Устройство для тепловой защиты штыревых полупроводниковых вентилей Советский патент 1983 года по МПК H02M1/18 

1C Isd N

Од О) Изобретение относится к электротехнике и может быть применено в устройствах тепловой защиты и контро ля полупроводниковых вентилей. Известно устройство для контроля температуры структуры силового полупроводникового вентиля, содержащее Iтепловой датчик и тепловой аналог вентиля ij . Недостатком известного устройства является низкая надежность, обусловленная значительной сложностью. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату Является устройство для тепловой защиты штыревых полупроводниковых .вентилей, включенных последовательно, содержащее первый термодатчик, установленный в корпусе полу проводникового вентиля, второй термо датчик, пороговый элемент, входами подключенный к выходам первого и вто рого термодатчиков, а выходом - к исполнительному блоку z . Недостатком известного устройства является низкая надежность, обусловленная тем, что первый и второй термодатчики установлены на катоде и аноде вентиля, между которыми существует большая разность потенциало Требуется защита низковольтных входов порогового элемента от воздейств этой разности потенциалов, в результате снижается точность контроля дат чиками температуры, а следовательно, и надежность защиты. Цепь изобретения - повышение надежности тепловой защиты полупроводниковых вентилей, соединенных последовательно. Поставленная цель достигается тем что в устройстве для тепловой защиты штыревых полупроводниковых вентилеи. 66J включенных последовательно, содержащем первый термодатчик, установленный в корпусе первого полупроводникового вентиля, второй термодатчик, пороговый элемент, входами подключенный к выходам первого и второго термодатчиков, а выходом - к исполнительному блоку, второй термодат.чик установлен в основании гибкого вывода второго полупроводникового вентиля, подключенного к корпусу первого полупроводникового вентиля. На чертеже представлена сх(гма устройства для тепловой защиты штыревых полупроводниковых вентилей. | Устройство содержит первый термодатчик 1, установленный в корпусе первого полупроводникового вентиля 2, второй термодатчик 3, установленный в основании гибкого вывода второго полупроводникового вентиля i, подключенного к корпусу первого полупроводникового вентиля, пороговый элемент 5, входами подключенный к выходам первого и второго термодатчиков, а выходом - к исполнительному блоку 6. Устройство работает следующим образом. При увеличении температуры любой из контролируемых точек порогового значения срабатывает пороговый элемент 5 и выдает сигнал на исполнительный орган 6, осуществляющий устранение причин, вызвавших увеличение температуры полупроводникового вентиля выше допустимой величины. Применение предлагаемого устройства позволяет повысить надежность тепловой защиты полупроводниковых вентилей путем исключения попадания высокого потенциала на низковольтные входы порогового элемента.

шиш

Н

I г т

jiAJuimiJ