Полупрозрачный фотокатод Советский патент 1991 года по МПК H01J40/06 H01J1/34 

Изобретение относится к области электронной техники и может быть ис пользовано в быстродействующих фотоэлектронных умножителях электроннооптических преобразователей (ЭОП), работающих в видимой области спектра оптического изл учения.

Известен полупрозрачный фотокатод, содержащий стеклянную подложку, на поверхность которой нанесен проводя- щий слой, выполненный из двуокиси олова, и фотоэмисезонный слой

Сопротивление проводящего слоя А/ 50 Ом/Ц, но велики потери на поглощение света (до 50%). Кроме того, подложка чувствительна к воздействию щелочных металлов при формировании на ней фотоэмиссионного слоя. После формирования фотокатода на подложке из двуокиси олова ее сопротивление возрастает до 10 Ом/О.,

Наиболее близким техническим ре- щением к изобретению является полупрозрачный фотокатод, содержащий

с: стеклянную подложку, прозрачный проводящий слой из кермета на основе дисилицида хрома и боросиликатного стекла -и фотоэмиссионный слой. Преимуществом проводящей подложки из кермета является его инертность к щелочным металлам, высокая прозрач00 О5 ность, хорошая адгезия к стеклу, высокая термостойкость и стабильность сопротивления.

со

Недостатком этого устройства является значительное сопротивление, которое велико для осуществления качественной .передачи изображения в ЭОП при коротких временах экспозиции.

Кроме того, так как кермет имеет поликристаллическую струг туру и наносится на стеклянную подложку, имеющую шероховатости (до О,1 мкм), то он может служить источником автоэлектронной эмиссии при работе фото

ПОЛУПРОЗРАЧНЫЙ ФОТОКАТОД, содержащий стеклянную подложку и последовательно расположенные на ней прозрачный проводящий и фотоэмиссион пый слои, о т л и ч а ю Ц и и с я тем, что, с целью повьшения качества передачи изображения при коротких временах экспозиции, прозрачный прО водящий слой выполнен из окиси индия с добавкой олова при соотношении мае.ч. 4:1 6:1, а толщина слоя 0,5-0,7 мкм.