Соединительная структура для сборки полупроводниковых приборов Советский патент 1983 года по МПК H05K1/00 H01L23/48 

Описание патента на изобретение SU1053336A1

Рабочая

Технв огичесмчгя зона ,zotta

сд

00 00 00

о:

Линия вырубки Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к констру киям полупроводниковых приборов с выводными рамками. Известна конструкция соединител ной структуры для сборки полупровод никовых приборов, содержащая в рабочей зоне компенсирующие элементы размещенные на выводах рамки ij . Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является конструкция соединительной структур для сборки полупроводниковых приборов, содержащая диэлектрическую подложку е размещенной на ней систе мой токопроводящих выводов, одни ко гда которых соединены с контактными площадками полупроводникового прибо ра, а другие - с контактными площадками корпуса 2 .. Недостатком известных конструкци является низкая надёжность в связи с отсутствием в рабочей зоне структуры, компенсирующих элементов, соединяющих выводы рамки. Целью изобретения является повышение надежности приборов. Указанная цель достигается тем, чтс5 соединительная структура для сборки полупроводниковых приборов, содержащая диэлектрическую подложку с размещенными на ней токопроводящи : ми выводами, одни концы которых .предназначены для соединения с контактньми площадками корпуса, а другие - с контактными площадками полу проводникового прибора, снабжена компенсирующими элементами, соединякицими выводы и выполненными из материала подложки. Компенсирующие элементы, располо женные в рабочей зоне выводов, необходимы как при монтаже интеграл ных схем (ИС), так и в процессе ее работы, так как они играют роль механических, тепловых компенсаторо м придают выводам большую эластичность. Характерной чертой соединительно структуры является также и то, что диэлектрические компенсирующие элементы выполнены из материала подлож ки в едином технологическом цикле изготовления системы выводов. Форма диэлектрических компенсирующих элементов,расположенных в рабочей зоне может быть в виде любой геометрической фигуры, например колец, полых тонкостенных ромбов, прямоугольников. На чертеже представлена конструк ция соединительной структуры; Соединительная структура состоит из двух зон: рабочей и технологической. Соединительная структура содержит диэлектрическую подложку 1 с токопроводящими выводами 2 {выводь находящиеся в технологической зоне, в работе готового прибора не участвуют и после монтажа кристалла к корпусу технологическая зона удаляется) . „ Выводы, находящиеся в рабочей зоне, состоят из внутренних концов 3, которые присоединяются к контактным площадкам 4 полупроводникового прибора 5, и внешних концов 6, которые присоединяются к контактным площадкам 7 корпуса или платы. Между внутpeнни ш и внешними концами выводов, образующих рабочую зону, располагаются компенсирукнцие элементы 8 в виде колец различной формы, предохраняющие выводы от различных механических и тепловых воздействий как при монтаже ИС, так и в процессе ее работы. Учитывая то, что выводы и компенсирующие элементы, изготовленные из алюминия толщиной 30 мкм, в процессе /монтажа, или работы ИС.изгибаются, они скреплены компёнсир1ющими элементами 9 в виде колец, изготовленных из материала подложки в одном технологическом цикле, для обеспечения единой плоскопараллельной системы выводов. Придание плоскопараллельности соединительной структуре необходимо для повышения надежности прибора, так как компенсирующие элементы, расположенные в рабочей зоне вывода, изгибаясь в процессе монтажа ИС и ее работы, электрически замыкают близколежсццие токопроводящие элементы. Предлагаемую соединительную структуру изготавливают из лакофольгового материала марки ФДИ-АП50, представляющего собой двухслойный материал, где первый слой - алюминий толщиной 30 MICM, используемый в качестве токопроводящего слоя, второй слой - полиимид толщиной 20 мкм, используемый в качестве диэлектрического слоя. Топологический рисунок на алюмиии и полиимиде получают методом отолитографии с последующим химиеским фрезерованием. Построение топологического рисуна подается таким образом, чтобы нутренние концы выводов совпадали контактными площадками прибора, внешние концы - с контактными лощадками корпуса. В местах кон1;акирования выводов и других необходиых технологических зонах в полиимие вскрывают окна. Таким образом, данное изобретение озволяет повысить производительость труда на сборочных операциях

310533364

на 30%; механизировать и автомати- на 20%; повысить надежность ИС в раэировать процесс сборки ИС; увеличить боте при различных климатических I выход годных на сборочных операциях воздействиях более, чем в 2 раза.

Похожие патенты SU1053336A1

название год авторы номер документа
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА 2011
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Манченко Любовь Викторовна
  • Добровольская Наталья Михайловна
  • Моргунов Виктор Григорьевич
RU2478240C1
ДВУСТОРОННИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР 1998
RU2190284C2
НОСИТЕЛЬ КРИСТАЛЛА ИС 1998
  • Таран А.И.
  • Любимов В.К.
RU2134466C1
КОНТАКТНЫЙ УЗЕЛ НА ВСТРЕЧНЫХ КОНТАКТАХ С КАПИЛЛЯРНЫМ СОЕДИНИТЕЛЬНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2008
  • Таран Александр Иванович
  • Белов Андрей Александрович
RU2374793C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА 2009
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Молдованов Юрий Исаевич
  • Коцюба Александр Михайлович
RU2417480C1
БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ЕЕ ВАРИАНТЫ) 1991
  • Баринов Константин Иванович
  • Власов Владимир Евгеньевич
  • Володина Татьяна Сергеевна
  • Горбунов Юрий Иванович
  • Масляный Анатолий Демьянович
RU2006991C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО МНОГОКРИСТАЛЬНОГО МИКРОМОДУЛЯ 2005
  • Блинов Геннадий Андреевич
  • Грушевский Александр Михайлович
  • Егоров Константин Владиленович
RU2299497C2
КАРТА СО ВСТРОЕННЫМ КРИСТАЛЛОМ ИС И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КРИСТАЛЛ ИС ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В КАРТЕ 1997
  • Хубер Михель
  • Штампка Петер
  • Удо Детлеф
RU2190879C2
СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАТИНОВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В СИСТЕМЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2019
  • Рогозин Никита Владимирович
  • Побединский Виталий Владимирович
RU2717264C1
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ 2020
  • Непочатов Юрий Кондратьевич
RU2803110C2

Реферат патента 1983 года Соединительная структура для сборки полупроводниковых приборов

СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку с размещенными на ней токопроводящи ми выводами, одни концы которых предназначены для соединения с кон- тактными площадками корпуса, а другие - с контактными площадками полупроводникового прибора, отличающаяся т&л, что, с целью повышения надежности приборов, она снабжена компенсирующими элементами, . соединяющими выводы и выполненными из материала подложки.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1983 года SU1053336A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Патент США 3947867, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
СРЕДСТВО, УЛУЧШАЮЩЕЕ ФИЗИОЛОГИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ КЛЕТОК КОЖИ 2005
  • Онищенко Галина Евгеньевна
  • Корнеева Римма Валерьевна
  • Крючкова Марина Михайловна
  • Кисурина-Евгеньева Ольга Петровна
  • Сысоева Вероника Юрьевна
RU2299724C1
Видоизменение прибора для получения стереоскопических впечатлений от двух изображений различного масштаба 1919
  • Кауфман А.К.
SU54A1

SU 1 053 336 A1

Авторы

Березин Борис Валентинович

Тучинский Игорь Амброзович

Шеревеня Андрей Григорьевич

Даты

1983-11-07Публикация

1982-04-05Подача