Стекло Советский патент 1984 года по МПК C03C3/10 

:о з 1 Изобретение относится к технологии силикатов, к производству бариевого алюмоборосшгакатиого стекла, предназначенного для использования в мнкрозлектронике в качестве стеклосвязки толстопленочных резисторов с проводящей фазой на основе гексаборндов металлов. Известно стекле {1, включающее мас.%: ЪуО 37-57; A%0, 2-10; SiO 1-7; BaO 15-39; SrO 1-15; CaO 1-15. Недостатками данного стекла являются повьпиенная склонность к кристаллизаюш, сравнительно высокое электрическое сопротивление f. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретяшю является стекло 2, включающее, мас.%: SiO 5,0-7,0; 35,5-36,5; ,521,5; ВаО 30,0-32,0; ZrO 1,0-2,0; 4,0-5,0. Недостатком известного стекла является повьпиенное удельное электрическое сопротив

Таблица 1 6 ление , что не позволяет получить толсТопленоздью регистры с удельным электрическим сопротивлением от 10 Ом до 50 ком и TKC-t500- iOrfl/ fc. Цель изобретения - снижение удельного электрического сопротивления. Поставленная цель достигается тем, что стекло, включающее SiO, 820,, , ВаО, 2гОл , дополнительно содержит V-Ot П0И следующем соотношении компонентов, мас.%: ,5-14,0 83,0332,0-35,0 19,0-20,0 28,0-32,0 1,0-2,0 3,5-5,0 . 1 приведены конкретные составы стекол и их свойства. В табл. 2 приведены электрофизические характеристики боридных резисторов.

СТЕКЛО, включающее SiO, , . ВаО, ZrOj, отличающееся тем. что, с целью снижения удельного элект1 гческого сопротивления, оно дополнительно содержит V JD,. при следующем . соотнощении коктонентов, мас.%: 7,5-14,0 SiO2 32,0-35,0 А%0, 19,0-20,0 ВаО 28,0-32,0 1,0-2,0 ZrO 3,5-5,0 2°

ВаО

32,030,0

ZrO

2,0

3,5

Кристаллизационная способность, С

Температура размягчения, С

550

Коэффициент теплового расширения, ct- 10, t град

57il

28,0

30,0-32,0

2,0

1,0

1,0-2,0

5,0

4,5

Zn,,0-5,0

Не кристаллизуется

560

570

570-590

57+1

57+1

61,7-63,5