Способ выращивания кристаллов Советский патент 1958 года по МПК C30B7/00 

Описание патента на изобретение SU113626A1

Криста.мы многих iK-iiuci:; tin/ia;uii(rr ciuMiCTisoM pa.ii;Mis;r; ься ( ти) To.ibKO в нанрав.юнни нскоюрых rpaiicii. -oci li ,. .ipviiix Ipaiicii ;ка7.ывастся .., lie нсегда i,() iiafnii yc;iop,iu; (нанрнуср, iiyixM )лб(И)а cociaii, СрСЛЬ), КОЮрЬК СНОСсбс РЛЮТ раИНОМ1.1)1(;му и oijicrpijMy ростх iicrx его rpaiicii. В ;)с1улыа- е SKHo ,-; iOICH ,infill 1ПОЛ15Ча n.lr |С, ГД:: Mepii()i( pociai, ,( li/iac :-,ic ( Л;5ухмер1 О (1 рое а крне1Д1.1,1В1. Чаето о;, 1К-;Г,х() хекорнд; рост мел, pacTMiuix гранен с lUMbio новын1е П я (|ч|)( npoiucea вв1ранпп;а1 ня нлм лля но.| чен1;я равномерно ;) крнСг,-,(}1, .т И ОСНОВА нрел..(| сносопа вь:1) )ne гал.ии; ():| C-HO П(Л усс1 iuMHoe поврежленпе iix noBepXHOCieii во время nx роета. C)ni iVb Г1окаа,а., что новрежленпе поверхности растушеп гранн. лаже весвма He,.n)Hvie п не:5аметное на I.ia:, 11ропз 5еленное, liaiipiniep, царапанпем 1рн номощн како|-о-.тнбо |В1 рло о uiicrpyMenia, зпачиTe.iBHo (к песко,Н)Ко раз) новвшшет скорость рос;; diDii грани и но БЫ: hiii;ic; Hojiis/ieiiiiH л:: ;-; 1оског1ичоскн лс(|)сктов -; KiMicTa/i.ic. (.oi.iaciio ;1.)о:сник), процесс jisicra мод/юнпо ралтхнцгх Kiiiicin.i.iOH ii/iii ко-мн/к-кс; 1г;;;:онно растущих гшнс; ,;j) г нонрсрывным пли IKpiH : НОИ|1С 1 ЛСП11СМ Г|1аИсГ| H,ni;)coep. i)6pa:;oiiaHHi)x нсресочоппс ; ;пх rpaHcfi, HaiipnMcp. iiapanann:. с 1|Л;(:ЦЫО isa Kk )Г(-Л i iOO СрЛ01Ч1 i:;;c: p мен ra. |(; Г1е ; ленпе новерхное i;: : а/:, la rpa -jrcM мо/ке oc ui,eе;вд5;11.ся диа/к -;;:,. laKHX де1а.1ен. гременкн ;;.ia щегки. libHuviHeu - - :ега:да, creK.ia. пластмассы Адмернаюв, не pearnpxio - - л:аточ:д,м раствором. Коп Мрукцня нетруме гга, осхществляюП1СГО но15ре 1 ленпе IjKilieii к)1нета;1ла , вееьма . Daiiioooii:;-sHa в -lairaciixriic ei г luiia i-,... i v... .j., KPic 1 ai.i. ioii H inv;i ;e;/nM ii) еноесюа, BiiipaHun.a.iiiH. Прелмег и л о о р е т е н н я «люсоо Д 1рап1Н1;аппя крнсталло.; из pa.ciBopoi,. о i .1 li ч а io пщ ii с я тех;, что, с целью повляшенпя скоростн pocia eio гране, часга.ост.

Похожие патенты SU113626A1

название год авторы номер документа
Устройство для крепления металлизированных кристаллических элементов в кварцевых резонаторах 1956
  • Поздняков П.Г.
SU104840A1
Способ настройки вакуумных пьезоэлектрических резонаторов 1957
  • Поздняков П.Г.
SU110266A2
Пьезоэлектрический резонатор 1950
  • Поздняков П.Г.
SU96100A1
Задвижка для вакуумных печей 1957
  • Добровольский П.Г.
  • Смородин М.В.
SU113028A1
Способ регулировки частоты пьезоэлектрических резонаторов 1956
  • Поздняков П.Г.
SU104042A1
Способ массажа вымени и устройство для его осуществления 1988
  • Вельчо Станислав Федорович
SU1519599A1
Автоматизированная установка для послепрессовой обработки деталей из пластмасс 1988
  • Левин Владимир Давыдович
  • Грузинцев Роберт Моисеевич
  • Данилов Эдвард Григорьевич
  • Фомин Алексей Борисович
  • Добычин Анатолий Алексеевич
  • Шмитман Александр Лазаревич
SU1519899A1
Способ распиловки пьезоэлектрических и других кристаллов 1950
  • Поздняков П.Г.
SU87095A1
Ткацкий челнок 1949
  • Зубов А.А.
  • Легошин П.Г.
  • Некрытый С.С.
SU83613A1
Устройство для психофизиологических исследований 1988
  • Чертыковцев Валерий Кириллович
  • Смолянинов Владимир Владимирович
SU1505505A1

Реферат патента 1958 года Способ выращивания кристаллов

Формула изобретения SU 113 626 A1

SU 113 626 A1

Авторы

Поздняков П.Г.

Даты

1958-01-01Публикация

1954-07-24Подача