СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Российский патент 2019 года по МПК H01L21/322 

Описание патента на изобретение RU2680607C1

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент №4970568 США, МКИ H01L 27/02], обеспечивающий снижение токов утечек путем формирования внутреннего геттера в объеме кремниевой пластины с различной шириной бездефектной зоны под элементами с разной глубиной активных областей. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент №4980300 США, МКИ H01L 21/463] путем обработки полупроводниковых подложек для создания геттера. Подложки загружают в ванну с особо чистой водой, там их вращают в горизонтальной либо вертикальной плоскости и одновременно воздействуют У3-колебаний. На поверхности подложки создаются механические повреждения, которые обеспечивают геттерирование с перераспределением дефектов и нежелательных примесей.

Недостатками этого способа являются:

- значительные утечки;

- низкая технологическая воспроизводимость;

- повышенная плотность дефектов.

Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением при температуре 300°С со скоростью 10 нм/мин, с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов.

Технология способа состоит в следующем: на кремниевых пластинах n-типа проводимости ВЧ-катодным распылением наносили на обратную сторону подложки пленку нитрида кремния толщиной 0,4 мкм, со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С. Затем проводили термообработку в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов. Нанесение нитрида кремния с последующей термообработкой эффективно подавляет образование поверхностных дефектов упаковки. Затем были изготовлены полупроводниковые приборы по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результат обработки представлен в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 15,4%.

Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов, позволяет повысить процент выхода годных, улучшить их качество и надежность.

Похожие патенты RU2680607C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР 2018
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2680606C1
Способ отжига полупроводниковых структур 2024
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
RU2825815C1
Способ изготовления контактно-барьерной металлизации 2018
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2698540C1
Способ изготовления мелкозалегающих переходов 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2748335C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 2009
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2418343C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА 2012
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Уянаева Марьям Мустафаевна
RU2522930C2
Способ изготовления полупроводникового прибора 2020
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
RU2756003C1
СПОСОБ ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР 2014
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2567117C1
Способ изготовления полупроводниковых структур 2020
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2738772C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2745586C1

Реферат патента 2019 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч. Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 680 607 C1

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы обработки полупроводниковых подложек, отличающийся тем, что на обратной стороне подложки наносят пленку нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2019 года RU2680607C1

JP 58134430 A, 10.08.1983
JP 56137620 A, 27.10.1981
JP 57207344 A, 20.12.1982
SU 1410783 A1, 30.05.1994
US 4970568 A, 13.11.1990
US 4980300 A, 25.12.1990.

RU 2 680 607 C1

Авторы

Мустафаев Гасан Абакарович

Мустафаев Абдулла Гасанович

Мустафаев Арслан Гасанович

Черкесова Наталья Васильевна

Даты

2019-02-25Публикация

2018-01-23Подача