Способ изготовления высоковольтных селеновых выпрямительных элементов Советский патент 1955 года по МПК H01B7/08 C01B17/00 

Обычная тс.1(). ог11я изготовления селеновых выпрямительных элементов включает операцию пх осерпения после вто)юи крпсталл11;)ацпи. Основная масса элементов, которые ироизво1дятся по этому способу, допускает об1)агноб напряженно в среднем 18 в. Сам способ является достаточнг) сложным и дорогим.

Препятствием к получен1ию селеновых выпрямнтельных элементов, рассчитанных на работу яа болев высоких нанряженнях, является несовершенный контакт между иоверхностыо н противоэлектродом.

С целью улучшения электрических параметров атих элементов, достигаемого иутем повышения качества указанного контакта, предлагается обрабатывать се- леновые элеме: 1ты до намерения противоэлектрода электрическим током -на катоде в органичегком электролите.

Под деГктпием элсктрнческог о тока, ПРОХОДЯИ1СГО от погруженного в ограннuecKiiii эл1м;т)1олит (например, этиловыИ снирт) плюминиевого диска, служащего анодом, к обрабатываемому элементу, являюшемуся катодом, электролит разлагается с выделением на поверхности селена атомарного водорода. Последний реагирует с селеном с образованием селенистого водорода. Селенистый водород, являясь газообразным веществом, удаляется с поверхности селеиа, химический же состав селена, оставшегося «а элементе после обработки, ничем не отличается от

химического состава селена, имевшегося на элементе до обработКИ.

Селелистый водород образуется, глав-ным образом, в тех местах поверхиости се-тена, где илотность тока больше, т. е. на выпуклостях этой поверхности. Интенсивноо образоваиие селенистого водорода в местах, соответствующих выиукло :тям поверхности селена, способствует сглаживанию этой поверхности. В слабых в механическом отношении N ecTax поверхности селена селенистый водород, получающ|ИЙся в ироцессе ирохождения тока, вызывает раздробление поверхности селена, что делает ео более активной д.тя реакции с кадмием протиг оэл 1;трод:1.

Указанные изменения иоверхностя селена способствуют обра; ованию в процозсо формовки более совершенного слоя селеннда кадмия на граяице се,1ена и верхнего иротивоэлектрода, чем это имгет место в элементах серийного нроилвидства.

. Так как слон электронного полупроводника CdSe играет существенную н)ль и процессе выпрямления, то результатом его улучшения является повышение обратных нанряжени селеновых элементов с 18 до 30 в. эффективных, с сохранением 1грямых падений напряжение в интервале 0,4-0,5 п. среднего значения.

В качестве электролита могут быть непользованы раз.жчные органические растворители. Так, например, б-тагоириятные результаты по прямым и обратным

л 10ЛОГ)- 2-

х;п)пкто1)1к-гик;1М щет 111)имснснир ка-ялрм№та нутом спадании болоп, гпворшгНчестие тк-ктрплита 0,0002о/о-нпгп ацг-кого к.жтакта можду imu-i.XHuCThM cricТОН01ШП) i)acTi Oii;i бромистого кадмия.ла и прптинп.члсктродпм, сглснпиыи .м П род мет нзооретенпярабатываю злс-ктричсскпм током на каСпособ изготовления высоковольтныхтодс в органическом электролите с тгм,

селеновых выпрямительных элементов,чтобы иолучаю1ци1 1ся в Hpt n-jcc-s прохожотл и чающийся тем, что, с цельюдения тока селенистый водород спссобулучшония электричесКЛХ параметровствовал сглаживанию поверхности селена.

мент до наиссснпя противпэлсма-рпяа nd