Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации Советский патент 1988 года по МПК G03G5/04 

(21)4100212/31-12

(22)29.07,86

(46) 23.08.88. Бюл. № 31

(71)Харьковский политехнический институт им. В.И.Ленина н Харьковский государственньм университет им. А.М.Горького

(72)Е.А.Лупашко, В.В.Муссил и А.П.Овчаренко

(53)772.93(088.8)

(56)Регистрирующие среды для голографии. /Под ред. Н.И.Брачевского

и Н.И.Кириллона о - Л.: Наука, 1975, с. 143-147.

(54)ФОТОНОСИТЕЛЬ ДЛЯ ОДНОСТУПЕНЧАТОЙ , ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЕ ИНФОРМАЦИИ

(57)Изобретение относится к фотоносителям для одноступенчатой записи информации и позволяет повысить качество фотоносителя путем увеличения его чувствительности и контрастности. Для этого в фотоносителе мелсду металлическим слоем 2 и фоточувствитель- ным слоем 4 расположена диэлектрическая прокладка 3, состоящая из одного или нескольких диэлектрических слоев. Фоточувствительньш слой 4 выполнен из халькогенидного стеклообразного полупроводника. Г огослойное отражающее покрытие 5 фотоносителя и диэлектрическая прокладка 3 удовлетворяют условию R 1-ijn, где R - коэффи- диент оптического отражения на границах фоточувствительного слоя; йп - фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника на длине волны считывающего излучения. 4 ил.

(О

OG О5

- -5 -2

J

Изобретение относится к регистриующим материалам, содержапщм полуроводниковый слой, для одноступенатой фотографии и может быть исноль- зовано в устройствах записи - считывания оптической информации, голограии и др. ,

Целью изобретения является повыение качества путем увеличения Ю его чувствительности и контрастности,

На фиг. 1 схематически изображена конструкция предлагаемого фоточувствительного материала; на фиг, 2 - расчетная зависимость фЬтоиндуциро- i.5 ванного изменения коэффициента отражения RC на длине волны считывающего излучения Л с Р различных значениях коэффициентов отражения R на границах фоточувствительного слоя (Лп IQ равно 0,1); на фиг, 3 - спектр оптического отражения; на фиг. 4 - зави- симость контраста фотозаписи от времени экспозиции.

25

Фотоноситель имеет подложку 1, металлический электронагревательный слой 2, диэлектрическую прокладку З,, состоящую из одного или нескольких диэлектрических слоев. Прокладка 3 30 расположена между металлическим слоем 2 и фоточувствительным слоем 4 из халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП)« Фотоноситель имеет также многослойное, отражающее 35 .покрытие 5 из чередующихся диэлектрических слоев с большим и меньшим по- казателями преломления на длине волны считывающего информационного излучения. Диэлектрическая прокладка 3 40 и многослойное покрытие 5 удовлетворяют условию

R, 1-4П,

где R - коэффициент оптического отражения на границах фоточувст- 45 вительного слоя;

Лп - фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника на 0 длине волны считывающего излучения.

При выводе соотношения учитывают необходимость фотоиндуцированного смещения полосы отражения на расстоя-гс ние, превышающее ее полуширину. Верхний предел R ограничивают реально достижимыми значениям Ч а 0,995, обусловленными потерями „вета в слоях.

Значение 3п для выбранной длины волны считывающего излучения находят из изменений спектров оптического пропускания пленки ХСП и по известному йп выбирают структуру слоев 3 и 4.

Пример. Фотоноситель содержит стеклянную подложку из стекла К8, не- црозрачный слой алюминия, слой криолита, слой сульфида мьшьяка и щесть чередующихся слоев -из криолита и сернист ого цинка. Слои приготавливают термическим напылением в вакууме 510 Па, при этом осуществляют фотометрический контроль коэффициента отражения на длине волныД 0 725 мкм из области прозрачности сульфида мьшьяка. На фиг. 3 (кривая ) представлен спектр отражения фотоносителя вблизи указанной длины волны (амплитуда полосы отражения ,825 ее полуширина 4Л 7,5 нм),

В результате воздействия на фотоноситель активного излучения лазера с ,44 мкм и интенсивностью 0,35 Вт/см полоса в спектре отражения смещается в длинноволновую область на 15 нм (фиг. 3, кривая 2), а коэффициент отражения на длине волны считывающего излучения (0,725 мкм возрастает (примерно в 10 раз), что соответствует позитивному контрасту изображения. При этом значение.показателя преломления увеличивается на 0,07.

На фиг. 4 (кривая 1) приведена зависимость из менения контраста фотозаписи, определенного из отношения

:т--, от времени облучения. Поскольку Кос

Дс расположена вдали от края фундаментального поглощения сульфида мышьяка, контраст изображения при считывании не разрушается. При нагреве фотоносителя до 160t10°C в течение 15 мин путем пропускания электротока через слой алюминия полоса в спектре отражения смещается в коротковолновую область и контраст фотозаписи исчезает. Б дальнейшем возможны циклы запись - стирание с высокой степенью реверсивности.

Для сравнения на фиг. 4 (кривая 2

RC

изображена зависимость „ от време ос

ни светового воздействия на пленку приготовленную на высокоотражающем алюминиевом слое без дополни3141

тельных диэлектрических слоев. Оптическую запись и считывание осуществляют светом с ,44 мкм.

Из фиг. 4 (кривая 1) видно, что при малых экспозициях и, следовательно, малых изменениях показателя преломления слоя полупроводника, несмотря на значительное увеличение чувствительности (примерно на порядок), значение контраста записи меньшей максимально достижимого для данного образца.

Формула изобретения

Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации, содержащий подложку, металлический электронагревательный слой и фоточувстви- тельный слой из халькогенидного стеклообразного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью повышения качества путем увеличения

-ОД -0.3 -0,2 -0,1 О Фиг.2

его чувствительности и контрастности, он дополнительно содержит диэлектрическую прокладку, состоящую из одного или нескольких диэлектрических слоев, при этом прокладка расположена между металлическим и фоточувствительным слоями, и многослойное отражающее покрытие из чередующихся диэлектрических слоев с большим и меньшим показателями преломления на длине волны считывающего информацию излучения, при этом диэлектрическая прокладка и многослойное покрытие удоветворяют условию R 1 -л п,

где R - коэффициент оптического отражения на границах фоточувствительного слоя;

ли - фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника на длине волны считывающего излучения.

100 725 7SO Л,ш Q

25§0 r.

Фиа.