Способ изготовления фотокатода Советский патент 1993 года по МПК H01J9/12 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении быстродействующих фотоэлект- ронныхумножителей и электронно-оптических преобразователей (ЭОП), работающих в видимой области спектра оптического излучения.

Целью изобретения является повышение качества передачи изображения и повышение интегральной чувствительности фотокатодов.

Указанная цель достигается тем, что в способе изготовления фотокатода, заключающемся в последовательном осаждении на стеклянную подложку проводящего слоя из оксида индия, содержащего оксид олова, и сурьмяно-цезиевого фотоэмиссионного слоя, подложку и выращенный на ней проводящий слой последовательно подвергают обработке ионами инертного газа с энергией 0,4-2,0 кэВ, причем подложку обрабатывают 0,5-1.5 ч, проводящий слой 0,25- 0.5 ч, а перед осаждением фотоэмиссионного слоя доращивают, стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины.

Ниже приведен пример реализации способа.

Стеклянную подложку, выполненную из стекла С 52 подвергают ионному травлению в течение 0,5 часов ионами аргона с энергией 1 кэВ. Затем на подложку наносят прозрачный проводящий слой из (пзОз (Sn02) толщиной 0,3 мкм, который вновь подвергают обработке ионами аргона в течение 15 мин, при этом проводящий слой утонялся до 0.15 мкм. Далее этот слой доращивали до первоначальной толщины повторным напылением. После этого на проводящем слое формируют сурьмяно-цезиевый фотокатод любым известным способом. Проводящий слой наносился на стеклянную подложку методом магнетронного распыления индия, легированного оловом в атмосфере аргона и кислорода.

ел С

00

-а

О

со

IN) О

СО

При проведении испытаний были иссле-нии на стеклянную подложку проводящего

дованы две партии бипланарных ЭОП типаслоя из оксида индия, содержащего оксид

СП05, СП012, отличающихся лишь способа-олова, и сурьмяно-цезиевого фотоэмиссими подготовки подложки под фотокатод онного слоя, от л и ч а ю щ и и с я тем, что,

Фотокатоды в ЭОП в одной партии СП05,5 с целью повышения качества передачи изоСП012 были изготовлены на стекле с прово-бражения и интегральной чувствительности

дящей пленкой 1п20з(5п02) без ионногофотокатода, подложку, и проводящий слой

травления, в другой партии стекло и прово-последовательно подвергают- обработке

дящий слой перед формированием фотока-ионами инертного газа с энергией 0,4-2,0

тода подвергались воздействию ионных10 «эВ, -причем подложку обрабатывают 0,5пучков.1,5 ч, проводящий слой 0,25-0,5 ч, а перед

Формула изобретенияосаждением фотозмиссионного слоя дораСпособ изготовления фотокатода, за-щивают при обработке стравленный провоключающийся в последовательном осажде-. дящий слой до заданной толщины,

5

Использование: электронная техника. Сущность способа: при изготовлении фотокатода путем последовательного осаждения на подложку проводящего и фотоэмиссионного слоев, подложку и выращенный на ней проводящий слой-последовательно подвергают ионной обработке, а перед осаждением фотоэмиссионного слоя доращивают стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины. Это позволяет повысить интегральную чувствительность фотокатодов и улучшить качество передачи изображения при коротких временах экспозиции.