Мостовое устройство Советский патент 1984 года по МПК H01P5/16 H01P1/185 H01P1/22 

Изобретение относится к технике СВЧ диапазона и предназначено для управления фазой или амплитудой в системах различного назначения. Известно мостовое устройство, содержащее мост с резисторами в двух плечах, регулируемым резистором в третьем плече и конденсатором в четвертом плече, при этом регулируемый резистор подключен к цепи управления 1. Однако мостовое устройство не обеспечивает удовлетворительное согласование по входу и выходу. Наиболее близким к предлагаемому является мостовое устройство, содержащее двухпроводную линию, с включенными в разрыв каждого ее проводника полупроводниковыми диодами, диагонально которым подключены дополнительные полупроводниковые диоды, и цепь смещения 2. Недостатком известного мостового устройства является недостаточное согласование по входу и выходу в режиме управЦель изобретения - обеспечение согласования по входу и выходу в режиме управления. Поставленная .цель достигается тем, что мостовое устройство, содержащее двухпроводную линию, с включенными в разрыв каждого ее проводника полупроводниковыми диодами, диагонально которым подключены дополнительные полупроводниковые диоды, последовательно с дополнительными полупроводниковыми диодами включены четвертьволновые отрезки линии передачи. На чертеже представлена электрическая принципиальная схема мостового устройства. Мостовое устройство содержит двухпроводную линию 1, в разрыв каждого проводника которой включены полупроводниковые диоды 2, диагонально которым подключены дополнительные полупроводниковые диоды 3, с последовательно подключенными четвертьволновыми отрезками 4 линии передачи. Полупроводниковые диоды 2 и дополнительные полупроводниковые диоды 3 идентичны и имеют импеданс Z. Дополнительные полупроводниковые диоды 3 образуют плечи мостового устройства, трансформируясь через четвертьволновые отрезки 4 с волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению двухпроводниковой линии 1 передачи Wo . Мостовое устройство работает следующим образом. Импедансы плеч образованные полупроводниковыми диодами 2, Zj,a импедансы противоположных плеч мостового устройства, трансформированные через четвертьволновые отрезки 4, равны Z . При этом входной и выходной импедансы мостового устройства равны ZBJ ZM,x.VZ,-Z2 VZ Wo. Таким образом, синхронное изменение импеданса полупроводниковых диодов 2 и дополнительных полупроводниковых диодов 3 не изменяет входного и выходного импеданса мрстового устройства в режиме управления. Если в качестве полупроводниковых диодов 2 и дополнительных полупроводниковых диодов 3 выбраны PIP диоды, импеданс которых - чисто активное сопротивление, мостовое устройство выполняет функцию управляемого аттенюатора или модулятора. Синхронное изменение сопротивлений приводит к изменению амплитуды колебаний на выходе мостового устройства, но не влияет на их фазу. Если в качестве полупроводниковых диодов 2 и дополнительных полупроводниковых диодов 3 выбраны РГП диоды, импеданс которых можно считать чистой реактивностью, то мостовое устройство выполняет функцию управляемого фазовращателя, Синхронное изменение всех реактивностей приводит к изменению фазы колебаний на выходе мостового устройства, но не влияет на их амплитуду. Неизменность согласования мостового устройства при управлении позволяет использовать его как звено управляемой СВЧ цепи и тем самым появляется возможность расширения динамического диапазона и формирования требуемого закона регулирования требуемого закона регулирования сигнала СВЧ.

МОСТОВОЕ УСТРОЙСТВО содержащее двухпроводную линию с включенными в разрыв каждого ее проводника полупроводниковыми диодами диагонально которым подключены дополнительные полупроводниковые диоды, отличающееся тем, что, с целью обеспечения согласования по входу и выходу в режиме управления, последовательно с дополнительными полупроводниковыми диодами включены четвертьволновые отрезки линии передачи: (Л ЧШ} 4 -CZZH ;о 00 со