Способ предпосевной обработки семян среднеспелых сортов сои Российский патент 2019 года по МПК A01C1/06 

Описание патента на изобретение RU2683041C1

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к растениеводству и семеноведению, может быть использовано при обработке семян сои перед посевом для повышения их посевных качеств.

Известен способ обработки семян, который заключается в воздействии на семена газовой плазмой в среде неорганического газа или смеси не-органических газов. Обработку семян проводят при частоте электрического разряда 1-40 МГц, мощности электрического разряда 0,01-0,1 Вт/см3 и давлении неорганического газа в диапазоне 0,2-1,13 Торр. Семена бобовых, капусты, кабачка, свеклы, огурца, томата, моркови, календулы, бархатцев, чечевицы, тыквы, ячменя, щавеля, брюквы, вики, гороха, риса, фасоли, пшеницы, кукурузы и сои со сроком проверки энергии прорастания и всхожести на 4-й и 10-й день обрабатывают газовой плазмой в течение 15-35 сек. (Патент РФ №2293456 Способ предпосевной обработки семян растений МПК А01С 1/00. Аналог).

Известный способ не позволяет определить оптимальные режимы обработки для семян среднеспелых сортов сои, так как семена культуры сои отличаются от овощных, зерновых, кормовых, цветочных по биохимическому составу, размерами, массой, прочностью защитной оболочки.

По данным литературных источников семена различных культур и сортов по-разному реагируют на биологическую активацию низкотемпературной плазмой, так как они различаются по строению и биохимическому составу. Поэтому для них свойственны разные области спектра, что требует проверки и изучения данного приема по его влиянию не только на семена различных сельскохозяйственных культур, но и сортов. (Гордеев Ю.А. Стимулирование биологических процессов в семенах растений излучениями низкотемпературной плазмы. / Ю.А. Гордеев // Монография. - Смоленск, 2008. - 196 с.; Дуткевич Д.Е. Обоснование режимов обработки семян многолетних трав излучениями низкотемпературной гелиевой плазмы. Автореф. канд. дисс. по ВАК 06.01.12 - Смоленск, 2005. - 21 с.; Городецкая Е.А. Влияние плазменно-микроволновой обработки на семена. // Научный журнал «Известия КГТУ», 2016 г. - №40).

Задачей настоящего изобретения является выбор оптимального режима предпосевной СВЧ (сверхвысокочастотной) плазменной обработки семян сои, который обеспечит эффективность сбалансированного биологически активного воздействия на семена среднеспелых сортов сои, что будет способствовать ускорению начального этапа онтогенеза, повышению посевных качеств семян на 5-7%, устойчивости растений сои к воздействию внешних стрессоров.

Заявленный способ заключается в следующем:

Перед посевом семена сои среднеспелых сортов обрабатывают низкотемпературной аргоновой СВЧ плазмой. Стационарный поток сильнонеравновесной плазмы при атмосферном давлении создается с помощью СВЧ источника электромагнитных колебаний с частотой генерации 2,45 ГГц. Генератор низкотемпературной аргоновой плазмы представляет собой аксиальный электрод, помещенный в заземленный металлический цилиндр, со штуцером для подачи рабочего газа аргона. При прокачке аргона через разрядный промежуток со скоростью до 5 литров в минуту и подаче от магнетрона мощности 20…200 Вт формируется поток плазмы СВЧ разряда и между концом электрода и внутренней поверхностью заземленного цилиндра образуются плазменные каналы. Диаметр плазменной струи при этом составляет 16 мм. Обработка семян сои осуществляется на расстоянии 2,0 см и 4,5 см от края плазменной горелки в течение 60 секунд. При этом среди активных компонентов плазменного факела, воздействующих на обрабатываемый материал, следует выделить поток заряженных частиц (электронов и ионов), СВЧ и ультрафиолетовое излучение, а также продуктов плазмохимических реакций. Основные спектры излучения плазменного факела находятся в областях 300-400 нм и 700-800 нм и соответствуют линиям Ar, ОН, N2, NO2, О3. На основе газохимического анализа было определено, что концентрация NO2 в области у обрабатываемой поверхности составляет 2,5 мг/м3, а концентрация О3 - 2,1 мг/м3. Измерения СВЧ излучения и коэффициента экранирования плазменной горелки показали, что плотность потока СВЧ излучения не превышает предельно допустимый уровень облучения и составляет 1 мВт/см2.

Пример 1

Семена сои обрабатывают низкотемпературной СВЧ аргоновой плазмой. Электромагнитные волны плазмы запускают внутриклеточные механизмы, что приводит к ускорению темпов набухания и прорастания семян. Степень набухания обработанных плазмой семян сои в наших экспериментах через 48 часов замачивания увеличилась в зависимости от экспозиции на 15…22%, по сравнению с контролем. Воздействие низкотемпературной аргоновой СВЧ - плазмы на семена сои является эффективным, но неоднозначным по влиянию на прорастание семян. Так, при экспозиции 60 сек. количество проростков увеличилось на 43%, а при 120 сек. - на 7% по сравнению с контролем (таблица 1). Показатели первоначального роста сои при обработке семян в течение 60 сек. оказались выше, чем в контроле.

С увеличением длительности обработки до 120 секунд длина 10-ти дневных проростков уменьшается. Следовательно, продолжительность обработки семян снижает скорость роста проростков. Коэффициент вариации при экспозиции 120 секунд составляет 26,7%, при экспозиции 60 сек. - 21,4%. Так как онтогенез является процессом неразрывной связи последовательных изменений в жизнедеятельности растительного организма, то положительное влияние низкотемпературной плазмы на прорастание семян способствует дружному появлению всходов в полевых условиях и повышению устойчивости растений к воздействию внешних стрессоров. За счет стимуляции темпов роста растений их сохранность оказывается выше на 8% в вариантах с плазменной обработкой семян по сравнению с контрольными вариантами (без обработки).

Пример 2

При обработке семян на расстоянии 2,0 см и 4,5 см низкотемпературной аргоновой СВЧ - плазмой снижается количество ненормально развитых проростков на 1…5%, коэффициент вариации - на 3,5…4,4%, размах вариации - на 6,8…9,0%, длина проростков увеличивается на 2,3 и 2,5 см, по сравнению с контролем (таблица 2).

Похожие патенты RU2683041C1

название год авторы номер документа
Способ повышения урожайности среднеспелых сортов сои при использовании низкотемпературной аргоновой плазмы для предпосевной обработки семян 2020
  • Синеговская Валентина Тимофеевна
  • Михайлова Мария Павловна
  • Васильев Михаил Михайлович
  • Петров Олег Федорович
RU2740815C1
СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ПРЕДПОСЕВНОЙ ОБРАБОТКИ СЕМЯН ЗЕРНОВЫХ КУЛЬТУР 2019
  • Сордонова Маргарита Николаевна
  • Балданов Баир Батоевич
  • Будажапов Лубсан-Зонды Владимирович
  • Ранжуров Цыремпил Валерьевич
  • Чирипов Амгалан Вадимович
RU2781145C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СЕМЯН СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ РАСТЕНИЙ 2020
  • Филиппов Александр Константинович
  • Филиппов Денис Александрович
  • Филиппов Роман Александрович
RU2732590C1
Способ плазменной активации воды или водных растворов и устройство для его осуществления 2018
  • Сергейчев Константин Федорович
  • Лукина Наталья Александровна
  • Андреев Степан Николаевич
  • Апашева Людмила Магомедовна
  • Савранский Валерий Васильевич
  • Лобанов Антон Валерьевич
RU2702594C1
Способ стимулирования роста растений на ранних стадиях развития воздействием электромагнитного поля крайневысокой частоты 2017
  • Апашева Людмила Магомедовна
  • Лобанов Антон Валерьевич
  • Рубцова Наталья Анатольевна
  • Горшенев Владимир Николаевич
  • Андреев Степан Николаевич
  • Мельник Николай Николаевич
  • Савранский Валерий Васильевич
RU2657476C1
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ СТРЕССОУСТОЙЧИВОСТИ ЗЕРНОВЫХ КУЛЬТУР 2018
  • Сычев Виктор Гаврилович
  • Осипова Людмила Владимировна
  • Верниченко Игорь Васильевич
  • Курносова Татьяна Леонидовна
RU2703022C1
СПОСОБ ПРЕДПОСЕВНОЙ ОБРАБОТКИ СЕМЯН ЯЧМЕНЯ 2016
  • Шилова Ольга Алексеевна
  • Хамова Тамара Владимировна
  • Панова Гаянэ Геннадьевна
  • Аникина Людмила Матвеевна
RU2618143C1
Способ предпосевной обработки семян ярового ячменя 2020
  • Шилова Ольга Алексеевна
  • Панова Гаянэ Геннадьевна
  • Хамова Тамара Владимировна
  • Галушко Александр Сергеевич
  • Удалова Ольга Рудольфовна
  • Аникина Людмила Матвеевна
RU2765577C2
ИСТОЧНИК НЕРАВНОВЕСНОЙ АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЫ НА ОСНОВЕ ОБЪЕМНОГО ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА АТМОСФЕРНОГО ДАВЛЕНИЯ 2019
  • Семенов Александр Петрович
  • Балданов Баир Батоевич
  • Ранжуров Цыремпил Валерьевич
RU2705791C1
Способ активации проращивания семян сои 2020
  • Зеленков Валерий Николаевич
  • Латушкин Вячеслав Васильевич
  • Потапов Вадим Владимирович
  • Синеговская Валентина Тимофеевна
  • Иванова Мария Ивановна
  • Разин Анатолий Федорович
RU2748077C1

Реферат патента 2019 года Способ предпосевной обработки семян среднеспелых сортов сои

Изобретение относится к сельскому хозяйству. Предложен способ предпосевной обработки семян среднеспелых сортов сои, включающий воздействие на семена в течение 60 с низкотемпературной аргоновой СВЧ-плазмой с помощью СВЧ-источника электромагнитных колебаний с частотой генерации 2,45 ГГц с диаметром плазменной струи 16 мм на расстоянии 2,0 см и 4,5 см от края плазменной горелки. При этом основные спектры излучения плазменного факела находятся в областях 300-400 нм и 700-800 нм. Плотность потока СВЧ-излучения составляет 1 мВт/см2. Способ обеспечивает положительное влияние на первоначальный рост семян и повышение устойчивости растений к воздействию внешних стрессоров. 2 табл., 2 пр.

Формула изобретения RU 2 683 041 C1

Способ предпосевной обработки семян среднеспелых сортов сои, включающий воздействие на семена в течение 60 с низкотемпературной аргоновой СВЧ-плазмой с помощью СВЧ-источника электромагнитных колебаний с частотой генерации 2,45 ГГц с диаметром плазменной струи 16 мм на расстоянии 2,0 см и 4,5 см от края плазменной горелки, при этом основные спектры излучения плазменного факела находятся в областях 300-400 нм и 700-800 нм, плотность потока СВЧ-излучения составляет 1 мВт/см2, что оказывает положительное влияние на первоначальный рост семян и повышение устойчивости растений к воздействию внешних стрессоров.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2019 года RU2683041C1

СПОСОБ ПРЕДПОСЕВНОЙ ОБРАБОТКИ СЕМЯН РАСТЕНИЙ 2005
  • Филиппов Александр Константинович
  • Федоров Михаил Анатольевич
  • Филиппов Денис Александрович
RU2293456C1
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА СРЕДСТВА ДЛЯ ОБРАБОТКИ РАСТЕНИЙ 1996
  • Желифонова В.П.
  • Квасенков О.И.
  • Кульнев А.И.
RU2075934C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СЕМЯН РАСТЕНИЙ 1995
  • Филиппов А.К.
  • Битюцкий Н.П.
  • Федоров М.А.
RU2076557C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СЕМЯН ХЛОПЧАТНИКА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2004
  • Басаев Б.Б.
  • Кабалоев Т.Х.
  • Бекузарова С.А.
  • Гокоев Т.М.
RU2265304C1
WO 2015193239 A1, 23.12.2015.

RU 2 683 041 C1

Авторы

Синеговская Валентина Тимофеевна

Каманина Лариса Анатольевна

Васильев Михаил Михайлович

Петров Олег Федорович

Даты

2019-03-26Публикация

2018-04-03Подача