Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля Российский патент 2018 года по МПК H01L41/83 

Описание патента на изобретение RU2653134C1

Изобретение относится к магнитоэлектрическим (МЭ) материалам и может быть применено в устройствах, где магнитное поле используется для управления электрическими параметрами (прямой МЭ эффект), а внешнее электрическое поле используется для управления магнитными параметрами (обратный МЭ эффект), например, в датчиках магнитных полей, в сверхвысокочастотных резонаторах, в магнитоэлектрической памяти.

Известны смесевые, слоистые и тонкопленочные магнитоэлектрические композиционные материалы (М. Fiebig. Revival of the magnetoelectric effect, J. Phys. D: Appl. Phys., V. 38, R 123-R 152, 2005). Недостатком этих материалов являются незначительные МЭ коэффициенты в отсутствие внешнего постоянного магнитного поля смещения.

Из работы авторов настоящего изобретения (А.В. Калгин, С.А. Гриднев, Z.H. Gribe. Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитных структурах Tb0.12Dy0.2Fe0.68 - PbZr0.53Ti0.47O3 при изгибных и продольных колебаниях, ФТТ, Т. 56, Вып. 11, С. 2111-2114, 2014) известен двухслойный МЭ композиционный материал, полученный нанесением магнитострикционного слоя из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68(TDF) и эпоксидного компаунда на предварительно поляризованную пьезоэлектрическую пластину из керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3 (PZT). Недостаток этого материала заключается в том, что для обеспечения в нем оптимальной эффективности МЭ взаимодействия необходимо использовать подмагничивающее внешнее постоянное магнитное поле.

Известны МЭ композиционные материалы с внутренним магнитным полем смещения, которые не требуют внешнего постоянного магнитного поля смещения для получения пригодных для практики МЭ коэффициентов (Y. Zhou, D. Maurya, Y. Yan, G. Srinivasan, E. Quandt, S. Priya. Self-biased magne-toelectric composites: an overview and future perspectives, Energy harvesting and systems, V. 3, I. 1, 42 pp., 2015).

Из патента РФ 2363074 (МПК H01L 41/16, H01F 1/00, опубл. 27.07. 2008), принятого за прототип, известен материал для компонентов радиоэлектронных приборов, представляющий собой двухфазную композицию магнитострикционной и сегнетоэлектрической компонент, магнитострикционная компонента которого выполнена из материала с градиентом намагниченности насыщения, а сегнетоэлектрическая компонента - из материала с градиентом поляризации.

Однако здесь возникают трудности с регулированием и подбором оптимальных по величине внутренних магнитных полей. Кроме того, предлагаемый способ приготовления магнитострикционных компонент является трудоемким технологическим процессом.

Задачей изобретения является повышение МЭ коэффициентов без подачи внешнего смещающего магнитного поля H=.

Технический результат заключается в получении МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, и в упрощении условий использования материала в устройствах.

Технический результат достигается использованием двухкомпонентного материала в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя из терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68 и пьезоэлектрической керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3. Магнитострикционная компонента представляет собой распределенные в эпоксидном компаунде гранулы терфенола. Внутреннее постоянное магнитное поле создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68. Оптимальная концентрация гранул терфенола в первой области магнитострикционного слоя составляет 0,8 масс. долей, а во второй - от 0,33 до 0,77 масс. долей.

Для решения задачи изобретения были получены МЭ композиционные материалы (a) Tb0,12Dy0,2Fe0,68 - (b) PbZr0,53Ti0,47O3 [(a) TDF - (b) PZT] в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя с градиентным распределением в эпоксидном компаунде концентрации терфенола TDF и пьезокерамического слоя из PZT.

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (а) TDF - (b) PZT, где (а) гранулы TDF распределены случайным образом и (б) имеется градиент концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционного слоя (изобретение).

На фиг. 2 приведена зависимость напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) от концентрации частиц х во второй области магнитострикционного слоя.

На фиг. 3 представлена зависимость поперечного МЭ коэффициента α31 (мВ/см*Э) от напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) при напряженности переменного магнитного поля Н~=5 Э и резонансной частоте для 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 0,9 TDF - 0,7 PZT с разными величинами градиента концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционных слоев.

Градиент концентрации магнитных гранул приводит к градиенту намагниченности, который создает внутреннее постоянное магнитное поле. С увеличением градиента концентрации магнитных гранул внутреннее магнитное поле растет.

Решение задачи позволяет получить следующий технический результат. Выбор оптимального градиента концентрации гранул TDF создает условие для достижения внутреннего постоянного магнитного поля, обеспечивающего оптимальный МЭ коэффициент и избавляющего от необходимости использования источников внешнего постоянного магнитного поля, усложняющих конструкции МЭ устройств.

Пример

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (a) TDF - (b) PZT, отличающихся распределением гранул среднего размера z=71 мкм в магнитострикционных слоях. Магнитные слои образцов композитов имеют размеры 6 (длина, ZTDF) * 6 (ширина, WTDF) * а (толщина, а) мм3, где а=0,3-1,5 мм, а пьезоэлектрические слои - 8 (длина, LPZT) * 6 (ширина, WPZT) * 0,7 (толщина, b) мм3. Стрелками показаны направления внутреннего магнитного поля H=int, поляризации Р и напряженность переменного магнитного поля H~.

Массовая доля гранул в магнитострикционных слоях аналога составляет 0,8, а поскольку гранулы в нем распределены статистически равномерно, то внутреннее магнитное поле смещения H=int отсутствует. Для получения отличного от нуля H=int в изобретении создают градиент распределения магнитных гранул по длине магнитострикционного слоя. С этой целью магнитострикционный слой разделяют по длине на две половины, в одной из которых массовая доля гранул 0,8, то есть такая же, как и в аналоге, а в другой составляет х, которую изменяют по величине от 0,33 до 0,77. Это позволяет получать разное по величине H=int, направленное перпендикулярно поляризации Р в пьезоэлектрическом слое.

Напряженность H=int для изобретения 0,9TDF - 0,7PZT изменяется от 18 до 1794 Э при изменении х от 0,33 до 0,77 (фиг. 2) и определяется из зависимости поперечного МЭ коэффициента по напряжению α31 от Н= для случая равномерного распределения частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT. Для этого на зависимости α31=) находят значения α31 для композитов с градиентным распределением гранул TDF в магнитострикционных слоях вдоль длины образцов и сопоставляют их с соответствующими им значениями Н=.

Оптимальный поперечный МЭ коэффициент по напряжению 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении наблюдается при внутреннем магнитном поле величиной 720 Э, которое достигается согласно фиг. 2 при оптимальной хопт, равной 0,66. При прочих равных условиях поле H=int=720 Э приводит к росту α31 до 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении 0,9TDF - 0,7PZT по сравнению с α31=14 мВ/(см⋅Э) при равномерном распределении частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT, где H=int=0 Э.

Магнитоэлектрический композиционный материал с градиентом намагниченности может найти применение в различных устройствах электронной техники и, в частности, в датчиках магнитного поля. Коэффициент чувствительности датчика на основе изобретения 0,9TDF - 0,7PZT с Н=int=720 Э при напряженности переменного магнитного поля 5 Э, резонансной частоте 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 226,3 кГц и температуре 20°С составит 16,9 В/Тл, что в 3,4 раза больше аналогичного коэффициента самых чувствительных стандартных датчиков Холла.

Магнитоэлектрический композиционный материал (a) TDF - (b) PZT с градиентом намагниченности получают следующим образом.

Создают статистические смеси из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул TDF среднего размера z и эпоксидного компаунда, которые в виде двух участков наносят на предварительно поляризованную пластину из PZT так, как показано на фиг. 1б. Указанные участки отличаются массовым содержанием гранул TDF для того, чтобы создать в материале внутреннее смещающее магнитное поле. Магнитострикционный слой склеивают с пьезоэлектрическим слоем, полимеризуют при комнатной температуре в течение 24 ч, а затем шлифовальным листом доводят до требуемых геометрических размеров. Градиент концентрации магнитных гранул и толщины слоев выбирают такими, чтобы обеспечить в материале наибольший МЭ эффект.

Похожие патенты RU2653134C1

название год авторы номер документа
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДИОД С ВНУТРЕННИМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ 2020
  • Иванов Сергей Николаевич
  • Бичурин Мирза Имамович
  • Семенов Геннадий Алексеевич
RU2744931C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТОСТРИКЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК 2020
  • Филиппов Дмитрий Александрович
  • Лалетин Владимир Михайлович
  • Поддубная Наталья Никитична
RU2739161C1
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОМПОНЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ 2008
  • Бичурин Мирза Имамович
  • Петров Владимир Михайлович
  • Семенов Геннадий Алексеевич
RU2363074C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУР 2017
  • Тихонов Александр Алексеевич
  • Филиппов Дмитрий Александрович
  • Маничева Ирина Николаевна
RU2682504C1
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ 2019
  • Макарова Людмила Александровна
  • Алехина Юлия Александровна
  • Хайруллин Марат Фаизович
  • Перов Николай Сергеевич
RU2731416C1
МНОГОСЛОЙНАЯ КЕРАМИЧЕСКАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА С МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ЭФФЕКТОМ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ 2011
  • Богомолов Алексей Алексеевич
  • Солнышкин Александр Валентинович
  • Карпенков Дмитрий Юрьевич
  • Головнин Владимир Алексеевич
  • Пастушенков Александр Григорьевич
  • Карпенков Алексей Юрьевич
  • Пастушенков Юрий Григорьевич
RU2491684C2
СИНХРОННЫЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР 2014
  • Петров Роман Валерьевич
  • Колесников Николай Андреевич
  • Бичурин Мирза Имамович
RU2588986C2
Магнитоэлектрический преобразователь ток - напряжение с удвоением частоты 2016
  • Фирсова Татьяна Олеговна
  • Филиппов Дмитрий Александрович
RU2642497C1
СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ ФЕРРОЗОНДОВ И УСТРОЙСТВО МОДУЛЯТОРА ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2020
  • Брякин Иван Васильевич
  • Бочкарев Игорь Викторович
RU2768528C1
КОНСТРУКЦИЯ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ СНЯТИЯ ЭЛЕКТРОКАРДИОГРАММЫ 2012
  • Бичурин Мирза Имамович
  • Петров Роман Валерьевич
  • Сулиманов Рушан Абдулхакович
  • Лосев Даниил Владимирович
RU2523356C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 653 134 C1

Реферат патента 2018 года Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля

Использование: для получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем. Сущность изобретения заключается в том, что магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля содержит магнитострикционную и пьезоэлектрическую из керамики цирконат-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3 компоненты, где магнитострикционная компонента содержит внутреннее постоянное магнитное поле смещения, магнитострикционный слой сформирован из распределенных в эпоксидном компаунде гранул терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68, а внутреннее постоянное магнитное поле смещения создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68. Технический результат: обеспечение возможности получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, упрощение условий использования материала в устройствах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Формула изобретения RU 2 653 134 C1

1. Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля, содержащий магнитострикционную и пьезоэлектрическую PbZr0,53Ti0,47O3 компоненты, где магнитострикционная компонента обладает внутренним постоянным магнитным полем, отличающийся тем, что магнитострикционный слой сформирован из распределенных в эпоксидном компаунде гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68, а внутреннее постоянное магнитное поле смещения создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68.

2. Магнитоэлектрический композиционный материал по п. 1, отличающийся тем, что концентрация гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68 в первой области магнитострикционного слоя составляет 0,8 масс. долей, а во второй области - от 0,33 до 0,77 масс. долей.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2653134C1

ДАТЧИК ПОСТОЯННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ 2003
  • Бичурин М.И.
  • Килиба Ю.В.
RU2244318C1
US 7201817 B2, 10.04.2007
US 6835463 B2, 28.12.2004
US 9276192 B2, 01.03.2016
US 20080193780 A1, 14.08.2008
Газовый редуктор для газопламенной обработки металлов 1953
  • Казанский А.Н.
  • Капранов Н.М.
SU99246A1

RU 2 653 134 C1

Авторы

Калгин Александр Владимирович

Гриднев Станислав Александрович

Сидоркин Александр Степанович

Даты

2018-05-07Публикация

2016-11-22Подача