Способ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовых доменов (при отсутствии других полей смещения). Доменную структуру можно наблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованным светом. При подаче на эпитаксиальную пленку однородного постоянного поля смещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного . неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся в месте раздела двух систем доменов (радиально сходящейся полосовой и радиально расходящейся из дефекта в пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных структур. Вели- чина напряженности магнитного одно- родного постоянного поля смещения, при которой возникают также кольцевы домены, является характеристикой пленки и не меняется от дефекта к дефекту. Эта величина определяется экспериментально.

Перемещая пленку относительно катушки, можно обнаружить все дефекты по появлению кольцевых доменов. Экспериментально установлено, что подача однородного поля смещения повышает чувствительность способа за счет облегчения условий зарождения новых доменов на дефектах в пленке.

Дополнительное повышение чувствительности способа достигается при использовании также регулируемого по величине напряженности магнитного поля в плоскости пленки.

Наличие этого поля способствует проявлению новых центров зародышеоб- разования в размагничивающейся после кратковременного воздействия импульсным магнитным полем плен- ке, намагничивающим ее до насыщения. В комбинации с однородным постоянным

0

5

0

0

5

5

0

5

полем смещения регулируемое плапарное поле, монотонно изменяющее свою напряженность от нуля, позволяет по очереди выявить практически все дефекты пленки, вплоть до самых слабых. Благодаря хорошей визуализации дефектов при таком способе возможна точная фиксация значений напряженности пла- нарного поля, т.е. возможна калибровка дефектов по степени их активности.

Таким образом, предлагаемый способ обладает хорошей визуализацией дефектов доменосодержащих пленок, позволяет повысить чувствительность обнаружения дефектов с малой коэрцитивной силой и размерами, дает возможность калибровать дефекты по их активности.

Формула изобретения

. Способ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках по авт. св. № 1322373, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности способа, на эпитаксиальную пленку подают однородное постоянное поле смещения, направленное противоположно вертикальной составляющей импульсного неоднородного магнитного поля смещения, и по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно нёмагничен- ной области обнаруживают дефект, расположенный в области пленки внутри кольцевого домена.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в плоскости пленки подают монотонно изменяющееся по величине напряженности магнитное поле и фиксируют проявление областей перемагничивания в пленке в виде новых кольцевых доменов, по моменту появления и положению которых судят соответственно об активности и местоположении дефектов пленки.

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение чувствительности способа обнаружения дефектов. Способ включает воздействие на эпитаксиальную пленку импульсным неоднородным магнитным полем смещения, кратковременно перемагничивающим доменосодержащую пленку до насыщения. Противоположно вертикальной составляющей импульсного поля подают однородное постоянное поле смещения. Дефект пленки обнаруживают по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно намагниченной области. Дополнительное повышение чувствительности достигается при использовании регулируемого по величине магнитного поля в плоскости пленки. Наличие однородного постоянного и регулируемого планарного полей повышает чувствительность способа обнаружения дефектов за счет облегчения зародышеобразования в размагничивающейся после окончания воздействия импульсного поля доменосодержащей пленке. Способ обладает хорошей визуализацией дефектов. 1 з.п. ф-лы.