Способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах Советский патент 1984 года по МПК H01L21/66 G01R31/265 

JL

J-

ffttsMepumejrb ffoif

Изобретение относится к полупроводнике- вому приборостроению н может быть использовано для физико-технического анализа, исследования дефектов п тюкальном объеме н контроля качества полупроводниковых

структур и приборов.

Известен способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводанковых образцах, в котором в качестве BHcimiero возбудителя сигнала фотоответа используется сфокусированный электронный пуч l.

Однако этот метод характеризуется недостаточно высокой знергией электронного пуча, , которая не позволяет проводить исследования локальных объемных дефектов во всей толще герметизирова Н1ых и заключенных в корпус отбракованных приборов без их вскрытия.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обна})ужения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздействие на образец сфокусированного рентгеновского излучения, направленного в толщу образца, и контроль качества образца 2.

Недостатком этого способа является невозможност ь осуществлять -контроль локальных объемных дефектов в полупроводн 1ковых структурах и приборах.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимущественно для контроля качества готовых полупроводагосовых приборов.

Поставленная цепь достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводннковь1х образцах,в1СГ ючающем. воздействие на образец сфокусированного рентгеновского излучения, направленного в толщу образца, и контроль качества образца, воздействие сфокусированны рентгеновским излучением осуществляют перпендикулярно поверхности образца, а контроль качества образца осзществляют по сигналу фотоответа.

На чертеже схематически изображено устройство для обнаружешш локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах.

Направленное излучение источника 1 огра шчивается диафрагмой 2, окончательно формируется коллимирующим устройством 3 и проникает перпендикулярно планарной поверхности исследуемой структуры на всю толщину исследуемого образцй. 4, который посредством предметного столика (на чертеже не показан) может перемещаться в двух коорд1пгатах д.ия осу цсствления сканирования луча по всей поверхности образца.

Работа устройства и реализация способа осуодествляются следугопдим образом.

Исследуемая многослойная структура или прибор в корпусе подключаются к измерительной схеме (па чертеже не показана) посредством имеющихся выводов без вскрытия корпуса и изготовления дополнительных токо-. съемников. Включают источник 1 рентгеновского излучения, фокусируют рентгеновский луч в локальную область сследуемого образца 4.

Исследуя фотоответ р-п-переходов активных элементов npii сканировании образца тноснт лJFC регпгеновского луча, сравнивагот сигнал фотоответа с сигналом эталонного образца и оценивают качество р-п-переходов исследуемого гфибора в той или иной точке топологии.

Использование рентгеновского позволяет расширить функциональные возможности устройства П)И обнаружени локальных объемных дефектов в полупроводниковых приборах без вскрьтия самих приборов и изготовления дополнительных токосъе.мников при анализе и. исследованки .их качества.

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ОБЪЕМНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБРАЗЦАХ, включающий воздействие па образец сфокусироватюго рентгеновского излучения, направле1пгого в толщу образца, и контроль качества образца, о т л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей преимущественно для контроля качества готовых полупроводниковых приборов, воздействие сфокусированным рентгеновским излучением осуществляют перпендикулярно поверхности образца, а кошроль качества образца осуществляют по сигналу фотоответа. (Л