Импульсный источник тока Советский патент 1983 года по МПК H03K17/416 

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в схемах управления полупроводниковых устройств памяти большой информационной емкости.

Известен импульсный источник ток содержащийпервый резистор, один вывод которого соединен с управляющим входом, а другой - с базой первого транзистора и анодом первого диода, коллектор первого транзистора соединен с общей шиной источника питания и одним выводом второго резистора, другой вывод которого соединен с катодом первого диода и коллектором второго транзистора, база которого соединена с базами выходных транзисторов, коллекторы которых являются выходами, -эмиттером первого транзистора и одним выводом третьего резистора, второй вывод которого подключен к аноду второго диода, катод которого соединен с отрицательной шиной источника питания, к которой через соответствующие токозадающие резисторы подключены эмиттеры второго и выходных транзисторов ClDК недостаткам данного импульсного источника тока следует отнести нелинейность обратной связи, что может служить причиной возникновения генерации, и низкую эффектив- ность из-за наличия дополнительных цепей, потребляющих ток и рассеивающих дополнительную мощность.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является импульсный источник -тока, содержа-щий резистор, один, вывод которого соединен с управляющим входом, а другой - с базой и коллектором ограничивающего транзистора и базами одного или нескольких выходных транзисторов, коллекторы которых являются выходами, а эмиттеры соединены с эмиттером ограничивающего транзистора и общей шиной источника питания .

Недостатком известного источника является низкое быстродействие.

Цель изобретения - увеличение быстродействия импульсного источника тока.

Поставленная цель достигается тем, что в импульсный источник тока содержащий резистор, один вывод которого соединен с управляющим входом, один или несколько выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к выходам, а эмиттеры соединены с общей шиной и эмиттером ограничивающего транзистора, введены три диода и ускоряющий транзистор, коллектор которого соединен с управляющим входом, база - с като;дом первого диода,анод которого соединен с источником опорного напряжения, эмиттер - с базами выходных транзисторов и катодом второго диода, анод которого соединен с вторым выводом резистора и анодом третьего диода, катод которого соединен с базой и коллектором ограничивающего транзистора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого источника тока.

Импульсный источник тока содержит резистор 1, один вывод которого соединен с коллектором ускоряющего транзистора 2 и управляющим входом 3, а другой - с анодами второго 4 и третьего 5 диодов, катоД второго диода 4 соединен с эмиттером ускоряющего транзистора 2 и базами одного или нескольких выходных транзисторов б, коллекторы которых поключены к выходам 7, а эмиттеры соединены с общей шиной 8 и эмиттером Ограничивающего транзистора 9, база и кол лектор которого соединены с катодом третьего диода 5, база ускоряющего транзистора 2 соединена с катодом первого диода 10, анод которого соединен с источником опорного напряжения.

Импульсный источник работает следуквдим образом.

Величина опорного напряжения, подаваемого на анод первого диода 10, выбирается таким образом, чтобы в статическом режиме как при низком, так и при высоком логкчэском уровне сигнала на управлят- -.сил входе 3 ускорякхций транзистор 2 и первый диод 10 были 3 акрыты.

Если На управляющий вход 3 поступ ет сигнал низкого логического уровня U0y , то через резистор 1, второй 4 и третий 5 диоды и выходной б и ограничивакяций 9 транзисторы протекает ток на 1-2порядка меньший, чем импульсный рабочий ток.

Для включения тока на управляющий вход 3 подается сигнал сокого логического уровня U9x UBX «Через резистор 1 протекает ток

ивх -2U6«). R .

где Ода - падение напряжения на открытом р-п-переходе, R - величина сопротивления резистора 1,

а ток каждого из выходов 7 определяется по формуле

UN

ВЫХ

В ij нормс1льный коэффициент усиления тока выходных транзисторов б в схеме с общим эмиттером; К - число выходных транзисторов.

На положительном фронте импульса -U происходит перезаряд барьерной емкости Cgjj обратносмещенного коллекторного перехода ускоряющего транзистора 2. Бели в выключенном состоянии емкость С . была заряжена до напряжения..

. 1 вх-П

где г - потенциал базы ускоряихцегр транзистора 2 в выключенном состоянии,

то во .включенном состоянии

1 ИВУ -.2%9Л Ц.

При перезаряде с через емкЛгть Cg, протекает ток

, ly«i.:yq)::JlfiK, t 1ф

где 1ф-- длительность положительного фронта импульса силу того, что первый диод 10 закрыт, весь этот ток втекает в базу ускоряющего транзистора 2 и открывает его.

к появлению дополнительчто приводит ного тока

IB - 1Вм+ 11 1о

втекаквдего в базы выходных транзисторов б. При этом сокращается время включения выходных транзисторов 6 и появляется дополнительный импульс тока выходов 7 ;

I . {jBMti-Ajl.. Aon-W- l вых

0

на положительном фронте импульса К . что позволяет сократить время включения соединенной с выходами 7 нагрузки..

Для выключения импульсного источни5ка тока на вход 3 подается сигнал низкого логического уровня.

Введение в источник тока 5 скоряющего транзистора с тремя диодами позволяет улучшить быстродействие

0 в 2-3 раза без потребления дополни тельной м хцности в статическом режиме.

ИШУЛЬСНЫЙ ЧСТОЧНИК ТОКА,. содержаогий iJesHcfop, один вывод которого соединен с управляющим вхрдом, один или несколько выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к выходам, а эмиттеры соединены с общей шиной и эмиттером ограничивакяцего транзистора, от л и-ч аю щ и и с я тем) что, с целью увеличения быстродействия, в него введены три диода и ускоряющий Tpian3HCтор, коллектор которого соединен с управлякацим входом, база - с катодом первого диода, анод которого соеди-. йен с источником опорного напряжения, эмиттер - с базами выходных транзисторов и катодом второго диода, анод которого соединен с вторым выводом резистора и анодом третьего диода, катод которого соединен с базой и коллектором ограничивающего тран(О зистора.