Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5362677, МКИ H01L 21/338]. Перед нанесением электрода затвора в активных слоях формируется сужающаяся к низу канавка со ступенчатыми стенками, при этом электрод затвора наносится на дно канавки через нависающие края образованной таким образом маски.
В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов формирования электрода затвора образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5296398, МКИ H01L 21/338] с пониженным сопротивлением истока. Структура с WSi - затвором на легированной канальной области покрывается слоем SiON, который травлением удаляется со стороны истока. Проводится ионная имплантация с образованием глубокой области стока и мелкой стоковой области с относительно меньшим уровнем легирования и отдельным от электрода затвора участком канала.
Недостатками способа являются: повышенные значения токов утечек; низкая технологичность, высокая дефектность.
Задача изобретения: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем создания под областями стока, истока и канала скрытого р+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2.
Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода H2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов, изготовленных в оптимальных режимах, увеличился на 22,7%.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном диапазоне температур соответствовала требованиям.
Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем создания под областями стока, истока и канала скрытого р+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2010 |
|
RU2428764C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2018 |
|
RU2688874C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2016 |
|
RU2641617C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2019 |
|
RU2723981C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2021 |
|
RU2770135C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2734094C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА | 2012 |
|
RU2522930C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2012 |
|
RU2515335C2 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2015 |
|
RU2610056C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2009 |
|
RU2431904C2 |
Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора. Изобретение обеспечивает снижение токов утечки, повышение технологичности и процента выхода годных. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающего подложку, процессы ионного легирования, термический отжиг, формирование активных областей истока, стока и канала, отличающийся тем, что затвор выполняют путем создания скрытого p+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°C в течение 20 мин в атмосфере водорода H2.
ОДНОРАЗРЯДНЫЙ ДВОИЧНЫЙ КМОП СУММАТОР | 2011 |
|
RU2454703C1 |
ьИБЛИОТь^чЛ | 0 |
|
SU362528A1 |
US 5015596 A1, 14.05.1991 | |||
JP S60134479 A, 17.07.1985 | |||
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2010 |
|
RU2428764C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОЕВ p-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ НА КРИСТАЛЛАХ InSb | 2012 |
|
RU2485629C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОЕВ Р-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ НА КРИСТАЛЛАХ InAs | 2013 |
|
RU2541137C1 |
Авторы
Даты
2018-07-05—Публикация
2017-02-20—Подача