Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент №4970568 США, МКИ H01L 27/02], обеспечивающий снижение токов утечек путем формирования внутреннего геттера в объеме кремниевой пластины с различной шириной бездефектной зоны под элементами с разной глубиной активных областей. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент №4980300 США, МКИ H01L 21/463] путем обработки полупроводниковых подложек для создания геттера. Подложки загружают в ванну с особо чистой водой, там их вращают в горизонтальной либо вертикальной плоскости и одновременно воздействуют У3-колебаний. На поверхности подложки создаются механические повреждения, которые обеспечивают геттерирование с перераспределением дефектов и нежелательных примесей.
Недостатками этого способа являются:
- значительные утечки;
- низкая технологическая воспроизводимость;
- повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением при температуре 300°С со скоростью 10 нм/мин, с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов.
Технология способа состоит в следующем: на кремниевых пластинах n-типа проводимости ВЧ-катодным распылением наносили на обратную сторону подложки пленку нитрида кремния толщиной 0,4 мкм, со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С. Затем проводили термообработку в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов. Нанесение нитрида кремния с последующей термообработкой эффективно подавляет образование поверхностных дефектов упаковки. Затем были изготовлены полупроводниковые приборы по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результат обработки представлен в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 15,4%.
Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов, позволяет повысить процент выхода годных, улучшить их качество и надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР | 2018 |
|
RU2680606C1 |
Способ отжига полупроводниковых структур | 2024 |
|
RU2825815C1 |
Способ изготовления контактно-барьерной металлизации | 2018 |
|
RU2698540C1 |
Способ изготовления мелкозалегающих переходов | 2020 |
|
RU2748335C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2009 |
|
RU2418343C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА | 2012 |
|
RU2522930C2 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2756003C1 |
СПОСОБ ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР | 2014 |
|
RU2567117C1 |
Способ изготовления полупроводниковых структур | 2020 |
|
RU2738772C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2745586C1 |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч. Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы обработки полупроводниковых подложек, отличающийся тем, что на обратной стороне подложки наносят пленку нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч.
JP 58134430 A, 10.08.1983 | |||
JP 56137620 A, 27.10.1981 | |||
JP 57207344 A, 20.12.1982 | |||
SU 1410783 A1, 30.05.1994 | |||
US 4970568 A, 13.11.1990 | |||
US 4980300 A, 25.12.1990. |
Авторы
Даты
2019-02-25—Публикация
2018-01-23—Подача