СПОСОБ ПЕРЕНОСА ТИСНЕНОЙ СТРУКТУРЫ НА ПОВЕРХНОСТЬ ПОКРЫТИЯ И КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ, ПРИМЕНЯЕМЫЙ В КАЧЕСТВЕ КЛИШЕ ДЛЯ ТИСНЕНИЯ Российский патент 2024 года по МПК B29C59/04 B29C39/14 

Область техники изобретения

Настоящее изобретение относится к способу переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), содержащего подложку (S1) и по меньшей мере частично тисненное и по меньшей мере частично отвержденное покрытие (С1), после следующих стадий (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадии (4) и необязательно стадии (5-I) или (5-II), причем композиция (С1а) для нанесения покрытия представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия определенного состава, и композитный материал (S1C1) предпочтительно применяют в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения.

Предшествующий уровень техники

В настоящее время, в ряде промышленных применений принято обеспечивать поверхности заготовок структурами, структурные характеристики которых находятся в микрометровом диапазоне или даже в нанометровом диапазоне. Такие структуры также называют микроструктурами (структуры с характеристиками в микрометровом диапазоне) или наноструктурами (структуры с характеристиками в нанометровом диапазоне). Такие структуры, например, применяются для воздействия на оптические, бионические и/или тактильные свойства поверхностей материалов. Структуры этого типа также называют тиснениями, тисненными структурами или структурированными поверхностями.

Один из распространенных способов получения таких структурированных поверхностей состоит в переносе указанных структур на материал покрытия. Перенос структур на материал покрытия часто достигается с помощью операции тиснения, во время которой клише, содержащее микроструктуры и/или наноструктуры, которые будут применяться для формирования, в негативной форме, приводится в контакт с материалом покрытия и вдавливается в него.

Материал покрытия обычно отверждается in situ, в результате чего получают сформированные на постоянной основе структуры.

WO 90/15673 А1 описывает способ, в котором отверждаемый под действием излучения материал покрытия наносят на пленку или на тисненное клише с негативной желаемой тисненной структурой, и затем приспособление для тиснения впечатывают на фольгу, на фольгу, обеспеченную материалом покрытия. В то время, как отверждаемый под действием излучения материал покрытия все еще располагается между фольгой и приспособлением для тиснения, проводится отверждение, и затем, после удаления приспособления, получают пленку, которая обеспечена отверждаемым под действием излучения материалом покрытия, который содержит желаемую структуру с позитивными элементами. Европейский патент ЕР 1 135 267 В1 также описывает способ такого рода, в котором отверждаемый материал покрытия наносят на поверхность подложки для декорирования, и соответствующее тисненное клише с негативным узором вдавливают в неотвержденный слой покрытия. После этого, слой покрытия отверждается, и клише для тиснения впоследствии удаляют.ЕР 3 178 653 А1 раскрывает изделие, содержащее гибкую ткань, которая имеет текстурированную поверхность для применения в репликативном формовании отверждаемых систем. Ткань может иметь полимерные слои, которые могут быть получены посредством применения моно- и полифункциональных акрилатов.

Патент США №9 778 564 В2 раскрывает материал штампа, который включает в себя компонент, который обязательно содержит структурное звено (мет)акриламида, а также дополнительный компонент, имеющий 2-6 способных к полимеризации групп, указанный компонент также при этом имеет звенья алкиленоксида. После нанесения этого материала на подложку, полученная из него пленка может обеспечиваться узором в ходе ее отверждения с помощью УФ-излучение, применяя никелевое приспособление для тиснения.

US 2007/0204953 А1 раскрывает способ нанесения рисунка на клейкие смолы, который обеспечивает последовательное нанесения отверждаемого слоя клейкой смолы на подложку, нанесение структурированного узора на указанный слой, и, впоследствии, отверждение слоя, таким образом, чтобы получить подложку, обеспеченную отвержденной клейкой смолой, которая содержит желаемой рисунок.

WO 2015/154866 A1 относится к способу изготовления подложки со структурированной поверхностью. В данном случае, вначале, на подложку наносят первое отверждаемое с помощью УФ-излучения покрытие и оно отверждается. Затем, поверх этого отвержденного покрытия, в качестве лака для тиснения, наносят второе отверждаемое с помощью УФ-излучения покрытие, которое подвергается тиснению для создания микроструктуры и впоследствии отверждается.

DE 10 2007 062 123 А1 описывает способ нанесения на пленку-носитель лака для тиснения, например, такого, как способный к сшиванию под действием УФ-излучения лак для тиснения, структурирование лака для тиснения в микрометровом диапазоне, и отверждение лака для тиснения, нанесенного на пленку, в результате чего получают тисненную пленку, чья микроструктура впоследствии моделируется посредством нанесения металла на тисненную поверхность, другими словами, посредством металлизации пленки. Однако, недостатком такого моделирования с помощью последующей металлизации, является полученное в результате нежелательное снижение качества моделирования.

ЕР 2 146 805 В1 описывает способ изготовления материала, имеющего текстурированную поверхность. Способ включает обеспечение подложки отверждаемым покрытием, приведение в контакт указанного покрытия с текстурирующей средой для тиснения, а затем отверждение тисненного таким образом покрытия, и его удаление из текстурирующей среды. Текстурирующая среда содержит поверхностный слой, который содержит 20% - 50% акрилового олигомера, 15% - 35% монофункционального мономера, и 20% - 50% полифункционального мономера. WO 2016/090395 А1 и ACS Nano Journal, 2016 г., 10, страницы 4926 - 4941 описывают подобные способы, с четким указанием в каждом случае, что для получения поверхностного слоя текстурирующей среды, должны применяться большие части трехкратно этоксилированного триметилолпропантриакрилата (ТМР(ЕО)₃ТА), с тем, чтобы обеспечить создание сравнительно твердого клише текстурирующей среды. Более того, в соответствии с WO 2016/090395 А1, композиция для нанесения покрытия, которую применяют для получения поверхностного слоя, должна также обязательно включать в себя структурное звено, которое имеет по меньшей мере две тиоловые группы, например, такие как триметилолпропан трис(3-меркаптопропионат). Однако, применение таких тиолов в соответствующих композициях материала покрытия часто является невыгодным, поскольку такие композиции не всегда обладают достаточной стабильностью при хранении, и поскольку покрытия, полученные из них, не обладают достаточной устойчивостью к атмосферным воздействиям. Дополнительным фактором является неприятный запах, возникающий в результате применения тиолов, который, конечно, также является нежелательным.

KR 2009/0068490 А относится к способу переноса тисненной структуры из мелких узоров в десятки нанометров, посредством применения полимерного клише, причем полимерное клише состоит из I) акрилата, выбранного из силикон(мета)акрилата и фтор(мета)акрилата, II) определенного многофункционального уретан(мета)акрилата, III) отверждаемого с помощью УФ-излучения мономера, и (IV) фотоинициатора, а также к способу его изготовления, к улучшению отделения полимерного клише от подложки без его набухания под действием органического растворителя, при этом полимерное клише обладает превосходной гибкостью, механической прочностью и износостойкостью, по сравнению с клише, изготовленными из ПДМС (полидиметилсилоксана).

И наконец, заявки WO 2019185832 А1 и WO 2019185833 А1 описывают способ переноса тисненной структуры на поверхность композиции (В2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (F1B1), состоящего из подложки (S1) и тисненного и отвержденного покрытия (В1) в соответствии с определенными стадиями, причем композиция (В1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения (В1) композитного материала (F1B1), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия определенного состава, а также применение композитного материала (F1B1) в качестве штампа (р2) для тиснения приспособления (Р2) для тиснения для переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (В2а) для нанесения покрытия.

Однако, способы тиснения, известные из предшествующего уровня техники, в частности, такие как способы, описанные в ЕР 2 146 805 В1, WO 2016/090395 А1, и в ACS Nano Journal, 2016 г., 10, страницы 4926 - 4941, не всегда являются достаточно эффективными относительно переноса тиснения, в частности, микрометрового диапазона и/или нанометрового диапазона, то есть микроструктур и/или наноструктур, в частности, без снижения точности формования до неприемлемой степени в случае такого переноса. В то же время, тиснения не всегда удовлетворительно воспроизводятся или, как указано в заявках WO 2019185832 А1 и WO 2019185833 А1, высокая степень воспроизведения и отделение тисненного и отвержденного покрытия без разрушения может быть получено только тогда, когда композитный материал, применяемый в качестве клише для тиснения, выдерживают на протяжении определенного периода времени и незамедлительно разделяют клише для тиснения и тисненное и отвержденное покрытие после отверждения.

Следовательно, имеется потребность в способе тиснения, который не имеет указанных выше недостатков.

Задача

Следовательно, задача настоящего изобретения состоит в обеспечении способа переноса тисненных структур на композиции для нанесения покрытия, и на подложки, содержащие такие композиции для нанесения покрытия, и в частности, способа такого рода, который обеспечивает перенос соответствующих микроструктур и/или наноструктур, и который обеспечивает достаточную точность формования и высокую степень успешности воспроизведения при переносе тисненных структур, также и на более значительные площади подложки, таким образом, чтобы тиснение не сопровождалось потерей глубины модуляции, и который, в частности, позволяет создавать клише для тиснения очень в значительной степени многократно применяемого для переноса тисненной структуры, и/или который может осуществляться посредством применения клише для тиснения такого рода. В то же время, необходимо, чтобы структуры для тиснения, которые подлежат переносу, могли воспроизводиться в очень высокой степени, без каких-либо недостатков способа, обусловленных, в частности, нежелательными или неудовлетворительными характеристиками части покрытий и применяемых композиций для нанесения покрытия, такими как неудовлетворительная адгезия, в частности, неудовлетворительная адгезия с точки зрения способности композиции для нанесения покрытия, на которую наносится тиснение, к отделению от клише посредством обезвоживания композиции для нанесения покрытия, на которую наносится тиснение, вследствие несоответствия поверхностных энергий, что приводит в результате к уменьшению заполнения клише и потере модуляции, причем особенно хорошее разделение клише для тиснения и тисненного и отвержденного покрытия обеспечивается независимо от времени, прошедшего после изготовления клише для тиснения и приведения в контакт клише для тиснения и композиции для нанесения покрытия, на которую наносится тиснение. Более того, необходимо улучшить точность формования по всей ширине клише для тиснения. Техническое решение

Эта задача решается с помощью предмета изобретения, заявленного в формуле изобретения, а также с помощью предпочтительных вариантов осуществления указанного предмета, как описано далее.

Следовательно, первый объект настоящего изобретения представляет собой способ переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ содержит по меньшей мере стадии (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-I) или (5-II), а именно:

(1) обеспечение композитного материала (S1C1), состоящего из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1);

и

(2-I) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2), с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a);

(3-I) нанесение композитного материала (S1C1) по меньшей мере на часть композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2aS2);

или

(2-II) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненной и по меньшей мере частично отвержденной поверхности композитного материала (S1C1), и по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2a);

(3-II) необязательно нанесение подложки (S2) по меньшей мере на часть поверхности, образованной композицией (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S1C1C2a), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2aS2); и

(4) по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно нанесенной на подложку (S2), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2) или (S1C1C2S2);

и

(5-I) необязательно удаление композитного материала (C2S2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2S2), с композитного материала (S1C1), для восстановления композитного материала (S1C1), обеспеченного на стадии (1);

или

(5-II) необязательно удаление покрытия (С2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), обеспеченного на стадии (1);

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), который применяют на стадии (1), и восстановленного на стадии (5-I) или на стадии (5-II), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 1 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0-5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляет 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Неожиданно было обнаружено, что способ в соответствии с изобретением позволяет переносить тисненные микроструктуры и/или наноструктуры, в частности, в диапазоне ширины структуры от 10 нм до 1000 мкм и в диапазоне глубины структуры от 1 нм до 1000 мкм, на подлежащую тиснению композицию для нанесения покрытия, обеспечивая при этом очень высокую степень успешного воспроизведения независимо от времени, прошедшего после получения композитного материала (S1C1) и нанесения на него композиции (С2а) для нанесения покрытия, и времени, прошедшего между тиснением и отверждением композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной на такой композитный материал (S1C1), предпочтительно применяемый в качестве клише для тиснения, без потери высокого качества воспроизведения, которое страдает от меньшего заполнение клише, причем композитный материал (S1C1), предпочтительно применяемый в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, имеет улучшенную однородность толщины слоя по всей ширине клише для тиснения, обеспечивая более равномерное приложение давления к композитному материалу (S1C1), если оно применяется.

В этом контексте, в частности, было неожиданно обнаружено, что способ в соответствии с изобретением позволяет переносить тисненные структуры с очень высокой точностью формования и высоким уровнем успешности воспроизведения по всей ширине клише, причем композитный материал (S1C1) может быть получен посредством нанесения покрытия из отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия на предпочтительно движущуюся подложку (S1), и который при этом предпочтительно применяют в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения.

Кроме того, неожиданно было обнаружено, что способ в соответствии с изобретением может применяться с таким преимуществом, потому что покрытие (С1) на подложке (S1) отличается очень хорошей адгезией и очень хорошим характеристиками отделения, независимо от времени хранения композитного материала (S1C1) и времени, прошедшего после тиснения и отверждения композиции (С2) для нанесения покрытия, и по этой причине соответствующий композитный материал (S1C1) также может очень эффективно применяться в качестве клише (е2) для тиснения.

Кроме того, было неожиданно обнаружено, что композитный материал (S1C1), применяемый в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения в способе в соответствии с изобретением, может применяться для переноса тисненных структур, таких как микроструктуры и/или наноструктуры, многоразово, в частности, в виде клише для непрерывного тиснения, указанное при этом является преимущественным по экономическим причинам. Более того, неожиданно указанный композитный материал (S1C1), который предпочтительно представлен в виде клише (е2) для непрерывного тиснения, не только может применяться многократно и, следовательно, является многоразовым, но также может изготавливаться недорого и быстро в больших промышленных масштабах.

Следовательно, дополнительным объектом настоящего изобретения является также композитный материал (S1C1), который состоит из подложки (S1) и по меньшей мере из частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), и которое можно получить посредством по меньшей мере частичного отверждения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1), и по меньшей мере частично тисненного, в результате отверждения излучением,

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 1 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Предпочтительно, указанный композитный материал (S1C1) можно получить посредством осуществления стадий способа (6) - (9), которые описаны более подробно ниже.

Неожиданно было обнаружено, что по меньшей мере частично тисненный композитный материал (S1C1) в соответствии с изобретением не только может применяться в качестве многоразового клише (е2) для тиснения, предпочтительно в виде многоразового клише (е2) для непрерывного тиснения, в способе тиснения, таком как способ в соответствии с изобретением, но также, что с помощью компонентов, присутствующих в отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения этого композитного материала (S1C1), возможно достичь очень эффективного разделения между композитным материалом (S1C1), который может применяться в качестве клише (е2) для тиснения в приспособлении (Е2) для тиснения, и тисненным покрытием (С2) и/или соответствующим композитным материалом, таким как композитный материал (S2C2), содержащий такое тисненное покрытие, такое как покрытие (С2), особенно при выполнении способа в соответствии с изобретением и на его необязательной стадии (5-I) или (5-II), с очень высоким качеством отделения, независимо от времени, прошедшего после получения композитного материала (S1C1), применяемого в качестве клише для тиснения, и после нанесения композиции (С2а) для нанесения покрытия, или независимо от времени, прошедшего после тиснения и отверждения этого полученного в результате покрытия (С2). Кроме того, в частности, было обнаружено, что в частности, при прохождении стадий (6) - (9) способа получения композитного материала (S1C1), тисненная структура покрытия (С1) может быть получена с высокой успешностью воспроизведения и качеством воспроизведения элементов клише для тиснения, вследствие полного заполнения клише по всей ширине клише в виде однородного по толщине слоя.

Кроме того, дополнительным объектом настоящего изобретения является применение композитного материала (S1C1) в соответствии с изобретением в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения для переноса тисненной структуры, предпочтительно тисненной структуры, имеющей микроструктурированную и/или наноструктурированную поверхность, по меньшей мере на части поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно нанесенной на подложку (S2).

Подробное описание

Если в контексте настоящего изобретения ссылаются на официальный стандарт, то это означает версию стандарта, которая была действующей на дату подачи заявки, или, если действующей версии на эту дату не существовало, то это означает последнюю действующую версию.

Термин "по меньшей мере" в контексте этого изобретения, например, в связи с композицией (С1а) для нанесения покрытия, содержащей по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер, необходимо понимать как такой, который включает в себя определенное количество (одно и более) составляющих, например, композиция (С1а) для нанесения покрытия состоит из одного, двух, трех, или четырех разных или одинаковых способных к сшиванию полимеров и/или олигомеров. Математический символ в отношении и интерпретации термина "по меньшей мере" подобен "≥". Подобное применяется и в отношении интерпретации термина "по меньшей мере" в сочетании с заданными числовыми диапазонами, например, такое выражение как "по меньшей мере 25% по массе", следует интерпретировать в контексте изобретения как обозначающее 25% по массе - 100% по массе. Термин "менее", например, такой как менее 75% по массе, понимается как такой, который не включает в себя упомянутое количество ("75"), и его следует интерпретировать как диапазон от 0% по массе до 75% по массе. Математический символ в отношении интерпретации термина "менее" подобен "<".

В этом описании изобретения, для удобства, термины "полимер" и "смола" применяют взаимозаменяемо, и включают в себя смолы, олигомеры, и полимеры.

Термин "поли(мет)акрилат" обозначает как полиакрилаты, так и полиметакрилаты. Следовательно, поли(мет)акрилаты могут состоять из акрилатов и/или метакрилатов, и могут содержать дополнительные этиленненасыщенные мономеры, такие как, например, стирол или акриловая кислота. Термин "(мет)акрилоил" в смысле настоящего изобретения охватывает метакрилоиловые соединения, акрилоильные соединения и их смеси.

В контексте этого изобретения, С₁-С₄-алкил обозначает метил, этил, изопропил, н-пропил, н-бутил, изобутил, втор-бутил и трет-бутил, предпочтительно метил, этил и н-бутил, более предпочтительно метил и этил и наиболее предпочтительно метил.

Термин "содержащий" в смысле настоящего изобретения, в связи с композициями для нанесения покрытия, применяемыми в соответствии с изобретением, например, такими как, композиция (С1а) для нанесения покрытия, и в связи со способом в соответствии с изобретением и его стадиями, предпочтительно имеет определение в значении "состоящий из". Более того, что касается, например, композиции (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют в соответствии с изобретением в дополнение к компонентам (а) и (б), а также (в) и необязательно (г) - возможно, когда один или несколько других компонентов, указанных ниже и необязательно присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, применяемой в соответствии с изобретением, подлежат включению в эту композицию. Каждый из компонентов может присутствовать в предпочтительных вариантах осуществления, указанных ниже. Что касается способа в соответствии с изобретением, то он, в дополнение к стадиям (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадии 4) и, необязательно, стадии (5-I) или (5-II), может включать дополнительные необязательные стадии способа, такие как, например, стадии (6) - (9).

Способ переноса тисненной структуры в соответствии с изобретением, включающий по меньшей мере стадии (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-I) или (5-II)

Первый объект настоящего изобретения представляет собой способ в соответствии с изобретением переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ включает по меньшей мере стадии (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-I) или (5-II), как описано ниже.

Способ в соответствии с изобретением предпочтительно представляет собой непрерывный способ.

Тисненную структуру переносят или поддерживают посредством по меньшей мере частичного тиснения в соответствии со стадиями (2-I) и (3-I) способа композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S2). Альтернативная возможность состоит в переносе посредством стадий (2-II) и (3-II) способа. Термин "тиснение" относится по меньшей мере к частичному обеспечению тисненной структурой композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно как части композитного материала (S2C2a), по меньшей мере на части его поверхности. В этом случае, по меньшей мере определенная площадь композиции (С2а) для нанесения покрытия обеспечивается тисненной структурой. Предпочтительно, вся поверхность композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно как часть композитного материала (S2C2a), обеспечивается тисненной структурой. Подобные комментарии применяются в связи с термином "тиснение" в отношении по меньшей мере частично тисненного композитного материала (S1C1), предпочтительно применяемого в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, и который при этом состоит из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), который может быть получен в соответствии со стадиями (6) - (9), которые описаны ниже.

Стадия (1):

На стадии (1) способа в соответствии с изобретением, обеспечивается композитный материал (S1C1), состоящий из подложки (S1) и по меньшей мере частично отвержденного и по меньшей мере частично тисненного покрытия (С1).

Тисненные структуры композитного материала (S1C1), клише (e1) для тиснения, а также композитного материала (S2C2a) и композитного материала (S2C2), которые описаны на следующих стадиях, основаны, предпочтительно и в каждом случае независимо друг от друга, на повторяющемся и/или расположенном через одинаковые промежутки узоре, или же они имеют полностью произвольный характер. В каждом случае, структура может представлять собой непрерывную тисненную структуру, такую как непрерывная структура в виде рифлей или же ряд предпочтительно повторяющихся отдельных тисненных структур. В этом случае, соответствующие отдельные тисненные структуры, в свою очередь, могут быть предпочтительно основаны на структуре в виде рифлей, имеющей более или менее сильно выраженные гребни (выступающие части тиснения), которые определяют высоту тиснения тисненной структуры. Согласно соответствующей геометрии гребней предпочтительно повторяющейся отдельной тисненной структуры, вид сверху может показывать ряд предпочтительно повторяющихся отдельных тисненных структур, каждая из которых различна, например, предпочтительно волнообразной, пилообразной, шестиугольной, ромбической, ромбоидной формы, формы в виде параллелограмма, ячеистой, круглой, точечной формы, формы в виде звезды, формы в виде жгута, сетчатой, многоугольной, предпочтительно треугольной, четырехугольной, более предпочтительно прямоугольной и квадратной, пятиугольной, шестиугольной, семиугольной и восьмиугольной формы, проволокообразной формы, эллипсоидальной, овальной формы, а также узоры решетчатой формы, причем возможно наложение друг над другом по меньшей мере двух узоров. Выступающие части отдельных тисненных структур также могут иметь кривизну, то есть, иметь выпуклую и/или вогнутую структуру.

Предпочтительно, тисненное покрытие (С1) содержит по меньшей мере одну микроструктурированную и/или наноструктурированную поверхность, содержащую микроразмерные и/или наноразмерные элементы поверхности. Соответствующие тисненные микроразмерные и/или наноразмерные элементы поверхности могут быть описаны посредством их ширины, такой как ширина гребней, другими словами, посредством ширины структуры, а также посредством высоты тиснения, другими словами, посредством их высоты структуры (или глубины структуры). Ширина структуры, такая как ширина гребней, может иметь длину, составляющую до одного сантиметра, но предпочтительно находится в диапазоне от 10 нм до 1 мм. Высота структуры предпочтительно находится в диапазоне от 0,1 нм до 1 мм. Однако, предпочтительно, соответствующая тисненная структура представляет собой микроструктуру и/или наноструктуру.

Соответственно, размер определенного микроразмерного или наноразмерного элемента поверхности определяется как его максимальная протяженность в каком-либо направлении, параллельном поверхности, то есть, например, в виде диаметра цилиндрического элемента поверхности или диагонали поверхности основы пирамидального элемента поверхности. В случае элементов поверхности, имеющих макроразмерную протяженность в одном или нескольких направлениях в пределах поверхности (или параллельно поверхности), и микроразмерную или наноразмерную протяженность в одном или нескольких других направлениях в пределах поверхности, термин размер элемента поверхности относится к микроразмерной и/или наноразмерной протяженности такого элементов поверхности. Соответственно, длина определенного микроразмерного или наноразмерного элемента поверхности определяется как его протяженность в направлении длины структурированной поверхности. Подобным образом, ширина конкретного микроразмерного или наноразмерного элемента поверхности, соответственно, определяется как его протяженность в направлении ширины структурированной поверхности.

Высота выступающего (или возвышающегося) элемента поверхности определяется его соответствующей протяженностью, измеренной от прилегающей нижней поверхности, на которой расположен соответствующий выступающий элемент поверхности, в направлении, перпендикулярном такой нижней поверхности. Подобным образом, глубина элемента поверхности, простирающегося в направлении вниз от прилегающей верхней открытой поверхности, определяется посредством его соответствующей протяженности вниз, измеренной от прилегающей верхней поверхности, от которой простирается углубление, в направлении, перпендикулярном такой верхней поверхности.

Расстояние между двумя прилегающими элементами поверхности определяется как расстояние между двумя максимальными значениями или двумя относительными максимальными значениями, соответственно, между такими элементами поверхности в направлении в пределах структурированной поверхности. Структурированные поверхности, имеющие повторяющуюся последовательность элементов поверхности в одном или нескольких заданных направлениях, параллельных поверхности, могут быть охарактеризованы одной или несколькими длинами между наивысшими точками в таких направлениях. В определенном направлении, параллельном поверхности, термин длина между наивысшими точками означает расстояние между соответствующими точками двух соседних, повторяющихся через одинаковые промежутки элементов поверхности. Это может быть проиллюстрировано в отношении структурированных поверхностей, содержащих чередующуюся последовательность элементов поверхности типа канавок и реек, причем оба элемента поверхности, в первом продольном направлении, в макроскопическом масштабе, простираются по сути параллельно друг другу, и причем каждый из них имеет микро- и, необязательно, наноразмерное поперечное сечение, расположенное перпендикулярно к указанному продольному направлению). Длина между наивысшими точками такой структурированной поверхности, расположенной перпендикулярно к продольному направлению, представляет собой сумму ширины элемента поверхности типа канавок и ширины элемента поверхности типа реек в таком перпендикулярном направлении.

Предпочтительно, соответствующая микроструктурированная и/или наноструктурированная поверхность, подлежащая переносу посредством тиснения, содержит микроразмерные и/или наноразмерные элементы поверхности, причем ширина структуры предпочтительно находится в диапазоне от 10 нм до 1000 мкм, предпочтительно от 10 нм до 500 мкм, более предпочтительно в диапазоне от 25 нм до 400 мкм, очень предпочтительно в диапазоне от 50 нм до 250 мкм, в частности, в диапазоне от 100 нм до 100 мкм, и высота структуры предпочтительно находится в диапазоне от 10 нм до 1000 мкм, предпочтительно в диапазоне от 10 нм до 500 мкм, более предпочтительно в диапазоне от 25 нм до 400 мкм, очень предпочтительно в диапазоне от 50 нм до 300 мкм, в частности, в диапазоне от 100 нм до 200 мкм. Указанные размеры применяются для тисненных структур как композитного материала (S1C1), так и композитного материала (C2S2) и покрытия (С2), а также, следовательно, для клише (e1) для тиснения на необязательной стадии (7).

Ширину структуры и высоту структуры соответствующей поверхности, содержащей микроструктурированные и/или наноструктурированные элементы поверхности, предпочтительно определяют посредством получения поперечного сечения поверхности и определения высоты структуры и ширины структуры указанного поперечного сечения с помощью оптической и/или растровой электронной микроскопии.

Композитный материал (S1C1), обеспечиваемый на стадии (1) способа в соответствии с изобретением, может быть получен посредством различных способов, например, посредством литографических способов, таких как литография по методу наноимпритинга, лазерная литография и фотолитография.

Предпочтительным является получение композитного материала (S1C1) посредством стадий (6) - (9), как указано более подробно далее.

Композитный материал (S1C1), предпочтительно применяемый в качестве клише (е2) для тиснения на стадии (3-I) и стадии (2-II), и состоящий из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), также упоминается в этом изобретении как "шаблонная подложка" или "шаблонная пленка". Причем подложка (S1) представляет собой пленку, при этом соответствующая шаблонная пленка упоминается как "шаблонная фольга". Причем подложка (S1) представляет собой рулон фольги, при этом соответствующая шаблонная пленка упоминается как "рулон шаблонной фольги". Покрытие (С1) шаблонной пленки также упоминается далее как "по меньшей мере частично отвержденного шаблонного покрытия" или "пленка шаблонного покрытия", и при этом композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения отвержденного шаблонного покрытия упоминается как "шаблонное покрытие". Предпочтительно, между подложкой (S1) и покрытием (С1) в композитном материале (S1C1) нет дополнительного слоя (покрытия). Однако, возможно, чтобы в данном случае между подложкой S1) и покрытием (С1) композитного материала (S1C1) был расположен по меньшей мере один усиливающий адгезию слой, при этом в этом случае указанный слой предпочтительно является проницаемым для УФ-излучения.

Стадия (2-I) и (3-I)

После стадии (1), в первом альтернативном варианте, композицию (С2а) для нанесения покрытия наносят, по меньшей мере частично, на подложку (S2) с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a), за чем следует по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a), посредством применения композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2S2). Этот первый альтернативный вариант способа в соответствии с изобретением описан в этой заявке с помощью стадий (2-I) и (3-I).

Стадия (2-I)

Стадия (2-I) способа в соответствии с изобретением обеспечивает нанесение отверждаемой под действием излучения композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2) с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a).

Подложка (S2) представляет собой материал-носитель для композиции (С2а) для нанесения покрытия или покрытия (С2), которые будут наноситься на нее. Подложка (S2) или, если применяют покрытую подложку, слой, расположенный на поверхности подложки (S2) и находящийся в контакте с композицией (С2а) для нанесения покрытия, предпочтительно состоит по меньшей мере из одного термопластичного полимера, выбранного, в частности, из группы, состоящей из полиметил(мет)акрилатов, полибутил(мет)акрилатов, полиэтилентерефталатов (PET), полибутилентерефталатов (РВТ), поливинилиденфторидов, поливинилхлоридов, сложных полиэфиров, включая поликарбонаты и поливинилацетат, предпочтительно сложных полиэфиров, таких как РВТ и PET, полиамидов, полиолефинов, таких как полиэтилен, полипропилен, полистирол, а также полибутадимена, полиакрилонитрила, полиацеталя, полиакрилонитрил-этилен-пропилен-диен-стироловых сополимеров (A-EPDM), полиимида (PI), полиэфиримидов (PEI), триацетата целлюлозы (ТАС), фенольных смол, мочевинных смол, меламиновых смол, алкидных смол, эпоксидных смол, полиуретанов, включая термопластичный полиуретан (TPU), полиэфиркетонов, полифениленсульфидов, простых полиэфиров, поливиниловых спиртов, и их смесей. Особенно предпочтительными подложками или слоями на их поверхности являются полиолефины, такие как, например, РР (полипропилен), которые, в качестве альтернативы, могут быть изотактическими, синдиотактическими или атактическими и, в качестве альтернативы, могут быть неориентированными или ориентированными вследствие одно- или двухосного вытягивания, SAN (сополимеры стирола и акрилонитрила), PC (поликарбонаты), РММА (полиметилметакрилаты), РВТ (поли(бутилентерефталат)ы), РА (полиамиды), ASA (сополимеры акрилонитрила, стирола и сложного акрилового эфира) и ABS (сополимеры акрилонитрила, бутадиена и стирола), а также их физические смеси (комбинации). Особенно предпочтительными являются РР, SAN, ABS, ASA, а также комбинации ABS или ASA с РА или РВТ или PC. Особенно предпочтительными являются PET, РВТ, РР, РЕ, и полиметилметакрилат (РММА) или ударопрочный РММА. Особенно предпочтительным для применения в качестве материала для подложки (S2) является сложный полиэфир, наиболее предпочтительно PET. В качестве альтернативы, подложка (S2) как таковая необязательно вне зависимости от слоя по меньшей мере одного из упомянутых выше полимеров, нанесенного на нее - может быть изготовлена из разного материала, такого как стекло, керамика, металл, бумага и/или ткань. В этом случае, подложка (S2) предпочтительно представляет собой пластину, и может применяться, например, в устройстве для тиснения с рулона на пластину (R2P).

Композиция (С2а) для нанесения покрытия предпочтительно подвергается действию излучения сквозь подложку (S2) или композитный материал (S1C1), предпочтительно сквозь подложку (S2). Следовательно, проницаемость подложки (S2) для излучения предпочтительно соответствует максимуму поглощения, или по меньшей мере находится в диапазоне поглощения по меньшей мере одного фотоинициатора, который применяют в композиции (С2а) для нанесения покрытия. В композитном материале (S2C2a), между подложкой (S2) и композицией (С2а), могут присутствовать дополнительные слои, например, усиливающие адгезию слои, которые предпочтительно являются проницаемыми для УФ-излучения. Является предпочтительным, однако, если в композитном материале (S2C2a) между подложкой (S2) и композицией (С2а) нет дополнительного слоя. В качестве альтернативы, если излучение на композицию (С2а) для нанесения покрытия происходит сквозь композитный материал (S1C1), то подложка (S2) также может быть непроницаемой для применяемого излучения, такого как УФ-излучение. Кроме того, подложка (S2) также может быть выбрана из полимерных подложек, покрытых с одной стороны (I) односторонней или двусторонней клейкой лентой, необязательно, содержащей защитную пленку, или (II) самоклеящимся слоем, или же подложка может выбираться из самоклеящихся полимерных подложек.

Толщина подложки (S2) предпочтительно составляет 2 мкм - 5 мм. Особенно предпочтительной является толщина слоя, составляющая 25 - 1000 мкм, в частности, 50 - 300 мкм.

Подложка (S2) предпочтительно представляет собой пленку, более предпочтительно рулон пленки, очень предпочтительно непрерывный рулон пленки. В этом случае, подложка (S2) предпочтительно может применяться в устройстве для тиснения с рулона на рулон (R2R) или в устройстве для тиснения с пластины на рулон (P2R).

В смысле настоящего изобретения, термин "непрерывная пленка" или "непрерывный рулон пленки" предпочтительно относится к пленке, имеющей длину, составляющую 100 м - 10 км.

При осуществлении стадии (2-I) (и предпочтительно также при осуществлении стадий (3-I), (4) и (5-I) способа, а также при осуществлении стадий (2-II), (3-II), (4) и (5-I) или (5-II) способа в соответствии с изобретением), подложка (S2) предпочтительно перемещается и, следовательно, представляет собой движущуюся подложку. Во время осуществления стадии (2-I) и (3-II), подложка (S2) предпочтительно перемещается с помощью устройства для перемещения, такого как ленточный конвейер. Соответствующее устройство, которое применяют для осуществления стадии (2-I), а также стадии (3-II), следовательно, предпочтительно содержит такое устройство для перемещения. Соответствующее устройство, которое применяют для осуществления стадии (2-I), дополнительно содержит средство для нанесения, предпочтительно, для нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С2а) для нанесения покрытия, по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2). Подобные комментарии применяются в отношении соответствующего устройства, которое применяют для осуществления стадии (3-II) и необязательных стадий (6) - (9).

Композиция (С2а) для нанесения покрытия, обеспеченная на стадии (2-I) и (2-II) способа в соответствии с изобретением, может быть любым типом композиции для нанесения покрытия, который описан далее ниже. Предпочтительно, композицию (С2а) для нанесения покрытия, которую наносят на стадиях (2-I) и (2-II), наносят с толщиной сухой пленки, составляющей по меньшей мере 0,5 мкм, предпочтительно по меньшей мере 1 мкм - 1 000 мкм, и более предпочтительно по меньшей мере 5 мкм - 1 000 мкм.

Предпочтительно, композицию (С2а) для нанесения покрытия, которую наносят на стадиях (2-I) и (2-II), наносят с толщиной сухой пленки, составляющей по меньшей мере 0,5 мкм, предпочтительно 5 - 1 000 мкм, более предпочтительно 6 - 900 мкм, даже более предпочтительно от 7 до 700 мкм, в частности, от 8 до 500 мкм, особенно предпочтительно от 9 до 400 мкм, особенно предпочтительно от 10 до 300 мкм, как было определено в соответствии со стандартом DIN EN ISO 2808:2007-05, процедура 12А. Толщина сухой пленки в смысле настоящего изобретения предпочтительно означает толщину пленки сухой пленки выше выступающих частей тисненной структуры, предпочтительно, содержащей микроразмерные и/или наноразмерные элементы поверхности покрытия (С2) или, аналогично, покрытия (С1).

Стадия (3-I)

Стадия (3-I) способа в соответствии с изобретением обеспечивает по меньшей мере частичное тиснение, с помощью композитного материала (S1C1), композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S2), причем композитный материал (S1C1) предпочтительно применяют в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, при этом композитный материал (S1C1) состоит из подложки (S1) и по меньшей мере из частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), обеспечивающий в качестве продукта, по меньшей мере частичного тиснения, композитный материал (S1C1C2aS2). Композитный материал (S1C1), предпочтительно применяемый в качестве клише (е2) для тиснения, может предварительно смачиваться композицией (С2а) для нанесения покрытия, перед тем, как композитный материал (S1C1) приводят в контакт с композицией (С2а) для нанесения покрытия, на которую наносится тиснение.

По меньшей мере частичное тиснение переносит тисненную структуру, по меньшей мере частично, на поверхность композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной на подложку (S2). Термин "тиснение" относится к процессу, в котором по меньшей мере часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия после стадии (3-I) и (4), как часть композитного материала (S2C2), демонстрирует тисненную структуру. В этом случае, по меньшей мере определенная площадь композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2) обеспечивается тисненной структурой. Предпочтительно, вся поверхность композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2) обеспечивается тисненной структурой. Подобные комментарии применяются в связи с термином "тиснение" в отношении стадий (2-II) и (4) способа в соответствии с изобретением и необязательных стадий (7) и (8) обеспечения композитного материала (S1C1). Элементы или структура, нанесенные тиснением на композицию (С2а) для нанесения покрытия (или, что касается обеспечения композитного материала (S1C1), на композицию (С1а) для нанесения покрытия, таким образом, являются зеркальным отображением структурированной поверхности клише для тиснения. В способе в соответствии с изобретением, тисненная структура композитного материала (S1C1) переносится на композицию (С2а) для нанесения покрытия или, после по меньшей мере частичного отверждения, на покрытие (С2), причем композитный материал (S1C1) предпочтительно применяют в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения. Следовательно, структура, нанесенная тиснением на композицию (С2а) для нанесения покрытия, является зеркальным отображением тисненной структуры по меньшей мере одной поверхности композитного материала (S1C1), содержащего подложку (S1) и по меньшей мере частично отвержденную и по меньшей мере частично тисненную композицию (С1) для нанесения покрытия. Следовательно, изображение тисненной поверхности по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия и по меньшей мере частично отвержденной и частично тисненной композиции (С2) для нанесения покрытия может соответствовать изображению клише (e1) для тиснения, причем клише (e1) для тиснения применяли для тиснения композиции (С1а) для нанесения покрытия композитного материала (S1C1), как описано далее ниже.

На стадии (3-I) микроструктуры и/или наноструктуры в виде тисненной структуры предпочтительно переносятся на композицию (С2а) для нанесения покрытия.

Соответствующее устройство, которое предпочтительно применяется для осуществления стадии (3-I) (и аналогично для осуществления стадий (2-II) и (3-II) способа), содержит средство, предназначенное по меньшей мере для частичного тиснения композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S2), с помощью по меньшей мере одного приспособления (Е2) для тиснения, содержащего по меньшей мере одно клише (е2) для тиснения. Применяемое устройство предпочтительно дополнительно содержит средство для прижатия клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, то есть, композитного материала (S1C1), к подложке (S2), предпочтительно применяемой в виде непрерывного рулона пленки, после нанесение отверждаемой под действием излучения композиции (С2а) для нанесения покрытия на подложку (S2), при этом указанное средство предпочтительно располагается за средством для нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С2а) для нанесения покрытия, если смотреть в направлении перемещения подложки (S2).

При необходимости, стадия (3-I) может осуществляться при повышенных температурах, например, при температуре 30°С - 100°С или при температуре до 80°С. В этом случае, композитный материал (S2C2a) сначала проходит через нагревающий валковый механизм, за чем необязательно следует облучение инфракрасным излучением, перед фактической процедурой тиснения, то есть отверждение происходит при контакте с приспособлением (Е1) для тиснения. После тиснения и отверждения, тисненный композитный материал (S2C2) необязательно проходит через охлаждающий валковый механизм для охлаждения. В качестве альтернативы, отверждение также может происходить с охлаждением: в этом случае, композитный материал (S2C2a) для тиснения сначала проходит через охлаждающий валковый механизм, до того, как будет происходить фактическая процедура тиснения, описанная выше. Вместо применения отдельного нагревающего валкового механизма или валкового механизма, задействованного в отверждении, является также возможным нагревать или охлаждать приспособление (Е2) для тиснения.

Таким образом, соответствующее устройство, предпочтительно применяемое для тиснения композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной на подложку (S2), предпочтительно содержит следующие средства:

(а) средство перемещения, предназначенное для перемещения подложки (S2), предпочтительно ленточный конвейер,

(б) средство для нанесения предпочтительно отверждаемой под действием излучения композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности движущейся подложки (S2),

(в) приспособление (Е2) для тиснения, содержащее по меньшей мере одно клише (е2) для тиснения, предпочтительно расположенное за средством для нанесения отверждаемой под действием излучения композиции С2а) для нанесения покрытия, если смотреть в направлении перемещения подложки (S2), причем приспособление (Е2) для тиснения необязательно содержит средство для прижатия клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения к подложке (S2),

(г) необязательно средство для нагрева, предпочтительно нагревающий валковый механизм, необязательно в сочетании со средством ИК-излучения,

(д) необязательно средство для охлаждения, предпочтительно охлаждающий валковый механизм, и

(е) средство для излучения, предпочтительно УФ-излучения. Приспособление (Е2) для тиснения предпочтительно может представлять собой тиснильный каландр, который предпочтительно содержит сеточный механизм приложения силы, более предпочтительно сеточный механизм валков. Указанный каландр имеет вращающиеся в противоположных направлениях валки, предпочтительно расположенные друг над другом в направлении высоты, с определенным промежутком, и при этом композитный материал (S2C2a), который должен быть обеспечен тисненной структурой, подается на валки, и направляется через образованный зазор между валками, причем ширина зазора может регулироваться в зависимости от потребности. В данном случае, сеточный механизм валков предпочтительно содержит первый валок, такой как металлический валок, например, такой как стальной валок, стальной валок, покрытый слоем металла, таким как слой меди или никеля, необязательно содержащие небольшие количества фосфора, или валок, покрытый никелевым кожухом, который необязательно содержит небольшие количества фосфора, или же валок на основе кварца. Однако, в качестве альтернативы, также могут применяться мягкие материалы, такие как резина или полидиметилсилоксаны (ПДМС), например, в качестве первого валка, или же валки могут покрываться по меньшей мере одним мягким материалом, таким как резина или ПДМС.Более того, могут применяться валки, которые покрыты по меньшей мере одним пластическим материалом. Более того, сеточный механизм валков содержит второй валок, причем второй валок предпочтительно представляет собой прижимной валок, изготовленный из стали, или валок, покрытый по меньшей мере одним пластическим материалом или мягким материалом, таким как резина или ПДМС. Второй валок служит в качестве вдавливающего или прижимного валка. Композитный материал (S2C2a), на который наносится тиснение, например, в виде рулона пленки, покрытой, по меньшей мере частично, композицией (С2а) для нанесения покрытия, перемещается с помощью второго валка или прижимного валка, в направлении, противоположном первому валку. В месте зазора между валками, образованном вращающимися в противоположных направлениях валками, расположенными на определенном расстоянии друг от друга, происходит тиснение в соответствии со стадией (3-I). Первый валок, на котором расположен композитный материал (S1C1) в качестве клише (е2) для тиснения, служит в данном случае для тиснения композитного материала (S2C2a), который направляется посредством второго валка, противоположного этому валку для тиснения, при этом второй валок прижимает композитный материал (S2C2a), который должен быть обеспечен тисненной структурой, к первому валку для тиснения. В результате указанной стадии, зеркальное отображение тисненной структуры поверхности покрытия (С1) композитного материала (S1C1) переносится на поверхность композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a) на стадии (3-I) или (2-II) способа.

Во время осуществления стадии (3-I), приспособление (Е2) для тиснения, которое содержит клише (е2) для тиснения, предпочтительно прижимается, по меньшей мере частично, к нанесенной композиции (С2а) для нанесения покрытия.

Композитный материал (S1C1) может применяться в качестве многоразового клише (е2) для непрерывного тиснения приспособления (Е2) для тиснения, и обеспечивает очень эффективное разделение между композитным материалом (S1C1) и по меньшей мере частично отвержденным и по меньшей мере частично тисненным покрытием (С2), необязательно нанесенным на подложку (S2), содержащим структурированную поверхность, предпочтительно в способе в соответствии с изобретением, когда последний обязательно включает стадию (5-I) или (5-II). Предпочтительно, на стадии (3-I) переносятся микроструктуры и/или наноструктуры, имеющие размеры, описанные ранее в связи с композитным материалом (S1C1), обеспеченным на стадии (1).

Клише (е2) для тиснения, другими словами, предпочтительно композитный материал (S1C1), предпочтительно содержит в качестве подложки (S1) рулон пленки, которая содержит по меньшей мере частично тисненное и по меньшей мере частично отвержденное покрытие (С1). Особенно предпочтительно, подложка (S1) представляет собой непрерывный рулон пленки, которая содержит по меньшей мере частично тисненное и по меньшей мере частично отвержденное покрытие (С1), таким образом обеспечивая композитный материал (S1C1), который применяют в качестве клише (е2) для тиснения для непрерывного тиснения, это особенно важно, когда подложка (S2) также представляет собой непрерывный рулон пленки.

Стадии (2-II) и (3-II)

После стадии (1), и в качестве альтернативы стадиям (2-I) и (3-I), композиция (С2а) для нанесения покрытия также может сначала наноситься, по меньшей мере частично, на композитный материал (S1C1) и, по меньшей мере частично, подвергаться тиснению, то есть, перед тем, как необязательно подложку (S2), по меньшей мере частично, наносят на поверхность, образованную композицией (С2а) для нанесения покрытия. Указанный второй альтернативный вариант способа в соответствии с изобретением, по сравнению с первым альтернативным вариантом способа в соответствии с изобретением, который включает стадии (2-I) и (3-I), в данном случае описан с помощью стадий (2-II) и (3-II).

Стадия (2-II)

Стадия (2-II) способа в соответствии с изобретением обеспечивает нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненной и по меньшей мере частично отвержденной поверхности композитного материала (S1C1), а также по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2a);

Композитный материал (S1C1), предпочтительно применяемый в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, может необязательно предварительно смачиваться перед нанесением композиции (С2а) для нанесения покрытия.

Композиция (С2а) для нанесения покрытия, обеспеченная на стадии (2-I) и (2-II) способа в соответствии с изобретением, может представлять собой любой тип композиции для нанесения покрытия, предпочтительно отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, как описано далее ниже. Предпочтительно, композицию (С2а) для нанесения покрытия, наносимую на стадиях (2-I) и (2-II), наносят с толщиной сухого слоя, составляющей по меньшей мере 0,5 мкм, предпочтительно, составляющую по меньшей мере 1 мкм, и более предпочтительно, составляющую по меньшей мере 5 мкм - 1 000 мкм.

В результате стадии (2-II), желаемой (зеркальное отображение) по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) на подложке (S1) композитного материала (S1C1) должно быть перенесено из композитного материала (S1C1) на композицию (С2а) для нанесения покрытия и, после осуществления стадии (4), на покрытие (С2), посредством нанесения предпочтительно отверждаемой под действием излучения композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненной поверхности композитного материала (S1C1). Следовательно, композитный материал (S1C1) функционирует не только как материал-носитель для (С2а) или (С2), но также, кроме того, как клише для тиснения, предпочтительно как клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения.

По меньшей мере частичное тиснение на стадии (2-II) предпочтительно происходит посредством прижатия нанесенной композиции С2а) для нанесения покрытия к композитному материалу (S1C1), предпочтительно применяемому в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения. Указанное приложение давления может, например, достигаться с помощью такого средства, как валок или сеточный механизм валков, содержащий по меньшей мере один валок после нанесения композиции (С2а) для нанесения покрытия. Величина обычно применяемого давления находится в диапазоне от 1 до 10 бар, предпочтительно 2-8 бар, более предпочтительно 3-7 бар. Сеточный механизм валков в данном случае предпочтительно содержит металлический валок, например, такой как стальной валок, стальной валок, покрытый слоем металла, таким как слой меди, слой никеля, необязательно содержащий небольшие количества фосфора, или валок, покрытый никелевым кожухом, который необязательно содержит небольшие количества фосфора, или же валок на основе кварца или валок, покрытый по меньшей мере одним пластическим материалом, резиной или силиконом, таким как ПДМС. Необязательно, нанесенная композиция (С2а) для нанесения покрытия может временно покрываться фольгой для защиты композиции (С2а) для нанесения покрытия, предпочтительно от воздействия кислорода и механических воздействий, по меньшей мере во время тиснения и отверждения на стадиях (2-II) - (4), а также во время стадии (5). После удаления временно нанесенной фольги, предпочтительно, имеющей толщину 5 мкм - 250 мкм, получают композитный материал (S1C1C2). Подходящие материалы для временно наносимой фольги выбирают из тех же материалов, которые также могут применяться для изготовления подложки (S2), как описано выше. При этом ссылаются непосредственно на соответствующие места в описании. В качестве альтернативы, указанная фольга может быть выбрана из материалов, обычно применяемых для защитных пленок или из триацетата целлюлозы (ТАС). Предпочтительно, временно нанесенная фольга состоит из PET или ТАС.

Стадия (3-II)

Стадия (3-II) способа в соответствии с изобретением обеспечивает необязательное нанесение подложки (S2) по меньшей мере на часть поверхности, образованной композицией (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S1C1C2a), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2aS2).

Предпочтительно, композитный материал (S1C1) предпочтительно применяемый в качестве клише (е2) для тиснения на стадии (2-II), после нанесения композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть его по меньшей мере частично тисненной поверхности, в результате приводит к получению композитного материала (S1C1C2a), направляется, во время осуществления стадии (3-II), посредством первого валка как части приспособления (Е2) для тиснения, а подложка (S2), которую применяют на стадии (3-II), направляется посредством второго валка, который противоположен первому валку и вращается в противоположном направлении по отношению к нему или вращается в одном направлении с ним, предпочтительно вращается в противоположном направлении.

По меньшей мере частичное тиснение в соответствии со стадией (3-II) предпочтительно происходит на уровне зазора между валками, который образован двумя взаимно противоположными валками, вращающимися в противоположном направлении или в одном направлении (в одном и том же направлении), с композицией (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S1C1C2a), обращенного к подложке (S2). По меньшей мере частичное тиснение в этом случае достигается предпочтительно посредством надавливания или прижатия подложки (S2) к композитному материалу (S1C1C2a), например, с помощью второго валка или прижимного валка.

Соответствующее устройство, которое описана ранее, предпочтительно применяемое для осуществления стадий (2-I) и (3-I) способа, может применяться в равной степени, в основном аналогичным образом, для осуществления стадий (2-II) и (3-II) способа.

Стадия (4)

Следующая за стадиями (2-I) и (3-I) в первом альтернативном варианте способа в соответствии с изобретением, или следующая за стадиями (2-II) и (3-II) во втором альтернативном варианте способа в соответствии с изобретением, стадия (4) способа в соответствии с изобретением обеспечивает по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно нанесенной на подложку (S2), полученной после стадии (3-I) или (3-II), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1), предпочтительно применяемым в качестве клише (е2) для тиснения, в результате чего получают композитный материал (S1C1C2) или (S1C1C2S2).

На стадии (4), нанесенная композиция (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере частично отверждается, в результате чего получают по меньшей мере частично тисненный и частично отвержденный материал покрытия, необязательно содержащий подложку (S2). Термин "по меньшей мере частичное отверждение" по отношению к композиции (С2а) для нанесения покрытия следует понимать как обозначающее превращение указанной композиции (С2а) для нанесения покрытия в состояние, в котором по меньшей мере часть композиции для нанесения покрытия превращается в пленку, что позволяет осуществлять последующую обработку образованного покрытия (С2) или обращение с ним, например, такое как дополнительная стадия для повышения соотношения превращения двойных связей или удаление покрытия (С2) либо как части композитного материала (S2C2), либо как отдельной пленки (С2).

Предпочтительно, на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения на стадии (4), средство, которое применяют на стадиях (2-I) и (3-I) или на стадиях (2-II) и (3-II) для приложения давления или прижатия нанесенной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере к одному композитному материалу (S1C1), предпочтительно применяемому в качестве клише (е2) для тиснения, находится в контакте с композицией (С2а) для нанесения покрытия и/или по меньшей мере с частично отвержденным покрытием (С2), образованным из нее.

Стадия (3-I) или стадия (2-II) и (3-II), а также стадия (4) предпочтительно осуществляются одновременно. В этом случае, по меньшей мере частичное отверждение в соответствии со стадией (4) предпочтительно происходит in situ во время осуществления стадии (3-I).

Следовательно, соответствующее устройство, предпочтительно применяемое при осуществлении стадии (4), предпочтительно содержит по меньшей мере один источник излучения для облучения композиции (С2а) для нанесения покрытия отверждающим излучением. Поскольку композиция (С2а) для нанесения покрытия предпочтительно представляет собой УФ-отверждаемую композицию для нанесения покрытия, при этом применяемое отверждающее излучение предпочтительно представляет собой УФ-излучение. Если композиция (С2а) для нанесения покрытия не является композицией, отверждаемой под действием излучения, то предпочтительной является химически отверждаемая композиция. В этом случае отверждение на стадии (4) происходит термически, например, посредством применения подходящих источников теплового излучения. Конечно, также является возможным комбинированное отверждение, то есть, термическое отверждение и отверждение с помощью УФ-излучения.

Примеры подходящих источников излучения для отверждения с помощью излучения включают ртутные источники излучения низкого давления, среднего давление и высокого давления, а также флуоресцентные лампы, импульсные источники излучения, металлогалогенные источники излучения (галогенные лампы), лазеры, светодиоды и, кроме того, электронное импульсное оборудование, обеспечивающие отверждение с помощью излучения без фотоинициатора, или эксимерные источники излучения. Отверждение с помощью излучения происходит вследствие воздействия высокоэнергетического излучения, то есть, УФ-излучения или солнечного света, или вследствие бомбардировки высокоэнергетическими электронами. Доза излучения, обычно достаточная для сшивания в случае УФ-отверждения, находится в диапазоне от 80 до 3000 мДж/см². Конечно, также можно применять два или большее количество источников излучения для отверждения например, от двух до четырех. Каждый из указанных источников также может излучать в разных диапазонах длин волн.

По меньшей мере частичное отверждение на стадии (4) происходит сквозь подложку (S2) и/или композитный материал (S1C1), предпочтительно посредством облучения. Предпочтительно облучение осуществляется сквозь композитный материал (S1C1). Если на стадии (3-II) нет подложки, и композитный материал (S1C1) предпочтительно применяют в качестве по меньшей мере одного клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, то облучение предпочтительно осуществляется сквозь композитный материал (S1C1), применяемый в качестве подложки. В обоих случаях преимущественной является проницаемость подложки (S2), необязательно содержащей с одной стороны (I) одно- или двустороннюю клейкую ленту, необязательно содержащую защитную пленку, или (II) имеющей самоклеящийся слой или состоящей из самоклеящихся полимерных подложек, и/или имеющей дополнительные слои между подложкой (S2) и композицией (С2а) для нанесения покрытия, или проницаемость подложки (S1) в композитном материале (S1C1), которая должна соответствовать максимуму поглощения или по меньшей мере находиться в диапазоне поглощения по меньшей мере одного применяемого фотоинициатора, который предпочтительно присутствует в композиции (С2а) для нанесения покрытия. Так, например, материал PET в качестве подложки (S2), следовательно, РЕТ-пленка, например, является проницаемой для излучения, имеющего длину волны, составляющую ниже 400 нм. Фотоинициаторы, которые образуют радикалы в результате такого излучения, включают в себя, например, дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид, этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат и фенилбис(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид. Следовательно, в этом случае в композиции (С2а) для нанесения покрытия предпочтительно должен присутствовать по меньшей мере один такой фотоинициатор.

Необязательная стадия (5-I) или (5-II)

После стадии (4), осуществляется необязательная стадия (5-I) или (5-II), в зависимости от наличия подложки (S2). Так, в первом альтернативном варианте способа в соответствии с изобретением, определенном с помощью стадий (2-I) и (3-I), подложка (S2) обязательно присутствует.Следовательно, может осуществляться только необязательная стадия (5-I). Во втором альтернативном варианте способа в соответствии с изобретением, определенном с помощью стадий (2-II) и (3-II), необязательная стадия (5-I) может осуществляться тогда, когда необязательную подложку (S2) на стадии (3-II) наносили по меньшей мере на часть поверхности, образованной композицией (С2а) для нанесения покрытия, однако, если необязательную подложку (S2) на стадии (3-II) не применяли, то в данном случае может осуществляться только стадия (5-II).

Стадия (5-I) и (5-II) в способе в соответствии с изобретением обеспечивает необязательное удаление тисненного покрытия (С2), необязательно нанесенного на подложку (S2), с композитного материала (S1C1), предпочтительно применяемого в качестве клише (е2) для тиснения, обеспечение композитного материала (S2C2), состоящего из подложки (S2) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С2), или, в случае отсутствия необязательной подложки (S2), удаление отдельного покрытия (С2), с восстановлением композитного материала (S1C1), обеспеченного на стадии (1) способа. Предпочтительно, стадия (5-I) или (5-II) осуществляется.

Указанное удаление с композитного материала (S1C1), предпочтительно применяемого в качестве клише (е2) для тиснения, может выполняться, например, посредством отслоения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С2), необязательно нанесенного на подложку (S2) от композитного материала (S1C1) или наоборот.Отслоение может либо выполняться вручную, либо посредством применения общеизвестного механического средства разделения.

В качестве альтернативы, удаление с композитного материала (S1C1) может включать следующие стадии:

5-I-а) нанесение по меньшей мере одного клейкого слоя (AL) на поверхность подложки (S2), не находящейся в контакте по меньшей мере с частично тисненным покрытием (С2), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2S2AL);

5-I-б) необязательно, по меньшей мере частичное прикрепление композитного материала (S1C1C2S2AL) к изделию (O1);

5-I-в) удаление, предпочтительно отслоение, композитного материала (S1C1) от композитного материала (C2S2AL), необязательно по меньшей мере частично прикрепленного к изделию (O1), или наоборот;

или

5-II-а) нанесение по меньшей мере одного клейкого слоя (AL) по меньшей мере на часть неструктурированной поверхности по меньшей мере частично тисненного покрытия (С2), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2AL);

5-II-б) необязательно, по меньшей мере частичное прикрепление композитного материала (S1C1C2AL) к изделию (O1);

5-II-в) удаление, предпочтительно отслоение, композитного материала (S1C1) от композитного материала (C2S2AL), необязательно по меньшей мере частично прикрепленного к изделию (O1), или наоборот.

Клейкий слой (AL), например, может быть клеящим веществом для слоистых материалов, таким как полиакрилат или клеящее вещество на основе полиакрилата. Однако, предпочтительно клейкий слой (AL) представляет собой самоклеящийся слой или многослойную конструкцию. Такой самоклеящийся слой может наноситься посредством общеизвестных способов, таких как прослаивание клеящим веществом или распыление клеящего вещества. Такие многослойные конструкции, например, содержат средний полимерный слой (PL), который также называют внутренним слоем, который покрыт клеящим веществом (АН) на обеих поверхностях. Каждое из указанных клеящих веществ (АН) может быть полиакрилатом или клеящим веществом на основе полиакрилата. В принципе, для получения среднего полимерного слоя (PL) может применяться любой тип полимера. Примерами таких полимеров являются полимеры, уже описанные в качестве подложки (S2). При этом ссылаются непосредственно на указанные параграфы. Предпочтительными средними полимерными слоями (PL) являются поли(мет)акрилаты, сложные полиэфиры, такие как PET и/или РВТ, поливинилиденфториды, поливинилхлориды, полиамиды и/или полиолефины. В частности, может применяться сложный полиэфир, такой как PET. Толщина слоя полимерного слоя (PL) может находиться в диапазоне от 5 до 55 мкм, предпочтительно от 6 до 50 мкм, более предпочтительно от 7 до 40 мкм, в частности, от 8 до 30 мкм. Каждый клеящее вещество (АН) может изначально быть покрыто защитной пленкой, такой как силиконовая бумага, для удобства обращения с ним. Однако, перед его применением в качестве клейкого слоя (AL) на стадии (5-I) или стадия (5-II) одну из двух защитных пленок удаляют.Другую защитную пленку предпочтительно удаляют на последующей стадии способа в соответствии с изобретением, более предпочтительно по меньшей мере перед частичным прикреплением композитного материала (S1C1C2) или (S1C1C2S2) по меньшей мере к одному изделию (O1). Следовательно, перед отделением композитный материал (S1C1) от покрытия (С2) или композитного материала (C2S2), содержащего клейкий слой (AL), указанные композитные материалы прикрепляют к изделию (O1), и только после этого композитный материал (S1C1) удаляют, предпочтительно посредством отслоения, от покрытия (С2) или композитного материала (C2S2), по меньшей мере частично прикрепленного посредством клейкого слоя (AL) к изделию (O1). Подходящие изделия (O1) могут быть изготовлены из различных материалов, включая металл, пластмассу, армированные материалы, стекло, резину, ткань, кожу, бумагу, дерево и их смеси. Предпочтительно, по меньшей мере одно изделие (O1) выбирают из группы, состоящей из поверхностей, находящихся в контакте с жидкостями и газами, таких как самолеты, корабли и автомобили, лопасти ротора, буровые платформы, трубопроводы, осветительные системы, устройства отображения, фотоэлектрические модули, конструктивные элементы и декоративные элементы.

Стадии (5-I-а) и (5-I-б), или (5-II-а) и (5-II-б), могут либо выполняться вручную, либо посредством механизма, содержащего по меньшей мере одно средство для перемещения клейкого слоя (AL), по меньшей мере одно средство подачи давления для приложения давления для прикрепления клейкого слоя (AL) по меньшей мере к части неструктурированной поверхности по меньшей мере частично тисненного покрытия (С2) или к поверхности подложки (S2), не находящейся в контакте по меньшей мере с частично тисненным покрытием (С2), и по меньшей мере одно средство разделения для удаления, предпочтительно отслоения, покрытия (С2) или композитного материала (S2C2), соответственно, от композитного материала (S1C1), предпочтительно применяемого в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, или наоборот.

Удаление по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С2) или композитного материала (S2C2), соответственно, с композитного материала (S1C1), предпочтительно выполняется легко, без разрушения структурированной и тисненной поверхности и без оставления существенных остатков, предпочтительно без оставления каких-либо остатков, на поверхности покрытия (С1) композитного материала (S1C1).

Фиг. 1 схематически показывает вид сбоку устройства, которое может применяться для осуществления стадий (1), (2-1) и (3-1), а также стадии (4) и необязательно стадии (5-1) способа в соответствии с изобретением, и которое применяют для примерной иллюстрации способа в соответствии с изобретением. Указанное устройство в равной степени также может применяться, в основном аналогичным образом, для осуществления стадий (1), (2-II) и (3-II), а также стадии (4) и необязательно стадии (5-I) или (5-II) способа в соответствии с изобретением. С помощью этого устройство возможно переносить такие структуры, как микроструктуры и/или наноструктуры, предпочтительно с клише (S1C1, е2) для тиснения, присутствующего в виде шаблонной пленки, на подложку (S2), покрытую (С2а). Следовательно, указанное устройство также в основном упоминается как устройство для переноса, и имеет ссылочное обозначение (10) на Фиг. 1.

Основной частью устройства (10) для переноса является участок (1) тиснения, на котором расположен печатный вал (2), имеющий кожух вала, изготовленный из кварцевого стекла. Печатный вал (2) приводится во вращение. Рядом с печатным валом (2) расположен источник излучения в виде осветительного блока (3), который генерирует УФ-излучение и может, в частности, представлять собой ряд УФ-светодиодов, расположенных в продольном направлении печатного вала (2). Как показано на Фиг. 1, осветительные блок (3) также может располагаться во внутреннем пространстве печатного вала (2). Прижимной валок (4) расположен на участке (1) тиснения таким образом, чтобы прижиматься к печатному валу (2). Внутри рамы (5) формования устройства (10) для переноса расположено два валка (6) и (7) рулонов пленки, которые могут приводиться во вращение с помощью мотора. Конечно, валки (6) и (7) рулонов пленки также могут быть установлены и расположены иначе, чем внутри рамы (5) формования, например, в корпусном элементе или же за пределами самого устройства (10) для переноса. На валки (6) и (7) рулонов пленки, которые в данном случае показаны как расположенные внутри рамы формования, наматывается рулон (8) шаблонной пленки, которая представляет собой клише для непрерывного тиснения. На поверхности переноса, рулон (8) шаблонной пленки обеспечен слоем шаблонного покрытия (С1), которое имеет негативные формы, в качестве поверхностного рельефа, микроструктур и/или наноструктур, которые подлежат переносу. Слой шаблонного покрытия (С1) отверждается, по меньшей мере частично, и таким образом рельефоподобные структуры в его пределах являются стабильными. Рулон (8) шаблонной пленки может быть получен посредством осуществления стадий (6) - (9) способа в соответствии с изобретением и, таким образом, представляет собой композитный материал (S1C1). Рулон (8) шаблонной пленки сходит с первого валка (6) рулона пленки, подается посредством различных систем изменяющих направление роликов на участок (1) тиснения, и проходит, как видно на Фиг. 1, перпендикулярно сверху в участок между печатным валом (2) и прижимным валком (4). В указанном участке он направляется в контакте в натянутом состоянии по части периметра печатного вала (2), и затем снова покидает печатный вал (2) и, снова посредством систем изменяющих направление роликов вместе с механизмами натяжения рулона, подается на второй валок (7) рулона пленки, на который он наматывается. Рулон (9) пленки, который образует подложку (S2), которая должна быть обеспечена такими структурами, как микроструктуры и/или наноструктуры, подается, начиная от валка (11) рулона пленки, в данном случае, снова посредством различных систем изменяющих направление роликов с натяжными устройствами рулона, на участок (1) тиснения, причем он проходит в натянутом состоянии по окружной части прижимного валка (4), откуда он поступает на участок контакта прижимного валка (4) с печатным валом (2) или на участок зазора между валками, который образован между указанными элементами. Рулон (9) пленки покидает указанный участок, на изображении на Фиг. 1, перпендикулярно вниз и направляется снова направляется посредством систем изменяющих направление роликов и натяжных устройств рулона на валок (12) рулона пленки, на который он наматывается в виде полностью обработанного продукта. На своем пути на участок (1) тиснения или в зазор между валками между печатным валом (2) и прижимным валком (4), рулон (9) пленки обеспечивается слоем покрытия на своей поверхности, обращенной к печатному валу (2) на участке (1) тиснения, с помощью блока (27) нанесения покрытия, который в этом случае расположен за пределами участка (1) тиснения. Блок (27) нанесения покрытия, следовательно, наносит композицию (С2а) для нанесения покрытия на рулон (9) пленки, которую применяют в качестве подложки (S2), в соответствии со стадией (2-I) способа в соответствии с изобретением. На участке (1) тиснения, рулон (9) пленки затем приводится в контакт, своей поверхностью, обеспеченной все еще неотвержденным слоем покрытия, с поверхностью, обеспеченной слоем шаблонного покрытия, рулона (8) шаблонной пленки, для осуществления стадии (3-I) способа в соответствии с изобретением. В этом случае, рулон (9) пленки проходит через прижимной валок (4), а рулон (8) шаблонной пленки проходит через печатный вал (2). Оба рулона, рулон (9) пленки и рулон (8) шаблонной пленки, обращены друг к другу своими поверхностями, обеспеченными соответствующим слоем покрытия (в случае рулона (8) шаблонной пленки, по меньшей мере частично отвержденным слоем шаблонного покрытия, соответствующего покрытию (С1); в случае рулона (9) пленки, неотвержденным слоем покрытия, соответствующем композиции (С2а) для нанесения покрытия). На участке, на котором прижимной валок (4) прижимается к печатному валу (2), негативное отображение подлежащих переносу структур, таких как микроструктуры и/или наноструктуры, которые сформованы в слое шаблонного покрытия (С1), вдавливается в неотвержденный слой покрытия, соответствующего композиции (С2а) для нанесения покрытия, и в результате структуры переносятся. В то же время, осветительный блок (2) осуществляет УФ-облучение и, следовательно, осуществляется по меньшей мере частичное отверждение неотвержденного слоя покрытия, соответствующего композиции (С2а) для нанесения покрытия слоя покрытия на рулоне (9) пленки, до тех пор, пока указанный слой покрытия все еще находится в контакте со слоем (8) шаблонного покрытия. Соответственно, непосредственно во время переноса структуры in situ, происходит по меньшей мере частичное отверждение слоя покрытия. Облучение рулона (9) пленки, или неотвержденного слоя покрытия, нанесенного на нее, в данном случае выполняется сквозь материал (9) пленки, в случае облучения печатного цилиндра (2) извне. В качестве альтернативы, облучение осуществляется сквозь материал кварцевого стекла внешней поверхности печатного цилиндра (2), а также сквозь материал рулона (8) шаблонной пленки и слоя шаблонного покрытия, нанесенного на нее. Соответственно, рулон (8) шаблонной пленки и слой шаблонного покрытия предусмотрены таким образом, чтобы быть проницаемыми для применяемого излучения в данном случае, УФ-излучения. Внешняя поверхность печатного вала (2) описана в данном случае как состоящая из кварцевого стекла. Однако, в данном случае, в принципе, также подходит любой другой материал, при условии, что он является проницаемым для отверждающего излучения (которое может быть другим, чем УФ-излучение), исходящего из внутреннего пространства печатного вала (2). В качестве альтернативы, вместо осветительного блока (3), обеспечивающего УФ-облучение, также возможно, например, применять источник теплового излучения, в случае, когда композиция (С2а) для нанесения покрытия не является отверждаемой под действием излучения композицией для нанесения покрытия. После по меньшей мере частичного отверждения посредством УФ-облучения, возможно дополнительное воздействие, например, с помощью ИК-излучение. В конце указанной отверждения в соответствии со необязательной стадией (5-I) способа в соответствии с изобретением, рулон (9) пленки и рулон (8) шаблонной пленки отделяются друг от друга, с разделением только что структурированного слоя композитного материала (S2C2) и шаблонной пленки (S1C1). Покрытый таким образом рулон (9) пленки, обеспеченный желаемым структурированием (то есть, композитный материал (S2C2)), подается в качестве готового продукт на валок (12) рулона пленки и наматывается на него. Если облучение осуществляется с помощью осветительного блока (3) на печатный вал (2) извне, то покрытый рулон (9) пленки, обеспеченный желаемой структурой (то есть, композитный материал (S2C2)) также может быть непроницаемым, если расположение выбирают таким образом, что рулон (8) шаблонной пленки (то есть, композитный материал (S1C1)) и рулон (9) пленки (то есть, композитный материал (S2C2)) меняются местами. Таким образом, нанесение покрытия посредством блока (27) нанесения покрытия в соответствии со стадией (2-I) способа в соответствии с изобретением может происходить без ограничения действий на рулоне (8) шаблонной пленки.

Получение композитного материала (S1C1):

Композитный материал (S1C1), обеспечиваемый на стадии (1) способа в соответствии с изобретением, может быть получен посредством различных способов, например литографических способов, таких как литография по методу наноимпритинга, лазерная литография и фотолитография. Предпочтительным является получение композитного материала (S1C1) с помощью стадий (6) - (9), как указано более подробно далее. Следовательно, для получения композитного материала (S1C1), который может применяться в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения, осуществляются стадии (6) - (9) способа в соответствии с изобретением. Фиг. 2 обеспечивает примерную иллюстрации стадий (6) - (9) способа в соответствии с изобретением, как также становится очевидным из описания этой фигуры ниже.

Необязательные стадии (6) - (9) способа в соответствии с изобретением для получения композитного материала (S1C1)

В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления настоящего изобретения, композитный материал (S1C1), обеспечиваемый на стадии (1) способа, состоящий из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), получают посредством переноса повторяющегося и/или расположенного через одинаковые промежутки узора клише (e1) для тиснения приспособления для тиснения (Е1) на композицию (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере частичного отверждения указанной композиции для нанесения покрытия, и удаления структурированной и по меньшей мере частично отвержденной композиции для нанесения покрытия (то есть композитного материала (S1C1)) из приспособления для тиснения. Таким образом, предпочтительный композитный материал (S1C1), обеспечиваемый на стадии (1), получают посредством

(6) нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1a);

(7) по меньшей мере частичного тиснения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S1) с помощью по меньшей мере одного приспособления (Е1) для тиснения, содержащего по меньшей мере одно клише (e1) для тиснения;

(8) по меньшей мере частичного отверждения по меньшей мере частично тисненной композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на подложку (S1), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте по меньшей мере с одним клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения;

(9) удаления композитного материала (S1C1) из клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения с тем, чтобы получить по меньшей мере частично тисненный и по меньшей мере частично отвержденный композитный материал (S1C1), или наоборот.

Стадия (6)

Стадия (6) способа в соответствии с изобретением обеспечивает нанесение отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1). Подложка (S1) представляет собой материал-носитель для композиции (С1а) для нанесения покрытия или для покрытия (С1), соответственно. Подходящими материалами для подложки (S1) или для его поверхностного слоя являются те же материалы, которые также могут применяться для изготовления подложки (S2), как описано выше. При этом ссылаются непосредственно на соответствующие места в описании. В композитном материале (S1C1) между подложкой (S1) и слоем (С1) могут присутствовать дополнительные слои, например, усиливающие адгезию слои, которые предпочтительно являются проницаемыми для УФ-излучения. Однако, является предпочтительным, если в композитном материале (S1C1) между подложкой (S1) и слоем (С1) нет дополнительного слоя. Подложка (S1) предпочтительно представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки или непрерывный рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки. В этом случае подложка (S1) предпочтительно может применяться в устройстве для тиснения с рулона на рулон (R2R). Предпочтительным материалом для подложки (S1) является сложный полиэфир, в частности, полиэтилентерефталат (PET). Толщина подложки (S1) предпочтительно составляет от 2 мкм до 5 мм. Особенно предпочтительной является толщина слоя, составляющая 25 - 1000 мкм, в частности, 50 - 300 мкм.

Композиция (С1а) для нанесения покрытия, обеспечиваемого на необязательной стадии (6) способа в соответствии с изобретением, представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, как описано подробно ниже. Предпочтительно, композицию (СТа) для нанесения покрытия, наносимого на стадии (6), наносят с толщиной сухого слоя, составляющей по меньшей мере 0,5 мкм, предпочтительно по меньшей мере 1 мкм, и более предпочтительно по меньшей мере от 5 мкм до 1 000 мкм.

Во время осуществления стадии (6) (и предпочтительно также во время осуществления стадий (7), (8) и (9) способа) подложка (S1) предпочтительно перемещается и, следовательно, представляет собой движущуюся подложку. Во время осуществления стадии (6), подложка (S1) предпочтительно перемещается с помощью средства перемещения, такого как ленточный конвейер. Соответствующее устройство, которое применяют для осуществления стадии (6), следовательно, предпочтительно содержит средство перемещения такого рода. Соответствующее устройство, которое применяют для осуществления стадии (6), дополнительно содержит средство для нанесения для нанесения предпочтительно отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1).

Стадия (7)

Стадия (7) способа в соответствии с изобретением обеспечивает по меньшей мере частичное тиснение композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S1), с помощью по меньшей мере одного приспособления (Е1) для тиснения, имеющего по меньшей мере одно клише (e1) для тиснения, необязательно предварительно смоченное композицией (С1а) для нанесения покрытия. Указанное клише (e1) для тиснения может представлять собой полимерное клише (e1) для тиснения или металлическое клише (e1) для тиснения, предпочтительно металлическое клише (e1) для тиснения. Необязательно, после того, как был получен первый композитный материал (S1C1), указанный первый или ранее полученный композитный материал (S1C1) может применяться в качестве клише (e1) для тиснения. По меньшей мере частичное тиснение переносит тисненную структуру, по меньшей мере частично, на поверхность композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной на подложку (S1). Термин "тиснение" был определен выше, при этом ссылаются непосредственно на соответствующие параграфы.

Стадия (7) предпочтительно переносит микроструктуры и/или наноструктуры в качестве тисненной структуры на композицию (С1а) для нанесения покрытия, которые при этом имеют такие размеры, как ширина структуры и высота структуры, как описано ранее. При этом ссылаются непосредственно указанные ранее описанные места в описании.

Соответствующее устройство, которое применяют для осуществления стадии (7), следовательно, содержит средство по меньшей мере для частичного тиснения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S1), с помощью по меньшей мере одного приспособления (Е1) для тиснения. Устройство, которое применяют предпочтительно, дополнительно содержит средство для прижатия клише (e1) для тиснения, как части приспособления (Е1) для тиснения, к подложке (S1), которую предпочтительно применяют в виде непрерывного рулона пленки, после нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия на подложку (S1), при этом указанное средство предпочтительно располагается за средством для нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия, если смотреть в направлении перемещения подложки (S1).

По меньшей мере частичное тиснение в соответствии со стадией (7) способа в соответствии с изобретением проводится с помощью приспособления (Е1) для тиснения. Приспособление (Е1) для тиснения предпочтительно может представлять собой тиснильный каландр, который предпочтительно содержит сеточный механизм приложения силы, более предпочтительно сеточный механизм валков. Этот каландр имеет вращающиеся в противоположных направлениях валки, предпочтительно расположенные друг над другом в направлении высоты с определенным промежутком, и композитный материал (S1C1a), который должен быть обеспечен тисненной структурой, подается на валки и направляется через образованный зазор между валками, причем ширина зазора может регулироваться. Сеточный механизм валков в данном случае предпочтительно содержит первый валок, такой как металлический валок, например, такой как стальной валок, стальной валок, покрытый слоем металла, таким как слой меди или слой никеля, необязательно содержащие небольшие количества фосфора, или валок, покрытый никелевым кожухом, который необязательно содержит небольшие количества фосфора, а также второй валок. Первый валок (валок для тиснения), как часть приспособления (Е1) для тиснения, содержит несколько клише (e1) для тиснения, имеющие зеркальное отображение тисненной структуры, которая подлежит тиснению на поверхности композитного материала (S1C1a). Изображение структуры клише (e1) для тиснения, следовательно, соответствует изображению, полученному тиснением композитным материалом (S1C1), предпочтительно применяемым в качестве клише (е2) для тиснения, на композиции (С2а) для нанесения покрытия, на стадиях (3-I) или (2-II). Второй валок служит в качестве вдавливающего или прижимного валка. В месте зазора между валками, который образован вращающимися в противоположных направлениях валками, расположенными на определенном расстояние друг от друга, происходит тиснение. Применяемое приспособление (Е1) для тиснения также может представлять собой традиционным печатный цилиндр, предпочтительно, изготовленный из металла валок, например, такой как стальной валок, стальной валок, покрытый слоем металла, таким как слой меди или слой никеля, необязательно содержащие небольшие количества фосфора, на котором расположено зеркальное отображение тисненной структуры, которая подлежит тиснению на поверхность композитного материала (S1C1a), и может прижиматься к композитному материалу (S1C1a) по меньшей мере для частичного тиснения. Зеркальное отображение состоит из микроструктурированной и/или наноструктурированной поверхности, состоящей из микроразмерных и/или наноразмерных элементов поверхности, как описано выше на стадии (1). При этом ссылаются непосредственно на соответствующие места в описании. Зеркальное отображение структуры, подлежащей тиснению, получают на приспособлении (Е1) для тиснения в соответствии со способами, привычными и известными специалисту в данной области техники; в зависимости от структуры и материалов, определенные способы могут быть особенно преимущественными. Композитный материал (S1C1a), на которое наносится тиснение, например, в виде рулона пленки, покрытого, по меньшей мере частично, композицией (С1а) для нанесения покрытия, перемещается с помощью второго валка или прижимного валка, в направлении, противоположном первому валку. В месте зазора между валками, который образован вращающимися в противоположных направлениях валками, расположенными на определенном расстоянии друг от друга, происходит тиснение в соответствии со стадией (7). Первый валок, на котором расположено клише (e1) для тиснения, служит в данном случае для тиснения композитного материала (S1C1a), который направляется посредством второго валка, противоположного указанному валку для тиснения, при этом второй валок прижимает композитный материал (S1C1a), который должен быть обеспечен тисненной структурой, к первому валку для тиснения. Приспособление (Е1) для тиснения предпочтительно представляет собой металлическое приспособление для тиснения, более предпочтительно, изготовленное из стали, или стальной валок, покрытый слоем металла, таким как слой меди или слой никеля, необязательно содержащие небольшие количества фосфора, или валок, покрытый никелевым кожухом, который необязательно содержит небольшие количества фосфора. Соответственно, клише (e1) для тиснения предпочтительно является металлическим, более предпочтительно, изготовленным из стали, меди или никеля, в частности, изготовленным из никеля, который содержит небольшие количества фосфора. Однако, в качестве альтернативы, клише (e1) для тиснения может состоять из таких материалов, как силиконы (то есть полидиметилсилоксаны (ПДМС)) или, ранее изготовленный композитный материал (S1C1) может применяться в качестве клише (el) для тиснения для воспроизведения узора, изначально полученного при первом тиснении на первый композитный материал (S1C1). Кроме того, могут применяться валки, покрытые по меньшей мере одним пластическим материалом. Более того, приспособление (Е1) для тиснения может иметь в качестве клише (e1) для тиснения структурированное покрытие, такое как УФ-отверждаемое покрытие.

При необходимости, стадия (7) может осуществляться при повышенных температурах, например, при температуре 30°С - 100°С или до 80°С. В этом случае, композитный материал (S1C1a) сначала проходит через нагревающий валковый механизм, за чем необязательно следует облучение инфракрасным излучением, до фактической процедуры тиснения, то есть отверждение происходит во время контакта с приспособлением (Е1) для тиснения. После тиснения и отверждения, тисненный композитный материал (S1C1) необязательно проходит через охлаждающий валковый механизм для охлаждения. В качестве альтернативы, отверждение также может происходить с охлаждением: в этом случае, композитный материал (S1C1a) для тиснения сначала проходит через охлаждающий валковый механизм, до того, как происходит фактическая процедура тиснения, которая описана ранее. Вместо применения отдельного нагревающего валкового механизма или валкового механизма, задействованного в отверждении, также возможно нагревать или охлаждать приспособление (Е1) для тиснения.

Стадия 8

Стадия (8) способа в соответствии с изобретением обеспечивает по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на подложку (S1), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте по меньшей мере с одним клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения.

Стадии (7) и (8) предпочтительно осуществляются одновременно. В этом случае, отверждение в соответствии со стадией (8) предпочтительно происходит in situ во время осуществления стадии (7).

Следовательно, соответствующее устройство, которое применяют для осуществления стадии (8), предпочтительно содержит по меньшей мере один источник излучения для облучения отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия отверждающим излучением, предпочтительно УФ-излучением.

Примеры подходящих источников излучения для отверждение посредством излучения были описаны ранее в отношении отверждения композиции (С2а) для нанесения покрытия. При этом ссылаются непосредственно на соответствующие места в описании.

Отверждение на стадии (8) предпочтительно происходит посредством облучения сквозь подложку (S1). В этом случае является преимущественным, чтобы проницаемость подложки (S1) для применяемого излучения соответствовала проницаемости по меньшей мере одного фотоинициатора, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия. Таким образом, например, материал PET в качестве подложки (S1), следовательно, РЕТ-пленка, например, является проницаемой для излучения, имеющего длину волны, составляющую ниже 400 нм. Фотоинициаторы, которые образуют радикалы вследствие такого излучения, включают в себя, например, дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид, этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат и фенилбис(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид.

Стадия (9)

Стадия (9) способа в соответствии с изобретением обеспечивает удаление композитного материала (S1C1) из приспособления (Е1) для тиснения, в результате чего получают желаемой продукт, а именно, композитный материал (S1C1), который может применяться в качестве клише (е2) для тиснения, и состоит из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1).

Необязательно, композитные материалы (S1C1) или шаблонные пленки, после отделения из клише (e1) для тиснения, могут быть подвергнуты дополнительному воздействию подходящего источника излучения, такого как УФА-лампа, с тем, чтобы увеличить или максимизировать превращение двойных связей, в частности, на поверхности покрытия (С1) композитного материала (S1C1), для уменьшения или минимизации ковалентного сшивания с композицией (С2а) для нанесения покрытия. Любой из источников излучения, описанных ранее, является подходящим, при этом ссылаются непосредственно на указанные ранее параграфы.

Предпочтительно, поверхность по меньшей мере частично отвержденного и по меньшей мере частично тисненного покрытия (С1) композитного материала (S1C1) представляет собой микроструктурированную и/или наноструктурированную поверхность.

Фиг. 2 схематически показывает вид сбоку устройства, которое может применяться для осуществления стадий (6) - (9) способа в соответствии с изобретением, для получения композитного материала (S1C1), предпочтительно применяемого в качестве клише (е2) для тиснения, то есть, для получения шаблонной пленки, и который при этом применяют для примерной иллюстрации способа в соответствии с изобретением по отношению к стадиям (6) - (9). С помощью этого устройства можно переносить структуры, такие как микроструктуры и/или наноструктуры, на подложку (S1), покрытую (С1а), с помощью приспособления (Е1) для тиснения, и после по меньшей мере частичного отверждения, получать композитный материал (S1C1) упоминаемый как рулон (8) шаблонной пленки на Фиг. 2 который может применяться в качестве шаблонной пленки, при этом указанный композитный материал способен применяться в качестве клише (е2) для тиснения, как описано выше в способе, проиллюстрированном в связи с Фиг. 1.

Устройство (30) для переноса шаблона, показанное на Фиг. 2, работает в соответствии с принципом переноса, в соответствии с которым желаемой негативные структуры подвергают тиснению непосредственно, со структурированного печатного цилиндра или печатного вала, который в данном случае представляет собой печатный цилиндр (17) шаблона, на все еще неотвержденный слой покрытия, нанесенного на рулон (8b) шаблонной пленки, соответствующего композитному материалу (S1C1a), и затем указанный слой покрытия, по меньшей мере частично, отверждают, вместе со структурами, нанесенными на нее, причем отверждение происходит in situ с помощью осветительного блока (3), в результате чего получают рулон (8) шаблонной пленки - соответствующей композитному материалу (S1C1). В этом способе, рулон (8а) пленки, которую применяют в качестве подложки (S1), вытягивается с валка (18) рулона пленки, которая содержит только материал-носитель, другими словами, чистую пленку без нанесенного шаблонного покрытия (С1а), и направляется посредством различных систем изменяющих направление роликов и системы натяжения рулона, и подается на участок (1) тиснения устройства. В данном случае, рулон (8а) пленки проходит от средства (27) нанесения покрытия, где присутствует все еще неотвержденный слой шаблонного покрытия (соответствующего композиции (С1а) для нанесения покрытия), на участок тиснения между прижимным валком (4) и печатным цилиндром (17) шаблона. Указанное нанесение покрытия соответствует стадии (6) способа в соответствии с изобретением. На участке (1) тиснения, на котором рулон (8b) шаблонной пленки со все еще неотвержденным слоем шаблонного покрытия (С1а) проходит вдоль участка внешней поверхности печатного цилиндра (17) шаблона, микроразмерные и/или наноразмерные элементы поверхности микроструктурированной и/или наноструктурированной поверхности, нанесенные тиснением на внешнюю поверхность печатного цилиндра (17) шаблона, вводятся в качестве негативного изображения в слой шаблонного покрытия рулона (8b) шаблонной пленки и переносятся. Это соответствует стадии (7) способа в соответствии с изобретением. Затем, рулон (8b) шаблонной пленки, содержащий неотвержденную композицию (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере частично, отверждается, в соответствии со стадией (8) способа в соответствии с изобретением. Отверждение в данном случае происходит in situ посредством облучения УФ-излучения с использованием осветительного блока (3), например, блока, состоящего из УФ-светодиодов. Полученная шаблонная пленка (8), другими словами, композитный материал (S1C1), впоследствии снимается, в соответствии со стадией (9) способа в соответствии с изобретением, с внешней поверхности печатного цилиндра (17) шаблона, и готовый в результате рулон (8) шаблонной пленки наматывается на валок (19) рулона пленки. Таким образом, валок (19) рулона пленки содержит готовый рулон (8) шаблонной пленки со слоем шаблонного покрытия, нанесенного на нее, и с негативными изображениями микроструктур и/или наноструктур, тисненными на ней. Этот валок (19) рулона пленки может удаляться, и затем применяться в качестве первого валка (6) рулона пленки в устройстве (10) для переноса в соответствии с Фиг. 1 или в другом устройстве для переноса, работающем по тому же принципу.

Применяемые в соответствии с изобретением композиции для нанесения покрытия (С1а) и (С2а)

Композиция (С1а) для нанесения покрытия

Композиция (С1а) для нанесения покрытия представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия. В данном случае, термины "отверждаемая под действием излучения" и "отверждение излучением" являются взаимозаменяемыми. Термин "отверждение излучением" предпочтительно относится к радикальной полимеризации способных к полимеризации соединений под действием электромагнитного излучения и/или излучения частиц, примерами которых при этом являются излучение от видимого до (Б)ИК излучения в диапазоне длин волн, составляющих λ=400 - 1200 нм, предпочтительно 700 - 900 нм, и/или УФ-излучение в диапазоне длин волн, составляющих λ=100 - 400 нм, предпочтительно, составляющих λ=200 - 400 нм, и более предпочтительно λ=250 - 400 нм, и/или излучение электронов в диапазоне от 150 до 300 кэВ, и более предпочтительно с дозой излучения, составляющей по меньшей мере 80, предпочтительно 80 -3000 мДж/см². Особенно предпочтительно, отверждение излучением проводят с помощью применения УФ-излучения. Композиция (С1а) для нанесения покрытия может отверждаться посредством использования подходящего источника излучения. Следовательно, (С1а) предпочтительно представляет собой отверждаемую под действием УФ-излучения композицию для нанесения покрытия.

Композиция (С1а) для нанесения покрытия предпочтительно содержит:

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0-5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанных общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Композиции для нанесения покрытия (С1а) содержит общее количество, составляющее 5 - 45% по массе, предпочтительно 8 - 40%по массе, более предпочтительно 9 - 35% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера, причем по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90%по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера, представляет собой по меньшей мере один силикон(мет)акрилатный олигомер.

Термин "олигомер" относится к соединениям с относительно низкой молекулярной массой, состоящим из нескольких, обычно от 2 до менее 10 мономерных звеньев. Мономерные звенья могут быть структурно одинаковыми или подобными, или же они могут отличаться друг от друга. Олигомерные соединения обычно являются жидкими при комнатной температуре, составляющей 23°С, и давлении окружающей среды, при условии, что динамическая вязкость предпочтительно составляет менее 500 Па*с, и более предпочтительно менее 200 Па*с при температуре 23°С, измеренной в соответствии со стандартом DIN EN ISO 2555 (метод Брукфильда). Термин "способный к сшиванию" относится к полимерам или олигомерам, которые имеют в среднем по меньшей мере одну, предпочтительно по меньшей мере две, незавершенные ненасыщенные группы, способные образовывать свободные радикалы для реакций сшивания. Способные к сшиванию олигомерные и/или полимерные соединения предпочтительно являются растворимыми в одном или нескольких реактивных разбавителей.

Силикон(мет)акрилатные олигомеры или полимеры, применяемые в настоящем изобретении, обычно могут быть получены посредством реакции конденсации между (мет)акриловой кислотой и силиконами с гидроксильными функциональными группами (например, α,ω-полидиметилсиликондиолы). Благодаря своей главной силиконовой цепи силиконакрилаты имеют тенденцию улучшать эластичность и растяжение структурированных поверхностей, но ухудшают их прочность на растяжение и устойчивость к возможным воздействиям. Силикон(мет)акрилаты с большим количеством функциональных групп часто применяют благодаря их свойствам низкой поверхностной энергии. Примеры применяемых силикон(мет)акрилатов включают в себя силикон(мет)акрилаты, доступные на рынке от компании Sartomer Со. под торговым наименованием SARTOMER (например, SARTOMER CN 9800), компании UCB Radcure Inc. под торговым наименованием EBECRYL (например, EBECRYL 350, EBECRYL 1360), а также метакрилаты от компании Shin-Etsu Silicones Europe B.V. под названием продукта Х-22 (например, Х-22-164, X-22-164А).

Особенно предпочтительно, композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, более предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2-3 ненасыщенные группы.

Другие способные к сшиванию полимеры и/или олигомеры, необязательно присутствующие в композиции (С1а) для нанесения покрытия наряду с силикон(мет)акрилатами, предпочтительно выбирают из (мет)акрилированных олигомерных или полимерных соединений, уретан(мет)акрилатов, винил(мет)акрилатов, эпокси(мет)акрилатов, сложных полиэфир(мет)акрилатов, поли(мет)акрилатов, простых полиэфир(мет)акрилатов, олефин(мет)акрилатов, (мет)акрилированных масел, и их смесей, предпочтительно из уретан(мет)акрилатных олигомеров. Композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 0 - 75% по массе, предпочтительно 0-50%по массе, более предпочтительно 0 - 10% по массе, и очень предпочтительно 0% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, указанных других способных к сшиванию полимеров и/или олигомеров. Другими словами, композиция (С1а) для нанесения покрытия очень предпочтительно не содержит других способных к сшиванию полимеров и/или олигомеров, наряду по меньшей мере с одним силикон(мет)акрилатом.

Уретан(мет)акрилаты можно получить, например, посредством реакции полиизоцианатов с гидроксиалкил(мет)акрилатами и необязательно удлинителями цепи, такими как диолы, полиолы, диамины, полиамины или дитиолы или политиолы. Уретан(мет)акрилаты, диспергируемые в воде без добавления эмульгирующих веществ, дополнительно содержат ионные и/или неионные гидрофильные группы, которые вводятся в уретан за счет компонентов синтеза, например, таких как гидроксикарбоновые кислоты. Такие уретан(мет)акрилаты содержат в основном следующие компоненты синтеза:

(а) по меньшей мере один органический алифатический, ароматический или циклоалифатический ди- или полиизоцианат,

(б) по меньшей мере одно соединение, имеющее по меньшей мере одну ракционноспособную по отношению к изоцианату группу, предпочтительно мономер, содержащий гидроксил, и по меньшей мере одну способную к радикальной полимеризации ненасыщенную группу, и

(в) необязательно по меньшей мере одно соединение, имеющее по меньшей мере две ракционноспособные по отношению к изоцианату группы, например, такое как многоатомный спирт.

Уретан (мет)акрилаты предпочтительно имеют среднечисленную молярную массу M_n, составляющую 200 - 20 000, в частности, составляющую 500 - 10 000, очень предпочтительно 600 - 3000 г/моль (как было определено посредством гель-проникающей хроматографии с тетрагидрофураном в качестве элюента и полистиролом в качестве стандартного образца). Уретан(мет)акрилаты предпочтительно содержат от 1 до 5, более предпочтительно от 2 до 4 моля (мет)акриловых групп на 1000 г уретан(мет)акрилата.

Эпоксид(мет)акрилаты можно получить посредством реакции эпоксидов с (мет)акриловой кислотой. Примеры рассматриваемых эпоксидов включают эпоксидированные олефины, ароматические глицидиловые эфиры или алифатические глицидиловые эфиры, предпочтительно ароматические или алифатические глицидиловые эфиры. Примеры возможных эпоксидированных олефинов включают этиленоксид, пропиленоксид, изобутиленоксид, 1-бутеноксид, 2-бутеноксид, винилоксиран, оксид стирола или эпихлоргидрин; при этом этиленоксид, пропиленоксид, изобутиленоксид, винилоксиран, оксид стирола или эпихлоргидрин являются предпочтительными, при этом этиленоксид, пропиленоксид или эпихлоргидрин являются особенно предпочтительными, и этиленоксид и эпихлоргидрин являются особенно предпочтительными. Ароматические глицидиловые эфиры, например, представляют собой диглицидиловый эфир бисфенола А, диглицидиловый эфир бисфенола F, диглицидиловый эфир бисфенола В, диглицидиловый эфир бисфенола S, диглицидиловый эфир гидрохинона, продукты алкилирования фенола/дициклопентадиена, например, изомеры 2,5-бис[(2,3-эпоксипропокси)фенил]октагидро-4,7-метан-5Н-инден, трис[4-(2,3-эпоксипропокси)фенил]метан, эпоксидные новолаки на основе фенола и эпоксидные новолаки на основе крезола. Алифатическими глицидиловыми эфирами, например, являются 1,4-бутандиолдиглицидиловый эфир, 1,6-гександиолдиглицидиловый эфир, триметилолпропантриглицидиловый эфир, пентаэритритолтетраглицидиловый эфир, 1,1,2,2-тетракис[4-(2,3-эпоксипропокси)фенил]этан, диглицидиловые эфиры полипропиленгликоля (α,ω-бис(2,3-эпоксипропокси)поли(оксипропилен) (и (2,2-бис[4-(2,3-эпоксипропокси)циклогексил]пропан) гидрированного бисфенола А). Эпоксид(мет)акрилаты предпочтительно имеют среднечисленную молярную массу M_n, составляющую 200 - 20 000, более предпочтительно 200 - 10 000 г/, и очень предпочтительно 250 - 3 000 г/моль; количество (мет)акриловых групп предпочтительно составляет 1-5, более предпочтительно 2 - 4, на 1000 г эпоксид(мет)акрилата (как было определено посредством гель-проникающей хроматографии с полистиролом в качестве стандартного образца и тетрагидрофураном в качестве элюента).

(Мет)акрилированные поли(мет)акрилаты представляют собой соответствующее сложные эфиры α,β-этиленненасыщенных карбоновых кислот, предпочтительно (мет)акриловой кислоты, более предпочтительно акриловой кислоты, с полиакрилатполиолами, которые можно получить посредством эстерификации поли(мет)акрилатполиолов (мет)акриловой кислотой

Карбонат(мет)акрилаты доступны с различными количествами функциональных групп.Среднечисленная молекулярная масса M_n карбонат(мет)акрилатов предпочтительно составляет менее 3 000 г/моль, более предпочтительно менее 1 500 г/моль, очень предпочтительно менее 800 г/моль (как было определено посредством гель-проникающей хроматографии с полистиролом в качестве стандартного образца и тетрагидрофураном в качестве элюента). Карбонат(мет)акрилаты можно получить простым способом посредством трансэстерификации сложных эфиров угольных кислот с многоатомными, предпочтительно двухатомными, спиртами (диолами, например, гександиол), и последующей эстерификации свободных ОН-групп с (мет)акриловой кислотой, или же трансэстерификации с (мет)акриловыми сложными эфирами, например, как описано в ЕР 0 092 269 А1. Их также можно получить посредством реакции фосгена, производных мочевины с многоатомными спиртами, например, двухатомными спиртами. Также возможными являются мет(акрилаты) поликарбонат полиолов, такие как продукт реакции одного из указанных диолов или полиолов и сложного эфира угольной кислоты, а также содержащий гидроксил (мет)акрилат.Примерами подходящих сложных эфиров угольных кислот являются этилен, 1,2- или 1,3-пропиленкарбонат, диметил, диэтил или дибутилкарбонат.Примерами подходящих содержащих гидроксил (мет)акрилатов являются 2-гидроксиэтил(мет)акрилат, 2- или 3-гидроксипропил(мет)акрилат, 1,4-бутандиолмоно(мет)акрилат, неопентилгликольмоно(мет)акрилат, глицерилмоно-и ди(мет)акрилат, триметилолпропанмоно- и ди(мет)акрилат, а также пентаэритритолмоно-, ди- и три(мет)акрилат.Предпочтительно, карбонат(мет)акрилаты являются алифатическими карбонат(мет)акрплатами.

Особенно предпочтительно, композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 5 - 45% по массе, предпочтительно 8 - 40% по массе, более предпочтительно 9 - 35% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера, выбранного из группы, состоящей из I) по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, очень предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2-3 ненасыщенные группы, и II) другого способного к сшиванию полимера и/или олигомера, выбранного из (мет)акрилированных олигомерных или полимерных соединений, уретан(мет)акрилатов, винил(мет)акрилатов, эпокси(мет)акрилатов, сложных полиэфир(мет)акрилатов, поли(мет)акрилатов, простых полиэфир(мет)акрилатов, олефин(мет)акрилатов, (мет)акрилированных масел, и их смесей, предпочтительно уретан(мет)акрилатных олигомеров.

Следовательно, композиция (С1а) для нанесения покрытия особенно предпочтительно содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90%по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, в частности, ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2-3 ненасыщенные группы, и менее 75% по массе, предпочтительно менее 50% по массе, более предпочтительно менее 10% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, другого способного к сшиванию полимера и/или олигомера, выбранного из (мет)акрилированных олигомерных или полимерных соединений, уретан(мет)акрилатов, винил(мет)акрилатов, эпокси(мет)акрилатов, сложных полиэфир(мет)акрилатов, поли(мет)акрилатов, простых полиэфир(мет)акрилатов, олефин(мет)акрилатов, (мет)акрилированных масел, и их смесей, предпочтительно уретан(мет)акрилатных олигомеров.

Композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 40 - 85% по массе или 95% по массе, предпочтительно 50 - 95% по массе или 85% по массе, или 83% по массе, более предпочтительно 55 - 83% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного реактивного разбавителя. Подходящие реактивные разбавители способны к полимеризации с полимерными и/или олигомерными соединениями с образованием шаблонной подложки, содержащей сополимеризованную эластомерную сеть отвержденного шаблонного покрытия (С1). Термин "реактивный разбавитель" относится к мономерам с низкой молекулярной массой, которые способны участвовать в реакции полимеризации с образованием полимерного материал. Среднемассовая молекулярная масса M_w таких мономерных соединений предпочтительно составляет менее 1 000 г/моль, и более предпочтительно менее 750 г/моль, как было определено посредством ГПХ.

Предпочтительно, реактивные разбавители представляют собой способные к свободно-радикальной полимеризации мономеры, и включают в себя, например, этиленненасыщенные мономеры, такие как (мет)акрилаты, стирол, винилацетат и их смеси. Предпочтительные мономеры включают в себя мономеры с (мет)акрилоильной функциональной группой, например, такие как алкил(мет)акрилаты, арилоксиалкил(мет)акрилаты, гидроксиалкил(мет)акрилаты, N-винильные соединения и их комбинации. Подходящие мономеры известны специалисту в данной области техники и, например, перечислены в WO 2012/006207 А1.

Особенно предпочтительные композиции (С1а)для нанесения покрытия содержат в качестве реактивного разбавителя по меньшей мере один многофункциональный этиленненасыщенный мономер, то есть соединение, которое имеет по меньшей мере две способные к полимеризации двойные связи в одной молекуле, в качестве реактивного разбавителя для повышения плотности поперечных связей. Типичные примеры таких полифункциональных мономеров перечислены, например, в WO 2012/006207 А1. Особенно предпочтительные реактивные разбавители выбирают из гександиолдиакрилата и/или соединений, содержащих по меньшей мере два, предпочтительно по меньшей мере три, а именно ровно три, структурных звена, которая могут отличаться друг от друга или быть по меньшей мере частично одинаковыми, общей формулы (I)

в которой

радикалы R¹, независимо друг от друга, представляют собой С₂-С₈ алкиленовые группы, очень предпочтительно С₂ алкиленовые группы,

радикалы R², независимо друг от друга, представляют собой Н или метил, и

переменные m, независимо друг от друга, представляют собой целое число в диапазоне от 1 до 15, очень предпочтительно от 1 до 4 или 2 - 4, но при условии, что по меньшей мере в одном из структурных звеньев формулы (I) переменная m составляет по меньшей мере 2, предпочтительно ровно 2. Особенно предпочтительно, указанное соединение содержит 3 одинаковых структурных звена общей формулы (I), причем переменная m составляет 2.

Все структурные звенья общей формулы (I) присоединены посредством символа к главной цепи указанного реактивного разбавителя. Указанное связывание предпочтительно происходит посредством установления связи атома кислорода радикала -[O-R¹]_m- с атомом углерода главной цепи компонента. Таким образом, по меньшей мере два структурных звена общей формулы (I) присутствуют в одном компоненте, а именно, в реактивном разбавителе б). Подходящие главные цепи, например, выбирают из неопентилгликоля, глицерола, триметилолпропана, триметилолэтана или пентаэритритола.

Указанное соединение предпочтительно содержит общее количество групп простого эфира общей формулы "-O-R¹-" в диапазоне от 4 до 18, более предпочтительно в диапазоне от 5 до 15, очень предпочтительно в диапазоне от 6 до 12. Указанное соединение предпочтительно имеет среднечисленную молекулярную массу (M_n) в диапазоне от 300 до 2 000 г/моль, более предпочтительно от 400 до 1 000 г/моль.

Указанное соединение предпочтительно имеет ровно три структурных звена формулы (I). В этом случае, указанное соединение имеет ровно три функциональные (мет)акриловые группы. В качестве альтернативы, каждое из структурных звеньев формулы (I), как часть указанного соединения, также может присутствовать более трех раз. В этом случае, например, указанное соединение может иметь более трех функциональных (мет)акриловых групп, например, 4, 5 или 6 (мет)акриловые группы.

Каждый из упомянутых выше радикалов R¹, независимо друг от друга, представляет собой С₂-С₈ алкиленовую группу, предпочтительно С₂-С₆ алкиленовую группу, более предпочтительно С₂-С₄ алкиленовую группу, очень предпочтительно, каждый независимо друг от друга, этиленовую группу и/или пропиленовую группу, особенно предпочтительно этиленовую группу. В частности, все радикалы R¹ представляют собой этиленовую группу.

Подходящими в качестве пропиленовых групп в каждом случае являются радикалы R¹, которые имеют структуру -СН₂-СН₂-СН₂- или структуру -СН(СН₃)-СН₂-, или структуру -СН₂-CH(СН₃)-. Однако, особенно предпочтительной в каждом случае является пропиленовая структура -СН₂-СН₂-СН₂-.

Переменные m, в каждом случае независимо друг от друга, представляют собой целое число в диапазоне от 1 до 15. Поскольку указанное соединение имеет по меньшей мере две, предпочтительно по меньшей мере три, структурных звена формулы (I), и поскольку переменная m составляет по меньшей мере 2 по меньшей мере в одном из структурных звеньев формулы (I), указанное соединение включает в себя в общем по меньшей мере три, предпочтительно по меньшей мере четыре, групп простого эфира общей формулы "-O-R¹-".

Предпочтительно, указанное соединение в общем имеет по меньшей мере пять, более предпочтительно по меньшей мере шесть, групп простого эфира общей формулы "-O-R¹-". Количество групп простого эфира общей формулы "-О-R¹-" в указанном соединении предпочтительно находится в диапазоне от 4 до 18, более предпочтительно в диапазоне от 5 до 15, очень предпочтительно в диапазоне от 6 до 12.

Доля сегментов -[O-R¹ простого эфира, присутствующих в структурных звеньях формулы (I) указанного соединения составляет в общем по меньшей мере 35% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 38% по массе, очень предпочтительно по меньшей мере 40% по массе, более предпочтительно даже по меньшей мере 42% по массе, в частности, по меньшей мере 45% по массе, в каждом случае из расчета общей массы указанного соединения.

Указанное соединение предпочтительно имеет среднечисленную молекулярную массу (M_n) в диапазоне от 300 до 2 000 г/моль, более предпочтительно от 350 до 500 г/моль, в частности, от 400 до 1 000 г/моль, как было определено посредством ГПХ.

Особенно предпочтительный многофункциональный этиленненасыщенный мономер представляет собой по меньшей мере одно соединение общей формулы (IIa) и/или (IIb),

в которой, в каждом случае независимо друг от друга,

R¹ и R² а также m имеют определения, приведенные выше в связи со структурными звеньями (I), включая предпочтительные варианты осуществления, указанные выше, и

R³ представляет собой Н, C₁-C₈ алкил, ОН или O-C_1-8 алкил, более предпочтительно представляет собой С₁-С₄ алкил, ОН или О-С_1-4 алкил, и очень предпочтительно представляет собой С₁-С₄ алкил или ОН, или

R³ представляет собой радикал -[O-R¹]_m-O-C(=O)-C(R²)=СН₂, где R¹, R² и m имеют определения, указанные выше в связи со структурным звеном (I), включая их предпочтительные варианты осуществления, указанные выше.

Особое предпочтение отдают применению в качестве реактивного разбавителя многофункционального этиленненасыщенного мономера по меньшей мере одного соединения общей формулы (IIa), в которой

каждый из радикалов R¹ независимо друг от друга представляет собой С₂-С₈ алкиленовую группу,

каждый из радикалов R² независимо друг от друга представляет собой Н или метил,

переменные m, в каждом случае независимо друг от друга, представляют собой переменную в виде целого числа в диапазоне от 1 до 15, предпочтительно в диапазоне от 1 до 10, более предпочтительно в диапазоне от 1 до 8 или 2 - 8, очень предпочтительно в диапазоне от 1 до 6 или 2 - 6, в частности, в диапазоне от 1 до 4 или 2 - 4, но при условии, что по меньшей мере в одном, и предпочтительно во всех структурных звеньях формулы (I), переменная m составляет по меньшей мере 2.

R³ представляет собой C₁-C₈ алкил, ОН или O-C_1-8 алкил, более предпочтительно С₁-С₄ алкил, ОН или О-С_1-4 алкил, очень предпочтительно С₁-С₄ алкил или ОН.

Особенно предпочтительные соединения, содержащие по меньшей мере два структурных звена общей формулы (I), представляют собой (мет)акрилаты неопентилгликоля, триметилолпропана, триметилолэтана или пентаэритритола, в общем, с 4-кратным - 20-кратным или 4-кратным - 12-кратным алкоксилированием, такие как этоксилированный, пропоксилированный или этоксилированный и пропоксилированный, и в частности, исключительно этоксилированный, неопентилгликоль, триметилолпропан, триметилолэтан или пентаэритритол. Наиболее предпочтительными являются соответствующие (мет)акрилаты, полученные из алкоксилированного триметилолпропан. Продукты указанных типов доступны на рынке и, например, продаются под названиями Sartomer® SR 499 и Sartomer® SR 502, а также Sartomer® SR 415 и Sartomer® SR 9035и Sartomer® SR 501.

Композиция (C1a) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 40 - 95% по массе, предпочтительно 50 - 85% по массе, более предпочтительно 55 - 83% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного реактивного разбавителя, предпочтительно гександиолдиакрилата и/или (мет)акрилатов, полученных из 6-кратного этоксилированного триметилолпропана.

Композиция(С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 0,01 - 15% по массе, предпочтительно 0.5 - 10% по массе, более предпочтительно 1 - 8% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного фотоинициатора, предназначенного для отверждения с помощью от видимого до (Б)ИК- и/или УФ-излучения. Указанный фотоинициатор может быть расщеплен, посредством излучаемой длины волны, на радикалы, которые, в свою очередь, способны вызывать радикальную полимеризацию. И наоборот, в случае отверждения с помощью излучения электронов, нет необходимости в присутствии таких фотоинициаторов. Композиция (С1а) для нанесения покрытия предпочтительно включает в себя по меньшей мере один фотоинициатор, который может быть расщеплен, посредством излучаемой длины волны, на радикалы, которые, в свою очередь, способны вызывать радикальную полимеризацию.

Фотоинициаторы, такие как УФ-фотоинициаторы известны специалисту в данной области техники. Примеры таких фотоинициаторов включают фосфиноксиды, такие как (алкил)-бензоилфенилфосфиноксиды, бензофеноны, α-гидроксиалкиларилкетоны, тиоксантоны, антрахиноны, ацетофеноны, бензоины и простые эфиры бензоина, кетали, имидазолы или фенилглиоксиловые кислоты и их смеси.

Фосфиноксиды, например, представляют собой моноацил- или бисацилфосфиноксиды, например, такие как дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид, этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат, фенил (2,4,6-триметилбензоил)фосфин или бис(2,6-диметоксибензоил)(2,4,4-триметилпентил)фосфиноксид. Бензофеноны, например, представляют собой бензофенон, 4-аминобензофенон, 4,4'-бис(диметиламино)бензофенон, 4-фенилбензофенон, 4-хлорбензофенон, кетоны Михлера, о-метоксибензофенон, 2,4,6-триметилбензофенон, 4-метилбензофенон, 2,4-диметилбензофенон, 4-изопропилбензофенон, 2-хлорбензофенон, 2,2'-дихлорбензофенон, 4-метоксибензофенон, 4-пропоксибензофенон или 4-бутоксибензофенон; α-гидроксиалкиларилкетоны, например, представляют собой 1-бензоилциклогексан-1-ол (1-гидроксициклогексилфенилкетон), 2-гидрокси-2,2-диметилацетофенон (2-гидрокси-2-метил-1-фенилпропан-1-он), 1-гидроксиацетофенон, 1-[4-(2-гидроксиэтокси)фенил]-2-гидрокси-2-метил-1-пропан- 1-он или полимер, содержащий в сополимеризованном виде 2-гидрокси-2-метил-1-(4-изопропен-2-илфенил)пропан-1-он. Ксантоны и тиоксантоны, например, представляют собой 10-тиоксантанон, тиоксантан-9-он, ксантан-9-он, 2,4-диметилтиоксантон, 2,4-диэтилтиоксантон, 2,4-диизопропилтиоксантон, 2,4-дихлортиоксантон или хлорксантанон; антрахиноны, например, представляют собой β-метилантрахинон, трет-бутилантрахинон, сложные антрахинонкарбоновые эфиры, бенз[де]антрацен-7-он, бенз[а]антрацен-7,12-дион, 2-метилантрахинон, 2-этилантрахинон, 2-трет-бутилантрахинон, 1-хлорантрахинон или 2-амил-антрахинон. Ацетофеноны, например, представляют собой ацетофенон, ацетонафтохинон, валерофенон, гексанофенон, α-фенилбутирофенон, n-морфолинопропиофенон, дибензосуберон, 4-морфолинобензофенон, n-диацетилбензол, 4'-метоксиацетофенон, α-тетралон, 9-ацетилфенантрен, 2-ацетилфенантрен, 3-ацетилфенантрен, 3-ацетилиндол, 9-флуоренон, 1-инданон, 1,3,4-триацетилбензол, 1-ацетонафтон, 2-ацетонафтон, 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон, 2,2-диэтокси-2-фенилацетофенон, 1,1-дихлорацетофенон, 1-гидроксиацетофенон, 2,2-диэтоксиацетофенон, 2-метил-1-[4-(метилтио)фенил]-2-морфолинопропан-1-он, 2,2-диметокси-1,2-дифенилэтан-2-он или 2-бензил-2-диметиламино-1-(4-морфолинофенил)-бутан-1-он. Бензоины и простые эфиры бензоина, например, представляют собой 4-морфолинодеоксибензоин, бензоин, простой бензоинизобутиловый эфир, простой бензоинтетрагидропираниловый эфир, простой бензоинметиловый эфир, простой бензоинэтиловый эфир, простой бензоинбутиловый эфир, простой бензоинизопропиловый эфир или простой 7Н-бензоинметиловый эфир. Кетали, например, представляют собой ацетофенондиметилкеталь, 2,2-диэтоксиацетофенон, или бензилкетали, такие как бензилдиметилкеталь. Обычные смеси содержат, например, 2-гидрокси-2-метил-1-фенилпропан-2-он и 1-гидроксициклогексилфенилкетон, бис(2,6-диметоксибензоил)(2,4,4-триметилпентил)фосфиноксид и 2-гидрокси-2-метил-1-фенилпропан-1-он, бензофенон и 1-гидроксициклогексилфенилкетон, бис(2,6-диметоксибензоил)(2,4,4-триметилпентил)фосфиноксид и 1-гидроксициклогексил фенилкетон, дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид и 2-гидрокси-2-метил-1-фенилпропан-1-он, 2,4,6-триметилбензофенон и 4-метилбензофенон или 2,4,6-триметилбензофенон и 4-метилбензофенон и дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид.

Особенно предпочтительными фотоинициаторами являются дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид, этил (2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат, фенилбис(2,4,6-триметилбензоил)фосфин оксид, бис(2,6-диметоксибензоил)(2,4,4-триметилпентил)фосфиноксид, 1-гидроксициклогексил фенилкетон, бензофенон, 1-бензоилциклогексан-1-ол, 2-гидрокси-2,2-диметилацетофенон и 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон и их смеси. Доступными на рынке фотоинициаторами, например, являются продукты Irgacure® 184, Irgacure® 500, Irgacure® ТРО, Irgacure® TPO-L и Lucirin®, а также Darocure® 1173 от компании IGM Resins B.V..

Композиция (C1a) для нанесения покрытия может необязательно дополнительно содержать по меньшей мере одну добавку. Понятие добавки известно специалисту в данной области техники, например, из публикации Römpp Lexikon "Lacke und Druckfarben", Thieme Verlag, 1998 г., страница 13. Предпочтительная добавка, который применяют, представляет собой по меньшей мере одну реологическую добавку. Указанный термин также известен специалисту в данной области техники, например, из Römpp Lexikon "Lacke und Druckfarben", Thieme Verlag, 1998 г., страница 497. Термины "реологическая добавка", "добавка, улучшающая реологические свойства" и "вспомогательное вещество, улучшающее реологические свойства" являются в данном случае взаимозаменяемыми. Необязательную добавку предпочтительно выбирают из группы, состоящей из регулирующих расход добавок, поверхностно-активных веществ, такие как сурфактанты, смачивающих веществ и диспергирующих веществ, а также загустителей, тиксотропных веществ, пластифицирующих добавок, смазывающих и противодействующих слипанию добавок, и их смесей. Указанные термины также известны специалисту в данной области техники, например, из Römpp Lexikon, "Lacke und Druckfarben", Thieme Verlag, 1998 г.. Регулирующие расход добавки представляют собой компоненты, которые посредством снижения вязкости и/или поверхностного натяжения способствуют образованию пленки из материалов покрытия, которые равномерно растекаются. Смачивающие вещества и диспергирующие вещества представляют собой компоненты, которые уменьшают поверхностное натяжение или, как правило, межфазное натяжение. Смазывающие и противодействующие слипанию добавки представляют собой компоненты, которые уменьшают взаимное прилипание (слипание).

Примеры доступных на рынке добавок представляют собой продукты Efka® SL 3259, Byk® 377, Tego® Rad 2500, Tego® Rad 2800, Byk® 394, Byk-SILCLEAN 3710, Silixan® A250, Novec FC 4430 и Novec FC 4432. Подходящие общие количества по меньшей мере одной добавки, например, составляют 0,01 -5% по массе, 0.2 или 0,5 - 3% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

В контексте этого изобретения, добавка, такая как поверхностное вещество, может содержать силикон(мет)акрилаты. Такую добавку, содержащую силикон(мет)акрилаты, нельзя сравнивать со способными к сшиванию силикон(мет)акрилатными олигомерами, которые применяют в качестве способного к сшиванию полимера и/или олигомера, как минимум, вследствие небольшого общего количества добавки, содержащейся в композиции для нанесения покрытия, а также из-за разного количества химических функциональных групп или реакционной способности силикон(мет)акрилатной добавки, имеющей совершенно отличающийся технический эффект на композицию для нанесения покрытия. Например, добавка, содержащая силикон(мет)акрилат, воздействует только на поверхностную энергию композиции для нанесения покрытия, и только в незначительной степени воздействует на главную цепь (со-)полимеризованной сети, образованной способным к сшиванию полимером и/или олигомером или реактивным разбавителем. В отличие от добавки, содержащей силикон(мет)акрилат, силикон(мет)акрилатный олигомер, который применяли в качестве способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержит незавершенные ненасыщенные группы, способные образовывать свободные радикалы для реакций сшивания, и образует с реактивными разбавителями сополимеризованную эластомерную сеть отвержденного шаблонного покрытия (С1).

Особенно предпочтительно, каждый из компонентов (а), (б), (в), и (г), содержащихся в композиции (С1а) для нанесения покрытия, отличаются друг от друга и, следовательно, не являются одинаковыми.

Таким образом, особенно предпочтительные шаблонные покрытия (С1а) содержат из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия следующие компоненты:

- 9 - 35% по массе ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2 ненасыщенные групп,

- 55 - 83% по массе гександиолдиакрилата и/или (мет)акрилатов, полученные из 6-кратного этоксилированного триметилолпропана (то есть соединения, содержащего три структурных звена общей формулы (I)),

- 1 - 10% по массе этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфината и/или 1-бензоилциклогексан-1-ола и

- 0 или 0,5 - 3% по массе смазывающей и противодействующей слипанию добавки.

Превращение двойных связей по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), полученного из (С1а), предпочтительно составляет по меньшей мере 70%, более предпочтительно по меньшей мере 75%, более предпочтительно даже по меньшей мере 80%, очень предпочтительно по меньшей мере 85%, в частности, по меньшей мере 90%.

Композиция (С1а) для нанесения покрытия может содержать по меньшей мере один дополнительный компонент (д), отличающийся от компонентов (а) - (г), например,такие как, наполнители, пигменты, термически активируемые инициаторы, например, такие как, пероксодисульфат калия, дибензоилпероксид, циклогексанонпероксид, ди-трет-бутилпероксид, азобисизобутиронитрил, циклогексилсульфонилацетилпероксид, диизопропилперкарбонат, трет-бутил пероктоат или бензопинакол, гидропероксид кумола, дикумилпероксид, трет-бутилпербензоат, силилированные пинаколы, алкоксиамины, а также органические растворители, а также стабилизаторы. Однако, предпочтительно, в композиции (С1а) для нанесения покрытия органические растворители не применяются. Композиция (С1а) для нанесения покрытия может содержать по меньшей мере один компонент (д) в общем количестве, составляющем 0 - 10% по массе, предпочтительно 0 - 5% по массе, более предпочтительно 0 - 1% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Композиция (С1а) для нанесения покрытия может быть на основе растворителя или она может быть твердой композицией для нанесения покрытия. Для того, чтобы облегчить быстрое отверждение и предотвратить образование большого количества испаряющихся растворителей при отверждении, композиция (С1а) для нанесения покрытия предпочтительно является твердой композицией для нанесения покрытия. Таким образом, композиция (С1а) для нанесения покрытия предпочтительно содержит общее количество, составляющее менее 10% по массе, предпочтительно менее 5% по массе, более предпочтительно менее 1% по массе, очень предпочтительно 0% по массе растворителей, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, или не содержит их. Таким образом, композиция (С1а) для нанесения покрытия предпочтительно имеет содержание твердых веществ, составляющее 75 - 100% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, как было определено в соответствии со стандартом DIN EN ISO 3251:2008-06 при температуре 125°С на протяжении 60 мин. Более того, она предпочтительно содержит общее количество соединений (а), (б), (в) и необязательно (г), составляющее 90 - 100% по массе, предпочтительно 95 - 100% по массе, более предпочтительно 99 - 100% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия. Наиболее предпочтительно, композиция (С1а) для нанесения покрытия состоит из соединений (а), (б), (в), и необязательной (г).

Композиция (С1а) для нанесения покрытия предпочтительно не содержит тиолов, в частности, не содержит триметилолпропантрис(3-меркаптопропионата).

Композиция (С2а) для нанесения покрытия

В качестве композиции (С2а) для нанесения покрытия на стадии (2-I) или (2-II) способа в соответствии с изобретением может применяться любой тип композиции для нанесения покрытия. Композиция (С2а) для нанесения покрытия может представлять собой физически высыхающую, термически отверждаемую, химически отверждаемую и/или отверждаемую под действием излучения композицию (С2а) для нанесения покрытия. Предпочтительно, композиция (С2а) для нанесения покрытия представляет собой химически отверждаемую, термически отверждаемую и/или отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, более предпочтительно отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия. Соответственно, по меньшей мере частичное отверждение в соответствии со стадией (4) предпочтительно происходит с помощью отверждения в результате излучения. Композиция (С2а) для нанесения покрытия может быть идентичной композиции (С1а) для нанесения покрытия. Однако, предпочтительно, композиция (С2а) отличается от композиции (С1а). Композиция (С2а) предпочтительно состоит из подобных, но не одинаковых, компонентов (а) - (д), которые также применяют при получении композиции (С1а), хотя оговорки относительно количеств, относящихся к композиции (С1а), не должны применяться к композиции (С2а).

Физическое высыхание в данном случае предпочтительно относится к обычному испарению растворителя(-ей) с образованием покрытия (С2). Термическое отверждение в данном случае предпочтительно вызывает механизм отверждения, который связан с температурой, выше комнатной температуры (>23°С). Это может быть, например, образование радикалов или ионов, предпочтительно радикалов из инициатора, который разрушается при повышенных температурах и, таким образом, вызывает радикальную или ионную полимеризацию. Примерами таких термически активируемых инициаторов являются те инициаторы, которые имеют период полураспада при температуре 80°С, составляющий менее 100 часов. Химическое отверждение предпочтительно относится к реакции по меньшей мере двух разных и взаимодополняющих реакционноспособных функциональных групп, например, по типу поликонденсации, такой как реакция группы -ОН с группой СООН, или полиприсоединения (реакция группы NCO с группой ОН или аминогруппой).

Если композиция (С2а) для нанесения покрытия является физически высыхающей, термически отверждаемой и/или химически отверждаемой композицией для нанесения покрытия, то ее получают, применяя в качестве связующего вещества по меньшей мере один обычный полимер, известный специалисту в данной области техники. В случае термически или химически отверждаемых композиций для нанесения покрытия, указанное связующее вещество предпочтительно имеет способные к сшиванию функциональные группы. В этом контексте, подходящей является любая обычная способная к сшиванию функциональная группа, известная специалисту в данной области техники. В частности, способные к сшиванию функциональные группы выбирают из группы, состоящей из гидроксильных групп, аминогрупп, групп карбоновых кислот, тиоловых групп, изоцианатов, полиизоцианатов и эпоксидов. Полимеры предпочтительно могут отверждаться или сшиваться экзотермически или эндотермически, предпочтительно в диапазоне температур от -20°С до 250°С, или от 18°С до 200°С. Особенно подходящим в качестве полимера является по меньшей мере один полимер, выбранный из группы, состоящей из полиуретанов, простых полиэфиров, сложных полиэфиров, полиамидов, полимочевин, поливинилхлоридов, полистиролов, поликарбонатов, поли(мет)акрилатов, эпоксидных смол, фенол-формальдегидных смол, меламин-формальдегидных смол. Указанные полимеры могут, в частности, иметь ОН-функциональную группу. В этом случае, они может быть объединены под общим термином "полиолы". Такие полиолы могут, например, быть поли(мет)акрилатными полиолами, сложными полиэфирными полиолами, простыми полиэфирными полиолами, полиуретановыми полиолами, полимочевинными полиолами, сложными полиэфирами полиакрилатных полиолов, сложными полиэфирами полиуретановых полиолов, полиуретано-полиакрилатными полиолами, модифицированными полиуретаном алкидными смолами, модифицированными жирной кислотой сложными полиэфирами полиуретановых полиолов, а также смесями указанных полиолов. Предпочтительными являются поли(мет)акрилатные полиолы, сложные полиэфирные полиолы и простые полиэфирные полиолы.

В данном случае возможно применять по меньшей мере один полимер, который отверждается с участием изоцианатных и/или олигомеризованных изоцианатных групп, очень предпочтительно, по меньшей мере одного соответствующего полиуретана и/или по меньшей мере одной соответствующей полимочевины (например, так называемых "алифатических связующих веществ"). Алифатические связующие вещества представляют собой компоненты, которые получают в результате реакция соединений с функциональными аминогруппами, в частности, вторичных аминов, с изоцианатами. Если применяют по меньшей мере один полиуретан, то особенно подходящими являются смолы на основе полиуретана, которые можно получить посредством реакции полиприсоединения между компонентами, содержащими гидроксил, такими как полиолы, и по меньшей мере одним полиизоцианатом (ароматические и алифатические изоцианаты, ди-, три- и/или полиизоцианаты). Как правило, в данном случае требуется стехиометрическая реакция групп ОН в полиолах с группами NCO в полиизоцианатах. Однако, применяемое стехиометрическое соотношение также можно варьировать, так как полиизоцианат может добавляться к полиольному компоненту в таком количестве, что может иметь место "избыточное сшивание" или "недостаточное сшивание". Если применяются эпоксидные смолы, то есть смолы на основе эпоксидов, то подходящими предпочтительно являются смолы на основе эпоксидов, которые получают из простых глицидиловых эфиров, имеющих концевые эпоксидные группы и, внутри молекуле, гидроксильные группы в качестве функциональных групп.Это предпочтительно продукты реакции бисфенола А и эпихлоргидрина и/или бисфенола F с эпихлоргидрином, а также их смеси, которые также применяются в присутствии реактивных разбавителей. Отверждение или сшивание таких смол на основе эпоксидов, как правило, сопровождается полимеризацией эпоксидных групп эпоксидного кольца, посредством реакции полиприсоединения в виде реакции присоединения других реакционноспособных соединений, таких как отвердители, в стехиометрическом количестве, с эпоксидными группами, причем в указанном случае, соответственно, необходимо присутствие одного активного водородного эквивалента на эпоксидную группу (то есть, для отверждения необходим один Н-активный эквивалент на эпоксидный эквивалент), или поликонденсацией через посредство эпоксидных групп и гидроксильных групп. Примерами подходящих отвердителей являются полиамины, в частности, (гетеро)алифатические, (гетеро)ароматические и (гетеро)циклоалифатические полиамины, полиамидоамины, полиаминоамиды, а также многоосновные карбоновые кислоты и их ангидриды.

Понятие "отверждение в результате излучения" уже было описано выше в связи с композицией (С1а) для нанесения покрытия, при этом ссылаются непосредственно на соответствующие места в описании.

Композиция (С2а) для нанесения покрытия может отверждаться посредством применения источника излучения, предпочтительно посредством применения УФ-излучения. Следовательно, предпочтительно, композиция (С2а) представляет собой отверждающуюся под действием УФ-излучения композицию для нанесения покрытия.

Таким образом, предпочтительный продукт композиции (С2а) для нанесения покрытия содержит

а) по меньшей мере одно соединение, имеющее в среднем по меньшей мере две ненасыщенные группы,

б) необязательно по меньшей мере один фотоинициатор и

в) необязательно по меньшей мере одну добавку. Композиция (С2а) для нанесения покрытия предпочтительно имеет в среднем по меньшей мере две ненасыщенные углеродные двойные связи, более предпочтительно (мет)акриловые группы. С этой целью, композиция для нанесения покрытия (С2) может содержать любые способные к сшиванию полимеры и/или олигомеры или реактивные разбавители, указанные выше в связи с композицией (С1а), в частности, такие как сложных полиэфиры, простые полиэфиры, карбонаты, эпоксиды, поли(мет)акрилаты, уретан(мет)акрилаты, и/или силикон(мет)акрилатные олигомеры и/или по меньшей мере одну ненасыщенную сложнополиэфирную смолу и/или сложные (мет)акриловые эфиры с одной, двумя и/или тремя функциональными группами.

При отверждении с помощью от видимого до (Б)ИК и/или УФ-излучения, композиция (С2а) для нанесения покрытия предпочтительно содержит по меньшей мере один фотоинициатор, который способен расщепляться на радикалы посредством облучения излучаемой длины волны, при этом указанные радикалы способны вызывать радикальную полимеризацию. И наоборот, в случае отверждения с помощью излучения электронов, присутствие таких фотоинициаторов не является необходимым. В качестве фотоинициаторов возможно применять те же компоненты, в тех же количествах, как указано выше в связи с фотоинициаторами композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Композиция (С2а) для нанесения покрытия может содержать по меньшей мере одну дополнительную добавку. В этом случае, в качестве добавки или дополнительного компонента (д) композиции (С1а) для нанесения покрытия возможно применять те же компоненты, в тех же количествах, которые указаны выше.

Композиция для нанесения покрытия, которую применяют в качестве композиции (С2а) для нанесения покрытия, более предпочтительно представляет собой композицию, имеющую (мет)акриловые группы. Предпочтительно, указанная композиция (С2а) для нанесения покрытия содержит по меньшей мере один уретан(мет)акрилат.Более того, предпочтительно, она включает в себя по меньшей мере один фотоинициатор.

Композиция (С2а) для нанесения покрытия может быть композицией на основе растворителя или твердой композицией для нанесения покрытия. Для того, чтобы облегчить быстрое отверждение и предотвратить образование большого количества испаряющихся растворителей при отверждении, композиция (С2а) для нанесения покрытия предпочтительно является твердой композицией для нанесения покрытия или композицией для нанесения покрытия, содержащей небольшое количество растворителей. Таким образом, она предпочтительно имеет содержание твердых веществ, составляющее 75 - 100% по массе, из расчета общей массы композиции (С2а) для нанесения покрытия, как было определено в соответствии со стандартом DIN EN ISO 3251:2008-06 при температуре 125°С на протяжении 60 мин. Более того, она предпочтительно содержит общее количество соединения (а), и необязательно соединения (б) и (в), составляющее 90 - 100% по массе, предпочтительно 95 - 100% по массе, более предпочтительно 99 - 100% по массе, из расчета общей массы композиции (С2а) для нанесения покрытия.

Композитный материал (S1C1) в соответствии с изобретением

Дополнительный объект настоящего изобретения представляет собой композитный материал (S1C1), состоящий из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), причем покрытие (С1) можно получить посредством по меньшей мере частичного отверждения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1), и по меньшей мере частичного тиснения, в результате отверждения излучением, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе или 85% по массе, предпочтительно 50 - 95% по массе или 85% по массе или 83% по массе, по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Предпочтительно, каждый из компонентов (а), (б), (в), и (г) отличаются друг от друга.

Все предпочтительные варианты осуществления, описанные выше в связи со способом в соответствии с изобретением, в частности, в связи с композицией (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют в нем, и в связи с подложкой (S1), а также покрытием (С1), также являются предпочтительными вариантами осуществления по отношению к композитному материалу (S1C1) в соответствии с изобретением.

Предпочтительно, композитный материал (S1C1) в соответствии с изобретением можно получить посредством осуществления описанных выше стадий (6) - (9) способа в соответствии с изобретением. Подложка (S1) предпочтительно представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки.

Применение в соответствии с изобретением

Дополнительный объект настоящего изобретения представляет собой применение композитного материала (S1C1) в соответствии с изобретением в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения для переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия, или по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия, которая, по меньшей мере частично, нанесена на подложку (S2).

Все предпочтительные варианты осуществления, описанные выше в связи со способом в соответствии с изобретением и композитным материалом (S1C1) в соответствии с изобретением, также являются предпочтительными вариантами осуществления по отношению к упомянутому выше применению композитного материала (S1C1) в соответствии с изобретением.

Композиция (С2а) для нанесения покрытия в данном случае предпочтительно представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия.

В частности, изобретение описано посредством следующих вариантов осуществления:

Вариант осуществления 1: способ переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ содержит по меньшей мере стадии (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-I) или (5-II), а именно:

(1) обеспечение композитного материала (S1C1), состоящего из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1);

и

(2-I) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2) с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a);

(3-I) по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a) с применением композитного материала (S 1С 1) с тем, чтобы получить композитный материал (SlClC2aS2);

или

(2-II) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденной поверхности композитного материала (S1C1), и по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2a);

(3-II) необязательно нанесение подложки (S2) по меньшей мере на часть поверхности, образованной композицией (С2а) для нанесения покрытия, композитного материала (S1C1C2a), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2aS2);

и

(4) по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно нанесенной на подложку (S2), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2) или (S1C1C2S2);

и

(5-I) необязательно удаление композитного материала (C2S2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2S2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

или

(5-II) необязательно удаление покрытия (С2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2), с композитного материала (S1C1), для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), применяемого на стадии (1) и восстановленного на стадии (5-I) или стадии (5-II), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Вариант осуществления 2: способ переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ содержит по меньшей мере стадии (1), (2-I) и (3-I), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-I), а именно:

(1) обеспечение композитного материала (S1C1), состоящего из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1);

(2-I) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2) с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a);

(3-I) по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a) с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2aS2);

(4) по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно нанесенной на подложку (S2), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2S2);

(5-I) необязательно удаление композитного материала (C2S2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2S2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), применяемого на стадии (1) и восстановленного на стадии (5-I), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Вариант осуществления 3: способ переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ содержит по меньшей мере стадии (1), (2-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-II), а именно:

(1) обеспечение композитного материала (S1C1), состоящего из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1);

(2-II) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненной и по меньшей мере частично отвержденной поверхности композитного материала (S1C1), и по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2a);

(4) по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2);

и

(5-II) необязательно удаление покрытия (С2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), применяемого на стадии (1) и восстановленного на стадии (5-II), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15%по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0-5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Вариант осуществления 4: способ переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ содержит по меньшей мере стадии (1), (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-II), а именно:

(1) обеспечение композитного материала (S1C1), состоящего из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1);

(2-II) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненной и по меньшей мере частично отвержденной поверхности композитного материала (S1C1), и по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2a);

(3-II) нанесение подложки (S2) по меньшей мере на часть поверхности, образованной композицией (С2а) для нанесения покрытия, композитного материала (S1C1C2a), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2aS2);

(4) по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной на подложку (S2), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2S2);

(5-I) необязательно удаление композитного материала (C2S2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2S2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), применяемого на стадии (1) и восстановленного на стадии (5-I), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки.

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе.

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера;

Вариант осуществления 5: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-4, причем по меньшей мере одну композицию (С2а) для нанесения покрытия на стадии (2-I) и стадии (2-II) наносят с толщиной сухого слоя, составляющей по меньшей мере 0,5 мкм, предпочтительно по меньшей мере 1 мкм, более предпочтительно по меньшей мере 5 мкм.

Вариант осуществления 6: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-5, причем тисненная структура, подлежащая переносу представляет собой микроструктуру и/или наноструктуру, предпочтительно, имеющую ширину структуры в диапазоне от 10 нм до 500 мкм, более предпочтительно в диапазоне от 25 нм до 400 мкм, очень предпочтительно в диапазоне от 50 нм до 250 мкм, в частности, в диапазоне от 100 нм до 100 мкм, и предпочтительно высоту структуры в диапазоне от 10 нм до 500 мкм, более предпочтительно в диапазоне от 25 нм до 400 мкм, очень предпочтительно в диапазоне от 50 нм до 300 мкм, в частности, в диапазоне от 100 нм до 200 мкм.

Вариант осуществления 7: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-6, причем по меньшей мере одно клеящее вещество наносят на поверхность подложки (S2), которая не должно контактировать с композицией (С2а) для нанесения покрытия.

Вариант осуществления 8: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-7, причем на стадии (5-I) композитный материал (C2S2) получают посредством отслоения от композитного материала (S1C1C2S2) с дополнительным восстановлением композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1), или наоборот.

Вариант осуществления 9: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-7, причем по меньшей мере частично тисненное и по меньшей мере частично отвержденное покрытие (С2) на стадии (5-II) получают в виде свободной пленки посредством отслоения от композитного материала (S1C1C2) с дополнительным восстановлением композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1), или наоборот.

Вариант осуществления 10: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-7, причем удаление с композитного материала (S1C1) содержит следующие стадии:

(5-I-а) нанесение по меньшей мере одного клейкого слоя (AL) на поверхность подложки (S2), не находящейся в контакте по меньшей мере с частично тисненным покрытием (С2), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2S2AL);

(5-I-б) необязательно, по меньшей мере частичное прикрепление композитного материала (S1C1C2S2AL) к изделию (O1);

(5-I-в) удаление, предпочтительно отслоение, композитного материала (S1C1) от композитного материала (C2S2AL), необязательно по меньшей мере частично прикрепленного к изделию (O1), или наоборот.

Вариант осуществления 11: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-7, причем удаление с композитного материала (S1C1) содержит следующие стадии:

(5-II-а) нанесение по меньшей мере одного клейкого слоя (AL) по меньшей мере на часть неструктурированной поверхности по меньшей мере частично тисненного покрытия (С2), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2AL);

(5-II-б) необязательно, по меньшей мере частичное прикрепление композитного материала (S1C1C2AL) к изделию (O1);

(5-II-в) удаление, предпочтительно отслоение, композитного материала (S1C1) от композитного материала (C2S2AL), необязательно по меньшей мере частично прикрепленного к изделию (O1), или наоборот.

Вариант осуществления 12: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-11, причем композитный материал (S1C1), полученный на стадии (1), применяют в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения с тем, чтобы переносить тисненную структуру покрытия (С1) в качестве тисненной структуры на композицию (С2а) для нанесения покрытия на стадии (2-I), и на стадиях (2-II) и (3-II),

причем зеркальное отображение структурированной поверхности покрытия (С1) композитного материала (S1C1), который применяют в качестве клише (е2) для тиснения наносится тиснением на поверхность по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С2), необязательно нанесенного на подложку (S2).

Вариант осуществления 13: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 12, причем подложка (S1) представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки или непрерывный рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки.

Вариант осуществления 14: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 13, причем подложка (S2) представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки.

Вариант осуществления 15: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 14, причем композитный материал (S1C1), который применяют на стадии (2-I) и на стадиях (2-II) и (3-II), может применяться многоразово, и может применяться повторно для переноса по меньшей мере одной тисненной структуры, когда проводится стадия (5-I) или (5-II) способа.

Вариант осуществления 16: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 15, причем во время осуществления стадии (3-I), композитный материал (S1C1) на стадии (3-I) направляется с помощью первого валка, функционирующего в качестве приспособление (Е2) для тиснения и композитный материал (S2C2a) направляется посредством второго валка, который расположен напротив первого валка и вращается в противоположном направлении по отношению к нему или вращающимся в одном направлении с ним,

и

во время осуществления стадии (3-II), композитный материал (S1C1C2a) на стадии (3-II) направляется с помощью первого валка, функционирующего в качестве приспособления (Е2) для тиснения, а подложка (S2), которую применяют на стадии (3-II), направляется посредством второго валка, который расположен напротив первого валка и вращается в противоположном направлении по отношению к нему или вращается в одном направлении с ним.

Вариант осуществления 17: Способ в соответствии с вариантом осуществления 16, причем по меньшей мере частичное тиснение на стадии (3-I) происходит на уровне зазора между валками, который образован двумя взаимно противоположными валками, причем валки вращаются в противоположном направлении или вращаются в одном направлении, причем по меньшей мере частично тисненное покрытие (С1) композитного материала (S1C1) обращено к композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a), и

по меньшей мере частичное тиснение на стадии (3-II) происходит на уровне зазора между валками, который образован двумя взаимно противоположными валками, причем валки вращаются в противоположном направлении или вращаются в одном направлении, причем композиция (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S1C1C2a) обращена к подложке (S2).

Вариант осуществления 18: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 17, причем композитный материал (S1C1), обеспечиваемый на стадии (1), по меньшей мере можно получить посредством

(6) нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1a);

(7) по меньшей мере частичного тиснения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S1) с помощью по меньшей мере одного приспособления (Е1) для тиснения, содержащего по меньшей мере одно клише (e1) для тиснения;

(8) по меньшей мере частичного отверждения по меньшей мере частично тисненной композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на подложку (S1), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте по меньшей мере с одним клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения;

(9) удаления композитного материала (S1C1) из клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения с тем, чтобы получить по меньшей мере частично тисненный и по меньшей мере частично отвержденный композитный материал (S1C1), или наоборот.

Вариант осуществления 19: Способ в соответствии с вариантом осуществления 18, причем по меньшей мере одну композицию (С1а) для нанесения покрытия на стадии (6) наносят с толщиной сухого слоя, составляющей по меньшей мере 0,5 мкм, предпочтительно по меньшей мере 1 мкм, более предпочтительно по меньшей мере 5 мкм.

Вариант осуществления 20: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 19, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 5 - 45% по массе, предпочтительно 8 - 40% по массе, более предпочтительно 9 - 35% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера.

Вариант осуществления 21: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 20, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, более предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2-3 ненасыщенные группы.

Вариант осуществления 22: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-21, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 5 - 45% по массе, предпочтительно 8 - 40% по массе, более предпочтительно 9 - 35% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера, выбранного из группы, состоящей из I) по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, очень предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2-3 ненасыщенные группы, и II) другого способного к сшиванию полимера и/или олигомера, выбранного из (мет)акрилированных олигомерных или полимерных соединений, уретан(мет)акрилатов, винил(мет)акрилатов, эпокси(мет)акрилатов, сложных полиэфир(мет)акрилатов, поли(мет)акрилатов, простых полиэфир(мет)акрилатов, олефин(мет)акрилатов, (мет)акрилированных масел, и их смесей, предпочтительно уретан(мет)акрилатного олигомера.

Вариант осуществления 23: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 22, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит в качестве реактивного разбавителя способные к свободно-радикальной полимеризации мономеры, предпочтительно этиленненасыщенные мономеры, более предпочтительно многофункциональные этиленненасыщенные мономеры.

Вариант осуществления 24: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 23, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит по меньшей мере один реактивный разбавитель, выбранный из гександиолдиакрилата и соединений, содержащих по меньшей мере две, предпочтительно по меньшей мере 3, более предпочтительно 3, структурных звена, которые могут отличаться друг от друга или быть, по меньшей мере частично, одинаковыми, общей формулы (I)

в которой

радикалы R¹, независимо друг от друга, представляют собой С₂-С₈ алкиленовые группы, очень предпочтительно С₂ алкиленовые группы,

радикалы R², независимо друг от друга, представляют собой Н или метил, и

переменные m, независимо друг от друга, представляют собой целое число в диапазоне от 1 до 15, очень предпочтительно от 1 до 4 или 2 - 4, но при условии, что по меньшей мере в одном из структурных звеньев формулы (I) переменная m составляет по меньшей мере 2, предпочтительно ровно 2.

Вариант осуществления 25: Способ в соответствии с вариантом осуществления 24, причем указанное соединение содержит три одинаковых структурных звена формулы (I), и переменная m составляет по меньшей мере 2, предпочтительно ровно 2.

Вариант осуществления 26: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 24 или 25, причем соединение по меньшей мере одного реактивного разбавителя содержит по меньшей мере два структурных звена общей формулы (I), выбранных из (мет)акрилатов неопентилгликоля, триметилолпропана, триметилолэтана или пентаэритритола, с в общей сложности 4-кратным - 20-кратным или 4-кратным - 12-кратным алкоксилированием, предпочтительно этоксилированного, пропоксилированного или этоксилированного и пропоксилированного, очень предпочтительно этоксилированного, неопентилгликоля, триметилолпропана, триметилолэтана или пентаэритритола, наиболее предпочтительно из (мет)акрилатов, полученных из алкоксилированного триметилолпропана.

Вариант осуществления 27: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-6, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 40 - 95% по массе, предпочтительно 50 - 85% по массе, более предпочтительно 55 - 83% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного реактивного разбавителя, предпочтительно гександиолдиакрилата и/или (мет)акрилатов, полученных из 6-кратно этоксилированного триметилолпропана.

Вариант осуществления 28: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 27, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит по меньшей мере один фотоинициатор в общем количестве, составляющем 0,01 - 15% по массе, предпочтительно 0.5 - 10% по массе, более предпочтительно 1 - 8% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Вариант осуществления 29: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 28, причем фотоинициатор, содержащийся в композиции (С1а) для нанесения покрытия, выбирают из фосфиноксидов включая (алкил-)бензоилфенилфосфиноксиды, бензофеноны, а-гидроксиалкиларилкетоны, тиоксантоны, антрахиноны, ацетофеноны, бензоины и простые эфиры бензоина, кетали, имидазолы или фенилглиоксиловые кислоты и их смеси, предпочтительно дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксид, этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат, фенилбис(2,4,6-триметилбензоил)-фосфиноксид, бензофенон, 1-бензоилциклогексан-1-ол, 2-гидрокси-2,2-диметилацетофенон и 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон и их смеси.

Вариант осуществления 30: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 29, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит по меньшей мере одну добавку в общем количестве, составляющем 0,01 - 5% по массе, предпочтительно 0,2 или 0.5 - 5% по массе, более предпочтительно 0,5 - 3% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одной добавки.

Вариант осуществления 31: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 30, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее менее 10% по массе, предпочтительно менее 5% по массе, более предпочтительно менее 1% по массе органических растворителей, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, очень предпочтительно композиция (С1а) не содержит органических растворителей.

Вариант осуществления 32: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1 - 30, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия при этом содержит, в общем количестве, составляющем 90 - 100% по массе, предпочтительно 95 - 100% по массе, более предпочтительно 99 - 100% по массе компонентов (а), (б), (в), и необязательно (г), из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Вариант осуществления 33: композитный материал (S1C1), состоящий из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), причем покрытие (С1) можно получить посредством по меньшей мере частичного отверждения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1), и по меньшей мере частичного тиснения, в результате отверждения излучением, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую

(а) 5 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора, и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в), и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия, и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

Вариант осуществления 34: Композитный материал (S1C1) в соответствии с вариантом осуществления 33, причем композитный материал (S1C1) можно получить посредством осуществления стадий (6) - (9) способа, которые описаны в варианте осуществления 18 или 19.

Вариант осуществления 35: Композитный материал (S1C1) в соответствии с вариантом осуществления 33 или 34, причем подложка (S1) представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки.

Вариант осуществления 36: применение композитного материала (S1C1) в соответствии с любым из вариантов осуществления 33 - 35 в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения для переноса тисненной структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия, или по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия, которая, по меньшей мере частично, нанесена на подложку (S2).

Вариант осуществления 37: Способ в соответствии с любым из вариантов осуществления 1-5, причем отверждаемая под действием излучения композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит 50 - 95% по массе, или 50 -85% по массе, или 50 - 83% по массе, по меньшей мере одного реактивного разбавителя, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Вариант осуществления 38: Композитный материал в соответствии с любым из вариантов осуществления 33 - 36, причем отверждаемая под действием излучения композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит 50 - 95% по массе, или 50 - 85% по массе, или 50 - 83% по массе, по меньшей мере одного реактивного разбавителя, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

Методы определения

1. Определение заполнение клише

Заполнение клише определяют с помощью доступного на рынке растрового электронного микроскопа (РЭМ). С помощью РЭМ можно, соответственно, сравнивать, например, поверхностную топографию определенной структуры решетки разных шаблонных пленок (S1C1) после тиснения, имеющих, например, элементы от 10 нм до 1000 мкм ширины структуры, и глубины структуры в диапазоне от 1 нм до 1000 мкм. Заполнение клише считается полным, если полностью воспроизводятся острые элементы, такие как кончик структуры треугольной формы. Наряду со сравнением поверхностной топографии разных шаблонных пленок (S1C1), также можно сравнивать заполнение клише.

2. Определение времени текучести

Время текучести определяют в соответствии со стандартом DIN EN ISO 2431 (дата: март 2012 г.). Способ включает определение времени текучести с помощью чашечного вискозиметра 4 мм (№4), чашечного вискозиметра 5 мм (№5), или чашечного вискозиметра 6 мм (№6) при комнатной температуре (20°С).

Время текучести в диапазоне от 40 или 50 до 100 с, измеренное в чашечном вискозиметре 4 мм, от 30 до 100 с, измеренное в чашечном вискозиметре 5 мм, и от 30 до 200 с, предпочтительно 30 - 150 с, более предпочтительно 30 - 115 с, измеренное в чашечном вискозиметре 6 мм, считается приемлемым. Соответственно, композиции для нанесения покрытия с временем текучести >200 с в чашечном вискозиметре 6 мм считаются не подходящими, поскольку композиции для нанесения покрытия не будут расплываться достаточно быстро с однородной толщиной слоя по всей ширине подложки или композитного материала, что приводит к снижению качества заполнения клише и воспроизведения, при этом риск захвата воздуха в нанесенной композиции для нанесения покрытия повышается с увеличением времени текучести. С другой стороны, время текучести <40 или 50 с в чашечном вискозиметре 4 мм считается недостатком, поскольку композиции для нанесения покрытия будут просто стекать с подложки при их применении, например, в устройстве для тиснения с рулона на рулон (R2R), не обеспечивая таким образом достаточной когезии в пределах слоя, позволяющей обеспечить толщину слоя, достаточную для тиснения микроструктур и наноструктур с достаточным заполнением клише и качеством переноса.

3. Определение адгезии

3.1 Определение адгезии методом решетчатого надреза

Адгезию определяют в соответствии со стандартом DIN EN ISO 2409 (дата: июнь 2013 г. ) с помощью определения адгезии методом решетчатого надреза. В этом испытании, в процессе продублированного определения, исследуют адгезию слоя исследуемого покрытия к подложке. Устройство для испытания адгезии методом решетчатого надреза от компании Byk Gardner с расстоянием между надрезами 2 мм применяли вручную. Затем, к поврежденной площади прижимается лента Tesa №4651, и снимается для удаления отслоившихся частей. Оценку осуществляют на основе характеристических значений по шкале от 0 (минимальное отслоение) до 5 (очень большое отслоение). При этом среднее значение, составляющее менее или равное 3,5, считается достаточным.

3.2 Определение адгезии по методу Андреевского креста

Адгезию определяют с помощью специально разработанного определения адгезии методом решетчатого надреза. В этом испытании, в слое покрытия вручную надрезают Андреевский крест (длина: 10 см, угол: 45°) с помощью скальпеля. Затем, к поврежденной площади прижимают ленту Tesa №4651, и снимают для удаления отслоившихся частей. Если слой покрытия не показывает видимого отслоения после осуществления надрезов и/или после снимания ленты, то адгезия слоя покрытия оценивается как "ХОРОШО". Если слой покрытия показывает видимое отслоение после осуществления надрезов и/или после снимания ленты, то адгезия слоя покрытия оценивается как "Неудовлетворительно".

4. Определение успешности воспроизведения

Успешность воспроизведения определяют визуально, при этом определяют долю в процентах успешно воспроизведенной площади. Диапазон в данном случае составляет от 0% до 100% успешно воспроизведенной площади. Если воспроизводится менее 100% площади, это означает, что соответствующая доля площади не могла быть удалена из клише для тиснения, другими словами указанное покрытие С1 в виде композитного материала S1C1 осталось частично прилипшим к клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения, или это покрытие С2 осталось частично прилипшим к композитному материалу (S1C1) после отделения.

5. Определение распределения толщины слоя

Распределение толщины слоя определяют посредством измерения толщины слоя композитного материала S1C1, включая отпечатанные структуры. Другими словами, определенная общая толщина комплекта S1C1 слоя является суммой отдельных высот подложки S1, остаточного слоя покрытия С1, и структур, образованных в или на покрытии С1. Толщину определяли в соответствии со стандартом DIN EN ISO 2808 (дата: май 2007 г. ), процедура 12А с помощью микропроцессорного толщиномера покрытия ElektroPhysik MiniTest® 2100 в сочетании с датчиком F1.6 (погрешность измерений: ±(1% + 1 мкм)). В случае отсутствия ферромагнитной подложки, измерение проводили посредством размещения композитного материала S1C1 на ровной ферромагнитной пластине. На участке S1C1 размером 15 см × 15 см, толщину слоя определяют в 9 предварительно определенных точках, расположенных в матрице 3×3. Все точки измерений расположены на расстоянии друг от друга в 5 см, при этом первая точка или начальная точка измерения на расстоянии 2,5 см с верхней стороны и 2 5 см с левой стороны участка S1C1 размером 15 см × 15 см. Следовательно, вторая точка измерения расположена на расстоянии 2,5 см с верхней стороны и 7,5 см с левой стороны участка S1C1 размером 15 см × 15 см.

6. Определение гибкости

Гибкость соответствующего композитного материала (S1C1) определяли посредством его сгибания на 180°. Если во время и/или после сгибания в покрытии (С1) не наблюдалось каких-либо видимых трещин и/или повреждений, то его оценивают как "ХОРОШО". Если во время и/или после сгибания в покрытии (С1) наблюдались видимые трещины и/или повреждения, то его оценивают как "неудовлетворительно".

Примеры в соответствии с изобретением и сравнительные примеры

Примеры в соответствии с изобретением и сравнительные примеры, приведенные ниже, служат для иллюстрации изобретения, и не должны интерпретироваться как налагающие какие-либо ограничения.

Если не указано иное, количества, выраженные в частях, являются частями по массе, и количества, выраженные в процентах, в каждом случае являются процентами по массе.

1. Применяемые ингредиенты и материалы

Hostaphan® GN СТ01В - доступная на рынке РЕТ-пленка, двусторонняя химически обработанная для улучшения адгезии покрытий, с толщина слоя 175 мкм.

Доступная на рынке РЕТ-пленка, с двусторонним уретановым покрытием, для усиления адгезии к краскам и покрытиям, в частности, к УФ-отверждаемым краскам, с толщиной слоя 125 мкм, предоставленная компанией SKC, Южная Корея.

Laromer® UA 9033 (L UA 9033) - алифатический уретанакрилат от компании BASF SE

Laromer® UA 9089 (L UA 9089) - алифатический уретанакрилат от компании BASF SE

Гександиолдиакрилат (HDDA)

Гидроксипропилакрилат (HPA)

Sartomer® CN9800 (CN9800) - алифатический силиконакрилат от компании Sartomer

Sartomer® 499 (SR 499) - ТМРТА (триметилолпропантриакрилат) с 6-кратным этоксилированием, иот компании Sartomer

Sartomer® SR 344 (Arkema Inc.) - полиэтиленгликоля (400) диакрилат

Irgacure® 184 (1-184) - доступный на рынке фотоинициатор от компании BASF SE,

Irgacure® TPO-L (I-TPO-L) - доступный на рынке фотоинициатор от компании BASF SE,

Tego® Rad 2500 (TR 2500) - смазывающая и противодействующая слипанию добавка от компании Evonik (силиконакрилат),

2. Примеры

2.1 Получение композиций (С1а) для нанесения покрытия в соответствии с изобретением (С1а-1) и соответствующей сравнительной композиции (С1а-2) для нанесения покрытия

Композиции для нанесения покрытия, подходящие в качестве композиции (С1а) для нанесения покрытия для получения композитных материалов (S1C1), получали в соответствии с Таблицей 1, приведенной ниже. Время текучести, которое определяли при комнатной температуре (20°С), находится в диапазоне от 26 до 172 с в случае получения С1а-5 и С1а-9.

Время текучести, которое определяли посредством метода, описанного выше в пункте 2. (Определение времени текучести), примеров в соответствии с изобретением С1а-2 - СТа-8, имеющих общее количество реактивного разбавителя от 40 до 80% по массе, из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия, находится в приемлемом диапазоне от 50 с, как было измерено в чашечном вискозиметре 4 мм, до 200 с, как было измерено в чашечном вискозиметре 6 мм. Время текучести сравнительных примеров С1а-1 (общее количество реактивного разбавителя 35% по массе), С1а 10 (общее количество реактивного разбавителя 25% по массе) и С1а-11 (общее количество реактивного разбавителя 25% по массе, композиция в соответствии с KR 2009/0068490 А, пример 1) является неблагоприятно высоким и, следовательно, неприемлемым.

2.2 Получение композитных материалов (S1C1), посредством применения композиции для нанесения покрытия в соответствии с изобретением (С1а-5) и сравнительной композиции (С1а-9) для нанесения покрытия

Получали несколько разных композитных материалов (S1C1) в соответствии с Таблицей 2, приведенной ниже, посредством применения устройства для тиснения с рулона на пластину (R2P) с клише (e1) для тиснения, изготовленным из никеля, содержащим желаемой изображение подлежащей нанесению тиснением структуры. Таким образом, изображение структур в клише (e1) для тиснения соответствует изображению структур, подлежащих тиснению на композицию (С2а) для нанесения покрытия в последующей стадии.

В указанных примерах, применяли клише (e1) для тиснения, изготовленные из никеля с разными позитивными структурами, а именно с:

• микроструктурой M1 (трехмерная треугольная структура высотой 61 мкм и периодическим повтором 130 мкм, или с

• микроструктурой М2 (двумерная треугольная структура высотой 42 мкм и расстоянием между структурами 55 мкм,

С этой целью, каждую из описанных выше композиций С1а-5 и С1а-9 для нанесения покрытия наносят на клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения, и на нее наносят PET-пленку в качестве подложки (S1). Затем полученный комплект пленки и соответствующей композиции для нанесения покрытия проходит под прижимным валком и, в то время, пока устройство для тиснения находится в контакте с композицией для нанесения покрытия соответствующего комплекта, композиции для нанесения покрытия по меньшей мере частично отверждаются с помощью УФ-светодиодной лампы. По меньшей мере частично отвержденное покрытие вместе с пленкой, с негативной структурой, если сравнивать с клише (e1) для тиснения, затем отделяют от устройства для тиснения, в результате чего получают структурированную пленку (шаблонную пленку) в качестве композитного материала (S1C1). Шаблонные пленки впоследствии подвергаются дополнительному воздействию УФА-лампы. Символ "-" в Таблице означает, что конкретное дополнительное отверждение не осуществлялось.

Шаблонные пленки А и Б с микроструктурой M1 применяют для определения качества заполнения клише, адгезии, успешности воспроизведения -смотри Раздел 2.3.1 - а также их применяют для получения пленок для переноса и их исследований, как описано ниже в пунктах 2.4 - 2.5.2. Шаблонные пленки В, Г, Д, и Е с микроструктурой М2 применяют для определения однородности толщины слоя, как описано в Раздел 2.3.2, приведенном ниже. Для получения указанных шаблонных пленок, применяют композиции (С1а-5) и (С1а-9) для нанесения покрытия и, соответственно, композитные материалы (S1C1), причем покрытие (С1) представляет собой покрытие (С1-5) или (С1-9), полученное из композиций (С1а-5) или (С1а-9) для нанесения покрытия, соответственно, имеющее в качестве тисненной структуры микроструктуру M1 или М2.

В другой серии экспериментов, композитные материалы (S1C1) были получены в соответствии с параметрами получения композитных материалов "Шаблонная пленка В", как показано в Таблице 2, причем композиция (С1а-5) для нанесения покрытия была, соответственно, заменена одной из композиций (СТа-1) - (СТа-8), (С1а-10) или (С1а-11) для нанесения покрытия, как показано в Таблице 1, обеспечивая шаблонные пленки Ж - Р.

Все шаблонные пленки Ж - Р, полученные из композиций (С1а-1) - (С1а-8), (С1а-10) или (С1а-11) для нанесения покрытия, показывают приемлемую толщину слоя, находящуюся в диапазоне, составляющем 203 - 225 мкм. Гибкость шаблонных пленок Ж - П, которую определяли через 7 дней после получения в соответствии со способом, описанным в пункте 6. выше, была оценена как "ХОРОШО". Только гибкость шаблонной пленки Р, полученной из сравнительной композиции (С1а-11) для нанесения покрытия, была оценена как "неудовлетворительно". Более того, рассмотрение шаблонных пленок Ж - Р с помощью стереомикроскопа Olympus SZX12 выявило неприемлемое количество захвата воздуха в случае шаблонной пленки Р, полученной из сравнительной композиции (С1а-11) для нанесения покрытия.

2.3 Исследования шаблонных пленок (S1C1)

2.3.1 Определение адгезии и заполнения клише.

В приведенной ниже Таблице 3 подытожены исследования, которые были проведены на шаблонных пленках А и Б. Каждое из исследований проводили в соответствии с методами, описанными выше.

Данные в Таблице 3 показывает хорошую адгезию для шаблонной пленки А в соответствии с изобретением (определение адгезии методом решетчатого надреза и определение адгезии по методу Андреевского креста), по сравнению с неудовлетворительной адгезией, достигнутой сравнительной шаблонной пленкой Б (определение адгезии методом решетчатого надреза имело оценку 5, определение адгезии по методу Андреевского креста имело негативную оценку). Если адгезия шаблонного покрытия (С1) к подложке (S1), в указанных примерах адгезия композиций (С1-5) и (С1-9) для нанесения покрытия к РЕТ-пленке, является недостаточной, то могут возникнуть проблемы, как во время тиснения композиции (С1а) для нанесения покрытия, так и, в дальнейшем, при применении шаблонной пленки в качестве клише (е2) для тиснения композиции (С2а) для нанесения покрытия.

Успешность воспроизведения шаблонной пленки А оставалась такой же хорошей, как и успешности воспроизведения шаблонной пленки Б (Таблица 3, успешность воспроизведения). Следовательно, также в случае применения композиции для нанесения покрытия в соответствии с изобретение не оставалось остатков на клише (e1) для тиснения.

Заполнение клише шаблонных пленок А и Б определяли, как описано выше, посредством визуального осмотра и сравнения изображений РЭМ треугольных элементов, нанесенных тиснением на композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенных на подложки (S1) с помощью клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения (Фиг. 3). Сравнение изображений РЭМ шаблонных пленок А и Б показывает полный и сопоставимый перенос структур с клише для тиснения на композицию (С1а) для нанесения покрытия, включая острые детали, такие как края и треугольные элементы. Следовательно, введение больших количеств силикон(мет)акрилатных олигомеров в композицию (С1а) для нанесения покрытия в соответствии с изобретением, не приводило к получению каких-либо потерь качества заполнения клише, как можно было ожидать из-за различных поверхностных натяжений композиций (С1а-5) и (С1а-9) для нанесения покрытия. Следовательно, наблюдается полное и сопоставимое наполнение негативных элементов в клише для обеих композиций С1а-1 и С1а-2 для нанесения покрытия.

Подводя итог, можно констатировать, что только шаблонная пленка А обеспечивает хорошие результаты в отношении всех исследуемых характеристик (адгезия, заполнение клише, успешность воспроизведения).

2.3.2 Определение однородности толщины слоя

В приведенной ниже Таблице 4, подытожены исследования, которые были проведены на шаблонных пленках В, Г, Д, и Е. Каждое из исследований проводили в соответствии с методами, описанными выше. В этой серии экспериментов прилагаемое давление (3,3 бара) и размер щели (3,28 мм) устройства для нанесения покрытий для нанесения композиции для нанесения покрытия были одинаковыми.

Данные в Таблице 4 показывают сильное уменьшение между максимальной разницей в толщине слоя (дельта минимальной и максимальной толщины слоя (S1C1)), которую определяли для применяемых в соответствии с изобретением шаблонных пленок В и Д, по сравнению со сравнительными шаблонными пленками Г и Е, для двух скоростей обработки, что также отражено намного меньшими среднеквадратическими отклонениями. Более того, толщина слоя нанесенных композиций для нанесения была не только намного более однородной, но и средняя толщина слоя как таковая также могла повышаться.

Если толщина слоя шаблонного покрытия (С1а) является слишком неоднородной по всей ширине подложки (S1), то проблемы могут возникнуть во время тиснения, как композиции (С1а) для нанесения покрытия, а также, в дальнейшем, так и композиции (С2а) для нанесения покрытия. Качество воспроизведения изображения структур с клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения, особенно в отношении более крупных размеров, как правило, улучшается с однородностью толщины слоя композиции (С1а) для нанесения покрытия, поскольку давление, приложенное для вдавливания позитивных элементов клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения в композицию (С1а) для нанесения покрытия распределяется равномерно, обеспечивая равномерное вдавливание по всей ширине приспособления для тиснения. Следовательно, однородная толщина слоя композиции (С1а) для нанесения покрытия будет приводить к получению более высокого качества воспроизведения элементов клише (e1) для тиснения в покрытии (С1), имеющем однородный остаточный слой по всей или почти по всей ширине пленки. В результате, при применении композитного материала (S1C1) в качестве клише для тиснения как такового, такого как клише (е2) для тиснения, однородная толщина слоя покрытия (С1) позволит улучшить перенос тисненных структур на композицию (С2а) для нанесения покрытия, и также в данном случае давление, прилагаемое к композитному материалу (S1C1) более равномерно распределяется по всему композитному материалу (S1C1), обеспечивая более высокое качество воспроизведения и более воспроизводимый перенос тисненных структур на композицию (С2а) для нанесения покрытия.

Подводя итог, можно констатировать, что однородность толщины слоя шаблонных пленок В и Д была сильно улучшена, по сравнению с шаблонными пленками Г и Е.

2.4 Получение пленок (S1C1C2) для переноса:

Затем, каждую из шаблонных пленок (S1C1), полученных, соответственно, со структурой M1, применяли в устройстве для тиснения с рулона на пластину (R2P), и композицию (С2а) для нанесения покрытия наносили на структурированную поверхность соответствующей шаблонной пленки с толщиной сухого слоя, составляющей 40 мкм. Полученный комплект шаблонной пленки и композиции (С2а) для нанесения покрытия временно покрывали ТАС-пленкой для защиты композиции (С2а) для нанесения покрытия от воздействия кислорода и механических воздействий. В свою очередь, полученный комплект, содержащий шаблонную пленку (S1C1), композицию (С2а) для нанесения покрытия, нанесенную на нее, и ТАС-пленку, нанесенную на композицию (С2а) для нанесения покрытия, затем пропускали под прижимным валком (прилагаемое давление 6 бар), одновременно с процессом по меньшей мере частичного отверждения композиции (С2а) для нанесения покрытия посредством УФ-светодиодной лампы. Применяемая в данном случае лампа представляет собой УФ-светодиодную лампу от компании Easytec, длина волны 365 нм, мощность 6 Вт (100% мощность лампы, 2 м/мин, 2 прохода). Таким образом, после удаления защитной ТАС-пленки, из шаблонной пленки А получают композитный материал (S1C1C2-1), и из шаблонной пленки Б получают композитный материал (S1C1C2-2).

Применяемая композиция (С2а) для нанесения покрытия представляет собой доступную на рынке, отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, которая содержит по меньшей мере один уретанакрилат, по меньшей мере один фотоинициатор, а также доступные на рынке добавки.

2.5 Исследования композитных материалов (S1C1C2) 2.5.1 Характеристики разделения I) в зависимости от времени между получением композитного материала (S1C1) и нанесением композиции (С2а) для нанесения покрытия и II) в зависимости от времени между нанесением композиции (С2а) для нанесения покрытия на композитный материал (S1C1) и разделением.

В приведенной ниже Таблице 5 подытожены результаты исследований характеристик разделения между структурированной шаблонной пленкой (S1C1) и полученным в результате покрытием (С2), в зависимости от времени хранения шаблонной пленки (S1C1), выраженных качеством воспроизведения, с учетом конкретной шаблонной пленки (S1C1), применяемой для тиснения. Покрытие (С2) удаляют с композитного материала (S 1С 1) посредством отслоения. Символ "-" в Таблице означает, что конкретное исследование не осуществлялось.

При применении шаблонной пленки Б, успешность воспроизведения при разделении шаблонной пленки (S1C1) и покрытия (С2) составляет намного ниже <100%, даже 0%, когда композицию (С2а) для нанесения покрытия наносят через 5 дней после получения шаблонной пленки (S1C1) из композиции (С1а-9) для нанесения покрытия, и при разделении непосредственно после отверждения. Следовательно, большие части покрытия (С2) не могли быть отделены или удалены из покрытия (С1) соответствующей шаблонной пленки Б без разрушения покрытия (С2) или шаблонной пленки Б. Шаблонная пленка "Р", полученная из сравнительной композиции (С1а-11) для нанесения покрытия, описанной в Таблице 2, оставалась липкой после отверждения, что приводило к тому, что указанные шаблонные пленки прилипали друг над другом при хранении, а также к неудовлетворительным характеристикам отделения от покрытия (С2), составляющим 0% непосредственно, и через 1 день после отверждения. В отличие от этого, при применении исследуемой шаблонной пленки А, достигалась успешность воспроизведения при отделении, составляющая 100% или примерно 100% (97%), независимо от времени, прошедшего между получением шаблонной пленки и нанесением композиции (С2а) для нанесения покрытия, или времени, прошедшего после тиснения и отверждения композиции (С2а) для нанесения покрытия, нанесенной на шаблонную пленку (S1C1). Другими словами, применение шаблонной пленки А обеспечивает очень высокую успешность воспроизведения (как показатель характеристики отделения) независимо от времени хранения шаблонной пленки как таковой, позволяя даже хранить или транспортировать комплект слоя (S1C1C2), состоящий из шаблонной пленки (S1C1) и покрытия (С2). Следовательно, шаблонная пленка А позволяет, по сравнению с шаблонной пленкой Б, непосредственно наносить композицию (С2а) для нанесения покрытия на шаблонную пленку, наносить ее после нескольких дней или даже наносить композицию (С2а) для нанесения покрытия и хранить ее вместе с шаблонной пленкой (S1С1) до отделения покрытия (С2) от шаблонной пленки (S1C1), что обеспечивает защиту отпечатанных структур композитного материала (S1C1), чистое отделение от композитного материала (S1С1) без остатков, улучшая таким образом возможность повторного применения композитного материала (S1С1) в качестве клише для тиснения, позволяя получать тисненное покрытие (С2) в виде отдельной пленки. Подобное относится к 9-дневным шаблонным пленкам Ж - П, полученным из композиций (С1а-1) - (С1а-8), и (С1а-10) для нанесения покрытия, которые показывают характеристики отделения покрытия (С2) непосредственно и через 1 день после отверждения, составляющие 100%.

2.5.2 Заполнение клише

Качество заполнения клише композицией (С2а) для нанесения покрытия в шаблонных пленках А и Б (Фиг. 3), применяемых в качестве клише для тиснения, определяли, как описано выше, посредством визуального осмотра и сравнения изображений РЭМ треугольных элементов, перенесенных на композицию (С2а) для нанесения покрытия посредством тиснения, при этом идентичную композицию (С2а) для нанесения покрытия наносили через 11 дней после получения шаблонной фольги А или В, соответственно, и отделение осуществляли непосредственно после отверждения (Фиг. 4). В данном случае, сравнение изображений РЭМ тисненного и отвержденного покрытия (С2) после отделения от шаблонной пленки А и Б также показывает полный и сопоставимый перенос структур с шаблонных пленок А и Б на композицию (С2а) для нанесения покрытия, в том числе острые детали, такие как края и треугольные элементы. На Фиг. 4, покрытие (С2), полученное после отделения от шаблонной пленки А в соответствии с изобретением, обозначается как покрытие С2-1. Соответственно, покрытие (С2), полученное после отделения от шаблонной пленки Б, обозначается как покрытие С2-2. Следовательно, введение больших количеств силикон(мет)акрилатных олигомеров в композицию (С1а) для нанесения покрытия в соответствии с изобретением не приводило к получению каких-либо потерь качества заполнения клише или уменьшения заполнения клише, как можно было ожидать из-за различных поверхностных энергий композиций (С1-5) и (С1-9) для нанесения покрытия, по сравнению с поверхностным натяжением композиции (С2а) для нанесения покрытия. Следовательно, наблюдали полный и сопоставимый перенос позитивных элементов шаблонных пленок А и Б, содержащих композиции (С1а-5) и (С1а-9) для нанесения покрытия.

Группа изобретений относится к способу переноса тисненой структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) в качестве клише для тиснения. Способ переноса тисненой структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) включает стадии (1) обеспечения композитного материала (S1C1), (2-I) нанесение композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2) с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a), (3-I) по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a) с применением композитного материала (S1C1), (4) по меньшей мере частичное отверждение тисненой композиции (С2а) для нанесения покрытия. Причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую (а) 1 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера, (б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя, (в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора и (г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки. Причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе, из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера. Группа изобретений также относится к композитному материалу (S1C1) и применению этого материала в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для переноса тисненой структуры на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия. Группа изобретений обеспечивает улучшение точности формования по всей ширине клише для тиснения. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 5 табл., 4 ил.

1. Способ переноса тисненой структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1), причем указанный способ включает по меньшей мере стадии (1), (2-I) и (3-I) или (2-II) и (3-II), а также по меньшей мере стадию (4) и необязательно стадию (5-I) или (5-II), а именно:

(1) обеспечение композитного материала (S1C1), состоящего из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1); и

(2-I) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S2) с тем, чтобы получить композитный материал (S2C2a);

(3-I) по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия композитного материала (S2C2a) с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2aS2);

или

(2-II) нанесение по меньшей мере одной композиции (С2а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть по меньшей мере частично тисненной и по меньшей мере частично отвержденной поверхности композитного материала (S1C1) и по меньшей мере частичное тиснение композиции (С2а) для нанесения покрытия с применением композитного материала (S1C1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2a);

(3-II) необязательно нанесение подложки (S2) по меньшей мере на часть поверхности, образованной композицией (С2а) для нанесения покрытия, композитного материала (S1C1C2a), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2aS2); и

(4) по меньшей мере частичное отверждение по меньшей мере частично тисненной композиции (С2а) для нанесения покрытия, необязательно нанесенной на подложку (S2), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте с композитным материалом (S1C1), с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1C2) или (S1C1C2S2); и

(5-I) необязательно удаление композитного материала (C2S2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2S2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

или

(5-II) необязательно удаление покрытия (С2), располагающегося в композитном материале (S1C1C2), с композитного материала (S1C1) для восстановления композитного материала (S1C1), полученного на стадии (1);

причем композиция (С1а) для нанесения покрытия, которую применяют для получения по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1) композитного материала (S1C1), применяемого на стадии (1) и восстановленного на стадии (5-I) или на стадии (5-II), представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую:

(а) 1 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в) и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

2. Способ по п. 1, причем отверждаемая под действием излучения композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит 50 - 95% по массе, или 50 - 85% по массе, или 50 - 83% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

3. Способ по п. 1 или 2, причем тисненая структура, подлежащая переносу, представляет собой микроструктуру и/или наноструктуру, предпочтительно имеющую ширину структуры в диапазоне от 10 нм до 500 мкм, более предпочтительно в диапазоне от 25 нм до 400 мкм, очень предпочтительно в диапазоне от 50 нм до 250 мкм, в частности в диапазоне от 100 нм до 100 мкм, и предпочтительно высоту структуры в диапазоне от 10 нм до 500 мкм, более предпочтительно в диапазоне от 25 нм до 400 мкм, очень предпочтительно в диапазоне от 50 нм до 300 мкм, в частности в диапазоне от 100 нм до 200 мкм.

4. Способ по одному из пп. 1-3, причем на другую поверхность подложки (S2), не предназначенную для покрытия композицией (С2а) для нанесения покрытия, наносят по меньшей мере одно клеящее вещество.

5. Способ по одному из пп. 1-4, причем удаление с композитного материала (S1C1) включает следующие стадии:

(5-I-а) нанесение по меньшей мере одного клейкого слоя (AL) на поверхность подложки (S2), не находящейся в контакте по меньшей мере с частично тисненным покрытием (С2), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2S2AL);

(5-I-б) необязательно, по меньшей мере частичное, прикрепление композитного материала (S1C1C2S2AL) к изделию (O1);

(5-I-в) удаление, предпочтительно отслоение, композитного материала (S1C1) от композитного материала (C2S2AL), необязательно, по меньшей мере частично, прикрепленного к изделию (O1), или наоборот;

или

(5-II-а) нанесение по меньшей мере одного клейкого слоя (AL) по меньшей мере на часть неструктурированной поверхности по меньшей мере частично тисненного покрытия (С2), в результате чего получают композитный материал (S1C1C2AL);

(5-II-б) необязательно, по меньшей мере частичное, прикрепление композитного материала (S1C1C2AL) к изделию (O1);

(5-II-в) удаление, предпочтительно отслоение, композитного материала (S1C1) от композитного материала (C2S2AL), необязательно, по меньшей мере частично, прикрепленного к изделию (O1), или наоборот.

6. Способ по одному из пп. 1-5, причем композитный материал (S1C1), полученный на стадии (1), применяют в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения с тем, чтобы переносить тисненую структуру покрытия (С1) в качестве тисненой структуры на композицию (С2а) для нанесения покрытия на стадии (3-I) и на стадиях (2-II) и (3-II),

причем зеркальное отображение структурированной поверхности покрытия (С1) композитного материала (S1C1), который применяют в качестве клише (е2) для тиснения, наносится тиснением на поверхность по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С2), необязательно нанесенного на подложку (S2).

7. Способ по одному из пп. 1-6, причем подложка (S1) представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки или непрерывный рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки, и/или подложка (S2) представляет собой рулон пленки, предпочтительно движущийся рулон пленки, более предпочтительно непрерывно движущийся рулон пленки.

8. Способ по одному из пп. 1-7, причем композитный материал (S1C1), который применяют на стадии (3-I) и на стадиях (2-II) и (3-II), может применяться многоразово и может применяться повторно для переноса по меньшей мере одной тисненой структуры при проведении стадии (5-I) или (5-II) способа.

9. Способ по одному из пп. 1-8, причем композитный материал (S1C1), обеспечиваемый на стадии (1), по меньшей мере можно получить посредством:

(6) нанесения отверждаемой под действием излучения композиции (С1а) для нанесения покрытия по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1) с тем, чтобы получить композитный материал (S1C1a);

(7) по меньшей мере частичного тиснения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на поверхность подложки (S1), с помощью по меньшей мере одного приспособления (Е1) для тиснения, содержащего по меньшей мере одно клише (e1) для тиснения;

(8) по меньшей мере частичного отверждения по меньшей мере частично тисненной композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной, по меньшей мере частично, на подложку (S1), которая на протяжении всего времени по меньшей мере частичного отверждения находится в контакте по меньшей мере с одним клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения;

(9) удаления композитного материала (S1C1) из клише (e1) для тиснения приспособления (Е1) для тиснения с тем, чтобы получить по меньшей мере частично тисненный и по меньшей мере частично отвержденный композитный материал (S1C1), или наоборот.

10. Способ по одному из пп. 1-9, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера, предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, более предпочтительно ровно одного силикон(мет)акрилатного олигомера, содержащего в среднем 2-3 ненасыщенные группы.

11. Способ по одному из пп. 1-10, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит, в качестве реактивного разбавителя, способные к свободно-радикальной полимеризации мономеры, предпочтительно этиленненасыщенные мономеры, более предпочтительно многофункциональные этиленненасыщенные мономеры.

12. Способ по одному из пп. 1-11, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит по меньшей мере один реактивный разбавитель, выбранный из гександиолдиакрилата и соединений, содержащих по меньшей мере два, предпочтительно по меньшей мере 3, более предпочтительно 3 структурных звена, которые могут отличаться друг от друга или быть, по меньшей мере частично, одинаковыми, общей формулы (I)

в которой радикалы R¹, независимо друг от друга, представляют собой С₂-С₈ алкиленовые группы, очень предпочтительно С₂ алкиленовые группы,

радикалы R²; независимо друг от друга, представляют собой Н или метил и переменные m, независимо друг от друга, представляют собой целое число в диапазоне от 1 до 15, очень предпочтительно от 1 до 4 или 2 - 4, но при условии, что по меньшей мере в одном из структурных звеньев формулы (I) переменная m составляет по меньшей мере 2, предпочтительно ровно 2.

13. Способ по одному из пп. 1-11, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит общее количество, составляющее 40 - 95% по массе, предпочтительно 50 - 85% по массе, более предпочтительно 55 - 83% по массе из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия по меньшей мере одного реактивного разбавителя, предпочтительно гександиолдиакрилата и/или (мет)акрилатов, полученных из 6-кратно этоксилированного триметилолпропана.

14. Способ по одному из пп. 1-13, причем фотоинициатор, содержащийся в композиции (С1а) для нанесения покрытия, выбирают из дифенил(2,4,6-триметилбензоил)фосфиноксида, этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфината, фенилбис(2,4,6-триметилбензоил)-фосфиноксида, бензофенона, 1-бензоилциклогексан-1-ола, 2-гидрокси-2,2-диметилацетофенона и 2,2-диметокси-2-фенилацетофенона и их смесей.

15. Композитный материал (S1C1), применяемый в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения для переноса тисненой структуры, состоящий из подложки (S1) и по меньшей мере частично тисненного и по меньшей мере частично отвержденного покрытия (С1), причем покрытие (С1) можно получить посредством по меньшей мере частичного отверждения композиции (С1а) для нанесения покрытия, нанесенной по меньшей мере на часть поверхности подложки (S1), и по меньшей мере частичного тиснения в результате отверждения излучением, причем композиция (С1а) для нанесения покрытия представляет собой отверждаемую под действием излучения композицию для нанесения покрытия, содержащую:

(а) 1 - 45% по массе по меньшей мере одного способного к сшиванию полимера и/или олигомера,

(б) 40 - 95% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя,

(в) 0,01 - 15% по массе по меньшей мере одного фотоинициатора и

(г) 0 - 5% по массе по меньшей мере одной добавки;

причем (I) указанные общие количества каждого из компонентов (а), (б), (в) и (г) основаны на общей массе композиции (С1а) для нанесения покрытия и (II) общие количества всех компонентов, присутствующих в композиции (С1а) для нанесения покрытия, составляют 100% по массе;

причем по меньшей мере один способный к сшиванию полимер и/или олигомер (а) содержит общее количество, составляющее по меньшей мере 25% по массе, предпочтительно по меньшей мере 50% по массе, более предпочтительно по меньшей мере 90% по массе, очень предпочтительно 100% по массе из расчета общей массы всего способного к сшиванию полимера и/или олигомера, содержащегося в композиции (С1а) для нанесения покрытия, по меньшей мере одного силикон(мет)акрилатного олигомера.

16. Композитный материал (S1C1) по п. 15, причем отверждаемая под действием излучения композиция (С1а) для нанесения покрытия содержит 50 - 95% по массе, или 50 - 85% по массе, или 50 - 83% по массе по меньшей мере одного реактивного разбавителя из расчета общей массы композиции (С1а) для нанесения покрытия.

17. Композитный материал (S1C1) по п. 15 или 16, причем композитный материал (S1C1) можно получить посредством осуществления стадий (6) - (9) способа, описанных в п. 9.

18. Применение композитного материала (S1C1) по одному из пп. 15, 16 или 17 в качестве клише (е2) для тиснения приспособления (Е2) для тиснения для переноса тисненой структуры по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия или по меньшей мере на часть поверхности композиции (С2а) для нанесения покрытия, которая по меньшей мере частично нанесена на подложку (S2).