Способ контроля качества термообработки пленок фоторезиста Советский патент 1984 года по МПК G01N21/41 

:

5/

(Л

С

со

СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ТЕРМООБРАБОТКИ ПЛЕНОК ФСГГОРЕЗИСГА, включающий регистрацию и анализ спектра пропускания пленкой электромагнитного излучения, преимущественно инфракрасного, отличающи.и с я тем, что, с целью повышения точности контроля, регистрируют интерференционную картину в спектре пропускания пленки фоторезиста, сравнивают ее с интерференционной картиной в спектре пропускания эталонного образца и по фазовому Сдвигу и изменению интенсивности в интерференционных максимумах и минимумах определяют качество термообработки .пленки фоторезиста.

AI

-f

K,Cf4 Изобретение относится к электрон ной технике, в частности к способам контроля технологических процессов в производстве полупроводниковых приборов, и может быть использовано на операции контроля качества термо обработки .пленок фоторезиста. Известен способ контроля качеств сушки фоторезиста непосредственно в процессе его термообработки методом ИК-спектроскопии, согласно кото рому контроль ведут по содержанию паров испаряЮ1Ч1егося растворителя фот резиста в смеси газоносителя и продуктов испарения путем измерения интенсивности поглощения упомянутыми парами электромагнитных волн в области инфракрасного спектра, соот ветствующей характеристической поло поглощения паров данного растворителя ij Однако данный способ является, ко венным и при контроле этим способо не учитываются процессы термолиза, происходящие в пленке фоторезиста и в значительной степени определяющие качество термообработки пленок фоторезиста. Кроме того, необходим подбор газа-носителя для продурки камеры сушки для каждого конкретног растворителя, чтобы газ-носитель не имел заметных полос поглощения в контролируемой области ИК-спектра, определяемой используемьам растворителем, и в то же время не ухудшал качество термообработки данного фоторезиста. . Наиболее близким к изобретению по техничеокой сущности является способ контроля качества термообработки пленок фоторезиста, включающий регистрацию и анализ спектра пропускания пленкой электромагнитного излучения, преимущественно инфракрасного 2 . Согласно этому способу контроль ведут по содержанию остаточного растворителя и числа неполимеризованных групп, участвующих в реакции образования структурированного поли мера, в пленке фоторезиста путем измерения интенсивности поглощения электромагнитных волн в тех областя ИК-спектра, которые соответствуют полосам поглощения данного раствори теля, и групп, участвующих в реакци образования структурированного поли мера. При этом на стадии отработки способа фоторезист наносят на пластины из монокристаллического NaCl и записывают ИК-спект пропускания, при контроле качества термообработк пленок фоторезиста в технологическо процессе записывают ИК-спектр по методу двойного пропускания, для че пленку фоторезиста вдвое меньшей то щины нанося.т на ленточный материал, фольгированный алюминием (ФДИ-ЛП) , и измеряют спектр отражения от алюминиевой фольги, на которую нанесен фоторезист. Однако этот способ не может быть использован для контроля качества TfctJMOo6pa6oTKH пленок фоторезиста, нанесенных, например, на стеклопластины с маскирующим слоем. Это обусловлено тем, что, вопервых,- в отличие от монокристаллического NaCl происходит сильное поглощение в подложке электромагнитных волн в измеряемой области ИКспектра, а во-вторых, вследствие интерференции электромагнитных волн в пленке фоторезиста происходит перераспределение интенсивности электромагнитных волн в спектре пропускания, причем вид интерференционной картины зависит от оптической толщины пленки фоторезиста и коэффициентов отражения на границах пленки с подложкой и с окружающей средой. Кроме того, скорость реакций термолиза зависит от толщины пленки фоторезиста. В результате различия указанных факторов на стадии отработки способа и на стадии контроля качества термообработки в технологическом процессе, а также из-за трудоемкости их учета значительно снижается точность определения содержания остаточного растворителя и неполимеризованных групп, участвующих в образовании структурированного полимера, а следовательно, и точность контроля. Целью изобретения является повышение точности контроля. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу контроля качества термообработки пленок фоторезиста, включающему регистрацию и анализ спектра пропускания пленкой электромагнитного излучения, преимущественно инфракрасного, регистрируют интерференционную картину в спектре пропускания пленки фоторезиста, сравнивают ее с интерференционной картиной в спектре пропускания эталонного образца и по фазовому сдвигу и изменению интенсивности в интерференционных максимумах и минимумах определяют качество термообработки пленки фоторезиста. Регистрировать интерференционную картину в спектре контролируемой пленки фоторезиста можно или в проходящем электромагнитном излучении путем вычитания спектра пропускания подложки с нанесенной на нее пленкой фоторезиста из спектра пропускания подложки, или методом двойного пропускания в отраженном электромагнитном излучении путем вычитания спектра отражения подложки с нанесенной на нее пленкой фоторезиста из спектра отражения подложки.