Способ контроля выравнивания пленки Советский патент 1957 года по МПК G03B43/00 B65H23/00 G03B1/42 

Предмет изобретения - способ контроля выравнивания пленки по светотеням, образуемым при освещении исследуемой поверхности наклонным пучком лучей.

Особенностью предлагаемого способа является сопоставление ширины теневой полосы, полученной на исследуемой новерхности, с п:ирикой полосы эталона.

Эта особенность позволяет уп-, ростить определение величин неровностей па фотопленке.

Сущность описываемого способа заключается в следующем.

При косом освещении поверхности п;1енки под малым углом (порядка 3) распределение освещенности является закономерным только в случае плоской поверхности пленки. При плохом выравнивании обращенные к источнику света стороны выпуклости имеют ббльщую, а противоположные им-меньщую ocBenieiHiocTb по сравнению с окружаюпдим фоном. С помощью приспособления, освен ающего указан,чым способо.м пленку, в плоскости прикладной рамки аэрофотоаппарата обнаруживаются все неровности более 0,01 лш. При кратковременном освеп1ении неравномерность освещенности, вызванная плохим выравниванием, может быть зафиксирована непосредствеппо на п.чепке фотографическим путем. Величины этих неровностей определяются при помопш эталона. Эталоном является негатив, полученный на данном типе пленки с искусственно co3.aaiiЬ1ыми неровностями различной ве.чичины. Неровности создаются подкладыванием под пленку нитей соответствуюил,ей толищны. Экспонирование негатива осуществляется так/ке, как и при последующих испытаниях.

Приспособление для контроля выравнивания пленки схематически изобрал ено на чертеже.

На расстоянии примерно в i см от п.тоскости прикладной рамкн, в yj.iy камеры сделано отверстие, в которое вставляется электрическая лампочка /.

Для у.меньшения освепхенности кадра и рассеивания света нижняя часть отверстия закрывается пластинкой 2.

Включение лампочки для экспонирования пленки осуществляется выключателем ., расположенным снаружи на корпусе аэрофотоаппарата.

Предмет изобретения

Способ контроля выравнивания пленки по еветотеням, образуемым при освещении исследуемой иоверхности наклонным пучком лучей,

отличающийся тем, что, с целью упрощения определения величин неровностей, сопоставляет щирину теневой полосы, полученной на исследуемой поверхности, Q. ишриной полосы эталона.