Антиотражательный интерференционный светофильтр Советский патент 1984 года по МПК G02B5/28 

Изобретение относится к интерференционным светофильтрам и может быть использовано при лазерной диагностике плазмы, излучении рассеяния света и для повьшения эффективности фотокатодов. Известны многослойные интерференционные светофильтры, имеющие неболь шой коэффициент отражения в узкой области спектра и высокую отражател нун) способность в остальном спектральном интервале, например светофильтры типа Фабри-Перо. Подобные св тофильтры характеризуются контрастностью в отражении о ток С ---, где Р| J- отражательная способность по краям полосы с мальм отражением, отражательная способность в минимуме J, Недостатками фильтров Фабри-Перо являются небольшая контрастность (С 12) и значительное число слоев (15 и больше), что увеличивает трудоемкость изготовления и-сншкает механическую прочность. Небольшая кон.трастность в отражении в данном случае обусловлена различием в коэффици ентах отр;1жения на границах: диэлект рическая система - воздух и диэлектр ческая система - стекло. I . Наиболее близким по технической сущности к изобретению является анти отражательный интерференционный светофильтр, состоящий из последователь но расположенных на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления Пд -i- Iks и диэлектрического покрытия, выполненного из слоев с чередующимися П, и П .показателями преломления и фазовыми толщинами, равными (2т+1). , где s вещественная и мнимая части комплексного показателя препомпе™ ния металлического слоя, m - целое число 2 , Недостатком известного антиотражательного светофильтра является низкая контрастность з отражении света (), поскольку конструкция фильтра обеспечивает лишь выполнение усло вия ненулевого интерференционного минимума, а коэффициенты отражения на границах: диэлектрическая система металл и диэлектрическая система .воздух .не согласованы. Цель изобретения - повышение контрастности в отраженном свете. Поставленная цель достигается тем, что в антиотражательном интерференционном светофильтре, состоящем из последовательно расположенных на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления Пд + 4 kg и диэлектрического покрытия, вы- полненного из слоев с чередующимися и, и rt-2 показателями преломления i фазовыми толщинами, равными (2f i-:-1)4, где Пд и kg - вещественная и мнимая части комплексного показателя преломления металлического слоя, 1тцелое число, диэлектрическое покры тие выполнено симметричнвгм относительно его среднего слоя, при этом фазовые толщины крайних по отношению к металлическому слою и воздуху слоев равны (2т+1)|-+б , а показатели преломления слоев и величина S связаны соотношениями ,,.,- -(SffV - rV5 ..И Г/ПИ /n.N-, . ) ns(n5-()tk / r. ,|.i,7 0 - фазовая добавка крайних слоев диэлектрического покрытия; 2N-bt - число диэлектрических слоев. На фнг. 1 представлена схема редложенного фильтра; на фиг. 2 пектральная зависимость его коэфициента отражения. Антиотражательный интерференционый светофильтр состоит из подложи 1, прозрачного металлического лоя 2 и диэлектрического покрытия . Слои 4 выполнены с фазовой толиной, равной (2№-f1)Y+S . 3 На фиг. 2 показана спектральная зависимость коэффициента отражения R фильтра, состоящего из стеклянной пбдлозмси, непрозрачного слоя алюМИНИН и семислойного диэлектрическо покрытия, выполненного из чередующихся слоев сульфида цинка и криол та. В данном случае 8 -0,23. Контрастность фильтра в отраженном свете 010 . 894 Использование предлагаемого ф шьтра позволит увеличить чувствительность регистрирующей аппаратуры, в частности при лазерных термоядерных исследованиях, изучении процессов светорассеяния. Конструкция такого светофильтра не предполагает изменения существующей технологии изготовления тонкопленочных систем.

АНТИОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЬЙ СВЕТОФИЛЬТР, состоящий из последовательно расположенных на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления «2+ iVg и диэлектрического покрытия , вьшолненного из слоев с чередующимися п, и п показателями преломлениями фазоаътми толии1нами, равными ()где ttg и kg - вещественная и ,мни-мая части комплексного показателя преломления металлического слоя. vn - целое число, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения контрастности в отраженном .свете, диэлектрическое покрытие выполнено cи t eтpичньD I относительно его среднего слоя, при этом фазовые толщины кр-гйних по отношению к металлическому ;елою и воздуху слоев равны ( +S , а показатели преломления слоев и величина S связаны соотношениями . s .. ... n n пг 4trtf« . где ns(ne-ibl | , , пЦ . ,--arcl, n - Пс фазовая добавка крайних слоев диэлектрического покрытия; 2N+1 - число диэлектрических слоев.