СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Российский патент 2018 года по МПК H01L21/265 

Описание патента на изобретение RU2660296C1

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5362677, МКИ H01L 21/338]. Перед нанесением электрода затвора в активных слоях формируется сужающаяся к низу канавка со ступенчатыми стенками, при этом электрод затвора наносится на дно канавки через нависающие края образованной таким образом маски.

В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов формирования электрода затвора образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5296398, МКИ H01L 21/338] с пониженным сопротивлением истока. Структура с WSi - затвором на легированной канальной области покрывается слоем SiON, который травлением удаляется со стороны истока. Проводится ионная имплантация с образованием глубокой области стока и мелкой стоковой области с относительно меньшим уровнем легирования и отдельным от электрода затвора участком канала.

Недостатками способа являются: повышенные значения токов утечек; низкая технологичность, высокая дефектность.

Задача изобретения: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем создания под областями стока, истока и канала скрытого р+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2.

Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода H2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов, изготовленных в оптимальных режимах, увеличился на 22,7%.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном диапазоне температур соответствовала требованиям.

Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем создания под областями стока, истока и канала скрытого р+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Похожие патенты RU2660296C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2010
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2428764C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2018
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2688874C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2016
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2641617C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2723981C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2021
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2770135C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2734094C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА 2012
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Уянаева Марьям Мустафаевна
RU2522930C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 2012
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Марат Гусейнович
RU2515335C2
Способ изготовления полупроводникового прибора 2015
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
RU2610056C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Мустафаев Абдула Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2431904C2

Реферат патента 2018 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора. Изобретение обеспечивает снижение токов утечки, повышение технологичности и процента выхода годных. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 660 296 C1

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающего подложку, процессы ионного легирования, термический отжиг, формирование активных областей истока, стока и канала, отличающийся тем, что затвор выполняют путем создания скрытого p+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°C в течение 20 мин в атмосфере водорода H2.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2660296C1

ОДНОРАЗРЯДНЫЙ ДВОИЧНЫЙ КМОП СУММАТОР 2011
  • Морозов Дмитрий Валерьевич
  • Пилипко Михаил Михайлович
RU2454703C1
ьИБЛИОТь^чЛ 0
  • Витель Иностранец Манфред Айбс Германска Демократическа Республика Иностранное Предпри Тие Феб Швермашиненбау Комбинат Эрнст Тельман Германска Демократическа Республика
SU362528A1
US 5015596 A1, 14.05.1991
JP S60134479 A, 17.07.1985
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2010
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2428764C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОЕВ p-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ НА КРИСТАЛЛАХ InSb 2012
  • Артамонов Антон Вячеславович
  • Астахов Владимир Петрович
  • Гиндин Павел Дмитриевич
  • Карпов Владимир Владимирович
  • Максимов Александр Дмитриевич
RU2485629C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОЕВ Р-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ НА КРИСТАЛЛАХ InAs 2013
  • Артамонов Антон Вячеславович
  • Астахов Владимир Петрович
  • Гиндин Павел Дмитриевич
  • Карпов Владимир Владимирович
  • Крайтерман Евгения Зиновьевна
RU2541137C1

RU 2 660 296 C1

Авторы

Мустафаев Гасан Абакарович

Мустафаев Абдулла Гасанович

Мустафаев Арслан Гасанович

Черкесова Наталья Васильевна

Даты

2018-07-05Публикация

2017-02-20Подача