61 - схематический вид сверху, показывающий пример, когда емкость Cs регулируется перекрывающейся областью электрода пикселя и шины Cs.

Фиг.62 - диаграмма формы сигнала, показывающая амплитуду Cs, когда выполняется множественное возбуждение.

Фиг.63 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей и линий в Варианте 3 осуществления.

Фиг.64 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей и линий в Варианте 4 осуществления.

Фиг.65 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей и линий в Варианте 5 осуществления.

Фиг.66 - схематический вид в поперечном сечении, показывающий форму, в которой элементы изображения трех цветов используются в Варианте 6 осуществления.

Фиг.67 - схематический вид в поперечном сечении, показывающий форму, в которой элементы изображения четырех цветов используются в Варианте 6 осуществления.

Фиг.68 - схематичный чертеж, показывающий состояние, в котором белое окно отображается на полутоновом фоне.

Фиг.69 - схематичный чертеж, показывающий состояние полутонового сплошного отображения после того, как удаляется белое окно.

Фиг.70 - схематичный чертеж, показывающий формы сигнала напряжений стока у двух электродов пикселей, размещенных рядом друг с другом.

Фиг.71 - график, показывающий распределение мешающего напряжения в плоскости в жидкокристаллическом устройстве отображения в случае невыполнения градации Cgd.

Фиг.72 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения.

Фиг.73 - график, показывающий распределение мешающего напряжения в плоскости в традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения в случае выполнения градации Cgd.

ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

[0050] В этом документе перекрывающаяся область электрода пикселя с линиями включает в себя перекрывающуюся область электрода стока, перекрытого линиями. Перекрывающаяся область электрода пикселя с линиями сканирования включает в себя перекрывающуюся область электрода пикселя, перекрытого электродом затвора. Перекрывающаяся область электрода пикселя с сигнальными линиями включает в себя перекрывающуюся область электрода пикселя, перекрытого электродом истока.

[0051] Настоящее изобретение будет упоминаться более подробно со ссылкой на чертежи в нижеследующих вариантах осуществления, но не ограничивается этими вариантами осуществления.

Вариант 1 осуществления

[0052] Фиг.1 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления в случае невыполнения градации Cgd.

На Фиг.1 штрихпунктирная линия показывает распределение 101 мешающего напряжения в плоскости у G (зеленого), пунктирная линия показывает распределение 101 мешающего напряжения в плоскости у B (синего), и штриховая линия показывает распределение 101 мешающего напряжения в плоскости у R (красного). Положение x показывает положение на стороне сигнала сканирования, когда положение горизонтальной оси на плоской поверхности панели, где сигнал вводится в линию сканирования, устанавливается в 0.

Как показано на Фиг.1, в случае, где имеется разница A в ΔVd среди элементов изображения, и градация Cgd не выполняется, распределения 101 мешающего напряжения в плоскости у основных цветов RGB отличаются друг от друга. В отличие от этого, ниже описываются фигуры (Фиг.26-29, Фиг.31 и Фиг.32) в случае выполнения градации Cgd.

[0053] Фиг.2 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей, TFT и различных линий в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления. Как показано на Фиг.2, один электрод пикселя размещается для одного элемента изображения в Варианте 1 осуществления. Также один пиксель конфигурируется множеством элементов изображения, и поэтому каждый из элементов изображения индивидуально управляется для управления каждым пикселем и для дополнительного управления всем дисплеем жидкокристаллического устройства отображения.

[0054] Жидкокристаллическое устройство отображения из Варианта 1 осуществления включает в себя шины 11 затвора, тянущиеся в направлении строк (поперечное направление), и шины 12 истока, тянущиеся в направлении столбцов (продольное направление). Более того, жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя TFT 14, подключенный к шине 11 затвора и шине 12 истока. TFT 14 также подключается к электроду 15 пикселя. Кроме того, жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя шину 13 Cs, которая перекрывает по меньшей мере часть электрода 15 пикселя. Например, как показано на Фиг.2, шина 13 Cs образуется тянущейся в направлении строк, чтобы пересекать центральную часть электрода 15 пикселя.

[0055] В Варианте 1 осуществления некий вид светофильтра размещается для одного элемента изображения. Примеры видов, количества и порядка расположения цветов у элементов изображения, конфигурирующих пиксель, включают в себя, но конкретно не ограничиваются, такие сочетания, как RGB, RGBY, RGBC и RGBW. Цвет элемента изображения определяется светофильтром. Примеры конфигураций расположения светофильтров включают в себя полосовое расположение, которое показано на Фиг.3, при котором светофильтры образуются тянущимися в продольном направлении независимо от границы электрода пикселя, и расположение в матрице два-на-два, имеющее четыре цвета, как показано на Фиг.4, при котором два светофильтра размещаются в каждом из направления строк и направления столбцов.

[0056] Фиг.5 - эквивалентная принципиальная схема в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления. В Варианте 1 осуществления рисунок схемы образуется для каждого элемента изображения (подпикселя), и поэтому на Фиг.5 иллюстрируются рисунки схем для двух элементов изображения.

[0057] Емкость Clc жидкого кристалла образуется электродом пикселя и противоэлектродом, которые размещаются обращенными друг к другу через жидкокристаллический слой. Значение Clc зависит от действующего напряжения (В), приложенного к жидкокристаллическому слою парой электродов. Накопительная емкость Ccs образуется электродом пикселя и шиной Cs (линией накопительного конденсатора), которые размещаются обращенными друг к другу через изолирующий слой. Емкость Cgd затвор-сток образуется электродом пикселя и шиной затвора (линией сканирования), которые размещаются обращенными друг к другу через изолирующий слой. Емкость Csd исток-сток образуется электродом пикселя и шиной истока (сигнальной линией), которые размещаются обращенными друг к другу через изолирующий слой.

[0058] TFT (тонкопленочный транзистор) включает в себя полупроводниковый слой, выполненный из кремния и т.п., и три электрода: электрод затвора, электрод истока и электрод стока. Электрод пикселя подключается к электроду стока в TFT. Электрод затвора в TFT подключается к шине затвора, а электрод истока в TFT подключается к шине истока.

[0059] Сигнал сканирования, поступивший в шину затвора импульсовидным способом в заранее установленный момент, подается на каждый из TFT в заранее установленный момент (путем последовательной записи по строкам, записи по чередующимся строкам, одновременной записи по двум строкам или т.п.). Затем сигнал изображения, поступивший из шины истока, подается на электрод пикселя, подключенный к TFT, который включается на заранее установленный период времени по вводу сигнала сканирования.

[0060] Сигнал изображения, имеющий заранее установленный уровень, который записывается в жидкокристаллический слой для каждого из элементов изображения, удерживается в течение заранее установленного периода времени между электродом пикселя с поданным на него сигналом изображения и противоэлектродом, обращенным к электроду пикселя. После того, как подается сигнал изображения, сигнал изображения, удерживаемый между электродом пикселя и противоэлектродом, может утекать. Чтобы предотвратить эту утечку, накопительная емкость Ccs образуется параллельно с емкостью Clc жидкого кристалла, образованной между электродом пикселя и противоэлектродом.

[0061] В Варианте 1 осуществления, как показано на Фиг.2, поперечные длины электродов 15 пикселей отличаются друг от друга, а продольные длины электродов 15 пикселей одинаковы. Поэтому площади электродов 15 пикселей отличаются друг от друга.

[0062] В дальнейшем примеры конфигураций расположения (Примеры с 1 по 6) трех светофильтров красного, зеленого и синего и четырех светофильтров красного, зеленого, синего и желтого описываются более точно.

Пример 1

[0063] Фиг.6 - схематический вид сверху светофильтров для пикселя из Примера 1. Как показано на Фиг.6, в Примере 1 размещаются три светофильтра красного (R), зеленого (G) и синего (B). Светофильтры в Примере 1 размещаются в форме полос, и элементы изображения одинаковых цветов размещаются в продольном направлении панели.

[0064] Электроды пикселей соответствующих трех цветов красного, зеленого и синего образуются имеющими одинаковую продольную длину, но разные поперечные длины (шаги элементов изображения). Как правило, электрод пикселя, имеющий больший шаг элемента изображения, имеет большую площадь элемента изображения.

[0065] В частности, ширина шага зеленого элемента изображения больше ширины шага красного элемента изображения и больше ширины шага синего элемента изображения. Ширина шага красного элемента изображения такая же, как ширина шага синего элемента изображения. Площадь зеленого элемента изображения больше площади красного элемента изображения и больше площади синего элемента изображения.

[0066] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого и синего цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорция зеленого элемента изображения увеличивается, получается большая прозрачность по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Между тем, когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать, например, путем управления сигналом задней подсветки и путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки.

[0067] В Примере 1 баланс между значениями α=Cgd/(Cgd+Csd+Ccs+Clc) у элементов изображения регулируется с использованием ширины канала у TFT. В частности, TFT, имеющий большую ширину канала, размещается для электрода пикселя, имеющего большую площадь. Поэтому ширина канала у TFT, размещенного для зеленого элемента изображения, больше ширины канала у TFT, размещенного для красного элемента изображения и больше ширины канала у TFT, размещенного для синего элемента изображения.

[0068] В силу этого можно легко регулировать для каждого из элементов изображения баланс емкости затвор-сток (Cgd), образованной между шиной затвора и электродом пикселя, емкости исток-сток (Csd), образованной между шиной истока и электродом пикселя, накопительной емкости (Ccs), образованной между шиной Cs и электродом пикселя, и емкости жидкого кристалла (Clc), образованной между электродом пикселя и противоэлектродом.

[0069] Фиг.7-11 являются схематическими видами сверху, соответственно показывающими пример средства, чтобы сделать ширину канала d (d1-d5) у TFT разной среди элементов изображения в Примере 1. Как показано на Фиг.7-11, TFT 14 подключается к каждой из шины 11 затвора и шины 12 истока. TFT 14 в качестве компонентов включает в себя полупроводниковый слой, выполненный из кремния и т.п., электрод 22 истока, тянущийся из части шины 12 истока, электрод 23 стока, который передает сигнал изображения из шины 12 истока в электрод пикселя через полупроводниковый слой, и электрод затвора, который является областью шины 11 затвора, которая перекрывает полупроводниковый слой.

[0070] Электрод 23 стока тянется к центру элемента изображения и образуется имеющим некоторое расширение. Контактное окно 24 образуется сквозь изолирующий слой, образованный на части 23a, имеющей некоторое расширение, и электрод 23 стока и электрод пикселя электрически соединяются друг с другом через контактное окно 24.

[0071] Часть 23a электрода 23 стока, которая имеет некоторое расширение, может образовывать накопительную емкость вместе с шиной Cs, размещенной под частью 23a через изолирующий слой. Шина Cs тянется параллельно шине 11 затвора.

[0072] Полупроводниковый слой, предусмотренный в TFT 14, перекрывает электрод 22 истока и электрод 23 стока. Область полупроводникового слоя, которая перекрывает электрод 22 истока, является областью истока, а область полупроводникового слоя, которая перекрывает электрод 23 стока, является областью стока. Кроме того, область полупроводникового слоя, которая не перекрывает электрод 22 истока и электрод 23 стока и которая располагается между электродом 22 истока и электродом 23 стока при виде сверху, является областью 21 канала. Поэтому полупроводниковый слой содержит три области: область истока, область 21 канала и область стока.

[0073] Область 21 канала, которая перекрывает шину 11 затвора, дает сигналу изображения возможность поступать из электрода 22 истока в электрод 23 стока, только когда сигнал сканирования вводится в шину 11 затвора. Поскольку длина (расстояние между электродом 22 истока и электродом 23 стока) области 21 канала определяется до некоторой степени подходящим значением, не является предпочтительным изменять длину области 21 канала для каждого из элементов изображения, но ширину d области 21 канала можно регулировать. Когда ширина d области 21 канала относительно длины области 21 канала увеличивается, проводимость TFT 14 можно дополнительно повысить. Поэтому в Примере 1 ширина d канала в зеленом элементе изображения формируется больше ширины d канала в красном и синем элементах изображения.

[0074] В силу этого изменяется значение емкости затвор-сток (Cgd), образованной между шиной затвора и электродом пикселя, и поэтому при использовании этого изменения значения оптимальных мешающих напряжений в элементах изображения регулируются соответственно, чтобы стать ближе друг к другу.

[0075] Фиг.7 - схематический вид сверху, показывающий первый пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала. Область 21 канала у TFT на Фиг.7 образуется между электродом 23 стока и электродом 22 истока и имеет ширину d1 канала. Значение α среди элементов изображения можно регулировать путем изменения размера d1 для каждого из элементов изображения.

[0076] Фиг.8 и Фиг.9 являются схематическими видами сверху, показывающими второй пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала. Ширина d2 канала у TFT 14 на Фиг.8 образуется не только между электродом 23 стока и электродом 22 истока, но также между электродом 23 стока и частью шины 12 истока. В этом случае, как показано на Фиг.9, ширина d2 канала у TFT 14 становится длиной суммы длины d3 части, обращенной к шине 12 истока, и длины d4 части, обращенной к электроду 22 истока. Значение α среди элементов изображения можно регулировать путем изменения размера d2 для каждого из элементов изображения.

[0077] Фиг.10 и Фиг.11 являются схематическими видами сверху, показывающими третий пример TFT, в котором регулируется размер ширины канала. В TFT 14, показанном на Фиг.10, электрод 22 истока, идущий от части шины 12 истока, разветвляется посередине, чтобы иметь форму, окружающую дальний конец электрода 23 стока. В этом случае, как показано на Фиг.11, ширина d5 канала TFT 14 становится длиной суммы длин d6 и d8 частей, параллельных шине 11 затвора, и длины d7 части, параллельной шине 12 истока. Значение α среди элементов изображения можно регулировать путем изменения размера d5 для каждого из элементов изображения.

[0078] В Примере 1 предпочтительно, чтобы значения α элементов изображения находились близко друг к другу. В частности, предпочтительно, чтобы отношение выражалось в виде: "(максимальное значение α - минимальное значение α)/(минимальное значение α) в значениях α элементов изображения равно 10% или меньше. Когда значения α элементов изображения устанавливаются близко друг к другу, подавляется изменение в ΔVd, которое является проходным напряжением, и посредством этого оптимальные мешающие напряжения среди элементов изображения становятся ближе друг к другу. В силу этого вероятность возникновения послеизображения можно значительно снизить. Значение α получается с помощью выражения: α=Cgd/Cpix (Cpix=Cgd+Csd+Ccs+Clc). По этой причине нужно регулировать параметры, включенные в выражение, чтобы регулировать баланс между значениями α элементов изображения. Баланс между значениями α элементов изображения можно эффективно регулировать путем регулирования ширины канала.

Пример 2

[0079] Фиг.12 - схематический вид сверху светофильтров для пикселя из Примера 2. Как показано на Фиг.12, светофильтры в Примере 2 размещаются в форме полос, и элементы изображения одинакового цвета размещаются в продольном направлении панели. Более того, в Примере 2 используются три светофильтра красного (R), зеленого (G) и синего (B) цветов. Порядок расположения цветов конкретно не ограничивается. В Примере 2 ширина шага красного (R) элемента изображения меньше ширин шага зеленого (G) элемента изображения и синего (B) элемента изображения. Ширина шага зеленого (G) элемента изображения такая же, как ширина шага синего (B) элемента изображения.

[0080] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого и синего цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорция красного элемента изображения уменьшается, получается большая прозрачность по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Отметим, что когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать, например, путем управления сигналом задней подсветки и путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки.

Пример 3

[0081] Фиг.13 - схематический вид сверху светофильтров для пикселя из Примера 3. Как показано на Фиг.13, светофильтры в Примере 3 размещаются в форме полос, и элементы изображения одинакового цвета размещаются в продольном направлении панели. Более того, в Примере 3 используются три светофильтра красного (R), зеленого (G) и синего (B) цветов. Порядок расположения цветов конкретно не ограничивается. В Примере 3 ширина шага красного (R) элемента изображения меньше ширины шага синего (B) элемента изображения, а ширина шага синего (B) элемента изображения меньше ширины шага зеленого (G) элемента изображения.

[0082] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого и синего цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорция красного элемента изображения уменьшается, а также увеличивается пропорция зеленого элемента изображения, получается большая прозрачность по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Отметим, что когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать, например, путем управления сигналом задней подсветки и путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки.

Пример 4

[0083] Фиг.14 - схематический вид сверху светофильтров для пикселя из Примера 4. Как показано на Фиг.14, светофильтры в Примере 4 размещаются в форме полос, и элементы изображения одинакового цвета размещаются в продольном направлении панели. Более того, в Примере 4 используются четыре светофильтра красного (R), зеленого (G), синего (B) и желтого (Y) цветов. Порядок расположения цветов конкретно не ограничивается. В Примере 4 ширина шага зеленого (G) элемента изображения такая же, как ширина шага желтого (Y) элемента изображения, и ширина шага красного (R) элемента изображения такая же, как ширина шага синего (B) элемента изображения. Ширина шага зеленого (G) и желтого (Y) элементов изображения меньше ширины шага красного (R) и синего (B) элементов изображения.

[0084] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорции красного и синего элементов изображения устанавливаются выше, а также пропорции зеленого элемента изображения и желтого элемента изображения устанавливаются ниже, более широкая воспроизводимость цветов получается по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Отметим, что когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать путем управления сигналом задней подсветки, путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки, или т.п.

Пример 5

[0085] Каждая из Фиг.15 и Фиг.16 является схематическим видом сверху светофильтров для пикселя из Примера 5. Как показано на Фиг.15, светофильтры в Примере 5 размещаются в форме полос, и элементы изображения одинакового цвета размещаются в продольном направлении панели. Более того, в Примере 5 используются четыре светофильтра красного (R), зеленого (G), синего (B) и желтого (Y) цветов. Порядок расположения цветов конкретно не ограничивается. В Примере 5 ширина шага зеленого (G) элемента изображения такая же, как ширина шага желтого (Y) элемента изображения. Ширина шага красного (R) элемента изображения больше любой из ширины шага зеленого (G) элемента изображения и ширины шага желтого (Y) элемента изображения. Более того, ширина шага синего (B) элемента изображения больше любой из ширины шага зеленого (G) элемента изображения и ширины шага желтого (Y) элемента изображения.

[0086] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорции красного и синего элементов изображения устанавливаются выше, а также пропорции зеленого и желтого элементов изображения устанавливаются ниже, более широкая воспроизводимость цветов получается по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Отметим, что когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать, например, путем управления сигналом задней подсветки и путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки.

[0087] В связи между ширинами шага красного и синего элементов изображения предполагается форма, в которой одна из ширин шага красного и синего элементов изображения больше другой. Когда ширина шага синего элемента изображения больше ширины шага красного элемента изображения, светофильтры конфигурируются как показано на Фиг.15, а когда ширина шага красного элемента изображения больше ширины шага синего элемента изображения, светофильтры конфигурируются как показано на Фиг.16.

[0088] В этих случаях предпочтительно, чтобы ширины шага красного и синего элементов изображения устанавливались соответствующим образом в соответствии с местами расположения распорок для фиксации зазора ячейки, местом образования линии Cs в области отображения и т.п. В частности, когда многослойная распорка, образованная путем укладывания слоями светофильтров множества цветов, используется в качестве распорки, многослойная распорка может быть образована в красном элементе изображения, чтобы получить достаточную высоту распорки. В этом случае предпочтительно, чтобы пропорция красного элемента изображения была меньше пропорции синего элемента изображения. Кроме того, когда, например, медь (Cu) используется для металлической линии, например, шины затвора и шины истока, отраженный медным (Cu) слоем свет может стать красноватым, и поэтому многослойная распорка может быть образована в синем элементе изображения. В этом случае предпочтительно, чтобы пропорция синего элемента изображения была меньше пропорции красного элемента изображения.

Пример 6

[0089] Каждая из Фиг.17-20 является схематическим видом сверху светофильтров для пикселя из Примера 6. Как показано на Фиг.17-20, светофильтры в Примере 6 размещаются в форме полос, и элементы изображения одинакового цвета размещаются в продольном направлении панели. Более того, в Примере 6 используются четыре светофильтра красного (R), зеленого (G), синего (B) и желтого (Y) цветов. Порядок расположения цветов конкретно не ограничивается. В Примере 6 ширина шага красного (R) элемента изображения больше любой из ширины шага зеленого (G) элемента изображения и ширины шага желтого (Y) элемента изображения. Также ширина шага синего (B) элемента изображения больше любой из ширины шага зеленого (G) элемента изображения и ширины шага желтого (Y) элемента изображения. В связи между ширинами шага зеленого элемента изображения и желтого элемента изображения предполагается вариант осуществления, в котором одна из ширин шага зеленого элемента изображения и желтого элемента изображения больше другой. Также в связи между ширинами шага красного и синего элементов изображения предполагается вариант осуществления, в котором одна из ширин шага красного и синего элементов изображения больше другой. Фиг.17 показывает вариант осуществления, в котором ширины шага элементов изображения устанавливаются как желтый<зеленый<синий<красный, а Фиг.18 показывает вариант осуществления, в котором ширины шага элементов изображения устанавливаются как зеленый<желтый<синий<красный. Фиг.19 показывает вариант осуществления, в котором ширины шага элементов изображения устанавливаются как желтый<зеленый<красный<синий, а Фиг.20 показывает вариант осуществления, в котором ширины шага элементов изображения устанавливаются как зеленый<желтый<красный<синий.

[0090] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорции красного и синего элементов изображения устанавливаются выше, а также пропорции зеленого элемента изображения и желтого элемента изображения устанавливаются ниже, более широкая воспроизводимость цветов получается по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Между тем, когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать, например, путем управления сигналом задней подсветки и путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки.

[0091] В связях между ширинами шага красного и синего элементов изображения и между ширинами шага зеленого элемента изображения и желтого элемента изображения предпочтительно, чтобы аналогично Примеру 5, ширины шага элементов изображения устанавливались соответствующим образом в соответствии с местами расположения распорок для фиксации зазора ячейки, местом образования линии Cs в области отображения и т.п. В частности, ширины шага у элементов изображения устанавливаются, как описано выше.

Пример 7

[0092] Каждая из Фиг.21 и Фиг.22 является схематическим видом сверху светофильтров для пикселя из Примера 7. Как показано на Фиг.21 и Фиг.22, светофильтры в Примере 7 размещаются в форме матрицы два-на-два, соответствующей четырем элементам изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов. Один элемент изображения конфигурируется суммой четырех квадратов, размещенных в матричной форме, в которой два квадрата образуются в каждом из продольного направления и поперечного направления. Порядок расположения цветов конкретно не ограничивается. Любой из шаблонов площадей элементов изображения в Примерах 4-6 может применяться к площадям соответствующих элементов изображения в Примере 7. То есть Пример 7 является таким же, как Примеры 4-6, за исключением того, что полосовое расположение светофильтров меняется на расположение в матрице два-на-два. Отметим, что в случае расположения в матрице два-на-два пиксель конфигурируется не только элементами изображения, размещенными в поперечном направлении, но также элементами изображения, размещенными в продольном направлении, в отличие от случая полосового расположения. Поэтому предполагается случай, где ширины шага отличаются в продольном направлении, как показано на Фиг.21, а также предполагается случай, где ширины шага отличаются в поперечном направлении, как показано на Фиг.22.

[0093] В случае, где все элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов не образуются имеющими одинаковую ширину шага, и пропорция красного элемента изображения устанавливается ниже, получается большая прозрачность по сравнению со случаем, где пропорции этих элементов изображения одинаковы. Между тем, когда площадь электрода пикселя отличается среди элементов изображения, цветовой баланс может ухудшаться, но цветовой баланс можно регулировать путем управления задней подсветкой. В частности, цветовой баланс можно регулировать путем управления сигналом задней подсветки, путем изменения соотношения люминофора у источника света, используемого для задней подсветки и т.п.

[0094] Далее идет пример, в котором перекрывающаяся область электрода пикселя, перекрытого электродом затвора, управляется так, что устанавливается градация Cgd, а также регулируются значения α среди элементов изображения в жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 5. Фиг.23 - схематический вид сверху, показывающий пример TFT, в котором размер перекрывающейся области электрода пикселя регулируется в Примере 5.

[0095] Как показано на Фиг.23, TFT 14 включает в себя электрод 22 истока, идущий от части шины 12 истока, электрод 25 затвора, идущий от части шины 11 затвора, и электрод 23 стока, подключенный к электроду пикселя. TFT 14 включает в себя полупроводниковый слой в положении, в котором TFT 14 перекрывает электрод 25 затвора. Часть полупроводникового слоя перекрывает часть каждого из электродов 22 истока и электродов 23 стока. Более того, другая часть полупроводникового слоя не перекрывает ни электрод 22 истока, ни электрод 23 стока. В другой части полупроводникового слоя часть, помещенная между электродом 22 истока и электродом 23 стока при виде сверху, является областью 21 канала. Здесь ширина области 21 канала полупроводникового слоя устанавливается разной для каждого из элементов изображения, но интервал между электродом 22 истока и электродом 23 стока устанавливается одинаковым для каждого из элементов изображения.

[0096] В примере, показанном на Фиг.23, электрод 23 стока имеет линейную форму, вытянутую в направлении параллельно шине 12 истока. Кроме того, электрод 22 истока при виде сверху имеет отверстие, открытое к стороне, противоположной стороне шины 11 затвора, и имеет форму, сконфигурированную для окружения дальнего конца электрода 23 стока.

[0097] Ширина электрода 23 стока обозначается условным обозначением c, а интервал между электродом 23 стока и электродом 22 истока в направлении, параллельном шине 11 затвора, обозначается условным обозначением d. Расстояние между электродом 23 стока и электродом 22 истока в направлении, параллельном шине 12 затвора, обозначается условным обозначением e. Длина части электрода 22 истока, которая обращена к электроду 23 стока и которая параллельна шине 12 истока, обозначается условным обозначением a. Длина, полученная путем вычитания длины части электрода 22 истока, которая параллельна шине 12 истока, из длины части электрода 25 затвора, которая параллельна шине 12 истока, обозначается условным обозначением b.

[0098] Таблица 1 показывает данные элементов изображения перед установкой градации Cgd (значения устанавливаются так, чтобы разницы ΔVd уменьшались среди элементов изображения перед установкой градации).

В жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 5 в случае, где в четырехцветных элементах изображения, имеющих разные шаги элементов изображения, ширины шага у элементов изображения устанавливались как "синий">"красный">"зеленый"="желтый", отклонение значений α (max-min) у элементов изображения можно было бы опустить до 3,88% путем регулирования значений от a до e среди элементов изображения, как показано в описанной ниже Таблице 1. Кроме того, ΔVd в красном элементе изображения было равно 1,838 В, ΔVd в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения было равно 1,901 В, и ΔVd в синем элементе изображения было равно 1,910 В. Разница между максимальным и минимальным значениями ΔVd составляла 72 мВ. В Примере 8 и Примере 9 ниже значение α регулируется среди элементов изображения, и дополнительно устанавливается градация Cgd. В случае отсутствия установки градации возникает распределение мешающего напряжения в плоскости, и соответственно в отображенных изображениях может возникнуть мерцание или ухудшение изображения. Отношение ширины шага у красного, зеленого, желтого и синего элементов изображения устанавливалось как "красный":"зеленый":"желтый":"синий"=1,4:1:1:1,7.

[0099]

Таблица 1   Элемент R изображения Элементы G и Y изображения Элемент B изображения a (мкм) 28,0 19,0 40,5 b (мкм) 6,0 6,0 6,0 c (мкм) 5,0 5,0 5,0 d (мкм) 4,5 4,5 4,5 e (мкм) 4,5 4,5 4,5 ΔVd (В) 1,838 1,901 1,910

Пример 8

[0100] Нижеследующая Таблица 2 показывает информацию об элементах изображения в случае установки градации, так что одинаковое ΔCgd/Cpix применялось к элементам изображения в жидкокристаллическом устройстве отображения, включающем в себя элементы изображения, показанные в Таблице 1. Для установки градации Cdg перекрывающаяся область электрода затвора и электрода стока изменялась путем изменения длины электрода затвора в направлении распространения сигнала линии сканирования. Длина электрода 26 затвора, которую нужно изменить, обозначается условным обозначением g. Длина в направлении, параллельном шине 11 затвора электрода 25 затвора, идущего от части шины 11 затвора, обозначается условным обозначением f. Величина 1-шаговой коррекции (величина коррекции Cgd) относится к величине увеличения или уменьшения g за 1 Шаг. Общее количество Шагов относится к количеству раз выполнения Шага для увеличения g при коррекции. Максимальная величина коррекции относится к максимальному значению g. Величина коррекции ΔVd (мВ) за 1 Шаг относится к величине увеличения или уменьшения ΔVd, вызванного сопутствующим увеличением или уменьшением g за 1 Шаг. Максимальная величина коррекции (мВ) относится к величине коррекции ΔVd, когда g является максимальным значением, и является максимальным значением величины коррекции ΔVd. Отклонение оптимального мешающего напряжения (мВ) является разницей между максимальным значением и минимальным значением распределения мешающего напряжения в плоскости перед установкой градации. ΔVd (В) в положении, где применяется максимальная величина коррекции, относится к значению ΔVd, когда g является максимальным значением (положение в плоскости панели, где g является максимальным значением).

[0101] Фиг.24 - график, показывающий мозаичную область между Шагом (n) и Шагом (n+1) в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 1 осуществления. Мозаичная область 133 является областью, где смешиваются пиксель 131 Шага (n) и пиксель 132 Шага (n+1). Мозаичная область 133 может предоставляться или не предоставляться в жидкокристаллическом дисплее. Количество пикселей в направлении линии сканирования мозаичной области 133 является любым при условии, что предотвращается появление визуально неровной части, чтобы получались гладкие дисплеи. Это количество обычно постоянно (например, 24). Количество пикселей (количество пикселей, которое нужно обслуживать) в части, не включающей в себя вышеописанную смесь, может быть равно, например, четырем или более. Аналогичным образом мозаичная область предоставляется в Примере 9 и Сравнительном примере 1. Коррекция с помощью градации Cgd в основном определяется величиной коррекции за 1 Шаг и количеством пикселей в части, не включающей в себя смесь, которая описана выше. Меньшее количество пикселей, которое нужно обслуживать, приводит к чрезмерной коррекции, и соответственно можно добиться большей величины коррекции. В отличие от этого большее количество пикселей, которое нужно обслуживать, приводит к умеренной коррекции и, соответственно, можно добиться меньшей величины коррекции.

[0102]

Таблица 2   Элемент R изображения Элементы G и Y изображения Элемент B изображения f(мкм) 20,0 20,0 20,0 g Величина коррекции за 1 Шаг (мкм) 0,5 0,25 0,75 Общее количество Шагов (единица: разы) 11 16 10 Максимальная величина коррекции (мкм) 5,5 4 7,5 Величина коррекции ΔVd за 1 Шаг (мВ) 14,0 9,9 16,4 Максимальная величина коррекции (мВ) 154,1 157,8 163,5 Отклонение оптимального мешающего напряжения (мВ) 324,0 324,0 324,0 ΔVd(В) в положении, где применяется максимальная величина коррекции 1,668 1,735 1,750

[0103] Фиг.25 - график, показывающий величину коррекции ΔVd (мВ) в относительных положениях от входной клеммы затвора в жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 8.

В жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 8 путем управления значением g в каждом элементе изображения в соответствии со значениями, показанными в Таблице 2, разница в величине коррекции ΔVd при максимальной величине коррекции приводилась к 154,1 мВ в красном элементе изображения, к 157,8 мВ в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения и к 163,5 мВ в синем элементе изображения. Таким образом, разница между максимальным значением и минимальным значением разницы в величине коррекции ΔVd при максимальной величине коррекции среди элементов изображения составляла 9,4 мВ. Отклонение оптимального мешающего напряжения составляло 324 мВ. При максимальной величине коррекции значение ΔVd было равно 1,668 В в красном элементе изображения, 1,735 В в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения и 1,750 В в синем элементе изображения, и поэтому разница между максимальным и минимальным значениями ΔVd составляла 82 мВ при максимальной величине коррекции. Отклонение α (отношение разницы между максимальным и минимальным значениями α к минимальному значению α) составляло 4,19%. С помощью вышеописанного исполнения оптимальное мешающее напряжение управляется в достаточной мере в элементах изображения. Поэтому получилось жидкокристаллическое устройство отображения, допускающее подавление формирования послеизображения.

[0104] Каждая из Фиг.26 и Фиг.27 показывает график, полученный в случае, где градация устанавливалась так, что одинаковое ΔCgd/Cpix применялось к каждому из элементов изображения, когда имелась разница в ΔVd среди элементов изображения, как показано в Примере 8. На каждой из Фиг.26 и Фиг.27 показан график, полученный в случае, где использовались трехцветные элементы изображения, и сигнал линии сканирования вводился только из положения x=0 на горизонтальной оси.

Фиг.26 - график, показывающий градацию 102 Cgd, предусмотренную в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 8. На Фиг.26 сплошная линия показывает величину коррекции Cgd (градацию Cgd), предусмотренную в R (красном), G (зеленом) и B (синем).

Фиг.27 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у каждого из трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 8. Как показано на Фиг.27, в случае, где градация Cgd обеспечивалась до такой степени, что распределение 103 мешающего напряжения в плоскости снижалось достаточно, распределение 103 мешающего напряжения в плоскости в элементах изображения было почти постоянным. Соответственно, разница ΔVd среди элементов изображения была приблизительно такой же, как в случае отсутствия градации Cgd. На Фиг.27 штрихпунктирная линия показывает распределение 103 мешающего напряжения в плоскости у G (зеленого), пунктирная линия показывает распределение 103 мешающего напряжения в плоскости у B (синего), и штриховая линия показывает распределение 103 мешающего напряжения в плоскости у R (красного). В измененной версии Примера 8, как показано на Фиг.27, в случае, где значения ΔVd задавались равномерными, но отклонялись на величину A, распределения 103 мешающего напряжения в плоскости кажутся параллельными линиями переноса в каждом пикселе. В отличие от этого в случае, где градация Cgd устанавливается добивающейся одинакового Cgd/Cpix, принимая во внимание разницу в емкостях пикселей, и также практически в величину, которая полностью компенсирует отклонение оптимального мешающего напряжения, распределение 103 мешающего напряжения в плоскости постоянно при разнице ΔVd, равной A.

[0105] Каждая из Фиг.28 и Фиг.29 показывает график, полученный в случае, где градация устанавливалась так, что одинаковое ΔCgd/Cpix применялось к элементам изображения, когда имелась разница в ΔVd среди элементов изображения, как показано в Примере 8. На каждой из Фиг.28 и Фиг.29 показан график, полученный в случае, где использовались трехцветные элементы изображения, и сигнал линии сканирования вводился только из положения x=0 на горизонтальной оси.

Фиг.28 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из другой измененной версии Примера 8. На Фиг.28 сплошная линия показывает величину коррекции Cgd, установленную для R (красного), G (зеленого) и B (синего).

Фиг.29 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из другой измененной версии Примера 8. Как показано на Фиг.29, в случае, где градация Cgd обеспечивалась до такой степени, что распределения мешающего напряжения в плоскости снижались достаточно, изменение в распределениях мешающего напряжения в плоскости в элементах изображения уменьшается, но остается. Таким образом, распределения мешающего напряжения в плоскости не являются постоянными. Разница ΔVd среди элементов изображения была приблизительно такой же, как в случае отсутствия градации Cgd. На Фиг.29 штрихпунктирная линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у G (зеленого), пунктирная линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у B (синего), и штриховая линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у R (красного). В другом измененном Примере 8, как показано на Фиг.29, в случае, где значения ΔVd задавались равномерными, но отклонялись на величину A, распределения мешающего напряжения в плоскости кажутся параллельными линиями переноса в каждом пикселе. Например, разница A ΔVd в положении x=0 и разница A ΔVd в положении максимальной величины коррекции приблизительно одинаковы. В плане достижения постоянного распределения мешающего напряжения в плоскости величина градации Cgd предпочтительно является величиной, которая практически компенсирует отклонение оптимального мешающего напряжения, как в измененной версии Примера 8, описанной выше.

Пример 9

[0106] Нижеследующая Таблица 3 показывает информацию об элементах изображения в случае, где градация устанавливалась так, что достигалось Cgd/Cpix, приводящее к равномерным мешающим напряжениям в плоскости у элементов изображения в жидкокристаллическом устройстве отображения, включающем в себя элементы изображения, показанные в вышеприведенной Таблице 1. Даже в случае, где градация устанавливается таким же образом, как в Примере 8, разница в значениях ΔVd в Примере 9 приблизительно составляет несколько десятков мВ (82 мВ в Примере 8). Поэтому градация Cgd устанавливалась с учетом разницы ΔVd. Между тем элементы в Таблице 3 являются такими же, как показаны в вышеприведенной Таблице 2.

[0107]

Таблица 3   Элемент R изображения Элементы G и Y изображения Элемент B изображения f(мкм) 20,0 20,0 20,0 g Величина коррекции за 1 Шаг (мкм) 0,5 0,25 0,75 Общее количество Шагов (единица: разы) 11 16 9 Максимальная величина коррекции (мкм) 5,5 4 6,75 Величина коррекции ΔVd за 1 Шаг (мВ) 14,0 9,9 16,4 Максимальная величина коррекции (мВ) 154,1 157,8 147,2 Отклонение оптимального мешающего напряжения (мВ) 324,0 324,0 324,0 ΔVd(В) в положении, где применяется максимальная величина коррекции 1,668 1,735 1,733

[0108] Фиг.30 - график, показывающий величины коррекции ΔVd (мВ) в относительных положениях от входной клеммы затвора в жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 9.

В жидкокристаллическом устройстве отображения из Примера 9 путем управления значением g в каждом элементе изображения в соответствии со значениями, показанными в Таблице 3 и Фиг.30, разница в величине коррекции ΔVd при максимальной величине коррекции приводилась к 154,1 мВ в красном элементе изображения, к 157,8 мВ в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения и к 147,2 мВ в синем элементе изображения. Таким образом, разница между максимальным значением и минимальным значением разницы в величине коррекции ΔVd при максимальной величине коррекции среди элементов изображения составляла 23 мВ. При максимальной величине коррекции значение ΔVd было равно 1,668 В в красном элементе изображения, 1,735 В в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения и 1,733 В в синем элементе изображения. Поэтому разница между максимальным и минимальным значениями ΔVd составляла 67,0 мВ при максимальной величине коррекции. Отклонение α (отношение разницы между максимальным и минимальным значениями α к минимальному значению α) составляло 3,40%. С помощью вышеописанного исполнения путем снижения уровня управления оптимальным мешающим напряжением в элементах изображения можно ликвидировать отклонение значения α. Посредством этого получилось жидкокристаллическое устройство отображения, допускающее подавление формирования послеизображения.

[0109] Каждая из Фиг.31 и Фиг.32 показывает график, полученный в измененной версии Примера 9, в которой градация устанавливалась так, что достигалось Cgd/Cpix, приводящее к равномерным мешающим напряжениям в плоскости у элементов изображения, когда имеется разница в ΔVd среди элементов изображения, как в Примере 9. График, использующий элементы изображения трех цветов (RGB), показан в измененной версии Примера 9.

Фиг.31 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 9. На Фиг.31 меньший уровень градации Cgd устанавливается для элемента (R) пикселя с большим ΔVd. На Фиг.31 сплошная линия показывает величину коррекции Cgd, установленную для G (зеленого) и B (синего), а штриховая линия показывает величину коррекции Cgd, установленную для R (красного).

Фиг.32 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Примера 9. На Фиг.32 штрихпунктирная линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у G (зеленого), пунктирная линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у B (синего), и штриховая линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у R (красного).

Как показано на Фиг.31 и Фиг.32, градация Cgd устанавливалась так, что значения α у элементов изображения становятся как можно ближе друг к другу, учитывая при этом разницу ΔVd, в момент максимальной величины коррекции в Примере 9 и в измененной версии Примера 9.

Когда меньший уровень градации Cgd устанавливается для элемента (R) пикселя с большим ΔVd, и больший уровень градации Cgd устанавливается для элементов (G, B) пикселя с меньшим ΔVd, как описано выше, изменение в распределениях мешающего напряжения в плоскости уменьшается, и разницу ΔVd можно сделать меньше, хотя и не такой же, как в Примере 8. Например, хотя разница ΔVd в положении x=0 остается равной A, разница B ΔVd в положении, соответствующем максимальной величине коррекции, меньше A.

[0110] Как описано в Примере 8 и Примере 9, перекрывающаяся область электрода пикселя, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения. Скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Кроме того, как в случае жидкокристаллических устройств отображения, показанных в Примере 8 и Примере 9, среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, скорость увеличения величины коррекции затвор-сток (скорость увеличения емкости затвор-сток, увеличенной путем изменения перекрывающейся области электрода пикселя с линией сканирования) в направлении сигнала сканирования в электроде пикселя с большей емкостью затвор-сток (электроде пикселя с большей емкостью затвор-сток до коррекции), когда перекрывающаяся область электрода пикселя с линией сканирования не изменяется, предпочтительно является такой же или больше скорости увеличения в электроде пикселя с меньшей емкостью затвор-сток (электроде пикселя с меньшей емкостью затвор-сток до коррекции), когда перекрывающаяся область электрода пикселя с линией сканирования не изменяется. С помощью вышеописанного исполнения можно выгодно остановить изменение в распределениях мешающего напряжения в плоскости, и разницу ΔVd можно сделать еще меньше.

[0111] Пример 8 особенно предпочтителен в плане предотвращения изменения в распределениях мешающего напряжения в плоскости. Пример 9 особенно предпочтителен в плане достижения меньшего отклонения α. Предпочтительной градацией (коррекцией Cgd) может быть любая из показанной в Примере 8 и показанной в Примере 9.

Сравнительный пример 1

[0112] Нижеследующая Таблица 4 показывает информацию об элементах изображения в случае, где расположение градации не управляется в жидкокристаллическом устройстве отображения, включающем в себя элементы изображения, показанные в вышеприведенной Таблице 1. Между тем элементы в Таблице 4 являются такими же, как показаны в вышеприведенных Таблицах 2 и 3.

[0113]

Таблица 4   Элемент R изображения Элементы G и Y изображения Элемент B изображения f(мкм) 20,0 20,0 20,0 g Величина коррекции за 1 Шаг (мкм) 0,25 0,25 0,25 Общее количество Шагов (единица: разы) 16 16 16 Максимальная величина коррекции (мкм) 4 4 4 Величина коррекции ΔVd за 1 Шаг (мВ) 7,0 9,9 5,5 Максимальная величина коррекции (мВ) 112,0 157,8 87,2 Отклонение оптимального мешающего напряжения (мВ) 324,0 324,0 324,0 ΔVd(В) в положении, где применяется максимальная величина коррекции 1,626 1,735 1,673

[0114] Фиг.33 - график, показывающий величину коррекции ΔVd (мВ) в относительных положениях от входной клеммы затвора в жидкокристаллическом устройстве отображения из Сравнительного примера 1.

В жидкокристаллическом устройстве отображения из Сравнительного примера 1 путем управления значением g в каждом элементе изображения в соответствии со значениями, показанными в Таблице 4 и Фиг.33, разница в величине коррекции ΔVd при максимальной величине коррекции регулировалась до 112,0 мВ в красном элементе изображения, 157,8 мВ в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения и 87,2 мВ в синем элементе изображения. Таким образом, разница между максимальным значением и минимальным значением разницы в величине коррекции ΔVd при максимальной величине коррекции среди элементов изображения составляла 70,6 мВ. При максимальной величине коррекции значение ΔVd было равно 1,626 В в красном элементе изображения, 1,735 В в зеленом элементе изображения и желтом элементе изображения и 1,673 В в синем элементе изображения, и поэтому разница между максимальным и минимальным значениями ΔVd составляла 109 мВ при максимальной величине коррекции. Отклонение α (отношение разницы между максимальным и минимальным значениями α к минимальному значению α) составляло 6,53%. Поэтому послеизображение может возникать в жидкокристаллическом устройстве отображения с вышеописанным исполнением.

[0115] Каждая из Фиг.34 и Фиг.35 показывает график, полученный в измененной версии Сравнительного примера 1, в которой градация устанавливалась при одинаковом условии относительно скорости увеличения перекрывающейся области электрода пикселя с линией сканирования среди элементов пикселя, когда имеется разница в ΔVd среди элементов изображения, как показано в Сравнительном примере 1. Поскольку емкости пикселей у электродов пикселей отличаются друг от друга, градация отличается друг от друга. Между тем графики, показанные на Фиг.34 и Фиг.35, получаются, когда использовались элементы изображения трех цветов (RGB).

Фиг.34 - график, показывающий градацию Cgd, выполненную в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Сравнительного примера 1. На Фиг.34 штрихпунктирная линия показывает величину коррекции Cgd, установленную для G (зеленого), пунктирная линия показывает величину коррекции Cgd, установленную для B (синего), и штриховая линия показывает величину коррекции Cgd, установленную для R (красного).

Фиг.35 - график, показывающий распределения мешающего напряжения в плоскости у трех основных цветов RGB в случае выполнения градации Cgd в жидкокристаллическом устройстве отображения из измененной версии Сравнительного примера 1. На Фиг.35 штрихпунктирная линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у G (зеленого), пунктирная линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у B (синего), и штриховая линия показывает распределение мешающего напряжения в плоскости у R (красного).

Как показано на Фиг.34 и Фиг.35, в Сравнительном примере 1 и измененной версии Сравнительного примера 1 градация Cgd может устанавливаться слишком высокой (G) или слишком низкой (R) для величины компенсации, необходимой в случае, где градация Cgd устанавливается в той же форме (такая же величина коррекции Cgd и количество шагов) без учета разницы в емкостях пикселей. Поэтому невозможно управлять распределением мешающего напряжения в плоскости и ΔVd в диапазонах, которые дают возможность достаточного проявления результатов настоящего изобретения. Например, разница C ΔVd в положении, соответствующем максимальной величине коррекции, больше разницы A ΔVd в положении x=0.

[0116] Нижеследующая Таблица 5 является таблицей, показывающей допустимые диапазоны отклонения значения α, когда разница значений ΔVd предполагается меньше 100 мВ в жидкокристаллическом устройстве отображения из настоящего изобретения. Видно, что когда разница между значениями ΔVd равна 100 мВ или меньше, послеизображение можно легко подавить, и что когда разница между значениями ΔVd равна 50 мВ или меньше, послеизображение можно подавить надежнее.

[0117]

Таблица 5 ΔVd(В) Vgpp(V) α Отклонение α (%) 1 41 0,02439 10,0 1,1 41 0,02683 1,5 41 0,03659 6,7 1,6 41 0,03902 2 41 0,04878 5,0 2,1 41 0,05122 3 41 0,07317 3,3 3,1 41 0,07561

[0118] Как показано в описанной выше Таблице 5, отклонение значения α было равно 10,0% в момент, когда значение ΔVd устанавливалось в 1,0 В и когда разница между значениями ΔVd устанавливалась в 100 мВ. Отклонение значения α было равно 6,7% в момент, когда значение ΔVd устанавливалось в 1,5 В и когда разница между значениями ΔVd устанавливалась в 100 мВ. Отклонение значения α было равно 5,0% в момент, когда значение ΔVd устанавливалось в 2,0 В и когда разница между значениями ΔVd устанавливалась в 100 мВ. Отклонение значения α было равно 3,3% в момент, когда значение ΔVd устанавливалось в 3,0 В и когда разница между значениями ΔVd устанавливалась в 100 мВ.

[0119] Обнаружено предпочтительным, чтобы в обычном жидкокристаллическом устройстве отображения значение ΔVd устанавливалось в диапазоне от 1,5 до 3,0 В, и что при этом условии отклонение значения α устанавливается в диапазоне 7,0% или меньше. Кроме того, возможно, что значение ΔVd можно установить в диапазоне ΔVd=1 В в будущем, и было обнаружено предпочтительным, чтобы в этом случае отклонение значения α устанавливалось в диапазоне 10,0% или меньше.

[0120] Исследовалась связь между размером канала и площадью электрода пикселя в жидкокристаллическом устройстве отображения из настоящего изобретения. В результате были получены данные, которые показаны в Таблице 6 и на Фиг.36. Фиг.36 - график, показывающий связь между отношением размера канала и отношением площади электрода пикселя.

[0121]

Таблица 6 Отношение размера канала Отношение площади электрода пикселя 0,491 0,6 0,618 0,7 0,745 0,8 0,873 0,9 1,000 1 1,127 1,1 1,255 1,2 1,382 1,3 1,509 1,4

[0122] Изменение в значениях α среди элементов изображения перед выполнением градации Cgd можно остановить путем изменения значений от a до e у канала TFT в соответствии с Таблицей 6 и по прямой линии, показанной на Фиг.36.

[0123] Более того, разница в длинах электрода истока и электрода стока между TFT, показанными на Фиг.7-9, фактически также влияет на перекрывающуюся область шины затвора и электрода стока, как показано на Фиг.37-39. Каждая из Фиг.37-39 является схематическим видом сверху, показывающим область, в которой шина затвора и электрод стока перекрывают друг друга в Варианте 1 осуществления. Поскольку значение емкости затвор-сток (Cgd) больше изменяется, когда увеличивается перекрывающаяся область шины 11 затвора и электрода 23 стока, баланс среди всех значений α у элементов изображения можно регулировать также путем регулирования перекрывающейся области шины 11 затвора и электрода 23 стока в дополнение к регулировке длины канала.

[0124] Как описано выше, в Варианте 1 осуществления регулируется баланс между значениями α=Cgd/(Cgd+Csd+Ccs+Clc) у элементов изображения. Как видно из вышеописанного выражения, эффективно регулировать Cgd, чтобы регулировать баланс между значениями α у элементов изображения.

[0125] В действительности разница в перекрывающейся области электрода стока и шины затвора в TFT также влияет на емкость затвор-сток (Cgd), образованную между шиной затвора и электродом стока. Когда перекрывающаяся область шины затвора и электрода стока увеличивается, значение емкости затвор-сток (Cgd) увеличивается. Таким образом, баланс между значениями α у элементов изображения можно регулировать также путем регулирования перекрывающейся области шины затвора и электрода стока.

[0126] Каждая из Фиг.40-43 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.37. Каждая из Фиг.40 и Фиг.41 показывает форму, в которой изменяется ширина d1 канала у TFT, показанного на Фиг.37. На Фиг.40 выступающий участок предоставляется в плоской форме в части перекрывающейся области электрода 23 стока и шины 11 затвора. На Фиг.41 увеличивается ширина d1 канала в целом. Каждая из Фиг.42 и Фиг.43 показывает форму, в которой изменяется размер d2 у TFT, показанного на Фиг.37. На Фиг.42 длина d2 увеличивается. На Фиг.43 форма электрода 23 стока остается как есть, но выступающий участок предоставляется в плоской форме в части шины 11 затвора, чтобы увеличилась перекрывающаяся область электрода 23 стока и шины 11 затвора.

[0127] Каждая из Фиг.44-46 показывает пример TFT, в котором размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока регулируется в примере TFT, показанного на Фиг.38. Фиг.44 показывает форму, в которой изменяется размер d3 у TFT, показанного на Фиг.38. На Фиг.44 увеличивается ширина d3 в целом. Каждая из Фиг.45 и Фиг.46 показывает форму, в которой изменяется размер d4 у TFT, показанного на Фиг.38. На Фиг.45 длина d4 увеличивается. На Фиг.46 форма электрода 23 стока остается как есть, но выступающий участок предоставляется в плоской форме в части шины 11 затвора, чтобы увеличилась перекрывающаяся область электрода 23 стока и шины 11 затвора.

[0128] Емкость затвор-сток (Cgd), образованная между шиной затвора и электродом стока, также образуется в области, в которой шина затвора и электрод пикселя непосредственно перекрывают друг друга. Поскольку значение емкости затвор-сток (Cgd) увеличивается, когда увеличивается перекрывающаяся область шины затвора и электрода пикселя, баланс между значениями α у элементов изображения можно регулировать также путем регулирования перекрывающейся области шины затвора и электрода пикселя.

[0129] Каждая из Фиг.47-49 является схематическим видом сверху, показывающим область, в которой шина затвора и электрод пикселя перекрывают друг друга в Варианте 1 осуществления. Фиг.47 показывает форму, в которой обычная шина затвора и обычный электрод пикселя перекрывают друг друга, и в которой конечная часть электрода 15 пикселя формируется линейной, и шина 11 затвора тянется параллельно конечной части электрода 15 пикселя. Каждая из Фиг.48 и Фиг.49 показывает пример, в котором регулируется размер перекрывающейся области шины затвора и электрода стока. На Фиг.48 выступающий участок предоставляется в плоской форме в части электрода 15 пикселя в перекрывающейся области электрода 15 пикселя и шины 11 затвора. Поэтому в результате расширяется перекрывающаяся область электрода 15 пикселя и шины 11 затвора. На Фиг.49 утопленный участок (вырезанный участок) предоставляется в плоской форме в части электрода 15 пикселя в перекрывающейся области электрода 15 пикселя и шины 11 затвора. Поэтому в результате сужается перекрывающаяся область электрода 15 пикселя и шины 11 затвора.

[0130] Как описано выше, когда перекрывающаяся область электрода стока и шины затвора и перекрывающаяся область электрода пикселя и шины затвора управляются так, чтобы, например, перекрывающаяся область электрода пикселя с большей площадью была больше перекрывающейся области электрода пикселя с меньшей площадью среди множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя, можно сделать больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя. В результате можно остановить изменение в значениях α среди элементов изображения перед выполнением градации Cgd. Кроме того, когда перекрывающаяся область образуется так, что она сначала увеличивается в направлении распространения линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается, и скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей в разных областях, величину коррекции Cdg в каждом электроде пикселя можно установить подходящим образом в зависимости от площади электрода пикселя. Поэтому мешающее напряжение можно приблизить к оптимальному значению для каждого элемента изображения, и соответственно можно получить жидкокристаллическое устройство отображения, допускающее подавление формирования послеизображения.

[0131] Нижеследующее показывает пример, в котором перекрывающаяся область шины затвора и электрода стока была сделана разной среди элементов изображения, в качестве средства для разрешения емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с большей емкостью пикселя, быть больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя. В примере фактически исследовалась связь перекрывающейся области шины затвора и электрода стока с отклонением между значениями α трехцветных элементов изображения, имеющих разные шаги элементов изображения. Результаты показаны ниже. Отметим, что в описанное ниже исследование не включается регулировка на основе разницы в ширине канала, а включается только регулировка на основе площади затвор-сток.

[0132] В случае, где ширины шага у трех элементов изображения устанавливались как "красный">"зеленый"="синий", отклонение среди значений α у трехцветных элементов изображения можно было бы снизить до 2,92% путем регулирования значений от a до e среди соответствующих элементов изображения, как показано в описанной ниже Таблице 7. Более того, значение ΔVd красного элемента изображения было равно 1,194 В, а значение ΔVd зеленого и синего элементов изображения было равно 1,230 В, и поэтому разница между максимальным и минимальным значениями ΔVd составляла 36 мВ. Поэтому с помощью вышеописанного исполнения можно остановить изменение в значениях α среди элементов изображения перед выполнением градации Cgd. Отметим, что отношение ширины шага у красного, зеленого и синего элементов изображения устанавливалось как "красный":"зеленый":"синий"=1:1:0,86.

[0133]

Таблица 7   Элемент R изображения (мкм) Элементы G и B изображения (мкм) a 14,25 14,25 b 14,0 9,5 c 4,5 4,5 d 4,0 4,0 e 4,0 4,0

[0134] Дополнительно исследовалась связь между перекрывающейся областью затвор-сток и площадью электрода пикселя перед выполнением градации Cgd. Были получены данные, которые показаны в Таблице 8 и на Фиг.50. Фиг.50 - график, показывающий связь между отношением перекрывающейся области затвор-сток и отношением площади электрода пикселя.

[0135]

Таблица 8 Отношение площади Cgd Отношение площади электрода пикселя 0,878 0,9 0,902 0,92 0,927 0,94 0,951 0,96 0,976 0,98 1,000 1 1,024 1,02 1,049 1,04 1,073 1,06 1,098 1,08 1,122 1,1

[0136] Изменение в значениях α среди элементов изображения перед выполнением градации Cgd в зависимости от отношения площадей электродов пикселей уменьшается путем изменения значений от a до e у канала TFT в соответствии с Таблицей 8 и по прямой линии, показанной на Фиг.50.

[0137] Изменение в значениях α среди элементов изображения перед выполнением градации Cgd можно уменьшить более подходящим образом, так что связь между отношением размера канала и отношением площади электрода пикселя регулируется приблизительно, и дополнительно регулируется связь между отношением площади Cgd и отношением площади электрода пикселя.

[0138] В Варианте осуществления 1 предпочтительно, чтобы значение "Cpix(min)/Cpix(max)" (в дальнейшем также называемое коэффициентом отклика) устанавливалось одинаковым среди элементов изображения. Cpix(min) обозначает емкость пикселя в момент отображения черного, а Cpix(max) обозначает емкость пикселя в момент отображения белого. Коэффициент отклика, показанный в виде "Cpix(min)/Cpix(max)", является одним из индикаторов характеристики отклика жидкого кристалла. Когда значения коэффициента отклика отличаются среди элементов изображения, характеристика отклика становится разной для каждого из цветов, и поэтому можно не получить нужное ощущение цветности.

[0139] Коэффициент отклика "Cpix(min)/Cpix(max)" можно регулировать путем выполнения, как описано выше, регулировки ширины канала TFT, регулировки перекрывающейся области шины затвора и электрода стока, регулировки перекрывающейся области электрода пикселя и шины затвора, регулировки перекрывающейся области электрода пикселя и шины Cs, и т.п.

[0140] Фиг.51 - график, показывающий связь между периодом кадровой развертки и интенсивностью приложенного напряжения. Фиг.52 - схематичный чертеж, показывающий состояние дисплея, когда исследовалось влияние разницы коэффициента отклика на дисплей. Как показано на Фиг.51, в используемом в настоящее время жидкокристаллическом устройстве отображения жидкий кристалл не может среагировать в одном кадре, и поэтому жидкокристаллическое устройство отображения проектируется для получения нужной прозрачности в течение двух этапов. Например, как показано на Фиг.52, когда отображение выполняется так, что белый четырехугольник отображается на черном фоне, а затем белый четырехугольник перемещается справа налево, элементы изображения, расположенные на левом крае четырехугольника, заставляют вновь реагировать в каждом кадре. В результате медленно реагирует только элемент изображения, обладающим небольшим коэффициентом отклика, и в силу этого яркость цветов других элементов изображения становится большой, так что изменяется ощущение цветности.

[0141] Чтобы справиться с этим, изменение ощущения цветности можно пресечь путем приведения значений коэффициентов отклика у элементов изображения ближе друг к другу. Фиг.53 - график, показывающий подходящий диапазон коэффициента отклика, выраженного "Cpix(min)/Cpix(max)". Коэффициент отклика в момент, когда интенсивность равна 0,9, равен 0,78, и предпочтительный диапазон коэффициента отклика находится в диапазоне 0,78±0,04, в котором разница интенсивности находится в пределах 5%.

Вариант 2 осуществления

[0142] Фиг.54 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей, TFT и различных линий в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 2 осуществления. Как показано на Фиг.54, в Варианте 2 осуществления два электрода пикселей (в дальнейшем также называемые электродами подпикселей) размещаются для одного элемента изображения. Кроме того, один пиксель конфигурируется множеством элементов изображения, и каждый из элементов изображения индивидуально управляется для управления каждым пикселем и для дополнительного управления всем дисплеем жидкокристаллического устройства отображения.

[0143] Жидкокристаллическое устройство отображения из Варианта 2 осуществления включает в себя шину 11 затвора, вытянутую в направлении строк (поперечном направлении), и шину 12 истока, вытянутую в направлении столбцов (продольном направлении). Дополнительно жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя первый TFT 14a и второй TFT 14b, каждый из которых подключается к шине 11 затвора и шине 12 истока. Первый TFT 14a подключается к первому электроду 15a подпикселя, а второй TFT 14b подключается ко второму электроду 15b подпикселя. Более того, жидкокристаллическое устройство отображения из Варианта 2 осуществления включает в себя первую шину 13a Cs, которая перекрывает по меньшей мере часть первого электрода 15a подпикселя, и вторую шину 13b Cs, которая перекрывает по меньшей мере часть второго электрода 15b подпикселя. Как показано на Фиг.54, каждая из первой шины 13a Cs и второй шины 13b Cs тянется в направлении строк, чтобы пересекать центр каждого из электродов 15a и 15b подпикселей.

[0144] В Варианте 2 осуществления некий вид светофильтра размещается для одного элемента изображения. Примеры видов, количества и порядка расположения цветов у элементов изображения, конфигурирующих пиксель, включают в себя, но особенно не ограничиваются, такие сочетания, как RGB, RGBY, RGBC и RGBW. Цвет элемента изображения определяется светофильтром. Примеры конфигураций расположения светофильтров включают в себя полосовое расположение, которое показано на Фиг.3, при котором светофильтры образуются вытянутыми в продольном направлении, независимо от границы электрода пикселя, и расположение в матрице два-на-два, как показано на Фиг.4, при котором два из четырех светофильтров размещаются в каждом из направления строк и направления столбцов.

[0145] В Варианте 2 осуществления каждый из двух электродов подпикселей образует емкость подпикселя, имеющую разное значение емкости. Примеры способа сделать емкость подпикселя разной для каждого из электродов подпикселей включают в себя (1) способ подачи напряжения сигнала от каждой из разных шин истока, и (2) способ регулирования напряжения сигнала путем изменения напряжения шины Cs. TFT соответственно подключаются к электродам подпикселей. Каждый из TFT подключается к одной и той же шине затвора, и поэтому два подпикселя одновременно управляются в момент, в который сигнал сканирования подается в шину затвора.

[0146] Фиг.55 - эквивалентная принципиальная схема в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 2 осуществления. В Варианте 2 осуществления рисунок схемы образуется для каждого из подпикселей, и рисунки схем двух подпикселей показаны на Фиг.55. Электроды подпикселей соответственно образуют Clc1 и Clc2 между собой и противоэлектродом через жидкокристаллический слой. Электроды подпикселей соответственно образуют Ccs1 и Ccs2 между собой и шиной Cs. Более того, каждый из электродов подпикселей подключается к электроду стока каждого из TFT, и возбуждение каждого из подпикселей управляется каждым из TFT.

[0147] Емкость Clc жидкого кристалла образуется электродом пикселя и противоэлектродом, которые размещаются обращенными друг к другу через жидкокристаллический слой. Значение Clc зависит от действующего напряжения (В), приложенного к жидкокристаллическому слою парой электродов. Накопительная емкость Ccs образуется электродом пикселя и шиной Cs (линией накопительного конденсатора), которые размещаются обращенными друг к другу через изолирующий слой. Емкость Cgd затвор-сток образуется электродом пикселя и шиной затвора (линией сканирования), которые размещаются обращенными друг к другу через изолирующий слой. Емкость Csd исток-сток образуется электродом пикселя и шиной истока (сигнальной линией), которые размещаются обращенными друг к другу через изолирующий слой.

[0148] Способ возбуждения каждого из электродов подпикселей с использованием TFT и базовая конфигурация в Варианте 2 осуществления являются такими же, как в Варианте 1 осуществления.

[0149] Ниже будет подробно описываться способ для выполнения возбуждения нескольких пикселей путем изменения напряжения шины Cs. Фиг.56 показывает формы сигнала, когда выполняется возбуждение нескольких пикселей.

[0150] Когда напряжение Vg меняется с VgL на VgH в момент T1, первый TFT 14a и второй TFT 14b одновременно переключаются в проводящее состояние (включенное состояние), чтобы напряжение Vs передавалось каждому из первого и второго электродов 15a и 15b подпикселей из шины 12 истока и заряжало первый и второй электроды 15a и 15b подпикселей. Аналогичным образом первая и вторая шины 13a и 13b Cs, перекрывающие соответственно первый и второй электроды 15a и 15b подпикселей, также заряжаются напряжением, поступившим от шины 12 истока.

[0151] Затем, когда напряжение Vg шины 11 затвора меняется с VgH на VgL в момент T2, первый TFT 14a и второй TFT 14b одновременно переключаются в непроводящее состояние (выключенное состояние), первый и второй электроды 15a и 15b подпикселей и первая и вторая шины 13a и 13b Cs электрически изолируются от шины 12 истока. Отметим, что сразу после этого изменения каждое из напряжений Vlc1 и Vlc2 первого и второго электродов 15a и 15b подпикселей уменьшается практически на одинаковое напряжение ΔVd следующим образом из-за явления прохода, вызванного влиянием паразитной емкости и т.п., ассоциированной с первым TFT 14a и вторым TFT 14b.

Vlc1=Vs-ΔVd

Vlc2=Vs-ΔVd

Дополнительно в это же время напряжения Vcs1 и Vcs2 первой и второй шин 13a и 13b Cs становятся следующими.

Vcs1=Vcom-Vad

Vcs2=Vcom+Vad

[0152] В момент T3 напряжение Vcs1 первой шины 13a Cs меняется с Vcom-Vad на Vcom+Vad, а напряжение Vcs2 второй шины 13b Cs меняется с Vcom+Vad на Vcom-Vad. В соответствии с этими изменениями напряжения в первой шине 13a Cs и второй шине 13b Cs напряжения Vlc1 и Vlc2 первого и второго электродов 15a и 15b подпикселей изменяются следующим образом.

Vlc1=Vs-ΔVd+2×Vad×Ccs1/(Clc1+Ccs1)

Vlc2=Vs-ΔVd-2×Vad×Ccs2/(Clc2+Ccs2)

[0153] В момент T4 Vcs1 меняется с Vcom+Vad на Vcom-Vad, а Vcs2 меняется с Vcom-Vad на Vcom+Vad. До момента T4 напряжения Vlc1 и Vlc2 выражаются соответственно следующим образом.

Vlc1=Vs-ΔVd+2×Vad×Ccs1/(Clc1+Ccs1)

Vlc2=Vs-ΔVd-2×Vad×Ccs2/(Clc2+Ccs2)

В момент T4 напряжения Vlc1 и Vlc2 соответственно также меняются на напряжения, выраженные следующим образом.

Vlc1=Vs-ΔVd

Vlc2=Vs-ΔVd

[0154] В момент T5 Vcs1 меняется с Vcom-Vad на Vcom+Vad, а Vcs2 меняется с Vcom+Vad на Vcom-Vad. До момента T5 напряжения Vlc1 и Vlc2 выражались следующим образом.

Vlc1=Vs-ΔVd

Vlc2=Vs-ΔVd

В момент T5 напряжения Vlc1 и Vlc2 соответственно также меняются на напряжения, выраженные следующим образом.

Vlc1=Vs-ΔVd+2×Vad×Ccs1/(Clc1+Ccs1)

Vlc2=Vs-ΔVd-2×Vad×Ccs2/(Clc2+Ccs2)

[0155] Для каждого интервала целого кратного времени 1H строчной записи напряжения Vcs1, Vcs2, Vlc1 и Vlc2 повторяют изменения, вызванные поочередно в момент T4 и T5. То, устанавливается ли интервал повторения изменений, вызванных в момент T4 и T5, равным времени 1H строчной записи, или устанавливается в два раза, 3 раза или больше времени 1H строчной записи, может соответствующим образом определяться с учетом способа возбуждения (например, возбуждение инверсией полярности) и условий отображения (мерцание, неровность дисплея и т.п.) у жидкокристаллического устройства отображения. Это повторение продолжается до достижения времени, эквивалентного T1. Поэтому действующие значения напряжений Vlca и Vlcb электродов подпикселей соответственно становятся следующими.

Vlca=Vs-ΔVd+Vad×Ccs1/(Clc1+Ccs1)

Vlcb=Vs-ΔVd-Vad×Ccs2/(Clc2+Ccs2)

[0156] Поэтому действующие напряжения V1 и V2, которые соответственно подаются на жидкокристаллический слой первым и вторым электродами 15a и 15b подпикселей, устанавливаются в отличные друг от друга значения и выражаются следующим образом.

V1=Vlc1-Vcom

V2=Vlc2-Vcom

То есть действующие напряжения V1 и V2 выражаются следующим образом.

V1=Vs-ΔVd+Vad×Ccs1/(Clc1+Ccs1)-Vcom

V2=Vs-ΔVd-Vad×Ccs2/(Clc2+Ccs2)-Vcom

[0157] При вышеописанных предположениях регулировка оптимальных мешающих напряжений между соответствующими элементами изображения в Варианте 2 осуществления будет подробно описываться ниже.

[0158] Множество электродов подпикселей красного, зеленого и синего элементов изображения образуется имеющим одинаковую общую продольную длину, тогда как поперечные длины электродов подпикселей отличаются друг от друга. По этой причине разница в шаге элемента изображения отражается, как есть в разнице общей площади электрода подпикселя среди элементов изображения.

[0159] В Варианте 2 осуществления аналогично Варианту 1 осуществления баланс между значениями α=Cgd/(Cgd+Csd+Ccs+Clc) у элементов изображения перед выполнением градации Cgd регулируется с использованием ширины канала у TFT. Более того, баланс между значениями α=Cgd/(Cgd+Csd+Ccs+Clc) у элементов изображения также регулируется с использованием перекрывающейся области затвор-сток. В качестве способов для регулирования баланса между значениями α в Варианте 2 осуществления могут использоваться способы, аналогичные способам, описанным в Варианте 1 осуществления.

[0160] В Варианте 2 осуществления предпочтительно, чтобы K-значения устанавливались равными друг другу между подпикселями. Когда K-значения устанавливаются равными друг другу, значения электростатической емкости, образованной соответствующими электродами подпикселей, становятся равномерными, и регулировка между подпикселями выполняется более подходящим образом. В силу этого можно дополнительно снизить вероятность того, что значение α меняется среди элементов изображения. K-значение выражается в виде K=Ccs/Cpix(Cgd+Csd+Ccs+Clc). Поэтому регулировка Ccs эффективна для регулирования баланса между K-значениями элементов изображения.

[0161] Фиг.57 - схематический вид сверху, показывающий диапазон, в котором расширенные части шины Cs и электрода стока перекрывают друг друга в Варианте 2 осуществления. Как показано на Фиг.57, шина 13 Cs имеет расширенную область в своей части, и электрод 23 стока также имеет расширенную область в своей части. Эти расширенные области изолируются друг от друга изолирующим слоем, но перекрывают друг друга при виде сверху, чтобы образовать накопительную емкость Ccs. Значение накопительной емкости Ccs зависит от перекрывающейся области этих расширенных областей, и поэтому накопительную емкость Ccs, имеющую подходящее значение емкости, можно сформировать путем регулирования размера расширенной области для каждого из подпикселей и путем регулирования степени перекрытия между расширенными областями. Отметим, что на Фиг.57 расширенная часть 23a шины 13 Cs больше расширенной части электрода 23 стока на продольных и поперечных сторонах.

[0162] Продольная длина и поперечная длина расширенной части 23a электрода 23 стока обозначаются условными обозначениями d и f соответственно. Более того, продольная длина и поперечная длина расширенной части шины 13 Cs обозначаются условными обозначениями e и g соответственно.

[0163] Для одной стороны расширенных частей расстояние между продольной стороной расширенной части шины 13 Cs и продольной стороной расширенной части 23a электрода 23 стока устанавливается в a. То есть расширенная часть 23a электрода 23 стока образуется на боковой внутренней стороне расширенной части шины 13 Cs на расстоянии a от каждой из продольных сторон расширенной части шины 13 Cs. Поэтому устанавливается уравнение g=f+2a.

[0164] Для одной стороны расширенных частей расстояние между поперечной стороной расширенной части шины 13 Cs и поперечной стороной расширенной части 23a электрода 23 стока устанавливается в b. То есть расширенная часть 23a электрода 23 стока образуется на продольной внутренней стороне расширенной части шины 13 Cs на расстоянии b от каждой из поперечных сторон расширенной части шины 13 Cs. Поэтому устанавливается уравнение e=d+2a.

[0165] В таком случае, когда в четырехцветных элементах изображения, имеющих разные ширины шага, ширины шага устанавливались как "красный=синий" "зеленый=желтый", отклонение между K-значениями (максимальное значение - минимальное значение) у элементов изображения можно было бы опустить до 0,10% путем соответственного регулирования значений от a до g среди элементов изображения, как показано в описанной ниже Таблице 9. Отметим, что отношение ширин шага у соответствующих элементов изображения устанавливалось как "красный":"синий":"зеленый":"желтый"=1:1:1,4:1,4.

[0166]

Таблица 9   Элементы R и B изображения (мкм) Элементы G и Y изображения (мкм) a 17,0 14,0 b 3,0 2,0 c 226,0 154,25 d 29,0 36,0 e 35,0 40,0 f 157,0 91,25 g 191,0 119,25

[0167] Каждая из Фиг.58-61 является схематическим видом сверху, показывающим пример, когда накопительная емкость Cs регулируется перекрывающейся областью электрода пикселя и шины Cs. Фиг.58 показывает форму, в которой верхняя сторона электрода 15 пикселя перекрывает часть шины 13 Cs. Значение накопительной емкости Ccs можно регулировать путем регулирования значений a и b на Фиг.58. Фиг.59 показывает форму, в которой шина 13 Cs пересекает центр электрода 15 пикселя и в которой вся шина 13 Cs в направлении ширины перекрывает электрод 15 пикселя. Значение накопительной емкости Ccs можно регулировать путем регулирования значений c и d на Фиг.59. Фиг.60 показывает форму, в которой верхняя сторона электрода 15 пикселя перекрывает шину 13 Cs и в которой тянущийся участок шины 13 Cs добавляется по левой стороне электрода 15 пикселя. Значение накопительной емкости Ccs можно регулировать путем регулирования значений с a по d на Фиг.60. Фиг.61 показывает форму, в которой верхняя сторона электрода 15 пикселя перекрывает шину 13 Cs и в которой тянущийся участок шины 13 Cs добавляется так, чтобы проходить по центру электрода 15 пикселя в продольном направлении. Значение накопительной емкости Ccs можно регулировать путем регулирования значений с e по f на Фиг.61.

[0168] Значения накопительной емкости Ccs между подпикселями становятся ближе друг к другу путем выполнения этих регулировок между подпикселями, чтобы можно было получить K-значения в подходящем диапазоне.

[0169] Фиг.62 - диаграмма формы сигнала, показывающая амплитуду напряжения шины 13 Cs, когда выполняется множественное возбуждение. Значение напряжения ΔVcs на Фиг.62 выражается в виде ΔVcs=K×Vcs^p-p. Предпочтительно, чтобы величина проходного напряжения ΔVcs была равномерной между подпикселями и, в частности, равнялась 10 мВ или меньше. В силу этого оптимальные мешающие напряжения подпикселей можно сделать ближе друг к другу. Поскольку значение Vcs^p-p практически неизменно, предпочтительно, чтобы значение ΔVcs регулировалось путем регулирования значения K.

[0170] Описанная ниже Таблица 10 является таблицей, показывающей допустимый диапазон отклонения значения K, когда значение ΔVcs предполагается равным 10 мВ или меньше. В традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения, в котором площади элементов изображения не делаются отличными друг от друга, значение K устанавливается в диапазоне от 0,43 до 0,54, и поэтому исследование выполнялось на основе этого диапазона.

[0171]

Таблица 10 K Отклонение K (%) Vcs ΔVcs Отклонение ΔVcs (мВ) 0,54 0,74 1,92 1,04 7,7 0,544 1,92 1,04 0,43 0,93 2,41 1,04 9,6 0,434 2,41 1,04

[0172] Как показано в описанной выше Таблице 10, когда значение K устанавливалось в 0,54 и когда отклонение значения K устанавливалось в 0,74%, отклонение значения ΔVcs можно было бы опустить до 7,7 мВ. Кроме того, когда значение K устанавливалось в 0,43 и когда отклонение значения K устанавливалось в 0,93%, отклонение значения ΔVcs можно было бы опустить до 9,6 мВ. Поэтому целевым диапазоном значения K является 1,0% или меньше.

Вариант 3 осуществления

[0173] В Варианте 3 осуществления используются трехцветные элементы изображения красного, зеленого и синего цветов или четырехцветные элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов, и один пиксель конфигурируется сочетанием этих элементов изображения. Отметим, что в Варианте 3 осуществления виды, количество и порядок расположения цветов у элементов изображения конкретно не ограничиваются.

[0174] Фиг.63 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электродов пикселей и линий в Варианте 3 осуществления. В жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 3 осуществления две шины истока, вытянутые в продольном направлении, соответственно перекрывают конечные части одного из множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. С другой стороны, как показано на Фиг.63, только одна из двух шин 12 истока, вытянутая в продольном направлении, перекрывает конечную часть каждого из остальных электродов 15 пикселей, а другая шина 12 истока не перекрывает конечную часть каждого из остальных электродов 15 пикселей.

[0175] Например, эта конфигурация выбирается в таком случае, где столбчатая распорка размещается в элементе изображения, или где уменьшается емкость Csd исток-сток, и где необходимо, чтобы площадь электрода пикселя уменьшалась и чтобы линия истока перекрывала только одну конечную часть электрода пикселя. Когда площадь электрода пикселя уменьшается только в одном элементе изображения или когда состояние перекрытия линии истока и электрода пикселя отличается для каждого из элементов изображения, оптимальное мешающее напряжение отличается для каждого из элементов изображения, и поэтому легко возникает послеизображение.

[0176] Чтобы справиться с этим, в Варианте 3 осуществления емкость пикселя среди элементов изображения или между подпикселями регулируется средством, аналогичным средству, показанному в Варианте 1 осуществления и Варианте 2 осуществления. Отметим, что в Варианте 3 осуществления ширины шага у элементов изображения конкретно не ограничиваются и могут отличаться друг от друга или могут быть одинаковыми.

Вариант 4 осуществления

[0177] В Варианте 4 осуществления используются трехцветные элементы изображения красного, зеленого и синего цветов или четырехцветные элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов, и один пиксель конфигурируется сочетанием этих элементов изображения. Отметим, что в Варианте 4 осуществления виды, количество и порядок расположения цветов у элементов изображения конкретно не ограничиваются.

[0178] Фиг.64 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электрода пикселя и линий в Варианте 4 осуществления. В жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 4 осуществления две линии истока, вытянутые в продольном направлении, соответственно перекрывают конечные части одного из множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. С другой стороны, как показано на Фиг.64, только одна из двух шин 12 истока, вытянутая в продольном направлении, перекрывает конечную часть каждого из остальных электродов 15 пикселей, а другая шина 12 истока не перекрывает конечную часть каждого из электродов 15 пикселей. Более того, рядом с шиной 12 истока, не перекрывающей электрод 15 пикселя, шина 13 Cs тянется в продольном направлении и перекрывает другую конечную часть электрода 15 пикселя.

[0179] Например, эта конфигурация выбирается в таком случае, где столбчатая распорка размещается в элементе изображения или уменьшается емкость Csd исток-сток, и где необходимо, чтобы площадь электрода пикселя уменьшалась, а также линия истока перекрывала только одну конечную часть электрода пикселя, и чтобы не линия истока, а только линия Cs перекрывала другую конечную часть элемента изображения. Когда площадь электрода пикселя уменьшается только в одном элементе изображения или когда состояние перекрытия линий истока и Cs и электрода пикселя отличается для каждого из элементов изображения, оптимальное мешающее напряжение отличается для каждого из элементов изображения, и поэтому легко возникает послеизображение.

[0180] Чтобы справиться с этим, в Варианте 4 осуществления емкость пикселя среди элементов изображения или между подпикселями регулируется средством, аналогичным средству, показанному в Варианте 1 осуществления и Варианте 2 осуществления. Отметим, что в Варианте 4 осуществления ширины шага у элементов изображения конкретно не ограничиваются и могут отличаться друг от друга или могут быть одинаковыми.

Вариант 5 осуществления

[0181] В Варианте 5 осуществления используются трехцветные элементы изображения красного, зеленого и синего цветов или четырехцветные элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов, и один пиксель конфигурируется сочетанием этих элементов изображения. Отметим, что в Варианте 5 осуществления виды, количество и порядок расположения цветов у элементов изображения конкретно не ограничиваются.

[0182] Фиг.65 - схематический вид сверху, показывающий конфигурацию расположения электрода пикселя и линии в Варианте 5 осуществления. В жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 5 осуществления линия Cs тянется в поперечном направлении, чтобы перекрывать верхнюю конечную часть одного из множества электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, и линия Cs не формируется в линейном виде, а формируется имеющей расширенную область в своей части. С другой стороны, как показано на Фиг.65, шина 13 Cs тянется в поперечном направлении, чтобы перекрывать верхнюю часть каждого из остальных электродов 15 пикселей. Шина 13 Cs не формируется в линейном виде, а формируется имеющей расширенную область в своей части, тогда как верхняя сторона электрода 15 пикселя не формируется в линейном виде, а формируется имеющей утопленную внутрь форму. Посредством этого перекрывающаяся область электрода 15 пикселя и шины 13 Cs отличается для каждого из элементов изображения, и площадь электрода 15 пикселя также отличается для каждого из элементов изображения.

[0183] Например, в таком случае, где столбчатая распорка размещается в элементе изображения или где уменьшается накопительная емкость Ccs, когда площадь электрода пикселя уменьшается, а также конфигурация расположения электрода пикселя и линии Cs сделана разной для каждого из элементов изображения, или когда площадь электрода пикселя сделана разной для каждого из элементов изображения, оптимальное мешающее напряжение становится разным для каждого из элементов изображения, и поэтому легко возникает послеизображение.

[0184] Чтобы справиться с этим, в Варианте 5 осуществления емкость пикселя среди элементов изображения или между подпикселями регулируется средством, аналогичным средству, показанному в Варианте 1 осуществления и Варианте 2 осуществления. Отметим, что в Варианте 5 осуществления ширины шага у элементов изображения конкретно не ограничиваются и могут отличаться друг от друга или могут быть одинаковыми.

Вариант 6 осуществления

[0185] Каждая из Фиг.66 и Фиг.67 является схематическим видом в поперечном сечении, показывающим жидкокристаллический слой в Варианте 6 осуществления. В Варианте 6 осуществления используются трехцветные элементы изображения красного, зеленого и синего цветов или четырехцветные элементы изображения красного, зеленого, синего и желтого цветов, и один пиксель конфигурируется сочетанием этих элементов изображения. Фиг.66 - схематический вид в поперечном сечении, показывающий форму, в которой трехцветные элементы изображения используются в Варианте 6 осуществления, а Фиг.67 - схематический вид в поперечном сечении, показывающий форму, в которой четырехцветные элементы изображения используются в Варианте 6 осуществления.

[0186] Как показано на Фиг.66 и Фиг.67, жидкокристаллический слой 1, предоставленный в жидкокристаллическом устройстве отображения из Варианта 6 осуществления, размещается между парой подложек, состоящей из подложки 2 активной матрицы и подложки 3 светофильтра. Подложка 2 активной матрицы включает в себя электроды 41 пикселей, а подложка 3 светофильтра включает в себя противоэлектрод 42. Кроме того, подложка 3 светофильтра включает в себя светофильтр 31 с множеством цветов, и один пиксель образуется из трех или четырех цветов. Фиг.66 показывает форму, в которой используются три светофильтра: красный светофильтр 31R, зеленый светофильтр 31G и синий светофильтр 31B, а Фиг.67 показывает форму, в которой используются четыре светофильтра: красный светофильтр 31R, зеленый светофильтр 31G, синий светофильтр 31B и желтый светофильтр 31Y.

[0187] В Варианте 6 осуществления толщина (зазор ячейки) жидкокристаллического слоя 1, соответствующая синему элементу изображения, образуется меньше толщины (зазора ячейки) жидкокристаллического слоя 1, соответствующей остальным элементам изображения. В силу этого можно получить лучшие характеристики угла обзора по сравнению со случаем, где толщина жидкокристаллического слоя 1 одинакова для каждого из элементов изображения.

[0188] В Варианте 6 осуществления напряжение, приложенное к жидкокристаллическому слою 1 электродами 41 и 42, предоставленными соответственно на паре подложек, сделано разным для каждого из элементов изображения. Причина в том, что в Варианте 6 осуществления толщина жидкокристаллического слоя 1 у синего элемента изображения устанавливается меньше толщины жидкокристаллического слоя 1 у других элементов изображения, и посредством этого емкость жидкого кристалла, образованная в синем элементе изображения, становится больше емкости жидкого кристалла, образованной в других элементах изображения. По этой причине оптимальное мешающее напряжение сделано разным среди элементов изображения, когда предоставляется многозазорная структура.

[0189] В Варианте 6 осуществления оптимальное мешающее напряжение регулируется среди элементов изображения с использованием ширины канала TFT, и оптимальное мешающее напряжение дополнительно регулируется путем регулирования зазора ячейки среди элементов изображения. В силу этого перед выполнением градации Cgd можно дополнительно подавить изменение в значениях α среди элементов изображения.

[0190] Вышеупомянутые режимы могут применяться в подходящем сочетании при условии, что это сочетание не выходит за сущность настоящего изобретения.

[0191] Настоящая заявка притязает на приоритет заявки на патент № 2010-043425, зарегистрированной в Японии 26 февраля 2010 года по Парижской конвенции об охране промышленной собственности и положениям федерального закона в обозначенном штате, полное содержимое которой настоящим включается в этот документ путем отсылки.

СПИСОК ССЫЛОК

[0192] 1: Жидкокристаллический слой

2: Подложка активной матрицы

3: Подложка светофильтра

11: Шина затвора (линия сканирования)

12: Шина истока (сигнальная линия)

13: Шина Cs (линия накопительного конденсатора)

13a: Первая шина Cs

13b: Вторая шина Cs

14: TFT (тонкопленочный транзистор)

14a: Первый TFT

14b: Второй TFT

15: Электрод пикселя

15a: Первый электрод подпикселя

15b: Второй электрод подпикселя

21: Область канала

22: Электрод истока

23: Электрод стока

23a: Расширенный участок электрода стока

24: Контактное окно

25: Электрод затвора

26: Переменная часть электрода затвора

31: Светофильтр

31R: Светофильтр (красный)

31G: Светофильтр (зеленый)

31B: Светофильтр (синий)

31Y: Светофильтр (желтый)

41: Электрод пикселя

42: Противоэлектрод

101, 103, 113, 121, 123: Распределение мешающего напряжения в плоскости

102, 112, 122: Градация Cgd

131: Пиксель Шага (n)

132: Пиксель Шага (n+1)

133: Мозаичная область

Устройство включает пару подложек и жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек. Одна из пары подложек включает в себя линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, подключенные к тонкопленочным транзисторам, а другая - противоэлектрод. Линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток, причем емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе. Перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения, причем скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей. Технический результат - улучшение качества изображения. 8 з.п. ф-лы, 73 ил., 10 табл.

1. Жидкокристаллическое устройство отображения, которое содержит пару подложек и жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек, и конфигурируется так, что пиксель образуется элементами изображения множества цветов,
при этом одна из пары подложек включает в себя линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, подключенные к тонкопленочным транзисторам;
другая из пары подложек включает в себя противоэлектрод;
электроды пикселей размещаются для элементов изображения;
линия сканирования и электрод пикселя образуют емкость затвор-сток;
емкость затвор-сток, образованная электродом пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, больше емкости затвор-сток, образованной электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе;
перекрывающаяся область каждого из электродов пикселей, перекрытого линией сканирования, сначала увеличивается в направлении распространения сигнала линии сканирования, но скорость увеличения впоследствии уменьшается в каждом из электродов пикселей, соответственно размещенных для одноцветных элементов изображения; и
скорости увеличения отличаются среди электродов пикселей с разными емкостями пикселей.

2. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1,
в котором электрод пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, подключается к тонкопленочному транзистору с большей шириной канала.

3. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1 или 2,
в котором электрод пикселя с большей емкостью пикселя среди электродов пикселей, размещенных в одном пикселе, имеет большую перекрывающуюся область с линией сканирования.

4. Жидкокристаллическое устройство отображения по любому из пп.1 или 2,
в котором площадь электрода пикселя с большей емкостью пикселя отличается по размеру от площади электрода пикселя с меньшей емкостью пикселя.

5. Жидкокристаллическое устройство отображения по любому из пп.1 или 2,
в котором жидкокристаллический слой, перекрытый электродом пикселя с большей емкостью пикселя, отличается по толщине от жидкокристаллического слоя, перекрытого электродом пикселя с меньшей емкостью пикселя.

6. Жидкокристаллическое устройство отображения по любому из п.1 или 2,
в котором сигнальная линия и электрод пикселя образуют емкость исток-сток;
линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образуют накопительную емкость;
электрод пикселя и противоэлектрод образуют емкость жидкого кристалла;
отношения емкости затвор-сток к сумме емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла отличаются среди элементов изображения множества цветов; и
разница между наибольшим отношением емкости затвор-сток и наименьшим отношением емкости затвор-сток среди отношений емкостей затвор-сток для каждого элемента изображения с разными цветами равна 10% или меньше от наименьшего отношения емкости затвор-сток.

7. Жидкокристаллическое устройство отображения по любому из пп.1 или 2,
в котором сигнальная линия и электрод пикселя образуют емкость исток-сток;
линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образуют накопительную емкость;
электрод пикселя и противоэлектрод образуют емкость жидкого кристалла;
коэффициент отклика, вычисленный в одном элементе изображения из отношений минимального значения суммы емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла к максимальному значению суммы емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла, отличается среди элементов изображения с множеством цветов; и
разница между наибольшим коэффициентом отклика и наименьшим коэффициентом отклика составляет 5% или меньше от наименьшего коэффициента отклика среди коэффициентов отклика, полученных соответственно для каждого элемента изображения разных цветов.

8. Жидкокристаллическое устройство отображения по одному из пп.1 или 2,
в котором каждый из электродов пикселя делится на две или более частей в одном элементе изображения;
тонкопленочные транзисторы подключаются к разделенным частям электрода пикселей; и
линии накопительного конденсатора перекрываются электродами пикселей, и полярность напряжения инвертируется с равным интервалом времени.

9. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.8,
в котором сигнальная линия и электрод пикселя образуют емкость исток-сток;
линия накопительного конденсатора и электрод пикселя образуют накопительную емкость;
электрод пикселя и противоэлектрод образуют емкость жидкого кристалла;
отношения накопительной емкости к сумме емкости затвор-сток, емкости исток-сток, накопительной емкости и емкости жидкого кристалла отличаются среди элементов изображения множества цветов; и
разница между наибольшим отношением накопительной емкости и наименьшим отношением накопительной емкости среди отношений накопительной емкости для каждого элемента изображения разных цветов составляет 1,0% или меньше от наименьшего отношения накопительной емкости.